JPH02279540A - ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 - Google Patents
ハーメチック被覆光ファイバの製造方法Info
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- JPH02279540A JPH02279540A JP1098520A JP9852089A JPH02279540A JP H02279540 A JPH02279540 A JP H02279540A JP 1098520 A JP1098520 A JP 1098520A JP 9852089 A JP9852089 A JP 9852089A JP H02279540 A JPH02279540 A JP H02279540A
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C25/10—Coating
- C03C25/12—General methods of coating; Devices therefor
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- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、光ファイバ表面にカーボンまたはカーボン化
合物（ＳｉＣ、Ｔｉｃ等）から成るハーメチック被覆を
被覆したハーメチック被覆光ファイバを得るための方法
に関するものである。
合物（ＳｉＣ、Ｔｉｃ等）から成るハーメチック被覆を
被覆したハーメチック被覆光ファイバを得るための方法
に関するものである。
最近、第４図に示すように、コア３ａ、クラッド３ｂよ
りなる光ファイバ３の表面に男−ボンまたはカーボン化
合物からなる被覆３０（以下ハーメチック被覆という）
を設け、外部から光ファイバの内部へＨ，ＯやＨ８が侵
入を防止する、いわゆるハーメチック被覆光ファイバ４
０と称されるものが提案されている。
りなる光ファイバ３の表面に男−ボンまたはカーボン化
合物からなる被覆３０（以下ハーメチック被覆という）
を設け、外部から光ファイバの内部へＨ，ＯやＨ８が侵
入を防止する、いわゆるハーメチック被覆光ファイバ４
０と称されるものが提案されている。
このハーメチック被覆光ファイバ４０の特徴は、前記外
部からの１１．０や１１□の侵入を防止でき、その結果
耐水素特性が向上するだけでなく、光ファイバの疲労特
性も向上することが見出され、現在その製造をいかにし
て安定に、かつ効率良く行うか検討が急がれている。
部からの１１．０や１１□の侵入を防止でき、その結果
耐水素特性が向上するだけでなく、光ファイバの疲労特
性も向上することが見出され、現在その製造をいかにし
て安定に、かつ効率良く行うか検討が急がれている。
第５図は従来行われているハーメチック被覆光ファイバ
４０の製造方法の一例を示すものである。
４０の製造方法の一例を示すものである。
これは光ファイバ用母材ｌを線引炉２に導入してコア３
ａ、クラッド３ｂを有する光ファイバ３と成し、これを
熱ＣＶＤ用の反応炉５に導く、この反応炉５の外側には
ヒータ６が配置されていて、該ヒータ６により反応炉５
内には加熱ゾーン７が設定されている。符号８はハーメ
チック被覆用の原料ガス導入口で、ここから原料ガス、
例えばメタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパ
ン、ブタン等の炭化水素ガスが、これに通常添加される
Ｎ、ガスと共に反応炉５へと供給される。また符号９は
ガスの排気口を示し、符号１０Ａ 、 １０Ｂはそれぞ
れ前記反応炉５の両端部を示し、ここにはシールガス導
入口１１４．１１Ｂが設けられていて、反応炉５内への
外気の導入を防ぐため前記導入口１１＾、１１Ｂを介し
てシールガス、例えば不活性ガスであるＮ、が供給され
ている。
ａ、クラッド３ｂを有する光ファイバ３と成し、これを
熱ＣＶＤ用の反応炉５に導く、この反応炉５の外側には
ヒータ６が配置されていて、該ヒータ６により反応炉５
内には加熱ゾーン７が設定されている。符号８はハーメ
チック被覆用の原料ガス導入口で、ここから原料ガス、
例えばメタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパ
ン、ブタン等の炭化水素ガスが、これに通常添加される
Ｎ、ガスと共に反応炉５へと供給される。また符号９は
ガスの排気口を示し、符号１０Ａ 、 １０Ｂはそれぞ
れ前記反応炉５の両端部を示し、ここにはシールガス導
入口１１４．１１Ｂが設けられていて、反応炉５内への
外気の導入を防ぐため前記導入口１１＾、１１Ｂを介し
てシールガス、例えば不活性ガスであるＮ、が供給され
ている。
このようにして成る反応炉５内に導かれた光ファイバ３
の表面には、前記原料ガスの熱分解によりカーボンが生
成され、これが気相化学反応により光ファイバ３の表面
上に堆積し、第４図に示すようなハーメチック被覆３０
が形成される０図中の符号４は外径測定器で、この値に
より線引速度や光ファイバ用母材１の送り速度が調整さ
れ光ファイバ３の外径が一定になるように制御される。
の表面には、前記原料ガスの熱分解によりカーボンが生
成され、これが気相化学反応により光ファイバ３の表面
上に堆積し、第４図に示すようなハーメチック被覆３０
が形成される０図中の符号４は外径測定器で、この値に
より線引速度や光ファイバ用母材１の送り速度が調整さ
れ光ファイバ３の外径が一定になるように制御される。
尚、ＳＩＣ、↑５Ｃからなるハーメチック被覆３０を形
成しようとする場合は、炭化水素ガスに５ＩＨａや丁ｊ
ＣＩａ等を添加すればよい、以下前述した一連の方法を
熱ＣＶＤ法と称す。
成しようとする場合は、炭化水素ガスに５ＩＨａや丁ｊ
ＣＩａ等を添加すればよい、以下前述した一連の方法を
熱ＣＶＤ法と称す。
このようにして得られたハーメチック被覆光ファイバ４
０の外側には通常の方法でプラスチック被覆が形成され
る０例えば紫外線硬化性樹脂を塗布装置１２でハーメチ
ック被覆光ファイバ４０上に塗布し、これを紫外線照射
炉等の硬化炉１３により硬化せしめ、巻取機】４で巻き
取る。ここで塗布する樹脂として熱硬化性樹脂や熱可塑
性樹脂も使用でき、熱硬化性樹脂を使用する場合であれ
ば、前記硬化炉！３として加熱炉を配すればよい。
０の外側には通常の方法でプラスチック被覆が形成され
る０例えば紫外線硬化性樹脂を塗布装置１２でハーメチ
ック被覆光ファイバ４０上に塗布し、これを紫外線照射
炉等の硬化炉１３により硬化せしめ、巻取機】４で巻き
取る。ここで塗布する樹脂として熱硬化性樹脂や熱可塑
性樹脂も使用でき、熱硬化性樹脂を使用する場合であれ
ば、前記硬化炉！３として加熱炉を配すればよい。
ところが前述した従来の方法では、光ファイバ３の表面
に形成されるバーメチ７り被覆３０の厚さが光ファイバ
３の長手方向において変動し、均一厚さのものが得られ
ていない、その結果得られたハーメチック被覆光ファイ
バ４０の耐水素特性や疲労特性が安定しないという問題
があった。
に形成されるバーメチ７り被覆３０の厚さが光ファイバ
３の長手方向において変動し、均一厚さのものが得られ
ていない、その結果得られたハーメチック被覆光ファイ
バ４０の耐水素特性や疲労特性が安定しないという問題
があった。
前記問題に海み本発明の目的は、光ファイバ上に、長手
方向にわたって厚さの均一なハーメチック被覆を施すこ
とのできる方法を提供することにある。
方向にわたって厚さの均一なハーメチック被覆を施すこ
とのできる方法を提供することにある。
前記目的を達成すべく本発明は、光ファイバ用母材から
光ファイバを線引し、しかる後に該光ファイバを熱Ｃｖ
Ｄ用反応炉内を通過せしめ、その表面上にＭＣＶＤ法に
よりカーボンまたはカーボン化合物からなるハーメチッ
ク被覆を施すハーメチック被覆光ファイバの製造方法に
おいて、前記熱ＣＶＤ用反応炉に入る直前の前記光ファ
イバの表面温度を測定し、この測定値により前記熱ＣＶ
Ｄ用反応炉へ供給する原料ガスの流量を調整することを
特徴とするものである。
光ファイバを線引し、しかる後に該光ファイバを熱Ｃｖ
Ｄ用反応炉内を通過せしめ、その表面上にＭＣＶＤ法に
よりカーボンまたはカーボン化合物からなるハーメチッ
ク被覆を施すハーメチック被覆光ファイバの製造方法に
おいて、前記熱ＣＶＤ用反応炉に入る直前の前記光ファ
イバの表面温度を測定し、この測定値により前記熱ＣＶ
Ｄ用反応炉へ供給する原料ガスの流量を調整することを
特徴とするものである。
（発明の実施例）
以下に本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
０本発明者は前述した従来の製造方法を充分に検討した
結果、ハーメチック被覆３０の厚さが光ファイバ３の長
手方向においてばらつく原因は以下の理由によると推定
した。
０本発明者は前述した従来の製造方法を充分に検討した
結果、ハーメチック被覆３０の厚さが光ファイバ３の長
手方向においてばらつく原因は以下の理由によると推定
した。
すなわち、通常光ファイバ用母材１から第５図のように
光ファイバ３を線引する場合、外径測定器４により光フ
ァイバ３の外径を測定し、この値が一定になるように巻
取機１４の巻き取り速度（引取機がある場合は引取速度
）あるいは光ファイバ用母材１の線引炉２への送り速度
を制御しているが、この方法だと、例えば光ファイバ用
母材１がその長手方向に外径変動を有していると経時的
にかなりの頻度で線引速度制御が必要となる。このよう
に線引速度が変化すると必然的に熱ＣＶＤ用の反応炉５
に入る直前の光ファイバ３の表面温度も変化するが、こ
の変化により、反応炉５内における光ファイバ３の表面
近傍での原料ガスの熱分解速度が変化し、光ファイバ３
表面に形成されるハーメチック被覆３０の厚さも変化す
る、というように推定した。
光ファイバ３を線引する場合、外径測定器４により光フ
ァイバ３の外径を測定し、この値が一定になるように巻
取機１４の巻き取り速度（引取機がある場合は引取速度
）あるいは光ファイバ用母材１の線引炉２への送り速度
を制御しているが、この方法だと、例えば光ファイバ用
母材１がその長手方向に外径変動を有していると経時的
にかなりの頻度で線引速度制御が必要となる。このよう
に線引速度が変化すると必然的に熱ＣＶＤ用の反応炉５
に入る直前の光ファイバ３の表面温度も変化するが、こ
の変化により、反応炉５内における光ファイバ３の表面
近傍での原料ガスの熱分解速度が変化し、光ファイバ３
表面に形成されるハーメチック被覆３０の厚さも変化す
る、というように推定した。
そこで本発明者は、前記制御Ｂ方法を採用する限り、光
ファイバ３の反応炉５に入る直前の表面温度を一定にす
ることは困難であるから、表面温度が下がったらその分
反応炉５に供給する原料ガスの量を増やすことを検討し
た。もちろん光ファイバ３の表面温度が所定の温度より
も上がった場合は、この逆の制ｉｎを行う。
ファイバ３の反応炉５に入る直前の表面温度を一定にす
ることは困難であるから、表面温度が下がったらその分
反応炉５に供給する原料ガスの量を増やすことを検討し
た。もちろん光ファイバ３の表面温度が所定の温度より
も上がった場合は、この逆の制ｉｎを行う。
そこでまず原料ガス量と形成されるハーメチック被覆３
０の厚さの関係を実験により求めたところ第１図のよう
に、両者の間にはほぼ直線関係があることが判明した。
０の厚さの関係を実験により求めたところ第１図のよう
に、両者の間にはほぼ直線関係があることが判明した。
この関係を用いてハーメチック被覆３０の厚さを制御す
べく、第２図のような装置を設置した。尚、この図では
第５図と名称が同じものは同一符号を付与しである。
べく、第２図のような装置を設置した。尚、この図では
第５図と名称が同じものは同一符号を付与しである。
第２図は本発明の方法を実現するための装置の一実施例
で、この特徴は、従来の装置の熱ＣＶＤ用反応炉５の直
前に光ファイバ３の表面温度を測定するための、例えば
赤外線放射温度計等の温度計１６を設置せしめ、ここで
反応炉５に入る直前の光ファイバ３の表面温度を測定し
、この測定値に基づいて原料ガス導入口８を介して反応
炉５に供給する原料ガス、例えばＣｔＨａ等の原料ガス
の量を調整する点にある。ここで符号１７はマスフロー
コントローラ等から成る流量制御装置、符号１５は前記
流量制御装置１７を前記温度計１６の信号に基づいて制
御するコンビエータ（ＣＰＵ）である、また符号１８は
反応炉５に結合された芯出し装置で、これにより光ファ
イバ３の走行方向を２軸とした場合、このＺ軸方向への
炉５の移動は勿論のこと、Ｘ軸、Ｙ軸方向の軸合わせ及
び２軸に対する傾き角度の調整もできるようになってい
て、光ファイバ３が反応炉５の中心を走行するように調
整できる。
で、この特徴は、従来の装置の熱ＣＶＤ用反応炉５の直
前に光ファイバ３の表面温度を測定するための、例えば
赤外線放射温度計等の温度計１６を設置せしめ、ここで
反応炉５に入る直前の光ファイバ３の表面温度を測定し
、この測定値に基づいて原料ガス導入口８を介して反応
炉５に供給する原料ガス、例えばＣｔＨａ等の原料ガス
の量を調整する点にある。ここで符号１７はマスフロー
コントローラ等から成る流量制御装置、符号１５は前記
流量制御装置１７を前記温度計１６の信号に基づいて制
御するコンビエータ（ＣＰＵ）である、また符号１８は
反応炉５に結合された芯出し装置で、これにより光ファ
イバ３の走行方向を２軸とした場合、このＺ軸方向への
炉５の移動は勿論のこと、Ｘ軸、Ｙ軸方向の軸合わせ及
び２軸に対する傾き角度の調整もできるようになってい
て、光ファイバ３が反応炉５の中心を走行するように調
整できる。
このようにしてなる装置において、本発明の詳細な説明
すると、例えば光ファイバ用母材１の外径が通常の部分
よりも細くなって、光ファイバ３の外径が小さくなると
、この値を拾った外径測定器４の信号によりコンビエー
タ２０は巻取機１４の巻き取り速度を落とすように措示
する。このように巻取機１４による巻き取り速度が小さ
くなると、線引炉２から反応炉５までの距離は一定であ
るから、必然的にこの距離を通過する時間、すなわち冷
却時間が長くなり、反応炉５に入る直前の光ファイバ３
の表面温度は下がる。このように光ファイバ３の表面温
度が下がったことを温度計１６が検知したら、その差に
応じてコンピュータ１５は流量制御装置１７を介して反
応炉５へ供給する原料ガスの量を増やしてやる。このよ
うに原料ガス量が増えれば、形成されるハーメチック被
覆３０の厚さは前述した第１図にしたがって厚くなって
正常厚さに復帰する。
すると、例えば光ファイバ用母材１の外径が通常の部分
よりも細くなって、光ファイバ３の外径が小さくなると
、この値を拾った外径測定器４の信号によりコンビエー
タ２０は巻取機１４の巻き取り速度を落とすように措示
する。このように巻取機１４による巻き取り速度が小さ
くなると、線引炉２から反応炉５までの距離は一定であ
るから、必然的にこの距離を通過する時間、すなわち冷
却時間が長くなり、反応炉５に入る直前の光ファイバ３
の表面温度は下がる。このように光ファイバ３の表面温
度が下がったことを温度計１６が検知したら、その差に
応じてコンピュータ１５は流量制御装置１７を介して反
応炉５へ供給する原料ガスの量を増やしてやる。このよ
うに原料ガス量が増えれば、形成されるハーメチック被
覆３０の厚さは前述した第１図にしたがって厚くなって
正常厚さに復帰する。
一方光ファイバ用母材１の外径が通常の部分よりも太く
なって、外径測定器４で測定された光ファイバ３の外径
が設定値よりも大きくなった場合は、線引速度が速くな
り、その結果反応炉５に入る直前の光ファイバ３の表面
温度は高くなるから、前者の場合とは逆に反応炉５に供
給する原料ガスの量を減らしてやればよい。
なって、外径測定器４で測定された光ファイバ３の外径
が設定値よりも大きくなった場合は、線引速度が速くな
り、その結果反応炉５に入る直前の光ファイバ３の表面
温度は高くなるから、前者の場合とは逆に反応炉５に供
給する原料ガスの量を減らしてやればよい。
第３図は前述した第２図に示す装置による本発明の方法
と、第５図の装置による従来方法とで各々ハーメチック
被覆光ファイバ４０を製造した場合のハーメチック被覆
３０の長手方向厚さ分布を示すものである。ここでＯは
本発明の方法によって得られたもの、△は従来方法によ
り得られたものを示している。
と、第５図の装置による従来方法とで各々ハーメチック
被覆光ファイバ４０を製造した場合のハーメチック被覆
３０の長手方向厚さ分布を示すものである。ここでＯは
本発明の方法によって得られたもの、△は従来方法によ
り得られたものを示している。
尚、実施例及び比較例の製造条件は以下のとおりである
。
。
実施例
石英ガラス系の光ファイバ用母材１を設定線引速度６０
０腸／ｗｉｎで線引し、光ファイバ３となし、これを熱
ＣＶＤ法用の反応炉５に導いた。該反応炉５に原料ガス
としてＣｔＨ４ガスを原料ガス導入口８から２．０１
／ｗｉｎで供給した。この際反応炉５を外気からシール
するためにシールガス導入口１１ＡからＮｔガスを５．
０１ ／ｗｉｎ、シールガス導入口１１Ｂから同ガスを
２．Ｏｊ！ ／ｗｉｎ流した。このような条件で外径１
２５ μ−のハーメチック被覆光ファイバ４０を製造せ
しめ、これに紫外線硬化製樹脂を塗布装置１２により塗
布せしめ、これを紫外線照射装置からなる硬化炉１３に
より硬化せしめて外径２５０μ園の光ファイバ心線を得
た。この際、温度計１６の信号に基づき流量制御装置１
７を介して、反応炉５に供給する原料ガス量を調整した
。尚、本実施例ではヒータ６による加熱はしていない。
０腸／ｗｉｎで線引し、光ファイバ３となし、これを熱
ＣＶＤ法用の反応炉５に導いた。該反応炉５に原料ガス
としてＣｔＨ４ガスを原料ガス導入口８から２．０１
／ｗｉｎで供給した。この際反応炉５を外気からシール
するためにシールガス導入口１１ＡからＮｔガスを５．
０１ ／ｗｉｎ、シールガス導入口１１Ｂから同ガスを
２．Ｏｊ！ ／ｗｉｎ流した。このような条件で外径１
２５ μ−のハーメチック被覆光ファイバ４０を製造せ
しめ、これに紫外線硬化製樹脂を塗布装置１２により塗
布せしめ、これを紫外線照射装置からなる硬化炉１３に
より硬化せしめて外径２５０μ園の光ファイバ心線を得
た。この際、温度計１６の信号に基づき流量制御装置１
７を介して、反応炉５に供給する原料ガス量を調整した
。尚、本実施例ではヒータ６による加熱はしていない。
比較例
前記実施例と異なる点は唯一流量制御装置１７による反
応炉５への原料ガス供給量調整を行わなかった点のみで
、他は実施例と同一条件である。
応炉５への原料ガス供給量調整を行わなかった点のみで
、他は実施例と同一条件である。
以上の結果、第３図が示すように、本発明の実施例のも
のでは、その長手方向に約６００人厚さのハーメチック
被覆３０が極めて均一な厚さにて被覆されている。これ
に対して比較例のものでは平均約５００人厚さのハーメ
チック被覆３０が形成されているが、その厚さの長手方
向の変動は前記実施例に比較してかなり大きい。
のでは、その長手方向に約６００人厚さのハーメチック
被覆３０が極めて均一な厚さにて被覆されている。これ
に対して比較例のものでは平均約５００人厚さのハーメ
チック被覆３０が形成されているが、その厚さの長手方
向の変動は前記実施例に比較してかなり大きい。
尚、前記実施例では、エチレンガスを原料ガスとして使
用しているが、この他に前述したメタン、エタン、プロ
パン、ブタンあるいはアセチレン等の炭化水素ガスある
いはこれらに５ｉＨａやＴｌＣ１，等を添加したものも
使用できる。同時にこれら原料ガスにＮ２ガス等の不活
性ガスを希釈ガスとして添加してもよい。
用しているが、この他に前述したメタン、エタン、プロ
パン、ブタンあるいはアセチレン等の炭化水素ガスある
いはこれらに５ｉＨａやＴｌＣ１，等を添加したものも
使用できる。同時にこれら原料ガスにＮ２ガス等の不活
性ガスを希釈ガスとして添加してもよい。
また前記実施例では、ヒータ６を使用しなかったが、熱
分解温度が高い原料ガスを使用する場合、あるいはより
ハーメチック被覆３０を高速で形成しようとする場合は
適宜採用すればよい。
分解温度が高い原料ガスを使用する場合、あるいはより
ハーメチック被覆３０を高速で形成しようとする場合は
適宜採用すればよい。
（発明の効果〕
以上の如く本発明の方法によれば、光ファイバの長手方
向にハーメチック被覆を均一厚さにて形成でき、もって
品質の安定なハーメチック被覆光ファイバを製造するこ
とができる。
向にハーメチック被覆を均一厚さにて形成でき、もって
品質の安定なハーメチック被覆光ファイバを製造するこ
とができる。
第１図は形成されるハーメチック被１厚さと原料ガス濃
度の関係を示すグラフ、第２図は本発明の方法の一実施
例を示す概略図、第３図は本発明の方法及び従来方法に
て得られたハーメチック被覆光ファイバのハーメチック
被覆の長手方向厚さ分布を示すグラフ、第４図はハーメ
チック被覆光ファイバの一例を示す横断面図、第５図は
従来の方法を示す概略図である。
度の関係を示すグラフ、第２図は本発明の方法の一実施
例を示す概略図、第３図は本発明の方法及び従来方法に
て得られたハーメチック被覆光ファイバのハーメチック
被覆の長手方向厚さ分布を示すグラフ、第４図はハーメ
チック被覆光ファイバの一例を示す横断面図、第５図は
従来の方法を示す概略図である。
Claims (1)
- 光ファイバ用母材から光ファイバを線引し、しかる後に
該光ファイバを熱ＣＶＤ用反応炉内を通過せしめ、その
表面上に熱ＣＶＤ法によりカーボンまたはカーボン化合
物からなるハーメチック被覆を施すハーメチック被覆光
ファイバの製造方法において、前記熱ＣＶＤ用反応炉に
入る直前の前記光ファイバの表面温度を測定し、この測
定値により前記熱ＣＶＤ用反応炉へ供給する原料ガスの
流量を調整することを特徴とするハーメチック被覆光フ
ァイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098520A JP2685889B2 (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098520A JP2685889B2 (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02279540A true JPH02279540A (ja) | 1990-11-15 |
| JP2685889B2 JP2685889B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=14221934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1098520A Expired - Fee Related JP2685889B2 (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685889B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000003876A (ja) * | 1998-06-15 | 2000-01-07 | Asahi Optical Co Ltd | 半導体素材製造装置 |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP1098520A patent/JP2685889B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000003876A (ja) * | 1998-06-15 | 2000-01-07 | Asahi Optical Co Ltd | 半導体素材製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2685889B2 (ja) | 1997-12-03 |
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