JPH02278209A - エネルギガイドの製造方法 - Google Patents
エネルギガイドの製造方法Info
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- JPH02278209A JPH02278209A JP1101035A JP10103589A JPH02278209A JP H02278209 A JPH02278209 A JP H02278209A JP 1101035 A JP1101035 A JP 1101035A JP 10103589 A JP10103589 A JP 10103589A JP H02278209 A JPH02278209 A JP H02278209A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ＣＯ２レーザまたはＣＯレーザのビームを
輸送するためのエネルギガイドに関するものである。
輸送するためのエネルギガイドに関するものである。
［従来の技術および発明が解決しようとする課題］従来
のエネルギガイドの製造方法としては、特開昭６１−１
８８５０６号公報に開示された方法がある。この公報に
従来技術として開示された１つの方法は、外面を鏡面仕
上げしたアルミニウムパイプの外側にゲルマニウム層を
高周波スパッタリングにより形成し、その上にニッケル
を直接めっきし、最後のアルミニウムパイプを水酸化ナ
トリウム水溶液等のエツチング液により除去する方法で
ある。この方法では、装置が高価になり、コスト高にな
るという欠点があっな。
のエネルギガイドの製造方法としては、特開昭６１−１
８８５０６号公報に開示された方法がある。この公報に
従来技術として開示された１つの方法は、外面を鏡面仕
上げしたアルミニウムパイプの外側にゲルマニウム層を
高周波スパッタリングにより形成し、その上にニッケル
を直接めっきし、最後のアルミニウムパイプを水酸化ナ
トリウム水溶液等のエツチング液により除去する方法で
ある。この方法では、装置が高価になり、コスト高にな
るという欠点があっな。
また、この公報に発明として開示された従来の方法は、
導電性のプラスチックからなる中空体の内壁に複素屈折
率の大きい金属をめっきすることにより金属膜を形成し
、さらにその金属膜の内壁に直接ゲルマニウムまたはシ
リコンをめっきすることによってコーティングする方法
である。しかしながら、この方法ではめっきによってコ
ーティングするため、均一な長尺物を得ることができな
いという問題点があった。
導電性のプラスチックからなる中空体の内壁に複素屈折
率の大きい金属をめっきすることにより金属膜を形成し
、さらにその金属膜の内壁に直接ゲルマニウムまたはシ
リコンをめっきすることによってコーティングする方法
である。しかしながら、この方法ではめっきによってコ
ーティングするため、均一な長尺物を得ることができな
いという問題点があった。
このように、従来の方法ではめっき、スパッタリングお
よび選択エツチングなどによりコーティング層を形成し
ているため、複雑な工程が必要であり、高価になるとと
もに均一なコーティングが困難であった。
よび選択エツチングなどによりコーティング層を形成し
ているため、複雑な工程が必要であり、高価になるとと
もに均一なコーティングが困難であった。
この発明の目的は、このような従来の問題点を解消し、
簡易な工程で均一なコーティングを行なうことのできる
エネルギガイドの製造方法を提供することにある。
簡易な工程で均一なコーティングを行なうことのできる
エネルギガイドの製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
この発明のエネルギガイドの製造方法では、（ＣＨｓ）
４Ｓｉまたは（Ｃ２Ｈｓ）＊Ｓｉの熱分解反応により、
金属バイブの内壁面にシリコン層をコーティングするこ
とを特徴としている。
４Ｓｉまたは（Ｃ２Ｈｓ）＊Ｓｉの熱分解反応により、
金属バイブの内壁面にシリコン層をコーティングするこ
とを特徴としている。
また、好ましくは、シリコン層をコーティングする際、
金属パイプを外側から加熱する加熱手段を設け、この加
熱手段を金属パイプに沿って移動させて熱分解反応の起
こる加熱部を移動させながらシリコン層を形成する。
金属パイプを外側から加熱する加熱手段を設け、この加
熱手段を金属パイプに沿って移動させて熱分解反応の起
こる加熱部を移動させながらシリコン層を形成する。
この加熱手段によって加熱される加熱部の温度は、好ま
しくは４５０℃〜７００℃に保持する。
しくは４５０℃〜７００℃に保持する。
この発明において、金属パイプは、Ａｌ５ＣｕおよびＮ
ｉ等の種々の金属パイプを使用することができる。
ｉ等の種々の金属パイプを使用することができる。
〔作用］
この発明の製造方法では、（ＣＨａ）４Ｓｔまたは（Ｃ
２Ｈｉ）＜Ｓｉの熱分解反応によりシリコン層を形成し
ているため、低温でシリコン層をコーティングすること
ができる。
２Ｈｉ）＜Ｓｉの熱分解反応によりシリコン層を形成し
ているため、低温でシリコン層をコーティングすること
ができる。
また、この発明の好ましい実施態様に従い、金属パイプ
を外側から加熱する加熱手段を設けて、この加熱手段を
金属パイプに沿って移動させ熱分解反応の起こる加熱部
を移動させながらシリコン層を形成させることにより、
シリコン層の厚みをさらに均一にすることができる。
を外側から加熱する加熱手段を設けて、この加熱手段を
金属パイプに沿って移動させ熱分解反応の起こる加熱部
を移動させながらシリコン層を形成させることにより、
シリコン層の厚みをさらに均一にすることができる。
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例を説明するための装置を
示す概略構成図である。第１因において、金属パイプ１
の外側には、金属パイプ１を加熱するための加熱手段で
あるヒータ２が設けられており、このヒータ２は、金属
パイプ１の長手方向に沿って移動可能に設けられている
。金属パイプ１の一方端には、有機金属原料供給装置５
からの原料がスを導入するため、の配管が接続されてい
る。また、有機金属原料供給装置５にはキャリアガスボ
ンベ３からのキャリアガスを供給するための配管が接続
されており、この配管にはキャリアガスの流量を測定す
るための流量計４が取付けられている。金属パイプ１の
他方端には、金属パイプ１から排出される排ガスを処理
するための排ガス処理装置６に接続された配管が取付け
られている。
示す概略構成図である。第１因において、金属パイプ１
の外側には、金属パイプ１を加熱するための加熱手段で
あるヒータ２が設けられており、このヒータ２は、金属
パイプ１の長手方向に沿って移動可能に設けられている
。金属パイプ１の一方端には、有機金属原料供給装置５
からの原料がスを導入するため、の配管が接続されてい
る。また、有機金属原料供給装置５にはキャリアガスボ
ンベ３からのキャリアガスを供給するための配管が接続
されており、この配管にはキャリアガスの流量を測定す
るための流量計４が取付けられている。金属パイプ１の
他方端には、金属パイプ１から排出される排ガスを処理
するための排ガス処理装置６に接続された配管が取付け
られている。
流量計４によりキャリアガスの流量を測定し、流量をバ
ルブによって制御しながらキャリアガスボンベ３からキ
ャリアガスを有機金属原料供給装置５内に供給する。こ
の有機金属原料供給装置Ｉｆ５からはキャリアガスとと
もに、有機金属のガスが金属バイブ１内に送られる。金
属パイプ１は、移動可能なヒータ２によって加熱されて
おり、この加熱部で、供給された有機金属が熱分解し、
シリコン層が形成される。この発明において、有機金属
原料としては、（ＣＨ３） ４ Ｓ ｉまたは（Ｃ２Ｈ
５）、Ｓｉが用いられる。加熱部の温度は、４５０℃〜
７００℃に保持することが好ましい。ヒータ２は、金属
パイプ１の一方端から他方端へ、または他方端から一方
端へ徐々に移動し、これに伴って、熱分解反応の起こる
加熱部が金属バイブ１内で移動する。このように加熱部
が移動することにより、金属バイブ１内では、その移動
に伴いシリコン層が順次金属バイブ１の長手方向に沿っ
て順次形成されていく。
ルブによって制御しながらキャリアガスボンベ３からキ
ャリアガスを有機金属原料供給装置５内に供給する。こ
の有機金属原料供給装置Ｉｆ５からはキャリアガスとと
もに、有機金属のガスが金属バイブ１内に送られる。金
属パイプ１は、移動可能なヒータ２によって加熱されて
おり、この加熱部で、供給された有機金属が熱分解し、
シリコン層が形成される。この発明において、有機金属
原料としては、（ＣＨ３） ４ Ｓ ｉまたは（Ｃ２Ｈ
５）、Ｓｉが用いられる。加熱部の温度は、４５０℃〜
７００℃に保持することが好ましい。ヒータ２は、金属
パイプ１の一方端から他方端へ、または他方端から一方
端へ徐々に移動し、これに伴って、熱分解反応の起こる
加熱部が金属バイブ１内で移動する。このように加熱部
が移動することにより、金属バイブ１内では、その移動
に伴いシリコン層が順次金属バイブ１の長手方向に沿っ
て順次形成されていく。
第１図に示す装置を用いて、銅バイブの内壁面にシリコ
ン層をコーティングした。用いた銅パイプは、内径１．
０ｍｍ、外径１ 、 ５ ｍ ｍ ｓ長さ１゜５ｍであ
り、有機金属原料としては、（Ｃ２Ｈ，）、Ｓｌを用い
、キャリアガスとしてはＨ２ガスを用いた。
ン層をコーティングした。用いた銅パイプは、内径１．
０ｍｍ、外径１ 、 ５ ｍ ｍ ｓ長さ１゜５ｍであ
り、有機金属原料としては、（Ｃ２Ｈ，）、Ｓｌを用い
、キャリアガスとしてはＨ２ガスを用いた。
銅バイブをヒータにより５００℃に加熱しながら、この
加熱部を移動させて銅バイブ内にシリコン層を形成した
。加熱部の移動は、銅パイプの中央部１．０ｍの範囲で
行ない、この中央部の内壁面に０．５μｍの厚みのシリ
コン層をコーティングした。コーテイング後、銅バイブ
の中央部１゜０ｍを切取り、両端にＺｎ５ｅのレンズを
用い、ＣＯ□レーザビームをこのエネルギガイド内に透
過させた。その結果、約０．０５ｄＢの損失で、３００
Ｗのレーザエネルギの伝播が可能であった。
加熱部を移動させて銅バイブ内にシリコン層を形成した
。加熱部の移動は、銅パイプの中央部１．０ｍの範囲で
行ない、この中央部の内壁面に０．５μｍの厚みのシリ
コン層をコーティングした。コーテイング後、銅バイブ
の中央部１゜０ｍを切取り、両端にＺｎ５ｅのレンズを
用い、ＣＯ□レーザビームをこのエネルギガイド内に透
過させた。その結果、約０．０５ｄＢの損失で、３００
Ｗのレーザエネルギの伝播が可能であった。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明の製造方法では、シリコ
ン層を（ＣＨ３）＜Ｓｔまたは（Ｃ２Ｈ５）４Ｓｉの熱
分解反応により形成しているため、比較的低温でしかも
簡易な工程でシリコン層を金属バイブの内壁面に形成さ
せることができる。
ン層を（ＣＨ３）＜Ｓｔまたは（Ｃ２Ｈ５）４Ｓｉの熱
分解反応により形成しているため、比較的低温でしかも
簡易な工程でシリコン層を金属バイブの内壁面に形成さ
せることができる。
さらに、実施例で説明したように、金属バイブを外側か
ら加熱する加熱手段を設け、この加熱手段を金属バイブ
に沿って移動させることにより、熱分解反応の起こる加
熱部を移動させながらシリコン層を形成させることがで
き、均一なシリコン層を金属バイブの内壁面に形成させ
ることができる。
ら加熱する加熱手段を設け、この加熱手段を金属バイブ
に沿って移動させることにより、熱分解反応の起こる加
熱部を移動させながらシリコン層を形成させることがで
き、均一なシリコン層を金属バイブの内壁面に形成させ
ることができる。
第１図は、この発明の一実施例を説明するための装置を
示す概略構成図である。 図において、１は金属バイブ、２はヒータ、３はキャリ
アガスボンベ、４は流量計、５は有機金属原料供給装置
、６は排ガス処理装置を示す。 （ほか２名） ′−・ン
示す概略構成図である。 図において、１は金属バイブ、２はヒータ、３はキャリ
アガスボンベ、４は流量計、５は有機金属原料供給装置
、６は排ガス処理装置を示す。 （ほか２名） ′−・ン
Claims (3)
- （１）金属パイプの内壁面にシリコン層をコーティング
するエネルギガイドの製造方法において、 前記シリコン層を（ＣＨ＿３）＿４Ｓｉまたは（Ｃ＿２
Ｈ＿５）＿４Ｓｉの熱分解反応により形成することを特
徴とする、エネルギガイドの製造方法。 - （２）前記金属パイプを外側から加熱する加熱手段を設
け、この加熱手段を前記金属パイプに沿って移動させて
前記熱分解反応の起こる加熱部を移動させながらシリコ
ン層を形成することを特徴とする、請求項１記載のエネ
ルギガイドの製造方法。 - （３）前記加熱部の温度を４５０℃〜７００℃に保持す
ることを特徴とする、請求項２記載のエネルギガイドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101035A JPH02278209A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | エネルギガイドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101035A JPH02278209A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | エネルギガイドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278209A true JPH02278209A (ja) | 1990-11-14 |
Family
ID=14289911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1101035A Pending JPH02278209A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | エネルギガイドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278209A (ja) |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1101035A patent/JPH02278209A/ja active Pending
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