JPH02278868A - 消去可能なプログラマブルｒｏｍ - Google Patents
消去可能なプログラマブルｒｏｍInfo
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- JPH02278868A JPH02278868A JP1101114A JP10111489A JPH02278868A JP H02278868 A JPH02278868 A JP H02278868A JP 1101114 A JP1101114 A JP 1101114A JP 10111489 A JP10111489 A JP 10111489A JP H02278868 A JPH02278868 A JP H02278868A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（４１！要〕
消去可能なプログラマブルＲＯＭに関し。
電気的方法に依らずに書き込み動作を行えるようにして
、疲弊のない素子を実現することを目的とし。
、疲弊のない素子を実現することを目的とし。
メモリ作用を有する。磁場印加によって抵抗値が変化す
る物質と、磁場印加によって抵抗値が変化する物質に磁
場を印加する手段と、ＶＡ磁場印加よって抵抗値が変化
する物質に電流を流した場合。
る物質と、磁場印加によって抵抗値が変化する物質に磁
場を印加する手段と、ＶＡ磁場印加よって抵抗値が変化
する物質に電流を流した場合。
その両端の電圧降下を検出する手段と、磁場印加によっ
て抵抗値が変化する物質を加熱する手段とをそれぞれ備
えた複数個のメモリ・セルからなり。
て抵抗値が変化する物質を加熱する手段とをそれぞれ備
えた複数個のメモリ・セルからなり。
書き込み動作時には３選択されたメモリ・セルを構成す
る。磁場印加によって抵抗値が変化する物質に磁場を印
加し、読み出し動作時には１選択されたメモリ・セルを
構成する。ｍ場印加によって抵抗値が変化する物質に電
流を流し、その両端の電圧降下を検出し、消去動作時に
は２選択されたメモリ・セルを構成する。磁場印加によ
って抵抗値が変化する物質を加熱して、動作温度より高
い温度にするように構成する。
る。磁場印加によって抵抗値が変化する物質に磁場を印
加し、読み出し動作時には１選択されたメモリ・セルを
構成する。ｍ場印加によって抵抗値が変化する物質に電
流を流し、その両端の電圧降下を検出し、消去動作時に
は２選択されたメモリ・セルを構成する。磁場印加によ
って抵抗値が変化する物質を加熱して、動作温度より高
い温度にするように構成する。
本発明は、消去可能なプログラマブルＲＯＭに関する。
消去可能なプログラマブルＲＯＭには、ＥＦＲＯＭ （
Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ
Ｒｅａｄ ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）やＥ Ｅ Ｐ Ｒ
ＯＭ （Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｌ１ｒａｓａｂｌ
ｅａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ ０ｎ
ｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）などがある・近年のＩＣの高集積
化に伴い、素子の微細化が要求されている。このため、
トランジスタの寸法が短くなってきており、ホット・キ
ャリアが生じやすくなっている。すなわち、従来のＥＰ
ＲＯＭやＥＥＰＲＯＭの書き込み方法である。ホット・
エレクトロン注入が生じやすい状況になっており。
Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ
Ｒｅａｄ ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）やＥ Ｅ Ｐ Ｒ
ＯＭ （Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｌ１ｒａｓａｂｌ
ｅａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ ０ｎ
ｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）などがある・近年のＩＣの高集積
化に伴い、素子の微細化が要求されている。このため、
トランジスタの寸法が短くなってきており、ホット・キ
ャリアが生じやすくなっている。すなわち、従来のＥＰ
ＲＯＭやＥＥＰＲＯＭの書き込み方法である。ホット・
エレクトロン注入が生じやすい状況になっており。
誤動作しやすくなっている。
コツタめ、従来（７）ＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭなどと
は異なった手段を用いた。消去可能なプログラマブルＲ
ＯＭが必要になってきている。
は異なった手段を用いた。消去可能なプログラマブルＲ
ＯＭが必要になってきている。
第４図は、従来のＥＦＲＯＭを示す図である。
同図において、４１は半導体基板、４２はソース、４３
はドレイン９４４は７０−ティング・ゲート９４５はコ
ントロール・ゲート、４６はホット・エレクトロンであ
る。
はドレイン９４４は７０−ティング・ゲート９４５はコ
ントロール・ゲート、４６はホット・エレクトロンであ
る。
以下、第４図を用いて、従来のＥＦＲＯＭの書き込み、
読み出し、消去の各動作を説明する。
読み出し、消去の各動作を説明する。
（ＩＦき込み動作）
コントロール・ゲート４５とドレイン４３との間に高電
圧を印加し、ドレイン４３近傍の半導体基板４１中に発
生したホット・エレクトロン４６をフローティング・ゲ
ート４４に注入することにより、コントロール・ゲート
４５から見た閾値電圧を高い状態にする。
圧を印加し、ドレイン４３近傍の半導体基板４１中に発
生したホット・エレクトロン４６をフローティング・ゲ
ート４４に注入することにより、コントロール・ゲート
４５から見た閾値電圧を高い状態にする。
（読み出し動作）
ソース４２とドレイン４３との間に、ドレイン４３近傍
の半導体基板４１中にホット・エレクトロンが生じない
程度の電圧をかけ、フローティング・ゲート４４に書き
込みが行われているかどうかを検出する。
の半導体基板４１中にホット・エレクトロンが生じない
程度の電圧をかけ、フローティング・ゲート４４に書き
込みが行われているかどうかを検出する。
（消去動作）
紫外線を照射してフローティング・ゲート４４中のニレ
クートロンを放出させ、闇値を元の値にする。
クートロンを放出させ、闇値を元の値にする。
ＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭなどの従来の消去可能なプロ
グラマブルＲＯＭに書き込みを行う場合。
グラマブルＲＯＭに書き込みを行う場合。
半導体基板中からフローティング・ゲートにエレクトロ
ンを移動させる必要がある。このため、ＥＦＲＯＭでは
、エレクトロンをホットにする方法が用いられ、ＥＥＦ
ＲＯＭでは、絶縁膜を薄くする方法が用いられている。
ンを移動させる必要がある。このため、ＥＦＲＯＭでは
、エレクトロンをホットにする方法が用いられ、ＥＥＦ
ＲＯＭでは、絶縁膜を薄くする方法が用いられている。
しかしながら、これらの方法は、半導体基板中からフロ
ーティング・ゲートにエレクトロンを移動させる。とい
う電気的な方法であるため、素子を疲弊させる現象であ
り、素子の寿命を短（させる、このため、保証する書き
込み回数が限定されてしまう、という問題があった。
ーティング・ゲートにエレクトロンを移動させる。とい
う電気的な方法であるため、素子を疲弊させる現象であ
り、素子の寿命を短（させる、このため、保証する書き
込み回数が限定されてしまう、という問題があった。
本発明は、電気的方法に依らずに書き込み動作を行える
ようにして、疲弊のない、消去可能なプログラマブルＲ
ＯＭを提供することを目的とする。
ようにして、疲弊のない、消去可能なプログラマブルＲ
ＯＭを提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために３本発明に係る消去可能な
プログラマブルＩ？ＯＭは、メモリ作用ををする。磁場
印加によって抵抗値が変化する物質と、磁場印加によっ
て抵抗値が変化する物質に磁場を印加する手段と３Ｍｉ
場印加によって抵抗値が変化する物質に電流を流した場
合、その両端の電圧降下を検出する手段と、磁場印加に
よって抵抗値が変化する物質を加熱する手段とをそれぞ
れ備えた複数個のメモリ・セルからなり、書き込み動作
時には９選択されたメモリ・セルを構成する。
プログラマブルＩ？ＯＭは、メモリ作用ををする。磁場
印加によって抵抗値が変化する物質と、磁場印加によっ
て抵抗値が変化する物質に磁場を印加する手段と３Ｍｉ
場印加によって抵抗値が変化する物質に電流を流した場
合、その両端の電圧降下を検出する手段と、磁場印加に
よって抵抗値が変化する物質を加熱する手段とをそれぞ
れ備えた複数個のメモリ・セルからなり、書き込み動作
時には９選択されたメモリ・セルを構成する。
磁場印加によって抵抗値が変化する物質に磁場を印加し
、読み出し動作時には１選択されたメモリ・セルを構成
する。磁場印加によって抵抗値が変化する物質に電流を
流し、その両端の電圧降下を検出し、消去動作時には９
選択されたメモリ・セルを構成する。磁場印加によって
抵抗値が変化する物質を加熱して、動作温度より高い温
度にするように構成する。
、読み出し動作時には１選択されたメモリ・セルを構成
する。磁場印加によって抵抗値が変化する物質に電流を
流し、その両端の電圧降下を検出し、消去動作時には９
選択されたメモリ・セルを構成する。磁場印加によって
抵抗値が変化する物質を加熱して、動作温度より高い温
度にするように構成する。
第１図は９本発明の原理説明図である。
第１図において１Ｍはメモリ作用を有する。磁場印加に
よって抵抗値が変化する物質、Ｂは磁場印加によって抵
抗値が変化する物質Ｍに磁場印加手段により印加された
磁場、Ｔは磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに
電流■を流した場合２その両端の電圧降下を検出する手
段としての読み出し用トランジスタ、Ｈは磁場印加によ
って抵抗値が変化する物［Ｍを加熱するための加熱手段
である。
よって抵抗値が変化する物質、Ｂは磁場印加によって抵
抗値が変化する物質Ｍに磁場印加手段により印加された
磁場、Ｔは磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに
電流■を流した場合２その両端の電圧降下を検出する手
段としての読み出し用トランジスタ、Ｈは磁場印加によ
って抵抗値が変化する物［Ｍを加熱するための加熱手段
である。
第１図（ａ）は１本発明に係る消去可能なプログラマブ
ルＲＯＭの書き込み動作を示しており。
ルＲＯＭの書き込み動作を示しており。
第１図（ｂ）は１本発明に係る消去可能なプログラマブ
ルＲＯＭの読み出し動作を示しており、第１図（ｃ）は
１本発明に係る消去可能なプログラマブルＲＯＭの消去
動作を示している。
ルＲＯＭの読み出し動作を示しており、第１図（ｃ）は
１本発明に係る消去可能なプログラマブルＲＯＭの消去
動作を示している。
本発明に係る消去可能なプログラマブルＲＯＭは、磁場
印加によって抵抗値が変化する物質Ｍにメモリ作用を持
たせることにより、従来のように。
印加によって抵抗値が変化する物質Ｍにメモリ作用を持
たせることにより、従来のように。
電気的方法に依らずに書き込み動作を行えるようにして
、疲弊のない素子を実現している。
、疲弊のない素子を実現している。
すなわち、磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに
磁場Ｂを印加すると、！場印加によって抵抗値が変化す
る物質Ｍの抵抗値は増大し、この増大した抵抗値が保持
される。つまり、これにより、書き込みを行うことがで
きる。
磁場Ｂを印加すると、！場印加によって抵抗値が変化す
る物質Ｍの抵抗値は増大し、この増大した抵抗値が保持
される。つまり、これにより、書き込みを行うことがで
きる。
書き込まれたデータを読み出すためには、磁場印加によ
って抵抗値が変化する物質Ｍに電流■を流し、その両端
の電圧降下を検出することにより行う。
って抵抗値が変化する物質Ｍに電流■を流し、その両端
の電圧降下を検出することにより行う。
また、書き込まれたデータを消去するには、磁場印加に
よって抵抗値が変化する物質を加熱して。
よって抵抗値が変化する物質を加熱して。
動作温度より高い温度にすることにより行う。
以下、第１図（ａ）〜（ｃ）を用いて１本発明に係る消
去可能なプログラマブルＲＯＭを構成するメモリ・セル
の書き込み動作、読み出し動作および消去動作を説明す
る。
去可能なプログラマブルＲＯＭを構成するメモリ・セル
の書き込み動作、読み出し動作および消去動作を説明す
る。
（書き込み動作、第１図（ａ）参照）
メモリ・セルを構成する。磁場印加によって抵抗値が変
化する物質Ｍに磁場Ｂを印加する。これにより、磁場印
加によって抵抗値が変化する物質Ｍの抵抗値は増大し、
書き込みデータが保持される。
化する物質Ｍに磁場Ｂを印加する。これにより、磁場印
加によって抵抗値が変化する物質Ｍの抵抗値は増大し、
書き込みデータが保持される。
（読み出し動作、第１図（ｂ）参照）
メモリ・セルを構成する。磁場印加によって抵抗値が変
化する物質Ｍに電流Ｉを流す。
化する物質Ｍに電流Ｉを流す。
データが書き込まれていると、磁場印加によって抵抗値
が変化する物ＩＭの抵抗値は大きな値を示すので、ｉｆ
ｆ場印加によって抵抗値φ（変化する物質Ｍの両端で電
圧降下が生じ、その両端に接続された読み出し用トラン
ジスタＴがＯＮＬ、て電流が流れる。この電流をセンス
することにより、磁場印加によって抵抗値が変化する物
質Ｍに書き込まれているデータを読み出す。
が変化する物ＩＭの抵抗値は大きな値を示すので、ｉｆ
ｆ場印加によって抵抗値φ（変化する物質Ｍの両端で電
圧降下が生じ、その両端に接続された読み出し用トラン
ジスタＴがＯＮＬ、て電流が流れる。この電流をセンス
することにより、磁場印加によって抵抗値が変化する物
質Ｍに書き込まれているデータを読み出す。
また、データが書き込まれていない場合には。
磁場印加によりて抵抗値が変化する物質Ｍの抵抗値は小
さいので、磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍの
両端で電圧降下は小さく、その両端に接続された読み出
し用トランジスタＴがＯＮＬ。
さいので、磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍの
両端で電圧降下は小さく、その両端に接続された読み出
し用トランジスタＴがＯＮＬ。
ないので、電流は流れず、センス系は、データが書き込
まれていないことを判断する。
まれていないことを判断する。
（消去動作、第１図（ｃ）参照）
磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍを加熱手段Ｈ
により、動作温度より高い温度にすると。
により、動作温度より高い温度にすると。
磁場印加によって抵抗値が変化する物ｔＭの抵抗値は、
小さな値となり、書き込まれたデータが消去される。
小さな値となり、書き込まれたデータが消去される。
磁場印加によって抵抗値が変化する物質として。
例えば、 Ｙ −Ｂａ−Ｃｕ−０系の高温超伝導体材料
がある。
がある。
Ｙｚ Ｏｘ −０，６ｇ、 ８ａＣＯ３＝ １．５ ｇ
、 Ｃｕ０＝１．０ｇの組成で形成したＹＢａ−Ｃｕ−
０系の高温超伝導体材料の電流−電圧特性を第２図に示
す。
、 Ｃｕ０＝１．０ｇの組成で形成したＹＢａ−Ｃｕ−
０系の高温超伝導体材料の電流−電圧特性を第２図に示
す。
以下、第２図に示した。 Ｙ −Ｂａ−Ｃｕ−０系の高
温超伝導体材料の電流−電圧特性を説明する。
温超伝導体材料の電流−電圧特性を説明する。
動作温度を７７Ｋに設定する。
磁場を印加しない場合には１図中Ａで示す特性を示す、
すなわち、低い抵抗値を示す。
すなわち、低い抵抗値を示す。
外部から０．１Ｔの磁束密度の磁場を印加すると。
図中Ａで示した特性がＢで示す特性に変化する。
すなわち、抵抗値が高くなる。
次いで、外部磁場を取り除くと、特性Ｂは特性へに戻ら
ず、特性Ｃとなる。すなわち、高（なった抵抗値が保持
される。
ず、特性Ｃとなる。すなわち、高（なった抵抗値が保持
される。
また、温度を室温に戻して常伝導状態にすると。
図中りで示す特性となる。すなわち、抵抗値がかなり高
くなる。
くなる。
さらに、７７にの低温にすると９図中Ａで示す特性とな
る。すなわち、始めの状態に戻る。
る。すなわち、始めの状態に戻る。
次に、このＹ−Ｈａ−Ｃｕ Ｏ系の高温超伝導体材料
を磁場印加によって抵抗値が変化する物質として１本発
明に係る消去可能なプログラマブルＲＯＭを形成した例
を説明する。
を磁場印加によって抵抗値が変化する物質として１本発
明に係る消去可能なプログラマブルＲＯＭを形成した例
を説明する。
第３図は１本発明の一実施例構成を示す図である。
図中１点線で囲まれた部分が１個のメモリ・セルを表し
ている。
ている。
メモリ・セルは、ＧＮＤｌｍ、 ワード線、ビット線、
ビット選択用トランジスタＴ２．読み出し用トランジス
タＴｔ、磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍ、磁
場発生用ループから構成される。
ビット選択用トランジスタＴ２．読み出し用トランジス
タＴｔ、磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍ、磁
場発生用ループから構成される。
磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍとしては、前
述したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の高温超伝導体材料を用い
る。
述したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の高温超伝導体材料を用い
る。
以下９本実施例に係る消去可能なプログラマブルＲＯＭ
の、書き込み動作、読み出し動作および消去動作を説明
する。
の、書き込み動作、読み出し動作および消去動作を説明
する。
書き込み動作および読み出し動作は、７７にの低温状態
で行う。
で行う。
（書き込み動作）
ビット線に選択信号を流すことにより、ビット選択用ト
ランジスタＴ１をＯＮにすると、ワード線から、磁場印
加によって抵抗値が変化する物質Ｍを囲む磁場発生用ル
ープに電流が流れ、磁場発生用ループが磁場を発生し、
磁場印加によって抵抗値が変化する９５質Ｍに磁場が印
加される。
ランジスタＴ１をＯＮにすると、ワード線から、磁場印
加によって抵抗値が変化する物質Ｍを囲む磁場発生用ル
ープに電流が流れ、磁場発生用ループが磁場を発生し、
磁場印加によって抵抗値が変化する９５質Ｍに磁場が印
加される。
ここで、−磁場発生用ループによってどの程度の磁場が
得られるか計算してみる。
得られるか計算してみる。
計算を簡単化するために、磁場発生用ループを半径「の
円とすると１発生する磁場Ｂは。
円とすると１発生する磁場Ｂは。
Ｂ−μｌ ／ ２ ／ ｒ ！１
１で与えられる。
１で与えられる。
次に、（１）式に具体的な数値を当てはめてみる。
すなわち、 ／Ｊ −１，３Ｘ １０−” （Ｈ／ｍ
） 、 ｒ ＝Ｉ Ｘ ｌ Ｏ−” （ｍ）とすると
、Ｉ＝ＩＯ（ｍＡ）の電流によって、Ｂ＃１０Ｘ１０−
”（Ｔ）の磁束密度の磁場を発生することが可能である
ことがわかる。
） 、 ｒ ＝Ｉ Ｘ ｌ Ｏ−” （ｍ）とすると
、Ｉ＝ＩＯ（ｍＡ）の電流によって、Ｂ＃１０Ｘ１０−
”（Ｔ）の磁束密度の磁場を発生することが可能である
ことがわかる。
一方、 Ｙ −Ｂａ−Ｃｕ−０系の高温超伝導体材料の
電流−電圧特性を変化させるためには、１ｏｘｉＯ−”
（Ｔ）程度の磁束密度の磁場で充分であるから１Ｍｉ
場発生用ループを円形とした場合、その半径はＩ Ｘ
ｌ Ｏ−’ （ｍ）程度でよいことがわかる。
電流−電圧特性を変化させるためには、１ｏｘｉＯ−”
（Ｔ）程度の磁束密度の磁場で充分であるから１Ｍｉ
場発生用ループを円形とした場合、その半径はＩ Ｘ
ｌ Ｏ−’ （ｍ）程度でよいことがわかる。
−以上に述べたように、Ｉ場印加によって抵抗値が変化
する物質Ｍに磁場発生用ループが発生する磁場を印加す
ると、＆ＩＩ場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍの
抵抗値は高くなり５ この高くなった抵抗値は、Ｗｌ場
を取り除いても保持される。
する物質Ｍに磁場発生用ループが発生する磁場を印加す
ると、＆ＩＩ場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍの
抵抗値は高くなり５ この高くなった抵抗値は、Ｗｌ場
を取り除いても保持される。
（読み出し動作）
ビット線に選択信号を流すことにより、特定のメモリ・
セルを選択すると共に１選択されたメモリ・セルを構成
する。磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに選択
信号を流す。
セルを選択すると共に１選択されたメモリ・セルを構成
する。磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに選択
信号を流す。
ｆ磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍにデータが
書き込まれていると、磁場印加によって抵抗値が変化す
る物質Ｍの抵抗値は大きな値を示すので、磁場印加によ
って抵抗値が変化する物質Ｍの両端で電圧降下が生じ２
節点Ｎの電位が高くなり、読み出し用トランジスタＴ２
がＯＮＬ、て電流が流れる。この電流をセンスすること
により、磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに書
き込まれているデータを読み出す。
書き込まれていると、磁場印加によって抵抗値が変化す
る物質Ｍの抵抗値は大きな値を示すので、磁場印加によ
って抵抗値が変化する物質Ｍの両端で電圧降下が生じ２
節点Ｎの電位が高くなり、読み出し用トランジスタＴ２
がＯＮＬ、て電流が流れる。この電流をセンスすること
により、磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに書
き込まれているデータを読み出す。
また、磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍにデー
タが書き込まれていない場合には、磁場印加によって抵
抗値が変化する物質Ｍの抵抗値は小さいので、磁場印加
によって抵抗値が変化する物質Ｍの両端で電圧降下は小
さく１節点Ｎの電位は高くならないので、読み出し用ト
ランジスタＴ２は○Ｎしないので、電流は流れず、セン
ス系は。
タが書き込まれていない場合には、磁場印加によって抵
抗値が変化する物質Ｍの抵抗値は小さいので、磁場印加
によって抵抗値が変化する物質Ｍの両端で電圧降下は小
さく１節点Ｎの電位は高くならないので、読み出し用ト
ランジスタＴ２は○Ｎしないので、電流は流れず、セン
ス系は。
データが書き込まれていないことを判断する。
（消去動作）
メモリの消去は、磁場印加によって抵抗値が変化する物
ｉＭを室温に戻すことにより行う。
ｉＭを室温に戻すことにより行う。
具体的には９次の方法により行う。
■ＩＣ全体の温度を室温に戻す。
■磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに電流を流
し、それによって生じるジュール熱を利用して、磁場印
加によって抵抗値が変化する物質Ｍのみ温度を上昇させ
て室温に戻す。
し、それによって生じるジュール熱を利用して、磁場印
加によって抵抗値が変化する物質Ｍのみ温度を上昇させ
て室温に戻す。
■磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍの近傍に抵
抗体を形成し、この抵抗体に電流を流すことにより生じ
るジュール熱を利゛用して、磁場印加によって抵抗値が
変化する物質Ｍのみ温度を上昇させて室温に戻す、この
場合、抵抗体に電流を流す経路を独立に形成しておけば
、所定のメモリ・セルのみを選択的に消去することが可
能となる。
抗体を形成し、この抵抗体に電流を流すことにより生じ
るジュール熱を利゛用して、磁場印加によって抵抗値が
変化する物質Ｍのみ温度を上昇させて室温に戻す、この
場合、抵抗体に電流を流す経路を独立に形成しておけば
、所定のメモリ・セルのみを選択的に消去することが可
能となる。
本発明によれば、電気的方法に依らずに書き込み動作を
行っているので、疲弊のない消去可能なプログラマブル
ＲＯＭを実現することができる。
行っているので、疲弊のない消去可能なプログラマブル
ＲＯＭを実現することができる。
したがって、消去可能なプログラマブルＲＯＭの長期信
頼性に寄与するところが大きい。
頼性に寄与するところが大きい。
第１図は本発明の原理説明図。
第２図はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の高温超伝導体材料の電
流−電圧特性を示す図。 第３図は本発明の一実施例構成を示す図。 第４図は従来例を示す図 である。 第１図において Ｍ二メモリ作用を有する。＆Ｉ磁場印加よって抵抗値が
変化する物質 Ｂ：磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに磁場印
加手段により印加された磁場 Ｔ：磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに電流■
を流した場合、その両端の電圧降下を検出する手段とし
ての読み出し用トランジスタ １（：磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍを加熱
するための加熱手段 を圧（ｍＶ） Ｄ：忙逼−ｎＢワう肴性 第２図 Ｔ２ ：１剋み巴し用トランジ入ヲ 本発−月の一文施冴すイ４万に 第３図 槌未例 第４図
流−電圧特性を示す図。 第３図は本発明の一実施例構成を示す図。 第４図は従来例を示す図 である。 第１図において Ｍ二メモリ作用を有する。＆Ｉ磁場印加よって抵抗値が
変化する物質 Ｂ：磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに磁場印
加手段により印加された磁場 Ｔ：磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍに電流■
を流した場合、その両端の電圧降下を検出する手段とし
ての読み出し用トランジスタ １（：磁場印加によって抵抗値が変化する物質Ｍを加熱
するための加熱手段 を圧（ｍＶ） Ｄ：忙逼−ｎＢワう肴性 第２図 Ｔ２ ：１剋み巴し用トランジ入ヲ 本発−月の一文施冴すイ４万に 第３図 槌未例 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 メモリ作用を有する、磁場印加によって抵抗値が変化す
る物質（Ｍ）と、 磁場印加によって抵抗値が変化する物質（Ｍ）に磁場（
Ｂ）を印加する手段と、 磁場印加によって抵抗値が変化する物質（Ｍ）に電流を
流した場合、その両端の電圧降下を検出する手段（Ｔ）
と、 磁場印加によって抵抗値が変化する物質（Ｍ）を加熱す
る手段（Ｈ） とをそれぞれ備えた複数個のメモリ・セルからなり、 書き込み動作時には、選択されたメモリ・セルを構成す
る、磁場印加によって抵抗値が変化する物質（Ｍ）に磁
場（Ｂ）を印加し、 読み出し動作時には、選択されたメモリ・セルを構成す
る、磁場印加によって抵抗値が変化する物質（Ｍ）に電
流を流し、その両端の電圧降下を検出し、 消去動作時には、選択されたメモリ・セルを構成する、
磁場印加によって抵抗値が変化する物質（Ｍ）を加熱し
て、動作温度より高い温度にすることを特徴とする消去
可能なプログラマブルＲＯＭ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101114A JPH02278868A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 消去可能なプログラマブルｒｏｍ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1101114A JPH02278868A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 消去可能なプログラマブルｒｏｍ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278868A true JPH02278868A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14292047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1101114A Pending JPH02278868A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | 消去可能なプログラマブルｒｏｍ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278868A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004554A3 (en) * | 1998-07-17 | 2000-07-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of erasing a non-volatile memory |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1101114A patent/JPH02278868A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004554A3 (en) * | 1998-07-17 | 2000-07-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of erasing a non-volatile memory |
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