JPH02278826A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPH02278826A JPH02278826A JP10220189A JP10220189A JPH02278826A JP H02278826 A JPH02278826 A JP H02278826A JP 10220189 A JP10220189 A JP 10220189A JP 10220189 A JP10220189 A JP 10220189A JP H02278826 A JPH02278826 A JP H02278826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- film
- gas
- tray
- chemical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔唾業上の利用分野〕
この発明は、常ｌｆ（大気ｌｆ）のもとてウェハ上に薄
膜を形成する化学気相成長装置に関するものである。
膜を形成する化学気相成長装置に関するものである。
＠３図は従来の化学気相成長装置の構成ｔボ丁要部正面
図である口 図において、田はウニ／’ ＋５１を下方から前加熱す
る前加熱ヒータ、）２１は主加熱ヒータ、（３）は後カ
ロ熱ヒータ、１４＋ｉウェハを搬送す、６ ） ｖイ、
１６１ｉ反応ガスをウニＩＳ ｉｌｌ上に噴きつけるガ
スディスバージョンヘッド、＋７１汀ガスディスパージ
ョンヘッド１８１に反応ガスを導入する反応ガス導入ノ
（イブである。
図である口 図において、田はウニ／’ ＋５１を下方から前加熱す
る前加熱ヒータ、）２１は主加熱ヒータ、（３）は後カ
ロ熱ヒータ、１４＋ｉウェハを搬送す、６ ） ｖイ、
１６１ｉ反応ガスをウニＩＳ ｉｌｌ上に噴きつけるガ
スディスバージョンヘッド、＋７１汀ガスディスパージ
ョンヘッド１８１に反応ガスを導入する反応ガス導入ノ
（イブである。
次に、ウェハ（６）上に層関絶縁儂の一種であるボロン
ガラス膜（以下膜という）ｆｔ形成する場合の動作につ
いて説明する。
ガラス膜（以下膜という）ｆｔ形成する場合の動作につ
いて説明する。
トレイ１４１上に載置したウエノ這６１Ｙｉ、トレイ搬
送機Ｉｌ（図示せず）ｌＣよって図示の矢印Ａに示す方
向に搬送される。このとき、前加熱ヒータＩＩ＋は膜形
成温度付近までウニ／Ｎ １５１を加熱する。
送機Ｉｌ（図示せず）ｌＣよって図示の矢印Ａに示す方
向に搬送される。このとき、前加熱ヒータＩＩ＋は膜形
成温度付近までウニ／Ｎ １５１を加熱する。
ウェハ＋５１が嘆形成領域に搬送されると、ウエノ・６
１は主加熱ヒータ（２１によって寝形成温度（８５０〜
４５０℃）まで加熱され、ガスディスバージョンヘッド
１６１からウェハ１ＩＳｌ上に例えば日ｉ Ｈ４１Ｂ
＠Ｈ＠ 、 ０２の反応ガスが噴出する。嘆形成後、後
加熱ヒータ（３１によってウエノ通組を徐々（！１冷却
する。なお寝形成の反応は酸化反応で次の式で与えられ
る。
１は主加熱ヒータ（２１によって寝形成温度（８５０〜
４５０℃）まで加熱され、ガスディスバージョンヘッド
１６１からウェハ１ＩＳｌ上に例えば日ｉ Ｈ４１Ｂ
＠Ｈ＠ 、 ０２の反応ガスが噴出する。嘆形成後、後
加熱ヒータ（３１によってウエノ通組を徐々（！１冷却
する。なお寝形成の反応は酸化反応で次の式で与えられ
る。
８１Ｈ＊ ＋ Ｂ！Ｈｓ ＋ ５０１→５ｉＯ１＋ Ｂ
ｔｕｓ ＋ ５Ｈ２゜第４図はトレイ１４１にウェハ１
６１を載置して移動させたときのウェハ１ｌｉｌの表面
温度とトレイ１４１の位置の関係を示すグラフ、第５因
は形成した膜の表面からの深さに対する膜中のボロン濃
度の変化を示すグラフである。
ｔｕｓ ＋ ５Ｈ２゜第４図はトレイ１４１にウェハ１
６１を載置して移動させたときのウェハ１ｌｉｌの表面
温度とトレイ１４１の位置の関係を示すグラフ、第５因
は形成した膜の表面からの深さに対する膜中のボロン濃
度の変化を示すグラフである。
従来の化学気相成長装置は以上のように構成されてい九
ので寝形成時に反応ガスがデイスパージョンヘッドから
噴出すると、ウェハの表面が冷却され第４図に示すよう
ＩＣ＠形成領域Ｂでウェハの表面温度が低くなることが
分っている。
ので寝形成時に反応ガスがデイスパージョンヘッドから
噴出すると、ウェハの表面が冷却され第４図に示すよう
ＩＣ＠形成領域Ｂでウェハの表面温度が低くなることが
分っている。
喚形成温度が低いと膜中のボロン濃度は高くなる傾向が
ある。このため、第６図に示すように膜中のボロン濃度
が深さ方向に対して８つのビークを持つ分布となってい
た。このため、ｌｉｌの深さ方向の膜質が不均一になり
、１１１質としての信頼性か低下するという問題があっ
た。
ある。このため、第６図に示すように膜中のボロン濃度
が深さ方向に対して８つのビークを持つ分布となってい
た。このため、ｌｉｌの深さ方向の膜質が不均一になり
、１１１質としての信頼性か低下するという問題があっ
た。
このような膜にフッ酸溶液でコンタクト孔を開ける場合
には、′エツチング速度がボロン濃度に依存して小さく
な９、エツチング形状の別画が困禰なものとなって、そ
の上に金属配線全形成したときに断線が生じ九り、ステ
ップカバレッジが悪くなったりしてい、た。
には、′エツチング速度がボロン濃度に依存して小さく
な９、エツチング形状の別画が困禰なものとなって、そ
の上に金属配線全形成したときに断線が生じ九り、ステ
ップカバレッジが悪くなったりしてい、た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、＃形式時に幌の深さ方向の膜質を均一にする
ことができ、部質としての信頼性を向上させることがで
きる化学気相成長Ｓａｔ得ることを目的とする。
たもので、＃形式時に幌の深さ方向の膜質を均一にする
ことができ、部質としての信頼性を向上させることがで
きる化学気相成長Ｓａｔ得ることを目的とする。
この発明に係る化学気相成長装置は、ウェハｔｍ送する
トレイ及び駆＃装置とトレイ下方からクエへを加熱する
ヒータ、ウェハ上に反応力ヘッド スを吹きつける複数のガスデイスパージョフ１持ちこの
ディスパージ目ンヘッドの上方に反応ガスを加熱するガ
ス加熱器を設けたものである。
トレイ及び駆＃装置とトレイ下方からクエへを加熱する
ヒータ、ウェハ上に反応力ヘッド スを吹きつける複数のガスデイスパージョフ１持ちこの
ディスパージ目ンヘッドの上方に反応ガスを加熱するガ
ス加熱器を設けたものである。
この発明においては、９エバに対する喚形成時にウェハ
表面温度を均一な温度に制−することができる。
表面温度を均一な温度に制−することができる。
以下、この発明の一実施Ｐ１を図について説明する。第
１図は化学気相成長装置の構成を示す要部１Ｅ面図であ
る。図におｐて敬１）〜（１１は第３図の従来例に示し
たものと同等であるので説明を省略する。（８１ニ反応
ガスｒあらかじめ加熱するガス加熱器である。
１図は化学気相成長装置の構成を示す要部１Ｅ面図であ
る。図におｐて敬１）〜（１１は第３図の従来例に示し
たものと同等であるので説明を省略する。（８１ニ反応
ガスｒあらかじめ加熱するガス加熱器である。
次に動作について説明する。
９エバ・Ｓ＋ＶＣ対する嬶形成時にウェハ１６）の表面
温度を制−することができる。すなわち憐形成時に反応
ガスがガスディスバージョンヘッド・８１から吹き■す
と９エバ、ｌｉｌの表面が冷却されるが、あらかじめ反
応ガスをＪＩＳＧ〜４００″ｃ′１で加熱し吹き出すこ
とによってウェハ１６）の表面温度が上昇し便形戎領域
での９エバ４１の表面＠度を均一にすることができる。
温度を制−することができる。すなわち憐形成時に反応
ガスがガスディスバージョンヘッド・８１から吹き■す
と９エバ、ｌｉｌの表面が冷却されるが、あらかじめ反
応ガスをＪＩＳＧ〜４００″ｃ′１で加熱し吹き出すこ
とによってウェハ１６）の表面温度が上昇し便形戎領域
での９エバ４１の表面＠度を均一にすることができる。
この九め、ボロンガラス編の深さ方向の膜質を均一なも
のにすることができ１例えばボロンガラス編にフラボ％
液でコンタクト孔１ｋｔ）′ｆ４ける場合にも制−よく
開孔するすることができ、その上に形成する金属配線に
断線が生じたり、ステップカバレッジが悪くなりたりす
るこ七がなくなる◎ 第８図はトレイ４１にウェハ重重を戟１ｄさせたときの
ウェハ１６）の表面温度とトレイ１４１の位置の関係を
示すグラフである。
のにすることができ１例えばボロンガラス編にフラボ％
液でコンタクト孔１ｋｔ）′ｆ４ける場合にも制−よく
開孔するすることができ、その上に形成する金属配線に
断線が生じたり、ステップカバレッジが悪くなりたりす
るこ七がなくなる◎ 第８図はトレイ４１にウェハ重重を戟１ｄさせたときの
ウェハ１６）の表面温度とトレイ１４１の位置の関係を
示すグラフである。
以上のように、この発明によれば反応ガスがガス加熱器
によってあらかじめ加熱され、カスプイスバージョンヘ
ッドから噴き出すため、ウェハに対する１ｌｌＩｌｌ時
にウニ凸表面＠度を均一な温度に制−することができる
。したがって模杉成時に−の深さ方向の膜質を均一に設
定することができるので、嘆賞としての信頼性全回上さ
せることができる・
によってあらかじめ加熱され、カスプイスバージョンヘ
ッドから噴き出すため、ウェハに対する１ｌｌＩｌｌ時
にウニ凸表面＠度を均一な温度に制−することができる
。したがって模杉成時に−の深さ方向の膜質を均一に設
定することができるので、嘆賞としての信頼性全回上さ
せることができる・
第１図はこの発明の一実施例による化学気相成長装置の
構成を示す！！部正正面図第１図は第１図の化学気相成
長装置によるｍｒｖｒｉｔ、時のウェハ表面温度とトレ
イ位置の関係を示すグラフ。 第３図は従来の化学気相成長ｉ！置の構成を示す要部正
面図、第４図は第８図の化学気相成長装宵による・曙形
成時のウニ八表面温度とトレイ位置の関係を示すグラフ
、第５図はボロンガラス膜の表面からの深さ１′こ対す
るボロンガラス膜中のボロ／幽度の変化を示すグラフで
ある。 図において巾はｇｔｔ加熱ヒータ、＋２１は主加熱ヒー
タ、＋３１は後加熱ヒータ、４１はトレイ、、５１ｔ／
′ｉタエハ、＋８１ｄカスプイスバージヨンヘツド、（
７１ｔｔ反応ガス尋人パイプ、＋８１Ｈガス加熱器であ
る。 なお、図中、同一符号は１「１１− 又は相当部分１に
ボす。
構成を示す！！部正正面図第１図は第１図の化学気相成
長装置によるｍｒｖｒｉｔ、時のウェハ表面温度とトレ
イ位置の関係を示すグラフ。 第３図は従来の化学気相成長ｉ！置の構成を示す要部正
面図、第４図は第８図の化学気相成長装宵による・曙形
成時のウニ八表面温度とトレイ位置の関係を示すグラフ
、第５図はボロンガラス膜の表面からの深さ１′こ対す
るボロンガラス膜中のボロ／幽度の変化を示すグラフで
ある。 図において巾はｇｔｔ加熱ヒータ、＋２１は主加熱ヒー
タ、＋３１は後加熱ヒータ、４１はトレイ、、５１ｔ／
′ｉタエハ、＋８１ｄカスプイスバージヨンヘツド、（
７１ｔｔ反応ガス尋人パイプ、＋８１Ｈガス加熱器であ
る。 なお、図中、同一符号は１「１１− 又は相当部分１に
ボす。
Claims (1)
- ウェハを搬送するトレイ及び駆動装置とトレイ下方から
ウェハを加熱するヒータ、ウェハ上に反応ガスを吹きつ
ける複数のガスディスパージョンヘッドを持ち、上記ガ
スディスパージョンヘッドの上方に反応ガスを暖める加
熱器を設置したことを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220189A JPH02278826A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220189A JPH02278826A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278826A true JPH02278826A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14321051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10220189A Pending JPH02278826A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278826A (ja) |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP10220189A patent/JPH02278826A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0193129A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| ES8404298A1 (es) | Procedimiento para el revestimiento de hojas o cintas vitreas. | |
| JP2000212749A (ja) | 薄膜形成装置、及び窒化タングステン薄膜製造方法 | |
| KR890701490A (ko) | 기판 피막형성 장치 | |
| KR100544407B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 보호막 형성장치 및 보호막 형성방법 | |
| US2926101A (en) | Method of treating glass container surfaces | |
| JPH02278826A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH11121389A (ja) | 縦型拡散炉および拡散方法 | |
| ES8507434A1 (es) | Procedimiento para producir vidrio plano recubierto | |
| JP4708130B2 (ja) | 成膜装置および透明導電膜の製法 | |
| JPH0737359B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS61271822A (ja) | 連続式気相成長装置 | |
| JPH10275776A (ja) | 半導体ウエハ製造装置 | |
| JP2603672Y2 (ja) | 薄膜付ガラス板製造装置 | |
| JPS613885A (ja) | 霧化薄膜作製方法 | |
| JPH01286318A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP2588075Y2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| US5086727A (en) | Thin film forming apparatus having adjustable guide | |
| KR200216571Y1 (ko) | 낱장공급식 저압화학기상증착용 원료가스 주입기 | |
| JPH01225325A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH0336280A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0539628Y2 (ja) | ||
| JPH06349757A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4480459B2 (ja) | 大気開放型化学気相析出装置 | |
| Van Laethem et al. | Process and Apparatus for Coating Vitreous Sheets or Ribbons |