JPH02277771A - マグネトロン型スパッタ装置 - Google Patents
マグネトロン型スパッタ装置Info
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- JPH02277771A JPH02277771A JP10042089A JP10042089A JPH02277771A JP H02277771 A JPH02277771 A JP H02277771A JP 10042089 A JP10042089 A JP 10042089A JP 10042089 A JP10042089 A JP 10042089A JP H02277771 A JPH02277771 A JP H02277771A
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- magnetron sputtering
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Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマグネトロン型スパッタ装置に関し、特にマグ
ネットの構造に関する。
ネットの構造に関する。
従来、半導体装置の製造工程で用いられるマグネトロン
型スパッタ装置は、漏洩磁界形マグネトロンスパッタ法
や磁界圧着式マグネトロンスパッタ法の原理を用いて、
陰極付近から放出された２次電子の運動がＡｒのイオン
化を促進させ、形成されたＡｒイオンをターゲットに衝
突させることにより、半導体基板上に薄膜を形成するよ
うに構成されていた。以下、第４図に示す従来のマグネ
トロン型スパッタ装置を用いて説明する。
型スパッタ装置は、漏洩磁界形マグネトロンスパッタ法
や磁界圧着式マグネトロンスパッタ法の原理を用いて、
陰極付近から放出された２次電子の運動がＡｒのイオン
化を促進させ、形成されたＡｒイオンをターゲットに衝
突させることにより、半導体基板上に薄膜を形成するよ
うに構成されていた。以下、第４図に示す従来のマグネ
トロン型スパッタ装置を用いて説明する。
ターゲット電源１１により負電位が印加されたターゲッ
ト１３から放出された２次電子は、保持板１８に保持さ
れ回転するマグネット対１２により形成された磁界１５
の影響を受けて運動する。
ト１３から放出された２次電子は、保持板１８に保持さ
れ回転するマグネット対１２により形成された磁界１５
の影響を受けて運動する。
特にターゲット１３の表面と平行な成分を持つ磁力線は
、２次電子をターゲット上でサイクロイド運動させる為
、Ａｒのイオン化を促進させ、Ａｒイオンを作り出す、
Ａｒイオン１９は陰極であるターゲット１３に衝突して
ターゲツト材を叩き出し、半導体基板１７上に堆積させ
て薄膜を形成する。
、２次電子をターゲット上でサイクロイド運動させる為
、Ａｒのイオン化を促進させ、Ａｒイオンを作り出す、
Ａｒイオン１９は陰極であるターゲット１３に衝突して
ターゲツト材を叩き出し、半導体基板１７上に堆積させ
て薄膜を形成する。
上述した従来のマグネトロン型スパッタ装置は、陰極表
面から出た電子を拘束するための磁力線の分布が、マグ
ネット対の回転に沿った同心円状の一重であるため、タ
ーゲット１３の侵食領域１４も磁界に沿って一重となり
、ターゲット１３の有効利用率が低くなるという欠点が
ある。更に侵食領域が狭いため、半導体基板の段差部ヘ
スバッタした場合、成膜のステップカバレッジが悪くな
るという欠点もある。
面から出た電子を拘束するための磁力線の分布が、マグ
ネット対の回転に沿った同心円状の一重であるため、タ
ーゲット１３の侵食領域１４も磁界に沿って一重となり
、ターゲット１３の有効利用率が低くなるという欠点が
ある。更に侵食領域が狭いため、半導体基板の段差部ヘ
スバッタした場合、成膜のステップカバレッジが悪くな
るという欠点もある。
上述した従来のマグネトロン型スパッタ装置に対し本発
明は、保持板の中心からの距離が異なるマグネット対、
あるいはターゲット裏面からの距離が異なるマグネット
対を２組以上配置し、ターゲット裏面で回転させること
により２重以上の同心円状の磁界を形成させ、ターゲッ
トの有効利用率を向上させることができるようにしたと
いう相違点を有する。
明は、保持板の中心からの距離が異なるマグネット対、
あるいはターゲット裏面からの距離が異なるマグネット
対を２組以上配置し、ターゲット裏面で回転させること
により２重以上の同心円状の磁界を形成させ、ターゲッ
トの有効利用率を向上させることができるようにしたと
いう相違点を有する。
本発明のマグネトロン型スパッタ装置は、ターゲットの
裏面に配設された円板状の回転可能な保持板と該保持板
に保持された複数のマグネット対を有するマグネトロン
型スパッタ装置において、前記マグネット対を前記保持
板の中心からの距離を変えるかまたは前記ターゲットか
らの距離をかえるかして配置したものである。
裏面に配設された円板状の回転可能な保持板と該保持板
に保持された複数のマグネット対を有するマグネトロン
型スパッタ装置において、前記マグネット対を前記保持
板の中心からの距離を変えるかまたは前記ターゲットか
らの距離をかえるかして配置したものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の第１の実施例の模式図及び
保持板の側面図である。
保持板の側面図である。
第１図及び第２図において、ターゲット１３の裏面には
矢印方向に回転可能な保持板１８に複数のマグネット対
１２．１２Ａが設けられているが、このマグネット対１
２．１２Ａは保持板１８の中心０から異なった距離に設
けられている。
矢印方向に回転可能な保持板１８に複数のマグネット対
１２．１２Ａが設けられているが、このマグネット対１
２．１２Ａは保持板１８の中心０から異なった距離に設
けられている。
ターゲット電源１１により負電位が印加されたターゲッ
ト１３から放出された２次電子は、保持板１８の中心０
から異なる位置、に配置された２組の回転するマグネッ
ト対１２．１２Ａにより形成される磁界１５の影響を受
けて運動する。特にターゲット１３の表面と平行な成分
を持つ磁力線は、２次電子をターゲット１３上でサイク
ロイド運動させる為、Ａｒのイオン化を促進させ、Ａｒ
イオン１９を作り出す、Ａｒイオン１９は陰極でするタ
ーゲット１３に衝突してターゲツト材を叩き出しホルダ
ー１６上の半導体基板１７上に堆積させて薄膜を形成す
る。
ト１３から放出された２次電子は、保持板１８の中心０
から異なる位置、に配置された２組の回転するマグネッ
ト対１２．１２Ａにより形成される磁界１５の影響を受
けて運動する。特にターゲット１３の表面と平行な成分
を持つ磁力線は、２次電子をターゲット１３上でサイク
ロイド運動させる為、Ａｒのイオン化を促進させ、Ａｒ
イオン１９を作り出す、Ａｒイオン１９は陰極でするタ
ーゲット１３に衝突してターゲツト材を叩き出しホルダ
ー１６上の半導体基板１７上に堆積させて薄膜を形成す
る。
このように構成された第１の実施例によれば、ターゲッ
トの侵食は、磁界に沿って生じるため、２重の侵食領域
１４Ａ、１４Ｂが形成される。その結果、従来方式の有
効利用率（４０〜４５％）に比べて、有効利用率を約１
．５倍（６０〜７０％）に向上させることができる。
トの侵食は、磁界に沿って生じるため、２重の侵食領域
１４Ａ、１４Ｂが形成される。その結果、従来方式の有
効利用率（４０〜４５％）に比べて、有効利用率を約１
．５倍（６０〜７０％）に向上させることができる。
第３図は本発哄の第２の実施例の模式図である。
この第２の実施例においては、回転する保持板の中心か
ら等しい位置に２組のマグネット対１２．１２Ｂが設け
られているが、ターゲットからの距離は異なったものと
なっている０、その他は第１の実施例と同様である。
ら等しい位置に２組のマグネット対１２．１２Ｂが設け
られているが、ターゲットからの距離は異なったものと
なっている０、その他は第１の実施例と同様である。
このように構成された第２の実施例においては、従来方
式と比較して、有効利用率は約１．３倍（５０〜６０％
）に向上させることができた。
式と比較して、有効利用率は約１．３倍（５０〜６０％
）に向上させることができた。
以上説明したように本発明は、ターゲット裏面の複数の
マグネット対をその保持板の中心から異なる位置に配置
するか、またはターゲットの裏面から異なる距離に配置
して回転させることにより、ターゲットの有効利用率を
向上させることができるという効果がある。また、ター
ゲットの侵食領域が広がることにより、半導体基板の段
差部ヘスバッタした場合の成膜のステップカバレッジが
向上するという効果もある。
マグネット対をその保持板の中心から異なる位置に配置
するか、またはターゲットの裏面から異なる距離に配置
して回転させることにより、ターゲットの有効利用率を
向上させることができるという効果がある。また、ター
ゲットの侵食領域が広がることにより、半導体基板の段
差部ヘスバッタした場合の成膜のステップカバレッジが
向上するという効果もある。
第１図及び第２図は本発明の第１の実施例の模式図及び
保持板の側面図、第３図は本発明の第２の実施例の模式
図、第４図は従来のマグネトロン型スパッタ装置の模式
図である。 １１・・・ターゲット電源、１２．１２Ａ、１２Ｂ・・
・マグネット対、１３・・・ターゲット、１４．１４Ａ
、１４Ｂ・・・侵食領域、１５・・・磁界、１６・・・
ホルダー １７・・・半導体基板、１８・・・保持板。
保持板の側面図、第３図は本発明の第２の実施例の模式
図、第４図は従来のマグネトロン型スパッタ装置の模式
図である。 １１・・・ターゲット電源、１２．１２Ａ、１２Ｂ・・
・マグネット対、１３・・・ターゲット、１４．１４Ａ
、１４Ｂ・・・侵食領域、１５・・・磁界、１６・・・
ホルダー １７・・・半導体基板、１８・・・保持板。
Claims (1)
- ターゲットの裏面に配設された円板状の回転可能な保持
板と該保持板に保持された複数のマグネット対を有する
マグネトロン型スパッタ装置において、前記マグネット
対を前記保持板の中心からの距離を変えるかまたは前記
ターゲットからの距離をかえるかして配置したことを特
徴とするマグネトロン型スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10042089A JPH02277771A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | マグネトロン型スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10042089A JPH02277771A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | マグネトロン型スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277771A true JPH02277771A (ja) | 1990-11-14 |
Family
ID=14273486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10042089A Pending JPH02277771A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | マグネトロン型スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02277771A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03140467A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Tokyo Erekutoron Kyushu Kk | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| US7115194B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-10-03 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetron sputtering apparatus |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP10042089A patent/JPH02277771A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03140467A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Tokyo Erekutoron Kyushu Kk | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| US7115194B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-10-03 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetron sputtering apparatus |
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