JPH02278823A - 基板の洗浄・乾燥装置 - Google Patents
基板の洗浄・乾燥装置Info
- Publication number
- JPH02278823A JPH02278823A JP10056689A JP10056689A JPH02278823A JP H02278823 A JPH02278823 A JP H02278823A JP 10056689 A JP10056689 A JP 10056689A JP 10056689 A JP10056689 A JP 10056689A JP H02278823 A JPH02278823 A JP H02278823A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- substrate
- cleaning
- pure water
- cleaning tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハなどの基板を対象に、エツチン
グ処理後の洗浄、乾燥工程で用いる基板の洗浄・乾燥装
置に関する。
グ処理後の洗浄、乾燥工程で用いる基板の洗浄・乾燥装
置に関する。
この種の基板洗浄・乾燥装置として、温純水を満たした
洗浄槽に対し、ホルダ上に垂直姿勢に並べて担持した基
板をハンドリング機構の操作により上方から槽内に吊り
下ろして液中に浸漬し、この状態で洗浄を行った後に、
同じハンドリング機構の操作により基板を微速で液中よ
り引き上げて水切り乾燥するようにした方式のものが知
られている。
洗浄槽に対し、ホルダ上に垂直姿勢に並べて担持した基
板をハンドリング機構の操作により上方から槽内に吊り
下ろして液中に浸漬し、この状態で洗浄を行った後に、
同じハンドリング機構の操作により基板を微速で液中よ
り引き上げて水切り乾燥するようにした方式のものが知
られている。
この方式における乾燥工程は、いわゆる表面張力乾履方
式と呼ばれ、基板を液面から引き上げる際に基板と液面
との間に働く表面張力の作用によ・す、基板の表面に付
着残留しているパーティクルも液と一緒にそぎ落とされ
る。
式と呼ばれ、基板を液面から引き上げる際に基板と液面
との間に働く表面張力の作用によ・す、基板の表面に付
着残留しているパーティクルも液と一緒にそぎ落とされ
る。
ところで、前記した従来装置では、洗浄槽に対して基板
を昇降するハンドリング機構が必要であり、したがって
装置の機構が複雑でコスト高となる。また、処理能力の
面でも、表面張力乾燥を有効に働かせるためには基板に
揺れ、振動を与えずに静かに液中より引き上げる必要が
あり、このために基板を毎分3〇−程度の微速で引き上
げ操作する必要があり、高いスループット性が得られな
い、さらに機能面でも、ハンドリング機構が発塵源とな
って基板を洗浄槽から気中に引き上げた際に、−旦は清
浄化された基板の表面にハンドリング機構から発塵した
パーティクルが付着してしまうと言った不具合が生じる
。
を昇降するハンドリング機構が必要であり、したがって
装置の機構が複雑でコスト高となる。また、処理能力の
面でも、表面張力乾燥を有効に働かせるためには基板に
揺れ、振動を与えずに静かに液中より引き上げる必要が
あり、このために基板を毎分3〇−程度の微速で引き上
げ操作する必要があり、高いスループット性が得られな
い、さらに機能面でも、ハンドリング機構が発塵源とな
って基板を洗浄槽から気中に引き上げた際に、−旦は清
浄化された基板の表面にハンドリング機構から発塵した
パーティクルが付着してしまうと言った不具合が生じる
。
本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、簡易
な装置で、スルーブツトが高(、しかも基板に対するパ
ーティクルレベルの改善が図れるようにした基板の洗浄
・乾燥装置を提供することを目的とする。
な装置で、スルーブツトが高(、しかも基板に対するパ
ーティクルレベルの改善が図れるようにした基板の洗浄
・乾燥装置を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段]
上記課題を解決するために、本発明の洗浄・乾燥装置は
、洗浄槽と、該洗浄槽に温純水を導入する給水系、およ
び洗浄槽の底部から温純水を抜き取る排水系とを具備し
、洗浄槽内にホルダに担持した基板を収容セットした状
態で、給水系より槽内に温純水を導入して基板を洗浄し
、しかる後に排水系の水抜き操作により槽内の液面レベ
ルを所定速度で下げて基板を水切り乾燥するように構成
するものとする。
、洗浄槽と、該洗浄槽に温純水を導入する給水系、およ
び洗浄槽の底部から温純水を抜き取る排水系とを具備し
、洗浄槽内にホルダに担持した基板を収容セットした状
態で、給水系より槽内に温純水を導入して基板を洗浄し
、しかる後に排水系の水抜き操作により槽内の液面レベ
ルを所定速度で下げて基板を水切り乾燥するように構成
するものとする。
上記の構成で、一基板をホルダに担持したまま洗浄槽内
に収容セットし、この状態で給水系を通じて槽内へ60
℃程度に加温した温純水を導入し、かつ温純水を洗浄槽
からオーバーフローさせながら連続的に流すことにより
基板が洗浄される。続いて、基板を定位置に置いたまま
、排水系の水抜き操作により槽内の液面レベルを所定の
速度で下げていくと、いままで液中に浸漬していた基板
が液面上に露呈する際に基板面と液面との間に働く表面
張力の作用て基板表面に付着している液、およびパーテ
ィクルが一締にそぎ落とされ、同時に液内への浸漬時に
基板に加わった熱で自然乾燥するようになる。
に収容セットし、この状態で給水系を通じて槽内へ60
℃程度に加温した温純水を導入し、かつ温純水を洗浄槽
からオーバーフローさせながら連続的に流すことにより
基板が洗浄される。続いて、基板を定位置に置いたまま
、排水系の水抜き操作により槽内の液面レベルを所定の
速度で下げていくと、いままで液中に浸漬していた基板
が液面上に露呈する際に基板面と液面との間に働く表面
張力の作用て基板表面に付着している液、およびパーテ
ィクルが一締にそぎ落とされ、同時に液内への浸漬時に
基板に加わった熱で自然乾燥するようになる。
なお、乾燥効果をより一層高めるためには、洗浄槽内に
ヒータを組み込んでおき、温純水を抜き取った後にヒー
タ加熱により槽内を50〜100℃程度に加熱するのが
好ましい。
ヒータを組み込んでおき、温純水を抜き取った後にヒー
タ加熱により槽内を50〜100℃程度に加熱するのが
好ましい。
(実施例〕
第1図は本発明実施例による洗浄・乾燥装置のフロー図
である0図において、lは洗浄槽、2は洗浄液として用
いる純水3を加熱、貯留するヒータ2a付きの貯留槽、
4.5はそれぞれ洗浄槽1に接続した給水系、および排
水系であり、洗浄槽lは貯留槽2よりも上位に配置して
両者の間に落差を設定している。
である0図において、lは洗浄槽、2は洗浄液として用
いる純水3を加熱、貯留するヒータ2a付きの貯留槽、
4.5はそれぞれ洗浄槽1に接続した給水系、および排
水系であり、洗浄槽lは貯留槽2よりも上位に配置して
両者の間に落差を設定している。
ここで、前記洗浄槽l内には中仕切板1aを介してオー
バーフロー室1bが設けてあり、さらに槽内底部にはヒ
ータlcが配備されている。また、給水系4は送液ポン
プ4a、開閉弁4b、流量調整弁4c。
バーフロー室1bが設けてあり、さらに槽内底部にはヒ
ータlcが配備されている。また、給水系4は送液ポン
プ4a、開閉弁4b、流量調整弁4c。
フィルタ4dなどを備えて貯留槽2と洗浄槽lの底部と
の間に配管されている。これに対して排水系5は、開閉
弁5L、流量調整弁5bを備えて洗浄槽1の底部と貯留
槽2との間に配管されている。なお、6は洗浄槽lのオ
ーバーフロー室1bと貯留槽2との間に配管したオーバ
ーフロー液の戻し配管、6aは開閉弁、また2bは貯留
槽2に接続したドレンコックである。
の間に配管されている。これに対して排水系5は、開閉
弁5L、流量調整弁5bを備えて洗浄槽1の底部と貯留
槽2との間に配管されている。なお、6は洗浄槽lのオ
ーバーフロー室1bと貯留槽2との間に配管したオーバ
ーフロー液の戻し配管、6aは開閉弁、また2bは貯留
槽2に接続したドレンコックである。
次に、上記装置を用いた基板の洗浄、乾燥工程について
説明する。まず、複数枚の基板7を石英スリットと呼ば
れるホルダ8の上に垂直姿勢に並べて担持させた状態で
、基板7をホルダ8とともに空のfRIIlにある洗浄
槽1の中の所定位置に収容セットする。続いて貯留槽2
で60℃程度に加熱昇温された温純水を給水系4を通じ
て洗浄槽lへ導入し、さらに槽内で温純水をオーバーフ
ローさせながら敞分間連続的に流して基板7を洗浄する
。
説明する。まず、複数枚の基板7を石英スリットと呼ば
れるホルダ8の上に垂直姿勢に並べて担持させた状態で
、基板7をホルダ8とともに空のfRIIlにある洗浄
槽1の中の所定位置に収容セットする。続いて貯留槽2
で60℃程度に加熱昇温された温純水を給水系4を通じ
て洗浄槽lへ導入し、さらに槽内で温純水をオーバーフ
ローさせながら敞分間連続的に流して基板7を洗浄する
。
なお、この状m−では排水系5の開閉弁5aは閉じ、オ
ーバーフロー液戻し配管6の開閉弁6aは開いて、いる
。
ーバーフロー液戻し配管6の開閉弁6aは開いて、いる
。
前記の洗浄工程が済むと給水系4からの送液を停止し、
続いて乾燥工程に移行する。この乾燥工程では基板7を
槽内の定位置に支持したまま排水系5の開閉弁5aを開
いて洗浄槽l内に滞留している温純水を抜き取り、流量
調整弁5bを通じて貯留槽2へ自然流下式に回収する。
続いて乾燥工程に移行する。この乾燥工程では基板7を
槽内の定位置に支持したまま排水系5の開閉弁5aを開
いて洗浄槽l内に滞留している温純水を抜き取り、流量
調整弁5bを通じて貯留槽2へ自然流下式に回収する。
なお、この水抜き操作の際には、洗浄槽1の液面レベル
が所定の速度で徐々に下がるように前記の流量調整弁5
bで流量をあらかじめ設定しておく。
が所定の速度で徐々に下がるように前記の流量調整弁5
bで流量をあらかじめ設定しておく。
一方、前記の水抜き操作により、いままで液中に浸漬し
ていた基板7は液面レベルの降下につれて液面上に露呈
するようになり、かつこの過程で温純水の液面と基板面
との間に働く液の表面張力作用により、基板7の表面に
付着しているパーティクルが液と一緒にそぎ落とされる
ようになる。
ていた基板7は液面レベルの降下につれて液面上に露呈
するようになり、かつこの過程で温純水の液面と基板面
との間に働く液の表面張力作用により、基板7の表面に
付着しているパーティクルが液と一緒にそぎ落とされる
ようになる。
しかも、基板7自身は温純水の熱で加温された状態にあ
り、液内から気中に露呈すると同時に自然乾燥される。
り、液内から気中に露呈すると同時に自然乾燥される。
そして、洗浄槽1が空の状態になれば、次に洗浄槽1に
内蔵したヒータlcに通電して槽内の雲囲気を50〜1
00℃程度に加熱し、基板7を強制乾燥させるとともに
、基板7とホルダ8との間に残っている液を蒸発、排除
する。
内蔵したヒータlcに通電して槽内の雲囲気を50〜1
00℃程度に加熱し、基板7を強制乾燥させるとともに
、基板7とホルダ8との間に残っている液を蒸発、排除
する。
なお、前記した実施例では、貯留槽2に蓄えた純水を洗
浄槽1との間で?i環して繰り返し利用する方式を示し
たが、貯留槽2を用いる代わりに、図中に鎖線で示すよ
うに別な温純水源に接続した給水系40、ドレン系に開
放した排水系50を通じて洗浄槽lへの給水、および排
水を1回分ずつ使い捨て方式で実施することもできる。
浄槽1との間で?i環して繰り返し利用する方式を示し
たが、貯留槽2を用いる代わりに、図中に鎖線で示すよ
うに別な温純水源に接続した給水系40、ドレン系に開
放した排水系50を通じて洗浄槽lへの給水、および排
水を1回分ずつ使い捨て方式で実施することもできる。
本発明による基板の洗浄・乾燥装置は、以上説明したよ
うに構成されているので、次記の効果を奏する。
うに構成されているので、次記の効果を奏する。
(1)基板の洗浄、乾燥を洗浄槽内の液面の昇降操作に
より行うので、従来装置のようにハンドリング機構が不
要となり、装置の簡略化、低コスト化が図れる。
より行うので、従来装置のようにハンドリング機構が不
要となり、装置の簡略化、低コスト化が図れる。
(2)発塵源となるハンドリング機構がないので、パー
ティクルレベルの大幅な改善が図れる。
ティクルレベルの大幅な改善が図れる。
(3)基板を静止状態で保持したまま液面レベルを下げ
て水切り乾燥するようにしたので、基板に揺れ、振動な
どを加えることなしに表面張力作用による基板の乾燥を
効果的に行うことができる他、液面レベルの降下速度を
従来装置による基板引き上げ速度よりも早めてスルーブ
ツトの向上を図ることもできる。
て水切り乾燥するようにしたので、基板に揺れ、振動な
どを加えることなしに表面張力作用による基板の乾燥を
効果的に行うことができる他、液面レベルの降下速度を
従来装置による基板引き上げ速度よりも早めてスルーブ
ツトの向上を図ることもできる。
第1図は本発明実施例による基板の洗浄・乾燥装置の構
成図である0図において、 l:洗浄槽、3:温純水、4,4O:給水系、5゜50
:排水系、7:基板、8:ホルダ。 q 7基板 、〆 第1図
成図である0図において、 l:洗浄槽、3:温純水、4,4O:給水系、5゜50
:排水系、7:基板、8:ホルダ。 q 7基板 、〆 第1図
Claims (1)
- 1)半導体ウェハなどの基板を対象に、垂直姿勢に並べ
てホルダに担持した基板の表面を温純水で洗浄した後に
水切り乾燥させる基板の洗浄・乾燥装置であって、洗浄
槽と、該洗浄槽に温純水を導入する給水系と、洗浄槽の
底部から温純水を抜き取る排水系とを備え、洗浄槽内に
ホルダに担持した基板を収容セットした状態で、給水系
より槽内に温純水を導入して基板を洗浄し、しかる後に
排水系の水抜き操作により槽内の液面レベルを所定速度
で下げて基板を水切り乾燥するよう構成したことを特徴
とする基板の洗浄・乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10056689A JPH02278823A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 基板の洗浄・乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10056689A JPH02278823A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 基板の洗浄・乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278823A true JPH02278823A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14277466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10056689A Pending JPH02278823A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 基板の洗浄・乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278823A (ja) |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP10056689A patent/JPH02278823A/ja active Pending
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