JPH0227776A - 半導体中性子線検出素子 - Google Patents
半導体中性子線検出素子Info
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- JPH0227776A JPH0227776A JP63176415A JP17641588A JPH0227776A JP H0227776 A JPH0227776 A JP H0227776A JP 63176415 A JP63176415 A JP 63176415A JP 17641588 A JP17641588 A JP 17641588A JP H0227776 A JPH0227776 A JP H0227776A
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- rays
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱中性子線が入射した際ほう素の同位元ｇ
Ｉ ＊ Ｂとの反応によって発生するα線を利用する半
導体中性子線検出素子に関する。
Ｉ ＊ Ｂとの反応によって発生するα線を利用する半
導体中性子線検出素子に関する。
半導体放射４ｍｍ出出素子原理は、ｐｎ接合や半導体−
金属シッットキー接合または単結晶半導体と非晶質半導
体とのへテロ接合等、いずれかの方法でダイオード構造
を形成し、そのダイオードに逆バイアス電圧を印加し、
これにより半導体中に空乏層を拡げ、この空乏層中に清
来した放射線により発生する電子−正孔対を電流パルス
としてカウントし検出するものである。
金属シッットキー接合または単結晶半導体と非晶質半導
体とのへテロ接合等、いずれかの方法でダイオード構造
を形成し、そのダイオードに逆バイアス電圧を印加し、
これにより半導体中に空乏層を拡げ、この空乏層中に清
来した放射線により発生する電子−正孔対を電流パルス
としてカウントし検出するものである。
放射線でも、Ｘ縞、α線、β線およびγ線は、半導体空
乏層内で直接電子−正孔対を生じさせるのでそのままで
放射線の検出が可能である。これに対して中性子線は電
荷をもっていないので、核反応以外には軌道電子や電子
核のクーロン場になんらの作用も及ぼさず、従って半導
体空乏層内で電子−正孔対は生じず、中性子線の検出は
上記の方法では不可能であゐ、このため中性子ｗＡ槍知
知方法して、中性子の吸収断面積の大きな物質に中性子
線を透過させ、中性子核変換反応によりα線を発生させ
、そのα線が半導体空乏層内で生成する電子−正孔対を
検知することによろ方法がある。
乏層内で直接電子−正孔対を生じさせるのでそのままで
放射線の検出が可能である。これに対して中性子線は電
荷をもっていないので、核反応以外には軌道電子や電子
核のクーロン場になんらの作用も及ぼさず、従って半導
体空乏層内で電子−正孔対は生じず、中性子線の検出は
上記の方法では不可能であゐ、このため中性子ｗＡ槍知
知方法して、中性子の吸収断面積の大きな物質に中性子
線を透過させ、中性子核変換反応によりα線を発生させ
、そのα線が半導体空乏層内で生成する電子−正孔対を
検知することによろ方法がある。
その具体的な例として、熱中性子線に対して散乱断面積
の大きなほう素の同位元素＋０３を用い、下記の弐で示
す反応に従って、熱中性子線が入射した際ほう素から発
生するα線（’Ｈθ）と’Ｌｉ核を検出する方法がある
。
の大きなほう素の同位元素＋０３を用い、下記の弐で示
す反応に従って、熱中性子線が入射した際ほう素から発
生するα線（’Ｈθ）と’Ｌｉ核を検出する方法がある
。
夏・Ｂ ＋ ｎ −丁Ｌｉ ＋ ａ （’１ｉｅ）
−ｍ−・・−−−１１１第２図はこの方法を用いた
、例えば特開昭６１〜１７４７７号公輯で公知の熱中性
子綿槍出素子の断面Ｊ＃造と検出原理を示すもので、ｎ
形シリコン基板２Ｉの上面を被覆する表面保護膜２４の
窓部に、例えば特開昭５９−２１８７３２号公報、特開
昭５９−２１９４６２号公報により公知のように、プラ
ズマＣＶＤ法で成膜されたほう素被膜２２が接触し、そ
の下にｐ″層２３が形成され、ほう素被膜２２の上面に
電極２５が、基板２１の下面に’ＩｌＰ＊２Ｇが設けら
れている。この素子に逆バイアス−ｖｌを印加して空乏
Ｊｉ２７が生じた状態で熱中性子ｖａｌが照射されると
、ほう素彼膜２２に含まれる＋ａＢとの間で（１１式の
中性子線変ｉ負反応が生じ、互いに１８０＠をなして飛
ぶ実線で示すα線３または破線で示す’Ｌｌ績４が空乏
１１２７に到達したとき電子−正孔対が生じ、これらが
図示していない増幅回路と計数回路を介して検出される
。
−ｍ−・・−−−１１１第２図はこの方法を用いた
、例えば特開昭６１〜１７４７７号公輯で公知の熱中性
子綿槍出素子の断面Ｊ＃造と検出原理を示すもので、ｎ
形シリコン基板２Ｉの上面を被覆する表面保護膜２４の
窓部に、例えば特開昭５９−２１８７３２号公報、特開
昭５９−２１９４６２号公報により公知のように、プラ
ズマＣＶＤ法で成膜されたほう素被膜２２が接触し、そ
の下にｐ″層２３が形成され、ほう素被膜２２の上面に
電極２５が、基板２１の下面に’ＩｌＰ＊２Ｇが設けら
れている。この素子に逆バイアス−ｖｌを印加して空乏
Ｊｉ２７が生じた状態で熱中性子ｖａｌが照射されると
、ほう素彼膜２２に含まれる＋ａＢとの間で（１１式の
中性子線変ｉ負反応が生じ、互いに１８０＠をなして飛
ぶ実線で示すα線３または破線で示す’Ｌｌ績４が空乏
１１２７に到達したとき電子−正孔対が生じ、これらが
図示していない増幅回路と計数回路を介して検出される
。
この素子の中性子感度を高めるためには（１）式かられ
かるように１８３の量を高めればよい、前記公報で公知
のプラズマＣＶＤ法で成膜したｋｆう素被膜中のほう素
澹度は１．ＯＸｌ０ｊ３原子／ｃｉでほぼほう素濃度の
原子密度に近い値に達している。したがって、別の本出
願人の特許出願に係る特願昭６２−３２３２４０号公報
明細書に記載した濃縮”Ｂを含むジボランガスよりほう
素被膜を厚く形成すれば高感度の中性子線検出素子が得
られる。
かるように１８３の量を高めればよい、前記公報で公知
のプラズマＣＶＤ法で成膜したｋｆう素被膜中のほう素
澹度は１．ＯＸｌ０ｊ３原子／ｃｉでほぼほう素濃度の
原子密度に近い値に達している。したがって、別の本出
願人の特許出願に係る特願昭６２−３２３２４０号公報
明細書に記載した濃縮”Ｂを含むジボランガスよりほう
素被膜を厚く形成すれば高感度の中性子線検出素子が得
られる。
濃縮した１０Ｂを用いる方法としては、例、えば、濃縮
したＩＩＢを含む溶液をシリコンウェハに刷毛で塗布し
たのち、熱処理をしてｐｎ接合を形成し、（１）式の反
応を用いて熱中性子を検出する方法が１１゜Ｍ、Ｍａｎ
ｎ ａｎｄ Ｆ、Ｊ、Ｊａａａｒｅｋにより米国雑誌
ＩＲＥＴｒａｎｓ、”Ｎ Ｓ ９．Ｎｏ３（１９６２
）２００ページ、”Ｂをシリコン基板表面にイオン注入
法で注入したのち熱処理を施してｐｎ接合を形成する方
法力月、Ｇ、Ｇｖｅｒｄｔｓｌｔｅｌｌその他によりソ
連雑誌Ｐｒ１ｂ、Ｔｅｋｈｌ’ｋｓｐ。
したＩＩＢを含む溶液をシリコンウェハに刷毛で塗布し
たのち、熱処理をしてｐｎ接合を形成し、（１）式の反
応を用いて熱中性子を検出する方法が１１゜Ｍ、Ｍａｎ
ｎ ａｎｄ Ｆ、Ｊ、Ｊａａａｒｅｋにより米国雑誌
ＩＲＥＴｒａｎｓ、”Ｎ Ｓ ９．Ｎｏ３（１９６２
）２００ページ、”Ｂをシリコン基板表面にイオン注入
法で注入したのち熱処理を施してｐｎ接合を形成する方
法力月、Ｇ、Ｇｖｅｒｄｔｓｌｔｅｌｌその他によりソ
連雑誌Ｐｒ１ｂ、Ｔｅｋｈｌ’ｋｓｐ。
Ｎｏ、３． （１９７９）８１ページに述べられテイル
。
。
上記のような方法で１１１３を多く含む被膜を形成し、
＋１１式によるα線を多く発生させた上にさらに感度を
高めるためには、α線または’Ｌｌ核空乏層内に達して
生ずる電子−正孔対の数を多くしなければならない。
＋１１式によるα線を多く発生させた上にさらに感度を
高めるためには、α線または’Ｌｌ核空乏層内に達して
生ずる電子−正孔対の数を多くしなければならない。
本発明の目的は、α線および’Ｌｌ核を多く発生させる
手段ばかりでなく、発生したα線あるいは’ＬｉＪＡｉ
を電子−正孔対の生成のために有効に利用する半導体中
性子″４１Ａ積出素子を提供することにある。
手段ばかりでなく、発生したα線あるいは’ＬｉＪＡｉ
を電子−正孔対の生成のために有効に利用する半導体中
性子″４１Ａ積出素子を提供することにある。
上記の課題の達成のために、本発明は、ｎ形半導体基体
上に濃縮した同位元素Ｉ＠Ｂを含むほう素被膜が被着さ
れ、その被膜の下にｐ形ドーピング層を存する中性子線
検出素子において、ほう素被膜の厚さがα線のほう素被
膜中での飛程より薄いものとする。
上に濃縮した同位元素Ｉ＠Ｂを含むほう素被膜が被着さ
れ、その被膜の下にｐ形ドーピング層を存する中性子線
検出素子において、ほう素被膜の厚さがα線のほう素被
膜中での飛程より薄いものとする。
ほう素被膜中のα線の飛程は約４．４μ、’Ｌｉ核の飛
程は約１．４μと掻めて短いので、ほう素被膜は厚過ぎ
ると、ほう素被膜の表面近傍で生じたα線と’Ｌｌ核は
単にほう素被膜中に吸収され空乏層に達しない、そこで
ほう素被膜の厚さを７Ｌ１核の場合より長いα線のほう
素被膜の飛程より薄くすれば、少なくとも空乏層側に飛
ぶα線のほとんどすべてが電子−正孔対の生成に寄与し
、中性子線感度が向上する。
程は約１．４μと掻めて短いので、ほう素被膜は厚過ぎ
ると、ほう素被膜の表面近傍で生じたα線と’Ｌｌ核は
単にほう素被膜中に吸収され空乏層に達しない、そこで
ほう素被膜の厚さを７Ｌ１核の場合より長いα線のほう
素被膜の飛程より薄くすれば、少なくとも空乏層側に飛
ぶα線のほとんどすべてが電子−正孔対の生成に寄与し
、中性子線感度が向上する。
第１図は第２図に示したほう素被１！２２．ｐ’層２３
および空乏層２７の部分拡大図で、ほう素被膜２２はｄ
＋＋Ｐ”層２３はｄ、の厚さを有するものとする。
および空乏層２７の部分拡大図で、ほう素被膜２２はｄ
＋＋Ｐ”層２３はｄ、の厚さを有するものとする。
一方、ほう素被膜中でのα１２の飛程を’＋、’Ｌｉ槍
４の飛程を１１とする。
４の飛程を１１とする。
今、ほう素被膜２２の表面近傍で熱中性子線１０１ｉカ
”Ｂ ５ ト反ｔ５ＬテｃｘｔｌＡ ３ 、？ｔｔ核４
が発生シタ場合、ｄ、＞ｊ、、ｄ、＞７．とすると全て
のα線３と’ＬｉＡ’４はその被１！２２内に吸収され
、空乏層２７に達しないので中性子感度に寄与しない、
熱中性子線１２が表面より深い位置でｌ０ＢＳと反応し
た場合はα線３１，３２．’Ｌｌ核４１，４２のうち３
２のように空乏層２７に向かうα線のみが空乏層に到達
し中性子感度に寄与する。また、熱中性子線１３．１４
のように、ほう素被膜２２七半導体基体２】との界面近
傍で１０８５と反応シタ場合、ａ ｉＪｌ ３ ヤ’Ｌ
Ｉ ４１４４：！、４３．３４１７）ようなほう１ｊｆ
：被膜側に行くものを除き、はぼ１／２の確率で中性子
感度に寄与する。
”Ｂ ５ ト反ｔ５ＬテｃｘｔｌＡ ３ 、？ｔｔ核４
が発生シタ場合、ｄ、＞ｊ、、ｄ、＞７．とすると全て
のα線３と’ＬｉＡ’４はその被１！２２内に吸収され
、空乏層２７に達しないので中性子感度に寄与しない、
熱中性子線１２が表面より深い位置でｌ０ＢＳと反応し
た場合はα線３１，３２．’Ｌｌ核４１，４２のうち３
２のように空乏層２７に向かうα線のみが空乏層に到達
し中性子感度に寄与する。また、熱中性子線１３．１４
のように、ほう素被膜２２七半導体基体２】との界面近
傍で１０８５と反応シタ場合、ａ ｉＪｌ ３ ヤ’Ｌ
Ｉ ４１４４：！、４３．３４１７）ようなほう１ｊｆ
：被膜側に行くものを除き、はぼ１／２の確率で中性子
感度に寄与する。
上述の説明かられかるように、ほう素′＃ＩＢ ２２の
厚みｄ＋がα線や’Ｌｌ核のほう素抜膜なかでの各々の
飛程ｊ！、、ｊ、より厚い場合は、１５〜１９のような
Ｘ１１１の熱中性子線がほう素抜膜２２中の１・Ｂ５と
反応しても、１５〜１７により生ずるα＆１１３５，３
６．３７のようにその破膜中に吸収されるものがあり、
中性子感度に寄与するものは、被膜２２と半導体基体２
１との界面近傍で１１３５と反応した熱中性子線１７〜
１９に生ずるα線３と’Ｌｌ檎４に限られるため中性子
感度は低下する。
厚みｄ＋がα線や’Ｌｌ核のほう素抜膜なかでの各々の
飛程ｊ！、、ｊ、より厚い場合は、１５〜１９のような
Ｘ１１１の熱中性子線がほう素抜膜２２中の１・Ｂ５と
反応しても、１５〜１７により生ずるα＆１１３５，３
６．３７のようにその破膜中に吸収されるものがあり、
中性子感度に寄与するものは、被膜２２と半導体基体２
１との界面近傍で１１３５と反応した熱中性子線１７〜
１９に生ずるα線３と’Ｌｌ檎４に限られるため中性子
感度は低下する。
これらの事実を以下に式を用いて説明する。
＋１１ ｄ 、≦２．の場合
厚みｄ、のほう素抜膜に照射する中性子線の強度を１．
（個／ ｃｄ・Ｓ）とすると、その被膜中で発生するα
線と’Ｌｉ槍の空乏層に達する個数はそれぞれｉ ｏ
（１−ｅ−”’嘗）であられされる、ここでＮはほう素
抜膜中の１１１３の数、σは＋６３の散乱断面積である
。
（個／ ｃｄ・Ｓ）とすると、その被膜中で発生するα
線と’Ｌｉ槍の空乏層に達する個数はそれぞれｉ ｏ
（１−ｅ−”’嘗）であられされる、ここでＮはほう素
抜膜中の１１１３の数、σは＋６３の散乱断面積である
。
（２）１重≦ｄ、≦１１の場合
ほう素抜膜中で発生し空乏層に達するα線の個数はＩｏ
（１ｅ−””）と変わらないが、’Ｌｌ核の個数はＩ
ｏ （（１−ａ ″””）−（１−ｅ−”Ｌ ′。
（１ｅ−””）と変わらないが、’Ｌｌ核の個数はＩ
ｏ （（１−ａ ″””）−（１−ｅ−”Ｌ ′。
−ｌ曹））〕になる。
＋３１ ｄ 、≧ｌ、の場合
熱中性子線との反応によりほう素抜膜中で発生し空乏層
に達するα線および’Ｌｌ核の個数は、それぞれＩｏ
（（１ｅ−Ｍｔ’ｔ） （１、−５ｔ（４゜！・）
）〕および■。（（１−８−”〜）−（１−ｅ−Ｈ＃ｊ
４ビー會））〕 となる。
に達するα線および’Ｌｌ核の個数は、それぞれＩｏ
（（１ｅ−Ｍｔ’ｔ） （１、−５ｔ（４゜！・）
）〕および■。（（１−８−”〜）−（１−ｅ−Ｈ＃ｊ
４ビー會））〕 となる。
第３図の曲Ｍ６１はｌ ｔ −４，４４，１ｇ −１，
４ｍと仮定した時、上記＋１１． （２１，＋３１の数
値から計算した結果を示すもので、横軸はほう素抜膜の
膜厚を示し、たて軸は熱中性子線感度の相対比を示す。
４ｍと仮定した時、上記＋１１． （２１，＋３１の数
値から計算した結果を示すもので、横軸はほう素抜膜の
膜厚を示し、たて軸は熱中性子線感度の相対比を示す。
熱中性子線相対感度はｄ、の増大と共に増すものの、そ
の傾斜は上記（１）、（２）、（３）の条件で変わる０
曲線６２は種々の厚みのほう素抜膜を形成した中性子線
検出素子に、厚み４０鶴のポリエチレン減速材を介して
、中性子標準線Ｂ ａＳλＧを照射した時に得られた測
定結果の相対比を示す。曲線６２が曲線６１と一致しな
い理由は、発生したα線や’Ｌｌ核はある確率で空乏層
に達することおよびｐ°層２３の不感層のほかほう素抜
Ｍ４２２の内部で生成したα線や’Ｌｌ核にはほう素抜
膜が不惑層となり、これらの不感層を通過したのち空乏
層に達するため、最大出力パルス波高が小さくなること
、そのほかに混在するｒＨＩＡ成分を除去するため、所
定の大きさ以上の出力パルス波高のみを計数することな
どによる。
の傾斜は上記（１）、（２）、（３）の条件で変わる０
曲線６２は種々の厚みのほう素抜膜を形成した中性子線
検出素子に、厚み４０鶴のポリエチレン減速材を介して
、中性子標準線Ｂ ａＳλＧを照射した時に得られた測
定結果の相対比を示す。曲線６２が曲線６１と一致しな
い理由は、発生したα線や’Ｌｌ核はある確率で空乏層
に達することおよびｐ°層２３の不感層のほかほう素抜
Ｍ４２２の内部で生成したα線や’Ｌｌ核にはほう素抜
膜が不惑層となり、これらの不感層を通過したのち空乏
層に達するため、最大出力パルス波高が小さくなること
、そのほかに混在するｒＨＩＡ成分を除去するため、所
定の大きさ以上の出力パルス波高のみを計数することな
どによる。
第３図より、ＩＯＢを含むほうＴ：被膜の厚さｄ、と熱
中性子線感度の関係が明らかになり、最大熱中性子線感
度はほう素抜膜の厚さｄ、がほう素抜膜中のα線の飛程
１１より薄いときに得られることが判明した。
中性子線感度の関係が明らかになり、最大熱中性子線感
度はほう素抜膜の厚さｄ、がほう素抜膜中のα線の飛程
１１より薄いときに得られることが判明した。
本発明によれば、ＩＯＢを含むほう素抜膜の厚さがほう
素抜膜中のα線の飛程を越えると熱中性子線感度が低下
する事実に基づき、ほう素抜膜の厚さをα線の飛程より
薄くすることにより中性子感度の高い検出素子を得るこ
とができる。したがって、従来のように不必要な厚い被
膜を形成することがないので製造工程が短縮され、コス
トダウンが可能になった。また、本発明に基づくほう素
抜膜の最適厚みは、もちろんガスを用いた中性子検出用
比例計数管の内壁に被覆する場合にも同様に適用できる
０本発明で得られた熱中性子線検出素子は、所定の形状
のパラフィンなど中性子線に対する減速材とを組合わせ
ると軽量で小型の、従来は不可能であった個人用の高感
度中性子線被曝管理用線量計が容易に得られるようにな
った。
素抜膜中のα線の飛程を越えると熱中性子線感度が低下
する事実に基づき、ほう素抜膜の厚さをα線の飛程より
薄くすることにより中性子感度の高い検出素子を得るこ
とができる。したがって、従来のように不必要な厚い被
膜を形成することがないので製造工程が短縮され、コス
トダウンが可能になった。また、本発明に基づくほう素
抜膜の最適厚みは、もちろんガスを用いた中性子検出用
比例計数管の内壁に被覆する場合にも同様に適用できる
０本発明で得られた熱中性子線検出素子は、所定の形状
のパラフィンなど中性子線に対する減速材とを組合わせ
ると軽量で小型の、従来は不可能であった個人用の高感
度中性子線被曝管理用線量計が容易に得られるようにな
った。
第１図は本発明の一実施例における熱中性子線とＩＯＢ
との反応発生部位付近を概念的に示す断面図、第２図は
本発明の一実施例の検出素子の断面図、第３図はほう素
抜膜厚さと熱中性子ｍｉ度との関係を示す線図である。 １０〜１９：熱中性子線、２１：ｎ形シリコン＆板、２
２：ほう素抜膜、２３：ｐ”層、２５，２６：電極、２
７：空乏層、３：α線、４：フＬｉ核、５；ｌ１ｌＢ。
との反応発生部位付近を概念的に示す断面図、第２図は
本発明の一実施例の検出素子の断面図、第３図はほう素
抜膜厚さと熱中性子ｍｉ度との関係を示す線図である。 １０〜１９：熱中性子線、２１：ｎ形シリコン＆板、２
２：ほう素抜膜、２３：ｐ”層、２５，２６：電極、２
７：空乏層、３：α線、４：フＬｉ核、５；ｌ１ｌＢ。
Claims (1)
- １）ｎ形半導体基体上に濃縮した同位元素＾１＾０Ｂを
含むほう素被膜が被着され、そのほう素被膜の下にｐ形
ドーピング層を有するものにおいて、ほう素被膜の厚さ
がα線のほう素被膜中での飛程より薄いことを特徴とす
る半導体中性子線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176415A JPH0736447B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 半導体中性子線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176415A JPH0736447B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 半導体中性子線検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227776A true JPH0227776A (ja) | 1990-01-30 |
| JPH0736447B2 JPH0736447B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=16013290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63176415A Expired - Lifetime JPH0736447B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 半導体中性子線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736447B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5501740A (en) * | 1993-06-04 | 1996-03-26 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
| US5556475A (en) * | 1993-06-04 | 1996-09-17 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
| US5726453A (en) * | 1996-09-30 | 1998-03-10 | Westinghouse Electric Corporation | Radiation resistant solid state neutron detector |
| US5880471A (en) * | 1995-09-01 | 1999-03-09 | Forschungszentrum Julich | Neutron detector |
| JP2018505396A (ja) * | 2014-12-19 | 2018-02-22 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 中性子検出器を実現するための方法及び中性子検出器 |
| JP2021144995A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63176415A patent/JPH0736447B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5501740A (en) * | 1993-06-04 | 1996-03-26 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
| US5556475A (en) * | 1993-06-04 | 1996-09-17 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
| US5880471A (en) * | 1995-09-01 | 1999-03-09 | Forschungszentrum Julich | Neutron detector |
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| JP2018505396A (ja) * | 2014-12-19 | 2018-02-22 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 中性子検出器を実現するための方法及び中性子検出器 |
| JP2021144995A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0736447B2 (ja) | 1995-04-19 |
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