JPH02277798A - 電解酸化重合法を併用したｌｂ累積膜の製造方法 - Google Patents
電解酸化重合法を併用したｌｂ累積膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH02277798A JPH02277798A JP9966389A JP9966389A JPH02277798A JP H02277798 A JPH02277798 A JP H02277798A JP 9966389 A JP9966389 A JP 9966389A JP 9966389 A JP9966389 A JP 9966389A JP H02277798 A JPH02277798 A JP H02277798A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- electrolytic oxidation
- built
- trough
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、電解酸化重合法を併用したＬＢ累積膜の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来のＬＢ累積膜を製造する方法としては、例えば、Ｎ
−置換高級アルキル基のアニリン誘導体やピロール誘導
体の七ツマ−を電極基板上にＬＢ法で数百層累積し、そ
の後電解酸化重合してポリマー化し、ＬＢ累積膜を製造
する方法が知られている。
−置換高級アルキル基のアニリン誘導体やピロール誘導
体の七ツマ−を電極基板上にＬＢ法で数百層累積し、そ
の後電解酸化重合してポリマー化し、ＬＢ累積膜を製造
する方法が知られている。
しかしながら、このような従来のＬＢ累積膜の製造方法
にあっては、前述のようにＮ−置換高級アルキル基７ニ
リン誘導体のＬＢ累積膜の製造は可能であったが、この
方法では低級フルキル置換基の場合、ＬＢ膜を形成し難
く、累積膜を製造することは困難であった。又一方通常
の電解酸化重合により、低級アルキル置換アニリンのポ
リマーの形成は可能だが、ＬＢ法による累［１の製造に
ついてはいまだ可能となっていない０機能的には疎水性
の低い低級アルキル基やフルキル基を含まないもののＬ
Ｂ累積膜の方が優れており、その製造方法の確立が望ま
れていた。 本発明の目的は低級アルキル基置換アニリンであっても
、高級アルキル基の場合と同様に、ＬＢ累ｖｔＩＩｇを
製造できる方法を提供するところにある。
にあっては、前述のようにＮ−置換高級アルキル基７ニ
リン誘導体のＬＢ累積膜の製造は可能であったが、この
方法では低級フルキル置換基の場合、ＬＢ膜を形成し難
く、累積膜を製造することは困難であった。又一方通常
の電解酸化重合により、低級アルキル置換アニリンのポ
リマーの形成は可能だが、ＬＢ法による累［１の製造に
ついてはいまだ可能となっていない０機能的には疎水性
の低い低級アルキル基やフルキル基を含まないもののＬ
Ｂ累積膜の方が優れており、その製造方法の確立が望ま
れていた。 本発明の目的は低級アルキル基置換アニリンであっても
、高級アルキル基の場合と同様に、ＬＢ累ｖｔＩＩｇを
製造できる方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段］
この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たものである。すなわち、アルキル置換アニリンの中か
ら選ばれた１種以上のモノマー類を、電導性のＬＢ累積
基板を作用電極として電解酸化重合しつつ、ＬＢ累積膜
を製造する方法である。 （手段を構成する要件） 本発明に使用する七ツマー類としては、アルキル置換ア
ニリンが挙げられ、置換基のついている位置はバラ位を
除いてＮ−置換のものでもベンゼン環についたものでも
よい、これらの七ツマ−は通常電解酸化重合が可能であ
り、置換アルキル基の炭素数については１通常の方法で
はＬＢ膜を形成しにくい４以下のものから、ＬＢ＠を形
成しやすい高級アルキルなどの長鎖のものまで使用され
る。又Ｎ−置換基は七ノアルキル、ジアルキルいずれも
含むものとする。更に上記七ツマ−は単独でも２以上の
併用でも可能である。 電導性のＬＢ累積基板には、例えばガラス板あるいはプ
ラスチック板等の板に金、銅、白金等の重金属、ＩＴＯ
（インジュウムスズオキサイド）等の電導性の金属又は
金属酸化物をメツキしたものを用いる。酸性浴に使用す
る場合は、槽との界面部分が酸性浴で腐食しないように
絶縁フィルムでｒａったものにし、中性、アルカリ性浴
に使用する場合は白金、カーボン等の基板をそのまま用
いたものを基板とする。絶縁フィルムは耐酸性のものな
ら何でもよく、例えばポリスチレンのキシレン溶液を塗
布して被覆して形成させる方法がある。これらの基板を
作用電極とし、これに一定電位を与えた時、ＬＢ累積膜
を形成し、電極としての役目をしながら、さらに電解酸
化重合が進行しＬＢ累積基板となる。 次に製造手順を述べる。第１図に示される装置を使用す
る。この槽（以後トラフと言う）の中に酸性水溶液と電
解質を入れる。この時の系のｐＨは七ツマ−の解離定数
の近辺とすることが望ましい０通常は中性から酸性浴で
行われる０次に該モノマーを無極性の有機溶媒にとかし
、トラフの中に投入する。有機溶媒は通常ベンゼンが使
用される。設定温度は室温以下の出来るだけ低い温度が
望ましい、支持電解質としてはと硝を加えるとモノマー
が表面浮上する０次に前述の基板にポテンショスタット
で一定電位を与えつつ、連続的にこの基板をトラフの中
と外を上下させる０通常は１分間に２往復程度で５Ｏ−
１００層ぐらいとする。この操作により、七ツマ−が基
板上にＬＢ膜を形成しつつ、電解酸化重合が進み、ポリ
マーのＬＢ累積膜が形成される。所望の厚さの累積膜が
得られたら、基板の上下をやめ、ポテンショスタットを
切る。 【作用】 低級アルキル置換アニリンは通常ＬＢｌｉは形成しにく
く、ポリマーのＬＢ累積膜は製造困難であったが、本発
明の製造方法を用いれば、基板上に該モノマーが電解酸
化重合しつつ重合度が余り高くならない間に基板に累積
し、ＬＢ累Ｍ膜が形成されていく、当然製造途中で膜の
電導性がなくなれば重合が進行せず、累積膜はそれ以降
形成されなくなるので、基板として導電性物質を塗布し
たものを用いる場合に、その成分の酸性浴による腐食に
は注意する必要がある。製造されたＬＢ累植膜は膜の強
度が大きく、より高度の機能が期待される。
たものである。すなわち、アルキル置換アニリンの中か
ら選ばれた１種以上のモノマー類を、電導性のＬＢ累積
基板を作用電極として電解酸化重合しつつ、ＬＢ累積膜
を製造する方法である。 （手段を構成する要件） 本発明に使用する七ツマー類としては、アルキル置換ア
ニリンが挙げられ、置換基のついている位置はバラ位を
除いてＮ−置換のものでもベンゼン環についたものでも
よい、これらの七ツマ−は通常電解酸化重合が可能であ
り、置換アルキル基の炭素数については１通常の方法で
はＬＢ膜を形成しにくい４以下のものから、ＬＢ＠を形
成しやすい高級アルキルなどの長鎖のものまで使用され
る。又Ｎ−置換基は七ノアルキル、ジアルキルいずれも
含むものとする。更に上記七ツマ−は単独でも２以上の
併用でも可能である。 電導性のＬＢ累積基板には、例えばガラス板あるいはプ
ラスチック板等の板に金、銅、白金等の重金属、ＩＴＯ
（インジュウムスズオキサイド）等の電導性の金属又は
金属酸化物をメツキしたものを用いる。酸性浴に使用す
る場合は、槽との界面部分が酸性浴で腐食しないように
絶縁フィルムでｒａったものにし、中性、アルカリ性浴
に使用する場合は白金、カーボン等の基板をそのまま用
いたものを基板とする。絶縁フィルムは耐酸性のものな
ら何でもよく、例えばポリスチレンのキシレン溶液を塗
布して被覆して形成させる方法がある。これらの基板を
作用電極とし、これに一定電位を与えた時、ＬＢ累積膜
を形成し、電極としての役目をしながら、さらに電解酸
化重合が進行しＬＢ累積基板となる。 次に製造手順を述べる。第１図に示される装置を使用す
る。この槽（以後トラフと言う）の中に酸性水溶液と電
解質を入れる。この時の系のｐＨは七ツマ−の解離定数
の近辺とすることが望ましい０通常は中性から酸性浴で
行われる０次に該モノマーを無極性の有機溶媒にとかし
、トラフの中に投入する。有機溶媒は通常ベンゼンが使
用される。設定温度は室温以下の出来るだけ低い温度が
望ましい、支持電解質としてはと硝を加えるとモノマー
が表面浮上する０次に前述の基板にポテンショスタット
で一定電位を与えつつ、連続的にこの基板をトラフの中
と外を上下させる０通常は１分間に２往復程度で５Ｏ−
１００層ぐらいとする。この操作により、七ツマ−が基
板上にＬＢ膜を形成しつつ、電解酸化重合が進み、ポリ
マーのＬＢ累積膜が形成される。所望の厚さの累積膜が
得られたら、基板の上下をやめ、ポテンショスタットを
切る。 【作用】 低級アルキル置換アニリンは通常ＬＢｌｉは形成しにく
く、ポリマーのＬＢ累積膜は製造困難であったが、本発
明の製造方法を用いれば、基板上に該モノマーが電解酸
化重合しつつ重合度が余り高くならない間に基板に累積
し、ＬＢ累Ｍ膜が形成されていく、当然製造途中で膜の
電導性がなくなれば重合が進行せず、累積膜はそれ以降
形成されなくなるので、基板として導電性物質を塗布し
たものを用いる場合に、その成分の酸性浴による腐食に
は注意する必要がある。製造されたＬＢ累植膜は膜の強
度が大きく、より高度の機能が期待される。
次に実施例により、本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図に示されるＬＢ装Ｍ（協和界面科学ＨＭＢ−ＡＰ
Ｓ型）のトラフ内を硫酸水溶液と０．５Ｍ Ｎ ａ ２
Ｓ Ｏ４水溶液にてＰＨ３とする０次にＮ、Ｎ−ジブ
チルアニリン（Ｄ Ｂ Ａ）をベンゼンにとかしトラフ
内へ投入する。トラフ内の温度は２５℃とする。電極基
板はカーボンとし、バリヤーを駆動し表面積を縮小し膜
圧π値を上げていき、１８ ｄ ｙ ｍ ／ ｃ ｍの
一定圧を、又ポテンショスタット（北斗電工製ＨＡ−３
０１５）にて一定電圧１．１〜１．２ｖを与えた。同時
に基板をトラフ内へ上下させ、電解酸化重合を進行させ
ながらＬＢ累積膜を製造した。電解条件は別途モノマー
のサイクリックポルタムメトリー及びπ−八へ線より定
めた。この結果を第２図に転写面積変化として示す、第
２図より電解酸化重合しつつ、累積膜が形成されていく
のがわかる。 又製造された累積膜を次の手順で処理し表面抵抗を測定
した。累積膜を非イオン活性剤（アルカリ金属、アルカ
リ土類金属を含有しないもの）の０．１％水溶液で洗浄
し、次いで蒸留水で洗浄、乾燥し、２０℃湿度６５％で
１２時間保存する。 それを表面抵抗計で表面抵抗を測定した。測定結果は未
処理炭素板が０．１０−０．１２Ω／Ｃｍ、ジブチルア
ニリン重合物累積炭素板が０．１４〜０．１８Ω／ ｃ
ｍであった。この結果より電極炭素基板に累積膜が形
成されているのがわかる。 実施例２ モノマーとしてＤＢＡを、電極基板としてポリエステル
フィルムに金を蒸着させたものを使用し、膜圧を１５
ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍとしたほかは実施例１と同様の
方法で累積膜を製造した。この結果を第３図に示す、第
３図より電解酸化重合しつつ。 累積膜が形成されていくのがわかる。 実施例３ モノマーとしてＤＢＡを、電極基板として白金を使用し
、膜圧を２０ ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍとしたほかは、
実施例１と同様の方法で累ａ膜を製造した。 この結果を第４図に示す、比較として電位を与えない場
合の結果を同図に示す、第４図より累積時の電解酸化併
用の効果は明らかであり、基板を上げた時の転写率がか
なり向上し、又下げた時の脱落が防上された。 実施例４ モノマーとしてＮ−ｎ−ドデシルアニリン（ＤＡ）を、
電極基板としてＩＴＯフィルムを使用し、膜圧を２０
ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍとしたほかは、実施例１と同様
の方法で累積膜を製造した。この結果を第５図に示す、
比較として電位を与えない場合と、ＩＴＯ電極基板上部
表面をＩＴＯフィルムで覆わなかった場合の結果を同図
に示す。 第５図よりＯＡの場合、基板のＬ工時に電解酸化併用の
効果が顕著に現われている。 上記の結果より、Ｎ−置換低級アルキル基アニリンであ
っても、高級アルキル基などの長鎖のものと同様ＬＢ累
積膜が得られ５又得られたＬＢＢａＩ２はＮ−２２換低
級アルキル基アニリンであっても、高級アルキルなどの
長鎖のものよりも、電導性が向上した。
Ｓ型）のトラフ内を硫酸水溶液と０．５Ｍ Ｎ ａ ２
Ｓ Ｏ４水溶液にてＰＨ３とする０次にＮ、Ｎ−ジブ
チルアニリン（Ｄ Ｂ Ａ）をベンゼンにとかしトラフ
内へ投入する。トラフ内の温度は２５℃とする。電極基
板はカーボンとし、バリヤーを駆動し表面積を縮小し膜
圧π値を上げていき、１８ ｄ ｙ ｍ ／ ｃ ｍの
一定圧を、又ポテンショスタット（北斗電工製ＨＡ−３
０１５）にて一定電圧１．１〜１．２ｖを与えた。同時
に基板をトラフ内へ上下させ、電解酸化重合を進行させ
ながらＬＢ累積膜を製造した。電解条件は別途モノマー
のサイクリックポルタムメトリー及びπ−八へ線より定
めた。この結果を第２図に転写面積変化として示す、第
２図より電解酸化重合しつつ、累積膜が形成されていく
のがわかる。 又製造された累積膜を次の手順で処理し表面抵抗を測定
した。累積膜を非イオン活性剤（アルカリ金属、アルカ
リ土類金属を含有しないもの）の０．１％水溶液で洗浄
し、次いで蒸留水で洗浄、乾燥し、２０℃湿度６５％で
１２時間保存する。 それを表面抵抗計で表面抵抗を測定した。測定結果は未
処理炭素板が０．１０−０．１２Ω／Ｃｍ、ジブチルア
ニリン重合物累積炭素板が０．１４〜０．１８Ω／ ｃ
ｍであった。この結果より電極炭素基板に累積膜が形
成されているのがわかる。 実施例２ モノマーとしてＤＢＡを、電極基板としてポリエステル
フィルムに金を蒸着させたものを使用し、膜圧を１５
ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍとしたほかは実施例１と同様の
方法で累積膜を製造した。この結果を第３図に示す、第
３図より電解酸化重合しつつ。 累積膜が形成されていくのがわかる。 実施例３ モノマーとしてＤＢＡを、電極基板として白金を使用し
、膜圧を２０ ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍとしたほかは、
実施例１と同様の方法で累ａ膜を製造した。 この結果を第４図に示す、比較として電位を与えない場
合の結果を同図に示す、第４図より累積時の電解酸化併
用の効果は明らかであり、基板を上げた時の転写率がか
なり向上し、又下げた時の脱落が防上された。 実施例４ モノマーとしてＮ−ｎ−ドデシルアニリン（ＤＡ）を、
電極基板としてＩＴＯフィルムを使用し、膜圧を２０
ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍとしたほかは、実施例１と同様
の方法で累積膜を製造した。この結果を第５図に示す、
比較として電位を与えない場合と、ＩＴＯ電極基板上部
表面をＩＴＯフィルムで覆わなかった場合の結果を同図
に示す。 第５図よりＯＡの場合、基板のＬ工時に電解酸化併用の
効果が顕著に現われている。 上記の結果より、Ｎ−置換低級アルキル基アニリンであ
っても、高級アルキル基などの長鎖のものと同様ＬＢ累
積膜が得られ５又得られたＬＢＢａＩ２はＮ−２２換低
級アルキル基アニリンであっても、高級アルキルなどの
長鎖のものよりも、電導性が向上した。
本発明により、アルキル置換アニリンのＬＢ累積膜が、
高級アルキル置換アニリンと同様製造可能となり、しか
も高級アルギル基の場合、基板を一トげた時だけでなく
、下げた時にでも膜形成が可能となった。又本発明によ
るＬＢ累８！膜のａｔ＃、は光電変換、エレクトロクロ
ミズム、センサー、化学発光、荷電変換機能など多種多
様にわたっており、広い分野での寄与が期待される。
高級アルキル置換アニリンと同様製造可能となり、しか
も高級アルギル基の場合、基板を一トげた時だけでなく
、下げた時にでも膜形成が可能となった。又本発明によ
るＬＢ累８！膜のａｔ＃、は光電変換、エレクトロクロ
ミズム、センサー、化学発光、荷電変換機能など多種多
様にわたっており、広い分野での寄与が期待される。
第１図は本発明を実施するための装置の１例である。１
は作用電極となる基板、２は対極電極、３は参照電極で
ある。 第２図は七ツマ−をＮ、Ｎ−ジブチルアニリン（ＤＢＡ
）とし、電極基板としてカーボンを用いた場合のトラン
スファエリア（ＴｒａｎｓｆｅｒＡ ｒ ｅ ａ）とデ
ィッピングサイクル（Ｄｆｐｐｉｎｇｃｙｃｌｅ）との
関係を表わしたものである。＊−０は基板の上昇時、０
−・は基板の下降時を表わす。 第３図は七ツマ−をＤＢＡとし、電極基板としてポリエ
ステルフィルムに金を蒸着したものを使用した場合のト
ランスファエリアとディッピングサイクルとの関係を表
わしたものである。・−０は基板の上昇時、０−・は基
板の下降時を表わす。 第４図は七ツマ−をＤＢＡとし、電極基板として白金を
使用した場合のトランスファエリアとディッピングサイ
クルとの関係を表わしたものである。Ｉ−０は基板の上
昇時、〇−拳は基板の下降時を表わし、・０は電位をか
も士なかった時、ムΔは電位を１．ＯＶ、一定圧２０
ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍをかけた時の結果を示す。 第５図は七ツマ−をＮ−ｎ−ドデシルアニリンとし、電
極基板としてＩＴＯフィルムを使用した場合のトランス
ファエリアとデイッピングサイクルとの関係を表わした
ものである。・−〇は基板の上昇時、０−・は基板の下
降時を表わし、・０は電位をかけなかった時、ムΔは電
位を１．ＯＶ、一定圧２０ ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍを
かけた時の結果を、マは電極基板の上部表面をＩＴＯフ
ィルムで覆わなかった時の結果を示す。 特許出願人 第−工業製薬株式会社 第１図
は作用電極となる基板、２は対極電極、３は参照電極で
ある。 第２図は七ツマ−をＮ、Ｎ−ジブチルアニリン（ＤＢＡ
）とし、電極基板としてカーボンを用いた場合のトラン
スファエリア（ＴｒａｎｓｆｅｒＡ ｒ ｅ ａ）とデ
ィッピングサイクル（Ｄｆｐｐｉｎｇｃｙｃｌｅ）との
関係を表わしたものである。＊−０は基板の上昇時、０
−・は基板の下降時を表わす。 第３図は七ツマ−をＤＢＡとし、電極基板としてポリエ
ステルフィルムに金を蒸着したものを使用した場合のト
ランスファエリアとディッピングサイクルとの関係を表
わしたものである。・−０は基板の上昇時、０−・は基
板の下降時を表わす。 第４図は七ツマ−をＤＢＡとし、電極基板として白金を
使用した場合のトランスファエリアとディッピングサイ
クルとの関係を表わしたものである。Ｉ−０は基板の上
昇時、〇−拳は基板の下降時を表わし、・０は電位をか
も士なかった時、ムΔは電位を１．ＯＶ、一定圧２０
ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍをかけた時の結果を示す。 第５図は七ツマ−をＮ−ｎ−ドデシルアニリンとし、電
極基板としてＩＴＯフィルムを使用した場合のトランス
ファエリアとデイッピングサイクルとの関係を表わした
ものである。・−〇は基板の上昇時、０−・は基板の下
降時を表わし、・０は電位をかけなかった時、ムΔは電
位を１．ＯＶ、一定圧２０ ｄ ｙ ｎ ／ ｃ ｍを
かけた時の結果を、マは電極基板の上部表面をＩＴＯフ
ィルムで覆わなかった時の結果を示す。 特許出願人 第−工業製薬株式会社 第１図
Claims (1)
- １、アルキル置換アニリンから選ばれた１種以上のモノ
マー類を電導性のＬＢ累積基板を作用電極として電解酸
化重合しつつ、ＬＢ累積膜を製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9966389A JPH02277798A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 電解酸化重合法を併用したｌｂ累積膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9966389A JPH02277798A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 電解酸化重合法を併用したｌｂ累積膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277798A true JPH02277798A (ja) | 1990-11-14 |
Family
ID=14253280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9966389A Pending JPH02277798A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 電解酸化重合法を併用したｌｂ累積膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02277798A (ja) |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP9966389A patent/JPH02277798A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100435249C (zh) | 电解电容器及其制备方法，导电层及其制备方法和所述导电层的应用 | |
| Roncali et al. | Effects of steric factors on the electrosynthesis and properties of conducting poly (3-alkylthiophenes) | |
| KR101174515B1 (ko) | 전도성 중합체를 제조하기 위한 특정 산화제 | |
| Cosnier et al. | Electropolymerization: concepts, materials and applications | |
| EP0495303B1 (en) | Deposition of electroactive polymers | |
| US4909959A (en) | Conductive polymers derived from 3-alkylthiophenes, a process for manufacturing them and electroconductive devices containing them | |
| EP1498920B1 (de) | Polythiophene mit Alkylenoxythiathiopen-Einheiten in Elektrolytkondensatoren | |
| CN87108059A (zh) | 高导电性聚合体组成物及其制造方法 | |
| JP2005513219A (ja) | ３，４−アルキレンジオキシチオフェンコポリマー | |
| Villemin et al. | Improved adhesion of poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)(PEDOT) thin film to solid substrates using electrografted promoters and application to efficient nanoplasmonic devices | |
| KR20080096585A (ko) | 전구체 중합체로부터 유도된 전도성 중합체, 그것의 제조 방법 및 용도 | |
| Brisset et al. | Electrogenerated conjugated polymers incorporating a ferrocene-derivatized-(3, 4-ethylenedioxythiophene) | |
| US4663001A (en) | Electroconductive polymers derived from heterocycles polycyclic monomers and process for their manufacture | |
| US6995223B2 (en) | 3,4-alkylenedioxy-thiophene copolymers | |
| Reynolds et al. | The effect of electrolyte‐controlled growth morphology on the charge transport properties of poly (3‐methylthiophene) | |
| JP2008001836A (ja) | 高分子膜の製造方法 | |
| EP0571329A2 (en) | Solid electrolytic capacitors and process for producing the same | |
| JPH02277798A (ja) | 電解酸化重合法を併用したｌｂ累積膜の製造方法 | |
| Jenkins et al. | Electronically conducting polymers containing conjugated bithiazole moieties from bis (thienyl) bithiazoles | |
| Maouche et al. | Cyclic voltammetry and impedance spectroscopy behavior studies of polyterthiophene modified electrode | |
| JPH0678493B2 (ja) | 電導性重合体組成物の製造方法 | |
| Roullier et al. | The electrochemical behaviour of vinylferrocene and N-vinylcarbazole copolymer modified electrodes in aqueous and nonaqueous media | |
| JP4257293B2 (ja) | 自己組織性を有する両親媒性化合物をテンプレートとした分子配向性ポリマーゲル及び分子配向性ポリマーキャストフィルム、並びにそれらの製造方法 | |
| US4842383A (en) | Electrodeless plating method for combining the polymerization and the coating of electrochromic polymers | |
| Ates et al. | Synthesis of 2‐(9H‐carbazole‐9‐yl) ethyl methacrylate: Electrochemical impedance spectroscopic study of poly (2‐(9H‐carbazole‐9‐yl) ethyl methacrylate) on carbon fiber |