JPH02280162A - マスクパターン形成方法 - Google Patents
マスクパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH02280162A JPH02280162A JP1100273A JP10027389A JPH02280162A JP H02280162 A JPH02280162 A JP H02280162A JP 1100273 A JP1100273 A JP 1100273A JP 10027389 A JP10027389 A JP 10027389A JP H02280162 A JPH02280162 A JP H02280162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- mask
- pattern
- mask pattern
- mask blank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体製造用フォトマスクのマスクパターン
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
（従来の技術）
半導体素子の微細化に伴い、フォトマスクのパターン位
置は高精度が要求される。高精度のフォトマスクを製作
するためには、通常電子ビーム描画装置が用いられる。
置は高精度が要求される。高精度のフォトマスクを製作
するためには、通常電子ビーム描画装置が用いられる。
以下従来例を説明する。従来用いられているクロムブラ
ンクスの構成は、第２図に示すように、マスク基板１１
上に遮光膜１２を有するものである。このマスクブラン
クス１０上に電子ビームレジストを形成した後、電子ビ
ーム描画装置でパターン形成する。電子ビーム描画装置
内のパターン位置決め方法を第３図により説明する。レ
ーザ干渉計により位置決めされたステージ１上に、マス
クブランクス１０を固定したマスクホルダー２を固定す
る。描画中に発生する位置ずれの原因（ビームドリフト
など）を補正するため、描画中一定時間毎にステージに
取りつけられた基準マーク３を測定する。
ンクスの構成は、第２図に示すように、マスク基板１１
上に遮光膜１２を有するものである。このマスクブラン
クス１０上に電子ビームレジストを形成した後、電子ビ
ーム描画装置でパターン形成する。電子ビーム描画装置
内のパターン位置決め方法を第３図により説明する。レ
ーザ干渉計により位置決めされたステージ１上に、マス
クブランクス１０を固定したマスクホルダー２を固定す
る。描画中に発生する位置ずれの原因（ビームドリフト
など）を補正するため、描画中一定時間毎にステージに
取りつけられた基準マーク３を測定する。
（発明が解決しようとする課題）
ステージに取りつけられた基準マークでの補正は、ステ
ージの位置誤差補正は可能であるが、描画中のステージ
とホルダー間のずれ、ホルダーとマスクブランクス間の
ずれ、マスクブランクス。
ージの位置誤差補正は可能であるが、描画中のステージ
とホルダー間のずれ、ホルダーとマスクブランクス間の
ずれ、マスクブランクス。
ホルダー自身の熱による相対位置の変動は補正しきれな
い。これを解決するため、第４図に示すように従来マス
クブランクス１０上に基準マーク１３′を作成した。し
かし、レーザ光により遮光膜をけする方法で作成すると
、マークパターンのエツジラフネスが大きく、電子ビー
ムで位置検出しても誤差が大きい。また、レジストを塗
布し、光や電子ビームでパターン形成すると、工程が増
え複雑である。
い。これを解決するため、第４図に示すように従来マス
クブランクス１０上に基準マーク１３′を作成した。し
かし、レーザ光により遮光膜をけする方法で作成すると
、マークパターンのエツジラフネスが大きく、電子ビー
ムで位置検出しても誤差が大きい。また、レジストを塗
布し、光や電子ビームでパターン形成すると、工程が増
え複雑である。
（課題を解決するための手段）
上記問題を解決するため本発明は、荷電ビーム照射装置
によりマスクブランクス上に基準マークを形成するもの
で、簡単な方法により基準マークをマスクブランクスに
形成し、高精度なマスクパターン形成を行うことを目的
とする。
によりマスクブランクス上に基準マークを形成するもの
で、簡単な方法により基準マークをマスクブランクスに
形成し、高精度なマスクパターン形成を行うことを目的
とする。
（作 用）
フォーカスト・イオン・ビームを用いると、例えば、基
板上のカーボンのような導電性のパターンを形成するこ
とができる。
板上のカーボンのような導電性のパターンを形成するこ
とができる。
（実施例）
以上本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第１図は本発明の実施例を示す。
する。第１図は本発明の実施例を示す。
マスクブランクス１０のマスク基板１１上に形成された
遮光膜１２上に、フォーカスト・イオン・ビームにより
、カーボンから成る基準マーク１３を形成する。フォー
カスト・イオン・ビームにより形成したマークは、エツ
ジ形状も良く、マスク製作時、電子ビームで検出しても
誤差はない。厚さ１ｏｏｏÅ以上であれば段差マークと
して十分位置検出が可能である。なお電子ビーム描画時
は、マーク部のレジストは除去しておく。
遮光膜１２上に、フォーカスト・イオン・ビームにより
、カーボンから成る基準マーク１３を形成する。フォー
カスト・イオン・ビームにより形成したマークは、エツ
ジ形状も良く、マスク製作時、電子ビームで検出しても
誤差はない。厚さ１ｏｏｏÅ以上であれば段差マークと
して十分位置検出が可能である。なお電子ビーム描画時
は、マーク部のレジストは除去しておく。
（発明の効果）
この基準マークをもとに電子ビーム描画を行い、一定時
間毎に補正を行えば、すべての誤差が補正でき、高精度
のパターン位置精度が実現できる。
間毎に補正を行えば、すべての誤差が補正でき、高精度
のパターン位置精度が実現できる。
マーク形成方法としては、レジスト塗布、処理などが必
要なく簡単である。
要なく簡単である。
第１図は本発明の実施例、第２図〜第４図は従来例の説
明図である。 １１・・・マスクブランクス、１１・・・マスク基板、
１２・・・遮光膜、１３・・・基準マーク。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 第３図 第２図 第４図
明図である。 １１・・・マスクブランクス、１１・・・マスク基板、
１２・・・遮光膜、１３・・・基準マーク。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 第３図 第２図 第４図
Claims (1)
- 荷電ビーム照射装置によりマスクブランクス上に位置検
出用マークを表面の遮光膜上に１個以上形成し、そのマ
ークを基準にマスクパターンを形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1100273A JPH02280162A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | マスクパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1100273A JPH02280162A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | マスクパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02280162A true JPH02280162A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14269600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1100273A Pending JPH02280162A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | マスクパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02280162A (ja) |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP1100273A patent/JPH02280162A/ja active Pending
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