JPH02280092A - プラズマ核融合方法 - Google Patents
プラズマ核融合方法Info
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- JPH02280092A JPH02280092A JP1103098A JP10309889A JPH02280092A JP H02280092 A JPH02280092 A JP H02280092A JP 1103098 A JP1103098 A JP 1103098A JP 10309889 A JP10309889 A JP 10309889A JP H02280092 A JPH02280092 A JP H02280092A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
本発明は、プラズマ気相反応を用いて、核融合反応をよ
り確実に実施せしめるとともに、その核融合反応の程度
を制御する方法に関するものである。
り確実に実施せしめるとともに、その核融合反応の程度
を制御する方法に関するものである。
「従来の技術」
電気化学的に核融合反応(コールド・ニュークリア・フ
ュージョンともいう)を行わしめることが、S、E、ジ
ョーンズ等により発明、報告されている。そのタイトル
は「オブザベイション・オブ・コールド・ニュークリア
・フュージョン・イン・コンデンスト・マター」と題さ
れ、S、H,ジョーンズ、E、P、バルマー、J、B、
フリエ、D、L、デエッカG、L、ジエンセン、J、M
、ソーン、S、F、テーラ−(以上ブリガム・ヤング大
学)およびJ、ラフエルスキ(アリシナ大学)で示され
ている。
ュージョンともいう)を行わしめることが、S、E、ジ
ョーンズ等により発明、報告されている。そのタイトル
は「オブザベイション・オブ・コールド・ニュークリア
・フュージョン・イン・コンデンスト・マター」と題さ
れ、S、H,ジョーンズ、E、P、バルマー、J、B、
フリエ、D、L、デエッカG、L、ジエンセン、J、M
、ソーン、S、F、テーラ−(以上ブリガム・ヤング大
学)およびJ、ラフエルスキ(アリシナ大学)で示され
ている。
これは、重水(DgO)を含む溶液中に一対の電極を構
成する陰掻側にパラジウムまたはチタン、陽極側に金ま
たは白金を使用して浸し、この電極間に直流電圧を印加
している。さらにその電気化学的核融合反応は大気圧で
行っている。
成する陰掻側にパラジウムまたはチタン、陽極側に金ま
たは白金を使用して浸し、この電極間に直流電圧を印加
している。さらにその電気化学的核融合反応は大気圧で
行っている。
この反応は通常雰囲気下の水溶液中で行うため、重水素
核(d)同士が互いに結合し、核融合を起こす存在確率
が1よりはるかに低い。
核(d)同士が互いに結合し、核融合を起こす存在確率
が1よりはるかに低い。
また電極の一部で原子状重水素の発生を行うと同時に、
同じ場所で原子状重水素同士の融合反応をも行っている
。また溶液のため、重水素同士を核融合させる触媒とし
て用いられるパラジウムはその表面を非反応性の材料に
よって覆われる等の理由により被毒し触媒活性の程度を
劣化させやすく、この被毒膜を破って核融合を均一に生
ぜしめることが困難である。このため、この核融合反応
はバラツキが大きく、再現性に欠けるものであった。ま
た核融合とは別に、同時に併発する電気化学反応により
分解された大部分をしめる反応生成物は、気体の重水素
として大気中に放出されてしまい、実際の核融合反応に
用いられる重水素の数は期待値よりもはるかに小さいも
のであった。このため、この核融合反応を確実に高い確
率で制御する方法の開発が待たれていた。
同じ場所で原子状重水素同士の融合反応をも行っている
。また溶液のため、重水素同士を核融合させる触媒とし
て用いられるパラジウムはその表面を非反応性の材料に
よって覆われる等の理由により被毒し触媒活性の程度を
劣化させやすく、この被毒膜を破って核融合を均一に生
ぜしめることが困難である。このため、この核融合反応
はバラツキが大きく、再現性に欠けるものであった。ま
た核融合とは別に、同時に併発する電気化学反応により
分解された大部分をしめる反応生成物は、気体の重水素
として大気中に放出されてしまい、実際の核融合反応に
用いられる重水素の数は期待値よりもはるかに小さいも
のであった。このため、この核融合反応を確実に高い確
率で制御する方法の開発が待たれていた。
「発明の目的」
本発明はこれら従来の問題点を解決するものであり、低
温核融合反応を確実に行うため、反応材料は溶液を用い
るのではなく、98%以上の高純度(残りは水素(11
□)であり、その他は1100PP以下である)の重水
素(Dりまたは重水素化合物の気体を用いている。そし
てこれ等の気体をプラズマ化する領域と、このプラズマ
化した重水素を核融合反応をする材料に引きつけて、こ
こで核融合反応を行わしめる領域とを設け、核融合の発
生の確率の向上に努めたものである。
温核融合反応を確実に行うため、反応材料は溶液を用い
るのではなく、98%以上の高純度(残りは水素(11
□)であり、その他は1100PP以下である)の重水
素(Dりまたは重水素化合物の気体を用いている。そし
てこれ等の気体をプラズマ化する領域と、このプラズマ
化した重水素を核融合反応をする材料に引きつけて、こ
こで核融合反応を行わしめる領域とを設け、核融合の発
生の確率の向上に努めたものである。
かくすることにより、核融合の発生確率を高(し、核融
合により発生したエネルギをより効率よく外部に取り出
さんとしたものである。
合により発生したエネルギをより効率よく外部に取り出
さんとしたものである。
さらにこの反応により生じた中性子を、核融合を生ぜし
める材料の裏側に配設された漕を有する基体に放出せし
め、この漕を構成し中性子のエネルギを消耗させる媒体
、例えば水(11□0)に中性子等のエネルギを与える
ことにより熱エネルギに交換し、この熱エネルギをこの
媒体を通じて外部に取り出すことにより、核融合反応に
より生じたエネルギ、特に熱エネルギをこの核融合反応
より分離して単なる熱エネルギ源として、工業的応用、
例えば発電、暖房等に用いんとするものである。
める材料の裏側に配設された漕を有する基体に放出せし
め、この漕を構成し中性子のエネルギを消耗させる媒体
、例えば水(11□0)に中性子等のエネルギを与える
ことにより熱エネルギに交換し、この熱エネルギをこの
媒体を通じて外部に取り出すことにより、核融合反応に
より生じたエネルギ、特に熱エネルギをこの核融合反応
より分離して単なる熱エネルギ源として、工業的応用、
例えば発電、暖房等に用いんとするものである。
「発明の構成」
本発明は、重水素(Dよ)または重水素化合物の気体を
プラズマ反応容器に導入し、電気エネルギを加えてこの
気体をプラズマ化する。さらにこのプラズマ中の重水素
イオンを負に自己バイアスまたは負に外部バイアスされ
た電界により核融合をおこす材料(以下単に材料または
パラジウムまたはチタンと代表していう)の表面に引き
寄せる。
プラズマ反応容器に導入し、電気エネルギを加えてこの
気体をプラズマ化する。さらにこのプラズマ中の重水素
イオンを負に自己バイアスまたは負に外部バイアスされ
た電界により核融合をおこす材料(以下単に材料または
パラジウムまたはチタンと代表していう)の表面に引き
寄せる。
すると、原子状重水素(dと記す)はパラジウム側のカ
ソード(陰極)側の表面に衝突し、この表面または内部
(近傍)で核融合反応を生ぜしめ得る。自己バイアスは
一対の放電用電極の形状異方性の設計を行うことにより
作り、外部バイアスは高周波電圧の印加に加えて直流バ
イアスをパラジウム側が負のバイアスになるように印加
した。
ソード(陰極)側の表面に衝突し、この表面または内部
(近傍)で核融合反応を生ぜしめ得る。自己バイアスは
一対の放電用電極の形状異方性の設計を行うことにより
作り、外部バイアスは高周波電圧の印加に加えて直流バ
イアスをパラジウム側が負のバイアスになるように印加
した。
このコールド・ニュークリア・フュージョン(低温核融
合)の証明は、この容器の近くに中性子カウンタを配設
し、そこで発生した中性子の存在および量により確認し
た。
合)の証明は、この容器の近くに中性子カウンタを配設
し、そこで発生した中性子の存在および量により確認し
た。
かくして陰極側において、
d + d −+311e(0,82MeV)+n (
2,45MeV)の反応を期待できる中性子(n)を計
測することができる。
2,45MeV)の反応を期待できる中性子(n)を計
測することができる。
同時に、
d + d −+P(3,02MeV)+t(1,01
MeV)の反応を期待することも可能である。
MeV)の反応を期待することも可能である。
かかる核融合の結果、このパラジウム電極の裏面に配設
された熱交換媒体、例えば水に対し、2,45Meνの
エネルギをもつ中性子が衝突し、この温度を上昇させる
ことによりエネルギ交換の存在を検出した。さらに中性
子の存在はニュートロン・スペクトロメータによりその
存在が検出することができた。
された熱交換媒体、例えば水に対し、2,45Meνの
エネルギをもつ中性子が衝突し、この温度を上昇させる
ことによりエネルギ交換の存在を検出した。さらに中性
子の存在はニュートロン・スペクトロメータによりその
存在が検出することができた。
その中性子の発生の程度および媒体の温度上昇の程度は
、反応容器内のプラズマ圧力を大きくするにつれて、ま
た供給する電気エネルギを大きくするに比例して、大き
くなる。全くの自己または外部よりのバイアスを加えな
い場合に比べ、陰極側の反応は負のバイアス電圧を大き
くすることにより、核融合反応は明らかに助長された。
、反応容器内のプラズマ圧力を大きくするにつれて、ま
た供給する電気エネルギを大きくするに比例して、大き
くなる。全くの自己または外部よりのバイアスを加えな
い場合に比べ、陰極側の反応は負のバイアス電圧を大き
くすることにより、核融合反応は明らかに助長された。
直流バイアスの程度は一100v〜−1000Vまで変
化させた。
化させた。
もちろんこれ以上のバイアス電圧を加えてもよいが、そ
の場合、何らかの拍子に爆発の起こる危険性があるため
、反応効率は向上するが危険を伴うと推定される。
の場合、何らかの拍子に爆発の起こる危険性があるため
、反応効率は向上するが危険を伴うと推定される。
またかかるプラズマ空間の一方の電極表面にパラジウム
を配設させ、そこでの核融合とするに際し、反応が異常
に進行しないように反応の程度を制御することは重要で
ある。そのため、反応に必要な電圧に比べ十分高い電圧
を印加し、かつ負の直流バイアスでありながらその印加
時間をパルス化(間歇化)することにより、反応が核融
合臨界値をこえないように制御した。即ち、例えば毎分
1〜1000回のパルス電圧を印加し、パルス巾も連続
(いわゆる直流頁連続電圧) (100χ)から0.1
χまで変化させた。すると、例えば直流連続電圧印加の
場合、僅か一200v程度から核融合反応の存在が観察
された。直流のパルス電圧を印加する場合、十分高い電
圧である例えば−300〜−1000V、特に例えば−
500vとし、さらにこのデユーティ比50%(1回の
周期のうち、50%が電圧を印加し、50%は電圧を0
とする)回数を1分間に30回とすることによって、核
融合の程度を押さえる(制御する)ことが可能となった
。
を配設させ、そこでの核融合とするに際し、反応が異常
に進行しないように反応の程度を制御することは重要で
ある。そのため、反応に必要な電圧に比べ十分高い電圧
を印加し、かつ負の直流バイアスでありながらその印加
時間をパルス化(間歇化)することにより、反応が核融
合臨界値をこえないように制御した。即ち、例えば毎分
1〜1000回のパルス電圧を印加し、パルス巾も連続
(いわゆる直流頁連続電圧) (100χ)から0.1
χまで変化させた。すると、例えば直流連続電圧印加の
場合、僅か一200v程度から核融合反応の存在が観察
された。直流のパルス電圧を印加する場合、十分高い電
圧である例えば−300〜−1000V、特に例えば−
500vとし、さらにこのデユーティ比50%(1回の
周期のうち、50%が電圧を印加し、50%は電圧を0
とする)回数を1分間に30回とすることによって、核
融合の程度を押さえる(制御する)ことが可能となった
。
以下に実施例に従って本発明を記す。
「実施例1」
第1図は、本発明を用いたプラズマ気相核融合システム
の概要を示す。
の概要を示す。
図面において、真空保持が可能な反応容器(1)は一対
の電極(5) 、 (4)を有する。この電極はアノー
ド(5)とカソード(4)よりなり、カソードはパラジ
ウム(2)とその裏面に熱交換媒体用の漕を有する基体
によって構成される。負の自己バイアスをカソードに印
加するため、一対の電極のうちカソード側をアノード側
に比較して十分小さい電極面積としている。これら一対
の電極に高周波電源(6)より500KHz〜500M
Hz例えば13.56MHzの高周波を印加する。この
電源はアノード側を接地(13) している。キャパシ
タ(14)によりこの電源に直流バイアスが加わらない
ようにしつつ、直流電源(7)よりスイッチ(15)を
介してカソード(4)に負のバイアス印加ができるよう
にしている。他方は接地している。
の電極(5) 、 (4)を有する。この電極はアノー
ド(5)とカソード(4)よりなり、カソードはパラジ
ウム(2)とその裏面に熱交換媒体用の漕を有する基体
によって構成される。負の自己バイアスをカソードに印
加するため、一対の電極のうちカソード側をアノード側
に比較して十分小さい電極面積としている。これら一対
の電極に高周波電源(6)より500KHz〜500M
Hz例えば13.56MHzの高周波を印加する。この
電源はアノード側を接地(13) している。キャパシ
タ(14)によりこの電源に直流バイアスが加わらない
ようにしつつ、直流電源(7)よりスイッチ(15)を
介してカソード(4)に負のバイアス印加ができるよう
にしている。他方は接地している。
高周波電源での供給をゼロとし、直流電圧のみを一対の
電極(4) 、 (5)に印加すると、直流プラズマ放
電をさせることができる。熱交換媒体は、熱交換器(1
0)よりその導入側(8)、導出側(8゛)よりなり、
ここには媒体例えば水を用いる。水は中性子のエネルギ
を消耗させ、熱エネルギに交換するのに好都合である。
電極(4) 、 (5)に印加すると、直流プラズマ放
電をさせることができる。熱交換媒体は、熱交換器(1
0)よりその導入側(8)、導出側(8゛)よりなり、
ここには媒体例えば水を用いる。水は中性子のエネルギ
を消耗させ、熱エネルギに交換するのに好都合である。
このプラズマ核融合システムには、重水素等の反応性気
体はガス系(9)より導入する。ガス系には流量計(1
2) 、バルブ(11)を有し、ヘリウム(9°)。
体はガス系(9)より導入する。ガス系には流量計(1
2) 、バルブ(11)を有し、ヘリウム(9°)。
重水素(Dt) (9°゛)、水素(uz) (9”
’)を適時加える。
’)を適時加える。
排気系は反応容器(1)内のプラズマ発生圧力を0.0
01〜10torr、例えば0.1 torrとするた
めの圧力調整用パルプ(16) 、ストップバルブ(1
7)および排気ポンプ(18)よりなる。
01〜10torr、例えば0.1 torrとするた
めの圧力調整用パルプ(16) 、ストップバルブ(1
7)および排気ポンプ(18)よりなる。
中性子カウンタ(22)およびその制御電源(23)を
配設させている。
配設させている。
以上の如きシステムによってプラズマ気相核融合反応を
行わしめた。
行わしめた。
「実施例2」
第1図の装置において、カソード(4)は直径10cm
+φを有し、アノード(5)は直径20cmφを有する
。
+φを有し、アノード(5)は直径20cmφを有する
。
高周波電源(6)より13.56MHzの周波数の高周
波を50〜500W例えば200Wを印加した。重水素
(D2)を(91)より20cc/分の流量で導入し、
空間(21)にプラズマが発生するように排気系を調整
し0.1 torrの圧力とした。
波を50〜500W例えば200Wを印加した。重水素
(D2)を(91)より20cc/分の流量で導入し、
空間(21)にプラズマが発生するように排気系を調整
し0.1 torrの圧力とした。
すると第2図はこのプラズマ空間(21)での電位を表
しているが、アノード(5)とカソード(4)とノ間に
は陽光柱(19)と負のセルフバイアスでの電位差(2
0)を有し、この電位差値(24)は−183Vを有し
ていた。正のイオン化した重水素(d )はカソード(
5)に衝突する。そして重水素によりパラジウム表面の
汚物を還元させて除去された活性パラジウム(2)によ
り d + d →”He(0,82MeV) +n(2
,45MeV)の核融合反応をさせることができた。
しているが、アノード(5)とカソード(4)とノ間に
は陽光柱(19)と負のセルフバイアスでの電位差(2
0)を有し、この電位差値(24)は−183Vを有し
ていた。正のイオン化した重水素(d )はカソード(
5)に衝突する。そして重水素によりパラジウム表面の
汚物を還元させて除去された活性パラジウム(2)によ
り d + d →”He(0,82MeV) +n(2
,45MeV)の核融合反応をさせることができた。
第3図は横軸にエネルギに対応したチャネル、縦軸に中
性子カウンタにおけるカウント数を示す。
性子カウンタにおけるカウント数を示す。
繰り返しの測定でバラツキ(上下の巾(27) )は大
きいが、中性子のエネルギに対応する領域では明らかに
そのカウント数が増加しており、このことより、上式の
存在を確認することができた。
きいが、中性子のエネルギに対応する領域では明らかに
そのカウント数が増加しており、このことより、上式の
存在を確認することができた。
投入高周波エネルギは200Wであった。
この核融合反応の存在をI11!認するため、このプラ
ズマ反応系には高純度重水素ガスを導入した。
ズマ反応系には高純度重水素ガスを導入した。
すると反応系の温度が高くなり、熱交換器(10)での
水の昇温も室温から40℃近くまで観察することが可能
となった。また中性子カウンタ(22)は明らかにその
存在を確認することができた。 さらにこの反応はプラ
ズマを持続させると安定に500時間近くも核融合反応
を持続させることができた。
水の昇温も室温から40℃近くまで観察することが可能
となった。また中性子カウンタ(22)は明らかにその
存在を確認することができた。 さらにこの反応はプラ
ズマを持続させると安定に500時間近くも核融合反応
を持続させることができた。
この核融合がおきていることを逆証明するために、第1
図において(9°”)より水素(H7)を導入して同一
実験条件でプラズマ反応を試みた。
図において(9°”)より水素(H7)を導入して同一
実験条件でプラズマ反応を試みた。
この時は中性子の存在は自然界にあるものと同程度しか
なく、その時の中性子のカウント数を第3図曲線(26
)に示す。これと前記した重水素を用いた実施例のカウ
ント数(25)とは、差が明白にあり、明らかに核融合
反応が生じていることが確認できた。
なく、その時の中性子のカウント数を第3図曲線(26
)に示す。これと前記した重水素を用いた実施例のカウ
ント数(25)とは、差が明白にあり、明らかに核融合
反応が生じていることが確認できた。
「実施例3」
第1図のシステムにおいて、スイッチ(15)をオンと
し、高周波電力を一対の電極で供給するのに加えて、負
の直流バイアスを重ねて加えることができた。このバイ
アス電圧を一50V〜−1000Vまで可変しつつ加え
た。
し、高周波電力を一対の電極で供給するのに加えて、負
の直流バイアスを重ねて加えることができた。このバイ
アス電圧を一50V〜−1000Vまで可変しつつ加え
た。
するとこの直流バイアスにより、パラジウム表面への重
水素イオンの衝突量がより大きくなった。
水素イオンの衝突量がより大きくなった。
そして原子状重水素をより多く発生させやすくすること
ができた。
ができた。
第2図において、バイアス(20’)により、バイアス
電圧(24’)をより大きく、かつその程度を直流電圧
を可変することにより自己制御することが可能となった
。この程度に従って第3図における100の位置におけ
るカウント数の自己バイアス数をバイアスを加えない場
合の平均40から40以上80近くまで増加させること
ができ、明らかに負の外部バイアスはその効果が著しか
った。
電圧(24’)をより大きく、かつその程度を直流電圧
を可変することにより自己制御することが可能となった
。この程度に従って第3図における100の位置におけ
るカウント数の自己バイアス数をバイアスを加えない場
合の平均40から40以上80近くまで増加させること
ができ、明らかに負の外部バイアスはその効果が著しか
った。
「実施例4」
この実施例は実施例2において負の直流電圧をパルス状
に加えた。するとそのデユーティ比を調整することによ
り、単にパラジウム表面がスパッタされ破壊することに
よる発熱を核融合による発熱とを区別して、より高精度
に核融合反応の存在を確認することができた。
に加えた。するとそのデユーティ比を調整することによ
り、単にパラジウム表面がスパッタされ破壊することに
よる発熱を核融合による発熱とを区別して、より高精度
に核融合反応の存在を確認することができた。
「効果」
以上の実施例は単にラボ(実験室)スケールで行ったも
のである。しかしこの規模を10〜1000倍とするこ
とにより、実用的な核融合反応を生ぜしめることと、そ
の応用としての核融合が制御可能なエネルギ源とするこ
とが可能となった。そのため、工業的にきわめて大きな
効果を有する。
のである。しかしこの規模を10〜1000倍とするこ
とにより、実用的な核融合反応を生ぜしめることと、そ
の応用としての核融合が制御可能なエネルギ源とするこ
とが可能となった。そのため、工業的にきわめて大きな
効果を有する。
第1図は本発明のプラズマ核融合反応のシステムを示す
。 第2図は第1図における一対の電極間のバイアス関係を
示す。 第3図は中性子カウンタにおけるカウント数を示す。
。 第2図は第1図における一対の電極間のバイアス関係を
示す。 第3図は中性子カウンタにおけるカウント数を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、核融合反応を生ぜしめる反応容器内に電極を有し、
該電極の少なくとも一つには核融合反応を生ぜしめる材
料を表面に具備した電極よりなるプラズマ気相反応方法
において、前記反応容器内に重水素または重水素化合物
の気体を導入し、プラズマ活性化した前記気体を前記電
極表面またはその近傍で核融合反応をせしめたことを特
徴とするプラズマ核融合方法。 2、特許請求の範囲第1項において、核融合反応を生ぜ
しめる材料を具備した電極側に負のバイアスを自己また
は外部より印加したことを特徴とするプラズマ核融合方
法。 3、特許請求の範囲第1項において、核融合反応を生ぜ
しめる材料はパラジウムまたはチタンよりなることを特
徴とするプラズマ核融合方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1103098A JPH02280092A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | プラズマ核融合方法 |
| EP19900106780 EP0393465A3 (en) | 1989-04-20 | 1990-04-09 | Method for producing plasma nuclear fusion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1103098A JPH02280092A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | プラズマ核融合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02280092A true JPH02280092A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14345157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1103098A Pending JPH02280092A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | プラズマ核融合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02280092A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004061318A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 拡散材料の表面反応過程分析装置 |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1103098A patent/JPH02280092A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004061318A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 拡散材料の表面反応過程分析装置 |
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