JPH02277228A - 分子線エピタキシヤル結晶成長装置および成長方法 - Google Patents
分子線エピタキシヤル結晶成長装置および成長方法Info
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- JPH02277228A JPH02277228A JP1097328A JP9732889A JPH02277228A JP H02277228 A JPH02277228 A JP H02277228A JP 1097328 A JP1097328 A JP 1097328A JP 9732889 A JP9732889 A JP 9732889A JP H02277228 A JPH02277228 A JP H02277228A
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- shutter
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、分子線エピタキシャル結晶成長装置及び成長
方法に係り、特に多種類の元素から成る化合物半導体超
薄膜の高精度の形成装置及び形成方法に関する。
方法に係り、特に多種類の元素から成る化合物半導体超
薄膜の高精度の形成装置及び形成方法に関する。
従来、分子線エピタキシャル結晶成長（ＭＢＥ）におい
ては１分子線源より分子線を均一に噴射させ基板上に膜
厚や組成が高精度に制御された薄膜を形成させるために
種々の方法が提案されている。
ては１分子線源より分子線を均一に噴射させ基板上に膜
厚や組成が高精度に制御された薄膜を形成させるために
種々の方法が提案されている。
例えば、分子線源セルの温度を均一化させるためヒータ
及びその制御法に関連するものには、特開昭５９−９２
９９６号、特開昭５３−１２６２６２号等が挙げられる
。
及びその制御法に関連するものには、特開昭５９−９２
９９６号、特開昭５３−１２６２６２号等が挙げられる
。
また、分子線源セルのシャツタ開閉時のるつぼ温度の変
動を少なくするためシャッタ梼造の改良に関するものに
は、特開昭６０−１２９１２６号、特開昭６０−５７６
１１号、特開昭６３−５８９１８号等が挙げられる。
動を少なくするためシャッタ梼造の改良に関するものに
は、特開昭６０−１２９１２６号、特開昭６０−５７６
１１号、特開昭６３−５８９１８号等が挙げられる。
更に、堆積膜の品質、例えばヘテロ界面の原子配列の平
坦性や接合の急峻性を向上させるための成膜プロセスに
おける分子線の照射の制御方法に関連するものには、特
開昭６３−１０２２２２号、特開昭６３−１３２４２１
号、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
イジクス２４巻（１９８５年）第Ｌ４１７頁〜第Ｌ４２
０頁（Ｊａｐａｎｅｓ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 ２４ ｐ 、 Ｌ４１７
〜Ｌ４２０ （１９８５））、ジャパニーズ・ジャーナ
ル・オブ・アプライド・フイジクス第２５巻（１９８６
年）第Ｌ８６８頁〜第Ｌ８７０頁（Ｊａｐａｎｅｓ Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
、 ２４ｐ、Ｌ８６８〜Ｌ８７０ （１９８６））等が
挙げられる。
坦性や接合の急峻性を向上させるための成膜プロセスに
おける分子線の照射の制御方法に関連するものには、特
開昭６３−１０２２２２号、特開昭６３−１３２４２１
号、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
イジクス２４巻（１９８５年）第Ｌ４１７頁〜第Ｌ４２
０頁（Ｊａｐａｎｅｓ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 ２４ ｐ 、 Ｌ４１７
〜Ｌ４２０ （１９８５））、ジャパニーズ・ジャーナ
ル・オブ・アプライド・フイジクス第２５巻（１９８６
年）第Ｌ８６８頁〜第Ｌ８７０頁（Ｊａｐａｎｅｓ Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
、 ２４ｐ、Ｌ８６８〜Ｌ８７０ （１９８６））等が
挙げられる。
上記従来技術はいずれも堆積膜厚の制御やヘテロ界面の
平坦性を向上させるものであるが、その組成再現性、Ｍ
ＢＥ法では極めて困難であるリンとヒ素を含む混晶膜の
形成、量子細線構造の形成等の課題には配慮されていな
い。
平坦性を向上させるものであるが、その組成再現性、Ｍ
ＢＥ法では極めて困難であるリンとヒ素を含む混晶膜の
形成、量子細線構造の形成等の課題には配慮されていな
い。
本発明の目的は上記課題を解決する高精度の分子線エピ
タキシャル結晶成長装置及び結晶成長方法を提供するこ
とにある。
タキシャル結晶成長装置及び結晶成長方法を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は、開閉頻度の激しいシャッタのメン
テナンス頻度を低減させることにある。
テナンス頻度を低減させることにある。
上記目的は、各種の分子線源から噴射される分子線を基
板上に短かい周期のパルス状に照射することにより達成
される１分子線源から噴射される分子線を制御されたパ
ルス状にするためには、１つの分子線源セルに対して２
つのシャッタを設けて、それぞれのシャッタの開閉をコ
ントロールすることにより容易に達成される。
板上に短かい周期のパルス状に照射することにより達成
される１分子線源から噴射される分子線を制御されたパ
ルス状にするためには、１つの分子線源セルに対して２
つのシャッタを設けて、それぞれのシャッタの開閉をコ
ントロールすることにより容易に達成される。
まず、本発明で用いる堆積膜の「層」という言葉につい
て定義する。
て定義する。
基板上に堆積した１原子層の配列を「原子層」と称する
６例えば、Ｇａ原子層ｅ Ａ ｓ原子層等である。
６例えば、Ｇａ原子層ｅ Ａ ｓ原子層等である。
■族元素と■族元素の化学量論組成（ｓｔｏｉｃｈｉｏ
−ｍｅｔｒｙ）の１分子層の配列を「分子層」と称する
。
−ｍｅｔｒｙ）の１分子層の配列を「分子層」と称する
。
例えば、Ｇ ａ Ａ ｓ分子層、ＩｎＰ分子層等である
。
。
次に超格子構造や超薄膜等において数分子層以上堆積さ
せて一つの機能を有する層を「機能層」と称する。例え
ば、量子井戸層、障壁層、ベース層、エミツタ層等であ
る。
せて一つの機能を有する層を「機能層」と称する。例え
ば、量子井戸層、障壁層、ベース層、エミツタ層等であ
る。
更に複数の機能層にから成り要素デバイスを構成する層
を「構造層」と称する８例えば、ヘテロ接合バイポーラ
トランジスタ層である。
を「構造層」と称する８例えば、ヘテロ接合バイポーラ
トランジスタ層である。
通常のＭＢＥ法において、例えばＧ ａ Ａ ｓの機能
層を形成するためには、化学量論比より大過剰のＡｓ分
子線（Ａｓａ）とＧａ分子線とを同時に基板に照射して
いる。この時、Ｇａ分子線の付着係数はほぼ１であり、
即ち基板表面に照射されたＧａ分子線はほとんど全て堆
積に寄与する。一方、Ａｓ分子線の付着係数はＧａ原子
層上ではほぼ１であるが、自由なＧａ原子がない場合は
Ｏであり、即ちＡｓ分子線はＧａ原子層上にのみ堆積す
る。
層を形成するためには、化学量論比より大過剰のＡｓ分
子線（Ａｓａ）とＧａ分子線とを同時に基板に照射して
いる。この時、Ｇａ分子線の付着係数はほぼ１であり、
即ち基板表面に照射されたＧａ分子線はほとんど全て堆
積に寄与する。一方、Ａｓ分子線の付着係数はＧａ原子
層上ではほぼ１であるが、自由なＧａ原子がない場合は
Ｏであり、即ちＡｓ分子線はＧａ原子層上にのみ堆積す
る。
このため堆積速度はＧａ分子線の強度で律速され。
また結晶の品質にも基板上のＧａの表面マイグレーショ
ンが大きな効果を示すことが知られている。
ンが大きな効果を示すことが知られている。
Ｇａ原子の表面マイグレーションを有効に作用させるた
めに、−機能層を形成させた後、数秒〜数１０秒間Ｇａ
分子線の照射を中断しその間マイグレーションを活性化
させたり、Ｇａ分子線とＡｓ分子線を一原子層ずつ交互
に照射することによりＧａ原子層上へのＡｓの付着を中
断してＧａのマイグレーションを活性化させたりする方
法が知られている。
めに、−機能層を形成させた後、数秒〜数１０秒間Ｇａ
分子線の照射を中断しその間マイグレーションを活性化
させたり、Ｇａ分子線とＡｓ分子線を一原子層ずつ交互
に照射することによりＧａ原子層上へのＡｓの付着を中
断してＧａのマイグレーションを活性化させたりする方
法が知られている。
原子の秩序的な配列がマイグレーションの活性化によっ
て定まるならば１分子線密度を小さくして堆積速度を遅
くすることによっても相対的にＧａのマイグレーション
距離が増大し結晶性が向上することになる。そこで１本
発明者は、分子線強度を小さくして堆積速度を遅くして
結晶成長させたが結晶性（表面平坦性）の向上は見られ
なかった。一方、基板表面に付着（滞在）する原子が過
飽和となることにより二次元核が発生して結晶成長する
と考えた。二次元核が発生するための過飽和度となる分
子線を照射し、かつ表面マイグレーションを活性化させ
るためには、一原子層を形成する過程において、分子線
を一原子層形成よりも短かい周期のパルス状に照射する
ことが有効となるであろう。
て定まるならば１分子線密度を小さくして堆積速度を遅
くすることによっても相対的にＧａのマイグレーション
距離が増大し結晶性が向上することになる。そこで１本
発明者は、分子線強度を小さくして堆積速度を遅くして
結晶成長させたが結晶性（表面平坦性）の向上は見られ
なかった。一方、基板表面に付着（滞在）する原子が過
飽和となることにより二次元核が発生して結晶成長する
と考えた。二次元核が発生するための過飽和度となる分
子線を照射し、かつ表面マイグレーションを活性化させ
るためには、一原子層を形成する過程において、分子線
を一原子層形成よりも短かい周期のパルス状に照射する
ことが有効となるであろう。
分子線をパルス状に照射することにより、従来のＭＢＥ
では極めて困難であったリンとヒ素の混晶をＰ分子線と
Ａｓ分子線を交互にパルス照射することにより堆積膜組
成を制御することができる。
では極めて困難であったリンとヒ素の混晶をＰ分子線と
Ａｓ分子線を交互にパルス照射することにより堆積膜組
成を制御することができる。
また、一原子層以下の堆積の制御も可能となり、量子井
戸細線構造の形成が容易になる。
戸細線構造の形成が容易になる。
次に、分子線をパルス状に照射するためには、１つの分
子線源セルに対して複数のシャッタを用いることにより
容易に制御できる。第１のシャッタは短かい周囲で繰返
し開閉してパルス状分子線を生成する。短かい周期であ
るため分子線源るつぼの温度変動は見られない。第２の
シャッタは通常のＭＢＥで用いられているものと同様に
一機能層の形成時間に対応して開閉させることに用いる
。
子線源セルに対して複数のシャッタを用いることにより
容易に制御できる。第１のシャッタは短かい周囲で繰返
し開閉してパルス状分子線を生成する。短かい周期であ
るため分子線源るつぼの温度変動は見られない。第２の
シャッタは通常のＭＢＥで用いられているものと同様に
一機能層の形成時間に対応して開閉させることに用いる
。
第１図は本発明によるＭＢＥ装置の主要部である真空チ
ャンバ１０の模式図を示す。
ャンバ１０の模式図を示す。
図面では省略したが、ＭＢＥ装置は真空チャンバの他に
試料準備室９分析室及び排気系より成る。
試料準備室９分析室及び排気系より成る。
排気系はイオンポンプとチタンゲッタポンプより成り、
真空チャンバの到達圧力は４ Ｘ １０”Ｔｏｒｒであ
る０分析室には、オージェ電子分光装置、二次イオン質
量分析装置が装備されている。
真空チャンバの到達圧力は４ Ｘ １０”Ｔｏｒｒであ
る０分析室には、オージェ電子分光装置、二次イオン質
量分析装置が装備されている。
真空チャンバ１０の内部には、分子線源セル１１ （ｌ
ｌａ、ｌｌｂ、ｌｌｃ、１ｉｄ）、セルシャッタ１２（
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）。
ｌａ、ｌｌｂ、ｌｌｃ、１ｉｄ）、セルシャッタ１２（
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ）。
１３ （１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）、基板シャ
ッタ１４．加熱機構付試料ホルダ１５．電子線回折装置
１６．四重極質量分析装置１７が装備されている。チャ
ンバ１０はステンレス鋼で外部にベーキングヒータ、内
部に液体窒素冷却パネルを具備している・ 分子線源セル１１は容量２０ｍｆｉの窒化ホウ素製で周
囲のタンタルヒータにより最高１５５０℃まで加熱でき
る。
ッタ１４．加熱機構付試料ホルダ１５．電子線回折装置
１６．四重極質量分析装置１７が装備されている。チャ
ンバ１０はステンレス鋼で外部にベーキングヒータ、内
部に液体窒素冷却パネルを具備している・ 分子線源セル１１は容量２０ｍｆｉの窒化ホウ素製で周
囲のタンタルヒータにより最高１５５０℃まで加熱でき
る。
セル用シャッタは１つのセルに付き２つのシャッタ１２
．１３を有する。第１のシャッタ１２は回転円盤でスリ
ットを等間隔に設けたものである。
．１３を有する。第１のシャッタ１２は回転円盤でスリ
ットを等間隔に設けたものである。
円盤の遮蔽部分ではセル１１からの分子線はストップし
、スリット部分では分子線が通過する。円盤の回転数に
よりシャッタリング周期を調節できる。第２のシャッタ
１３は通常のセル用シャッタと同様、機能層の形成タイ
ミングに応じて開閉させる。
、スリット部分では分子線が通過する。円盤の回転数に
よりシャッタリング周期を調節できる。第２のシャッタ
１３は通常のセル用シャッタと同様、機能層の形成タイ
ミングに応じて開閉させる。
基板シャッタ１４は基板に照射する全ての分子線及びコ
ンタミを遮蔽するためのものである。
ンタミを遮蔽するためのものである。
電子線回折装置１６は堆積膜の結晶性をその場ｗｔ察す
るためで、３０ｋＶの電子銃１６ａと蛍光スクリーン１
６ｂより成る。
るためで、３０ｋＶの電子銃１６ａと蛍光スクリーン１
６ｂより成る。
実施例Ｉ
ＧａＡｓ−ＡＱＡｓ多重量子井戸の形成分子線源セルｌ
ｌａ、ｌｌｂ、ｌｌｃにそれぞれ高純度ＡＱ、Ｇａ、Ａ
ｓを装填した。基板は水平ブリッジマン法によるＣｒド
ープ半絶縁性ＧａＡｓウェハで、（００１）面、エッチ
ピット密度５００ａ＋１””、大きさ５０φである。
ｌａ、ｌｌｂ、ｌｌｃにそれぞれ高純度ＡＱ、Ｇａ、Ａ
ｓを装填した。基板は水平ブリッジマン法によるＣｒド
ープ半絶縁性ＧａＡｓウェハで、（００１）面、エッチ
ピット密度５００ａ＋１””、大きさ５０φである。
まず、真空チャンバ１０内を１０″″”Ｔｏｒｒ台まで
真空排気し１次に基板温度を６００±５℃に加熱し、Ａ
ｓ番分子線フラックス４ Ｘ １０１４／ｃｄ・Ｓの雰
囲気中で基板表面の自然酸化膜を除去した。
真空排気し１次に基板温度を６００±５℃に加熱し、Ａ
ｓ番分子線フラックス４ Ｘ １０１４／ｃｄ・Ｓの雰
囲気中で基板表面の自然酸化膜を除去した。
次に基板温度を５６０＋５℃に設定し、ＧａＡｓバッフ
ァ層を３０００人堆積させた後ＡｆｌＡｓバリア層５１
人（１８分子層）とＧａＡｓ量子井戸層４０人（１４分
子層）を交互に４０層ずつ堆積させた。
ァ層を３０００人堆積させた後ＡｆｌＡｓバリア層５１
人（１８分子層）とＧａＡｓ量子井戸層４０人（１４分
子層）を交互に４０層ずつ堆積させた。
第２図はＡＱＡｓ−ＧａＡｓ多重量子井戸層形成時の、
セルシャッタ１２．１３の開閉シーケンス及び基板に照
射される分子線のタイミングを示す、ＡΩ及びＧａ分子
線源セルの第１の回転円盤形シャッタ１２ａ、１２ｂは
それぞれ６００ｒｐｍ。
セルシャッタ１２．１３の開閉シーケンス及び基板に照
射される分子線のタイミングを示す、ＡΩ及びＧａ分子
線源セルの第１の回転円盤形シャッタ１２ａ、１２ｂは
それぞれ６００ｒｐｍ。
３６Ｑｒｐｍで回転させる。ことにより開閉を繰返し、
ＡＱＡｓバリア層形成時は、ＡＱ分子線源セル（加熱温
度１１２０℃）の第２のシャッタ１３ａのみ開放し、Ｇ
ａＡｓ井戸層形成時は、Ｇａ分子線源セル（加熱温度９
２０℃）の第２のシャッタ１３ｂのみ開放とした。これ
らの時のＡＰ及びＧａの分子線強度は６×１０１４／ｄ
−５である。
ＡＱＡｓバリア層形成時は、ＡＱ分子線源セル（加熱温
度１１２０℃）の第２のシャッタ１３ａのみ開放し、Ｇ
ａＡｓ井戸層形成時は、Ｇａ分子線源セル（加熱温度９
２０℃）の第２のシャッタ１３ｂのみ開放とした。これ
らの時のＡＰ及びＧａの分子線強度は６×１０１４／ｄ
−５である。
Ａｓ分子線源セルの第１シヤツタ１２ｃ及び第２シヤツ
タ１３ｃは常時開放である。
タ１３ｃは常時開放である。
この様なプロセスによる結晶成長では電子線回折の反射
電子ビーム強度は明確な振動を繰返し、原子スケールで
の平坦性が再現性よく達成できた。
電子ビーム強度は明確な振動を繰返し、原子スケールで
の平坦性が再現性よく達成できた。
また１水力式により作成した結晶膜の液体窒素温度にお
けるホトルミネッセンスの評価では、７４０ｎｍの発光
ピークの半値幅は約４ｍｅＶと、従来法の単一シャッタ
リング方式に比べて１７２〜１／３と極めて鋭い発光波
形が得られた。
けるホトルミネッセンスの評価では、７４０ｎｍの発光
ピークの半値幅は約４ｍｅＶと、従来法の単一シャッタ
リング方式に比べて１７２〜１／３と極めて鋭い発光波
形が得られた。
実施例２
ＡＲＡｓの低温成長
実施例１に用いた装置で、ＡＭとＧａの分子線を同時に
パルス状に照射してＧａＡｓ基板上にＡＱＧａＡｓ層を
結晶成長させた。
パルス状に照射してＧａＡｓ基板上にＡＱＧａＡｓ層を
結晶成長させた。
その結果、基板温度５５０℃以上で、表面粗れがなく良
好な結晶が成長できた。従来Ａ Ｑ ＧａＡｓでは良好
な結晶を形成するためには、基板温度は６５０℃以上が
必要であり、これはＧａＡｓの結晶成長より約１００℃
高いため、不純物が拡散しやすく急峻なプロファイルの
形成が困難であった。
好な結晶が成長できた。従来Ａ Ｑ ＧａＡｓでは良好
な結晶を形成するためには、基板温度は６５０℃以上が
必要であり、これはＧａＡｓの結晶成長より約１００℃
高いため、不純物が拡散しやすく急峻なプロファイルの
形成が困難であった。
実施例３
（Ａ Ｑ Ａ ｓ）ｎ／ｚ （Ｇ ａ Ａ ｓ）ｉ／ｚ
量子細線構造の形成 実施例１と同様の方法で、Ｇ ａ Ａ ｓ単結晶基板は
、（００１）面の［１１０］方向へ２″′傾いたものを
用い、Ａｆｌ （１０Ｈｚ）とＧａ（６Ｈｚ）のパルス
状分子線を３秒毎に交互に照射した。
量子細線構造の形成 実施例１と同様の方法で、Ｇ ａ Ａ ｓ単結晶基板は
、（００１）面の［１１０］方向へ２″′傾いたものを
用い、Ａｆｌ （１０Ｈｚ）とＧａ（６Ｈｚ）のパルス
状分子線を３秒毎に交互に照射した。
その結果、第３図に示す周期８．２ｎｍ の量子細線が
形成できた。
形成できた。
これは、特に表面でのＡｌｌ子のマイグレーションが有
効に活性化されステップから秩序良く面内に横方向成長
できるためである。
効に活性化されステップから秩序良く面内に横方向成長
できるためである。
実施例４
Ｉ ｎ（ｉ−ｘ）Ｇ ａｘＡ ５ｙＰ（ｉ−ｙ）混晶の
形成基板としてＩｎＰ単結晶ウェハを用いた６分子線源
としてＩｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｐを用い、第４図に示すシー
ケンスにより結晶成長させた。るつぼ温度はＩｎ７６０
℃、Ｇａ８５０℃、Ｐ２１０℃。
形成基板としてＩｎＰ単結晶ウェハを用いた６分子線源
としてＩｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｐを用い、第４図に示すシー
ケンスにより結晶成長させた。るつぼ温度はＩｎ７６０
℃、Ｇａ８５０℃、Ｐ２１０℃。
Ａ ｓ ２７０℃である。特にＰとＡｓの分子線が真空
中で会合することがない様にシャッタリングの開閉タイ
ミングがずれる様に制御した。
中で会合することがない様にシャッタリングの開閉タイ
ミングがずれる様に制御した。
その結果、０．３μｍ／ｈ の堆積速度で結晶成長し
、その組成は、二次電子質量分析の結果、Ｉ ｎ ｏ、
ａ番Ｇ ａ ｏ、ｏｅＡ ｓ ｏ、五ｚＰｏ、ａｓであ
るＯ更に、各々の分子線源セル１１のるつぼ温度及びシ
ャッタ１３の開閉制御により混晶比Ｘ＋’ｊを調節する
ことが可能である。
、その組成は、二次電子質量分析の結果、Ｉ ｎ ｏ、
ａ番Ｇ ａ ｏ、ｏｅＡ ｓ ｏ、五ｚＰｏ、ａｓであ
るＯ更に、各々の分子線源セル１１のるつぼ温度及びシ
ャッタ１３の開閉制御により混晶比Ｘ＋’ｊを調節する
ことが可能である。
本発明によれば、基板に照射する分子線の強度（二次元
核発生密度）と基板に付着した原子のマイグレーション
励起の周期をそれぞれ独立に調節でき、高精度高品質の
薄膜結晶成長が可能である。
核発生密度）と基板に付着した原子のマイグレーション
励起の周期をそれぞれ独立に調節でき、高精度高品質の
薄膜結晶成長が可能である。
特にヘテロ界面の原子スケールでの平坦性が従来方式の
２〜３倍向上し、またプロセスの再現性（膜厚９組成）
も向上できる。更に量子細線構造やリンとヒ素を含む混
晶も容易に形成できる。
２〜３倍向上し、またプロセスの再現性（膜厚９組成）
も向上できる。更に量子細線構造やリンとヒ素を含む混
晶も容易に形成できる。
また、従来のＭＢＥにおいては、シャッタの開閉頻度が
極めて激しいため、耐久性が悪く、度々高真空を破るメ
ンテナンスを要する。２つのシャッタを同一用途として
用いることにより、メンテナンス頻度を低減することに
も寄与できる。
極めて激しいため、耐久性が悪く、度々高真空を破るメ
ンテナンスを要する。２つのシャッタを同一用途として
用いることにより、メンテナンス頻度を低減することに
も寄与できる。
第１図は本発明による装置の模式図、第２図。
第４図は本発明の実施例の分子線照射のタイムシーケン
スを示す図、第３図は本発明により形成した量子細線構
造の模式図である。 １０・・・真空チャンバ、１１・・・分子線源セル、１
２・・・第一のセルシャッタ、１３・・・第二のセルシ
ャツ第 図 菩 芋２凪 バヂル螢邪、残゛ １１＠八。 バ°−了ノｉ什１へ。 茅 ４図 蒸析：照＠１１３＊’ｒ線のり４ムシーケ゛ノ人ｒＬ
スを示す図、第３図は本発明により形成した量子細線構
造の模式図である。 １０・・・真空チャンバ、１１・・・分子線源セル、１
２・・・第一のセルシャッタ、１３・・・第二のセルシ
ャツ第 図 菩 芋２凪 バヂル螢邪、残゛ １１＠八。 バ°−了ノｉ什１へ。 茅 ４図 蒸析：照＠１１３＊’ｒ線のり４ムシーケ゛ノ人ｒＬ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高真空中で基板上に複数の分子線を照射して化合物
半導体薄膜をエピタキシャル成長させる方法において、
分子線源セルより噴射した分子線の少なくとも一つは断
続的なパルス状で基板に照射して基板上に分子層を形成
することを特徴とする分子線エピタキシャル結晶成長方
法。 ２、高真空中で基板上に化合物半導体薄膜を分子線エピ
タキシャル成長させる装置において、１つの分子線源セ
ルに対して複数のシャッタ及びそれらの開閉制御機構を
有することを特徴とする分子線エピタキシャル結晶成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097328A JPH02277228A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 分子線エピタキシヤル結晶成長装置および成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097328A JPH02277228A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 分子線エピタキシヤル結晶成長装置および成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277228A true JPH02277228A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14189417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1097328A Pending JPH02277228A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 分子線エピタキシヤル結晶成長装置および成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02277228A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100388424C (zh) * | 2003-08-25 | 2008-05-14 | 夏普株式会社 | 分子束外延生长设备和控制它的方法 |
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1989
- 1989-04-19 JP JP1097328A patent/JPH02277228A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100388424C (zh) * | 2003-08-25 | 2008-05-14 | 夏普株式会社 | 分子束外延生长设备和控制它的方法 |
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