JPH02280474A - Ccd固体撮像素子 - Google Patents
Ccd固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH02280474A JPH02280474A JP1100062A JP10006289A JPH02280474A JP H02280474 A JPH02280474 A JP H02280474A JP 1100062 A JP1100062 A JP 1100062A JP 10006289 A JP10006289 A JP 10006289A JP H02280474 A JPH02280474 A JP H02280474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ccd
- vertical
- transfer
- odd
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、CCD固体撮像素子に関し、例えばフレー
ム転送方式のCCD固体撮像素子に利用して有効な技術
に関するものである。
ム転送方式のCCD固体撮像素子に利用して有効な技術
に関するものである。
CCD型固体撮像素子は、家庭用ビディオカメラの撮像
デバイスとして広く使用されいてる。このCCD型固体
撮像素子は、フォトダイオードをマトリックス状に配列
し、入射光によりフォトダイオードに発生した光電荷を
CCD (電荷移送素子)を用いて順次転送し、映像信
号として外部へ取り出すものである。このようなCCD
型固体撮像素子に関しては、例えばラジオ技術社、昭和
61年11月3日発行rCCDカメラ技術J竹村裕夫著
がある。
デバイスとして広く使用されいてる。このCCD型固体
撮像素子は、フォトダイオードをマトリックス状に配列
し、入射光によりフォトダイオードに発生した光電荷を
CCD (電荷移送素子)を用いて順次転送し、映像信
号として外部へ取り出すものである。このようなCCD
型固体撮像素子に関しては、例えばラジオ技術社、昭和
61年11月3日発行rCCDカメラ技術J竹村裕夫著
がある。
近年において、ビディオカメラの高画質化の要求の高ま
りにより、固体撮像素子では多画素化が進められている
。このような多画素化に伴い、信号量の低下によるS/
N (信号対雑音比)の劣化が目立つようになってきて
いる。
りにより、固体撮像素子では多画素化が進められている
。このような多画素化に伴い、信号量の低下によるS/
N (信号対雑音比)の劣化が目立つようになってきて
いる。
すなわち、従来のフレーム転送方式のCCDCC型固体
撮像素子光電変換素子で発生した信号電荷を垂直帰線期
間にメモリ領域に転送して蓄積し、映像期間にこのメモ
’J 8i域から順次水平CCDを通して外部に読み出
すものである。このため、1層像素子面には光電変換領
域と信号電荷転送用CCDを作る必要がある。また、信
号転送容量としては、所望のダイナミックレンジを確保
するために光電変換量以上に設定する必要がある。実際
には、CCDにおける上記のような信号転送容量から光
電変換領域の広さが決まり、この光電変換領域の広さか
ら絶対感度が決定される。感度を高くするためには、上
記の光電変換領域を広く形成する必要があるが信号転送
容量以上にすることはできない。
撮像素子光電変換素子で発生した信号電荷を垂直帰線期
間にメモリ領域に転送して蓄積し、映像期間にこのメモ
’J 8i域から順次水平CCDを通して外部に読み出
すものである。このため、1層像素子面には光電変換領
域と信号電荷転送用CCDを作る必要がある。また、信
号転送容量としては、所望のダイナミックレンジを確保
するために光電変換量以上に設定する必要がある。実際
には、CCDにおける上記のような信号転送容量から光
電変換領域の広さが決まり、この光電変換領域の広さか
ら絶対感度が決定される。感度を高くするためには、上
記の光電変換領域を広く形成する必要があるが信号転送
容量以上にすることはできない。
この発明の目的は、簡単な構成により絶対感度の向上を
実現したCCD型固体撮像素子を提供することにある。
実現したCCD型固体撮像素子を提供することにある。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
(課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、隣接する奇数行と偶数行からなる一対の光電
変換素子に対し、偶数行又は奇数行の光電変換素子によ
り発生された信号電荷を垂直方向に転送する転送用垂直
CCDを設け、垂直帰線期間において上記奇数行の信号
電荷と偶数行の信号電荷とを上記転送用垂直CCDを通
して時分割的に第1と第2の蓄積用垂直CCDに転送す
る。
変換素子に対し、偶数行又は奇数行の光電変換素子によ
り発生された信号電荷を垂直方向に転送する転送用垂直
CCDを設け、垂直帰線期間において上記奇数行の信号
電荷と偶数行の信号電荷とを上記転送用垂直CCDを通
して時分割的に第1と第2の蓄積用垂直CCDに転送す
る。
上記した手段によれば、光電変換素子2個に対して単位
の転送用の垂直CCDを構成すればよい。
の転送用の垂直CCDを構成すればよい。
したがって、小さい占有面積により大きな信号転送容量
を持つCCDが構成できるため、光電変換素子のサイズ
を大きして絶対感度の向上が実現できる。
を持つCCDが構成できるため、光電変換素子のサイズ
を大きして絶対感度の向上が実現できる。
第1図には、この発明に係るCCD型固体撮像素子の一
実施例のブロック図が示されている。同図に示された各
回路素子及び回路ブロックは、公知の半導体集積回路の
製造技術によって、単結晶シリコンのような1個の半導
体基板上において形成される。同図における各回路素子
及び回路ブロックは、半導体チップ上における実際の幾
何学的な配置に合わせて描かれている。
実施例のブロック図が示されている。同図に示された各
回路素子及び回路ブロックは、公知の半導体集積回路の
製造技術によって、単結晶シリコンのような1個の半導
体基板上において形成される。同図における各回路素子
及び回路ブロックは、半導体チップ上における実際の幾
何学的な配置に合わせて描かれている。
この実施例のCCD型固体撮像素子は、フレーム転送方
式とされる。すなわち、半導体チップは、大きく分けて
撮像領域(感光部)とメモリ領域(M積部)とから構成
される。
式とされる。すなわち、半導体チップは、大きく分けて
撮像領域(感光部)とメモリ領域(M積部)とから構成
される。
撮像領域は、水平及び垂直方向にマトリックス配置され
る光電変換素子としてのフォトダイオードと、列(垂直
)方向に並んで配置されるフォトダイオードに対応して
設けられる転送用の垂直転送回路CCD1とから構成さ
れる。すなわち、上記垂直転送回路CCD1は、垂直方
向に並んで配置されるフォトダイオードにより光電変換
された信号電荷をパラレルに受けて、垂直方向にシリア
ルに転送するという転送動作を行う。
る光電変換素子としてのフォトダイオードと、列(垂直
)方向に並んで配置されるフォトダイオードに対応して
設けられる転送用の垂直転送回路CCD1とから構成さ
れる。すなわち、上記垂直転送回路CCD1は、垂直方
向に並んで配置されるフォトダイオードにより光電変換
された信号電荷をパラレルに受けて、垂直方向にシリア
ルに転送するという転送動作を行う。
メモリ領域は、基本的には垂直転送回路CCD2と水平
転送回路CCD3とから構成される。この実施例のメモ
リ領域は、次に説明するような撮像領域からの読み出し
動作に対応して、奇数行(ライン)の信号電荷に対応し
た蓄積領域しAと偶数行(ライン)の信号電荷に対応し
た蓄積領域LBとから構成される。上記蓄積領域LAの
蓄積用の垂直転送回路CCD2Aへの転送動作において
は、撮像領域に隣接して配置される蓄積領域LBが介在
することになるからこれを(CCD2B及びCCD3B
)上記メモリ領域の垂直転送回路CCD lとともに垂
直転送路の一部として利用するものである。
転送回路CCD3とから構成される。この実施例のメモ
リ領域は、次に説明するような撮像領域からの読み出し
動作に対応して、奇数行(ライン)の信号電荷に対応し
た蓄積領域しAと偶数行(ライン)の信号電荷に対応し
た蓄積領域LBとから構成される。上記蓄積領域LAの
蓄積用の垂直転送回路CCD2Aへの転送動作において
は、撮像領域に隣接して配置される蓄積領域LBが介在
することになるからこれを(CCD2B及びCCD3B
)上記メモリ領域の垂直転送回路CCD lとともに垂
直転送路の一部として利用するものである。
上記蓄積領域LA及びLBに対応して設けられる第1及
び第2の垂直転送回路CCD2AとCCD2Bには、そ
れぞれ読み出し用の水平転送回路CCD3AとCCD3
Bが設けられる。これらの水平転送回路CCD3AとC
CD3Bには、信号電荷を電圧信号に変換する出力回路
SAとSBが設けられる。これらの出力回路SAとSB
は、特に制限されないが、信号電荷がゲート容量に転送
されるソースフォロワ形態のMOS F ETから構成
される。
び第2の垂直転送回路CCD2AとCCD2Bには、そ
れぞれ読み出し用の水平転送回路CCD3AとCCD3
Bが設けられる。これらの水平転送回路CCD3AとC
CD3Bには、信号電荷を電圧信号に変換する出力回路
SAとSBが設けられる。これらの出力回路SAとSB
は、特に制限されないが、信号電荷がゲート容量に転送
されるソースフォロワ形態のMOS F ETから構成
される。
この実施例では、絶対感度を高くするために垂直転送回
路CCD1は、例示的に示されているように隣接するL
AI、LBIないしLA3.LB3のように奇数行と偶
数行からなる一対のフォトダイオードに対応してそれぞ
れ単位のCCD転送回路が対応される。すなわち、同図
に示すように垂直転送用のCCD lは、チャンネル幅
が狭く構成される。ただし、例示的に示されている2つ
の行LAIとLBIに対応した2つのフォトダイオード
に対応して単位の転送路が構成されるためその分、単位
のチャンネル長が長くされる。言い換えるならば、一定
の転送容量を確保するために上記単位のチャンネル長を
長くした分だけ、チャンネル幅を狭くすることができる
。このようなチャンネル幅を狭くすることに応じてフォ
トダイオードが形成される領域を大きくすることができ
るものである。言い換えるならば、撮像素子の開口率を
向上させることかのできるものとなる。
路CCD1は、例示的に示されているように隣接するL
AI、LBIないしLA3.LB3のように奇数行と偶
数行からなる一対のフォトダイオードに対応してそれぞ
れ単位のCCD転送回路が対応される。すなわち、同図
に示すように垂直転送用のCCD lは、チャンネル幅
が狭く構成される。ただし、例示的に示されている2つ
の行LAIとLBIに対応した2つのフォトダイオード
に対応して単位の転送路が構成されるためその分、単位
のチャンネル長が長くされる。言い換えるならば、一定
の転送容量を確保するために上記単位のチャンネル長を
長くした分だけ、チャンネル幅を狭くすることができる
。このようなチャンネル幅を狭くすることに応じてフォ
トダイオードが形成される領域を大きくすることができ
るものである。言い換えるならば、撮像素子の開口率を
向上させることかのできるものとなる。
この実施例のフレーム転送動作においては、垂直帰線期
間に2回に分けて時分割方式により奇数行と偶数行のフ
ォトダイオードの垂直転送動作が行われる。すなわち、
第1のフレーム転送においては、メモリ領域の垂直転送
回路CCD lには、奇数行のフォトダイオードにより
形成された信号電荷がパラレルに転送されて、シフトク
ロックパルスに従って高速に垂直方向にシリアル転送動
作を行う。このとき、メモリ領域においては、偶数列に
対応した蓄積領域LBの蓄積用の垂直転送回路CCD2
Bと水平転送回路CCD3Bとが、垂直転送路として動
作し、上記撮像領域からの奇数行の信号電荷を蓄積領域
LAの垂直転送回路CCD2Aに転送する際の転送路の
一部として作動させられる。
間に2回に分けて時分割方式により奇数行と偶数行のフ
ォトダイオードの垂直転送動作が行われる。すなわち、
第1のフレーム転送においては、メモリ領域の垂直転送
回路CCD lには、奇数行のフォトダイオードにより
形成された信号電荷がパラレルに転送されて、シフトク
ロックパルスに従って高速に垂直方向にシリアル転送動
作を行う。このとき、メモリ領域においては、偶数列に
対応した蓄積領域LBの蓄積用の垂直転送回路CCD2
Bと水平転送回路CCD3Bとが、垂直転送路として動
作し、上記撮像領域からの奇数行の信号電荷を蓄積領域
LAの垂直転送回路CCD2Aに転送する際の転送路の
一部として作動させられる。
上記奇数行の信号量の転送動作の終了に引き続き、第2
のフレーム転送が実行される。第1のフレーム転送にお
いては、メモリ領域の垂直転送回路CCD1には、偶数
行のフォトダイオードにより形成された信号電荷がパラ
レルに転送されて、シフトクロックパルスに従って高速
に垂直方向にシリアル転送動作を行い、上記蓄積領域L
Bの垂直転送回路C0D2Bに順次蓄積される。
のフレーム転送が実行される。第1のフレーム転送にお
いては、メモリ領域の垂直転送回路CCD1には、偶数
行のフォトダイオードにより形成された信号電荷がパラ
レルに転送されて、シフトクロックパルスに従って高速
に垂直方向にシリアル転送動作を行い、上記蓄積領域L
Bの垂直転送回路C0D2Bに順次蓄積される。
映像期間において、インタレースモードのときには、奇
数フレームのときには蓄積領域LAにおける垂直転送回
路CCD2Aと水平転送回路CCD3Aを動作させて奇
数行の信号電荷の読み出しが行われる。偶数フレームの
ときには蓄積領域り已における垂直転送回路C0D2B
と水平転送回路CCD3Bを動作させて偶数行の信号電
荷の読み出しが行われる。ノンインクレースモートのと
きには、上記水平転送回路CCD 3 AとCCD3B
とが1ライン分の信号に対応して交互に転送動作を行う
ようにされる。なお、上記のような水平転送回路CCD
3AとCCD3Bの動作に対応して、垂直転送回路CC
D2AとCCD2Bの動作もそれぞれに同期して転送動
作を行うようにされる。
数フレームのときには蓄積領域LAにおける垂直転送回
路CCD2Aと水平転送回路CCD3Aを動作させて奇
数行の信号電荷の読み出しが行われる。偶数フレームの
ときには蓄積領域り已における垂直転送回路C0D2B
と水平転送回路CCD3Bを動作させて偶数行の信号電
荷の読み出しが行われる。ノンインクレースモートのと
きには、上記水平転送回路CCD 3 AとCCD3B
とが1ライン分の信号に対応して交互に転送動作を行う
ようにされる。なお、上記のような水平転送回路CCD
3AとCCD3Bの動作に対応して、垂直転送回路CC
D2AとCCD2Bの動作もそれぞれに同期して転送動
作を行うようにされる。
メモリ領域においては、CCDのみが構成されるから、
言い換えるならば撮像領域のようにフォトダイオードを
形成する必要が無いから垂直転送回路CCD2A及びC
CD2Bは可能な限り横方向に延びるよう形成される。
言い換えるならば撮像領域のようにフォトダイオードを
形成する必要が無いから垂直転送回路CCD2A及びC
CD2Bは可能な限り横方向に延びるよう形成される。
すなわち、そのチャンネル幅が太き(形成される。この
ように撮像領域とメモリ領域との垂直転送回路における
チャンネル長とチャンネル幅との組み合わをそれぞれの
動作に応じて設定することによって、高集積化と高感度
化が可能になるものである。
ように撮像領域とメモリ領域との垂直転送回路における
チャンネル長とチャンネル幅との組み合わをそれぞれの
動作に応じて設定することによって、高集積化と高感度
化が可能になるものである。
なお、感度可変機能、言い換えるならば、電子式シャッ
ター機能を持たせる場合、撮像領域に形成される垂直転
送回路CCD1は、両方向の転送動作を行うようにされ
る。すなわち、上記映像期間において、フォトダイオー
ドに蓄積された信号電荷を垂直転送回路CCD 1に読
み出して、フォトダイオードをリセットさせる。上記垂
直転送回路CCD1に転送された信号電荷は、逆方向に
シフトして掃き出しようにする。これにより、フォトダ
イオードの実質的な蓄積時間を可変にすることができる
から感度可変とすることができる。上記のような感度可
変動作においても、この実施例のCCD固体撮像素子は
、奇数行と偶数行と2回に分けて信号の掃き出しを行う
。
ター機能を持たせる場合、撮像領域に形成される垂直転
送回路CCD1は、両方向の転送動作を行うようにされ
る。すなわち、上記映像期間において、フォトダイオー
ドに蓄積された信号電荷を垂直転送回路CCD 1に読
み出して、フォトダイオードをリセットさせる。上記垂
直転送回路CCD1に転送された信号電荷は、逆方向に
シフトして掃き出しようにする。これにより、フォトダ
イオードの実質的な蓄積時間を可変にすることができる
から感度可変とすることができる。上記のような感度可
変動作においても、この実施例のCCD固体撮像素子は
、奇数行と偶数行と2回に分けて信号の掃き出しを行う
。
以上の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。すなわち、 11)隣接する奇数行と偶数行からなる一対の光電変換
素子に対し、偶数行又は奇数行の光電変換素子により発
生された信号電荷を垂直方向に転送する転送用垂直CC
Dを設け、垂直帰線期間において上記奇数行の信号電荷
と偶数行の信号電荷とを上記転送用垂直CCDを通して
時分割的に2回に分けて奇数行と偶数行に対応した蓄積
用垂直転送回路に転送する。この構成においては、光電
変換素子2個分に対して単位の転送用の垂直CCDを構
成すればよいから、等価的に小さい占有面積により大き
な信号転送容量を持つCCDが構成でき、その分光電変
換素子のサイズを大きくできるから絶対感度を高くでき
るという効果が得られる。
る。すなわち、 11)隣接する奇数行と偶数行からなる一対の光電変換
素子に対し、偶数行又は奇数行の光電変換素子により発
生された信号電荷を垂直方向に転送する転送用垂直CC
Dを設け、垂直帰線期間において上記奇数行の信号電荷
と偶数行の信号電荷とを上記転送用垂直CCDを通して
時分割的に2回に分けて奇数行と偶数行に対応した蓄積
用垂直転送回路に転送する。この構成においては、光電
変換素子2個分に対して単位の転送用の垂直CCDを構
成すればよいから、等価的に小さい占有面積により大き
な信号転送容量を持つCCDが構成でき、その分光電変
換素子のサイズを大きくできるから絶対感度を高くでき
るという効果が得られる。
(2)撮像領域に隣接して設けられる蓄積用の垂直転送
回路及び水平転送回路を、それを介在させて配置される
蓄積用垂直転送回路への信号電荷の転送路として用いる
ことにより、高望積度のもとに奇数行及び偶数行に対応
した2つの蓄積領域を構成できるという効果が得られる
。
回路及び水平転送回路を、それを介在させて配置される
蓄積用垂直転送回路への信号電荷の転送路として用いる
ことにより、高望積度のもとに奇数行及び偶数行に対応
した2つの蓄積領域を構成できるという効果が得られる
。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、撮像領域を挟ん
で奇数行と偶数行に対応したメモリ領域を分割して配置
するものであってもよい。ただし、この場合には撮像領
域の垂直転送回路CCD 1が双方向の転送動作を行う
ことが絶対条件とされる。また、メモリ領域の下側に配
置される蓄積領域においては、画像が上下逆転しないよ
うに、垂直転送回路が転送動作ときには下側に信号電荷
を転送し、読み出し動作のときには上側に信号電荷を転
送するという双方向の転送動作を行うようにするととも
にメモリ領域側に隣接して読み出し用の水平転送回路を
配置する必要がある。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、撮像領域を挟ん
で奇数行と偶数行に対応したメモリ領域を分割して配置
するものであってもよい。ただし、この場合には撮像領
域の垂直転送回路CCD 1が双方向の転送動作を行う
ことが絶対条件とされる。また、メモリ領域の下側に配
置される蓄積領域においては、画像が上下逆転しないよ
うに、垂直転送回路が転送動作ときには下側に信号電荷
を転送し、読み出し動作のときには上側に信号電荷を転
送するという双方向の転送動作を行うようにするととも
にメモリ領域側に隣接して読み出し用の水平転送回路を
配置する必要がある。
出力回路としては、ソースフォロワ回路の他、増幅!1
/103 F ETのドレインから出力を得るもの、あ
るはいこのような反転増幅回路をカスケード接続したも
の等種々の実施形態を採ることができる。
/103 F ETのドレインから出力を得るもの、あ
るはいこのような反転増幅回路をカスケード接続したも
の等種々の実施形態を採ることができる。
この発明は、フレーム転送方式〇CCD固体撮像素子と
して広く利用できるものである。
して広く利用できるものである。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、隣接する奇数行と偶数行からなる一対の光
電変換素子に対し、偶数行又は奇数行の光電変換素子に
よ・り発生された信号電荷を垂直方向に転送する転送用
垂直CCDを設け、垂直帰線期間において上記奇数行の
信号電荷と偶数行の信号電荷とを上記転送用垂直CCD
を通して時分割的に2回に分けて奇数行と偶数行に対応
した蓄積用垂直転送回路に転送する。この構成において
は、光電変換素子2個分に対して単位の転送用の垂直C
CDを構成すればよいから、等価的に小さい占有面積に
より大きな信号転送容量を持つCCDが構成でき、その
分光電変換素子のサイズを大きくできるから絶対感度を
高くできるものとなる。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、隣接する奇数行と偶数行からなる一対の光
電変換素子に対し、偶数行又は奇数行の光電変換素子に
よ・り発生された信号電荷を垂直方向に転送する転送用
垂直CCDを設け、垂直帰線期間において上記奇数行の
信号電荷と偶数行の信号電荷とを上記転送用垂直CCD
を通して時分割的に2回に分けて奇数行と偶数行に対応
した蓄積用垂直転送回路に転送する。この構成において
は、光電変換素子2個分に対して単位の転送用の垂直C
CDを構成すればよいから、等価的に小さい占有面積に
より大きな信号転送容量を持つCCDが構成でき、その
分光電変換素子のサイズを大きくできるから絶対感度を
高くできるものとなる。
第1図は、この発明に係る固体撮像素子の−実施例を示
すブロック図である。 LA・・奇数行蓄積領域、LB・・偶数行蓄積領域、C
CD l・・転送用の垂直転送回路、CCD2A、CC
D2B・・蓄積用の垂直転送回路、CCD3A、CCD
3B・・読み出し用水平転送回路、SA、SB・・出力
回路
すブロック図である。 LA・・奇数行蓄積領域、LB・・偶数行蓄積領域、C
CD l・・転送用の垂直転送回路、CCD2A、CC
D2B・・蓄積用の垂直転送回路、CCD3A、CCD
3B・・読み出し用水平転送回路、SA、SB・・出力
回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、水平及び垂直方向に配列された光電変換素子と、隣
接する奇数行と偶数行とからなる一対の光電変換素子に
対応し、上記偶数行又は奇数行の光電変換素子により発
生された信号電荷を垂直方向に転送する転送用垂直CC
Dと、上記奇数行の光電変換素子に対応した信号電荷を
蓄積する第1の蓄積用垂直CCDと、上記偶数行の光電
変換素子に対応した信号電荷を蓄積する第2の蓄積用垂
直CCDと、上記第1及び第2の蓄積用垂直CCDに対
応してそれぞれ設けられる第1及び第2の読み出し用水
平CCDとを備え、垂直帰線期間において上記奇数行の
信号電荷と偶数行の信号電荷とを上記転送用垂直CCD
を通して時分割的に上記第1と第2の蓄積用垂直CCD
に転送することを特徴とするCCD固体撮像素子。 2、上記第1と第2の蓄積用垂直CCDは、その転送方
向に対して一直線状に並んで配置され、上記転送用垂直
CCDに接続するよう構成された第2の蓄積用CCD及
びそれに対応した水平CCDは、第1の蓄積用CCDへ
の信号電荷の転送動作の際には転送用垂直CCDとして
用いられるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のCCD固体撮像素子。 3、上記第1と第2の読み出し用水平CCDは、インタ
レースモードとノンインタレースモードに応じて選択的
に動作されるものであることを特徴とする特許請求の範
囲第1又は第2項記載のCCD固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1100062A JPH02280474A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Ccd固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1100062A JPH02280474A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Ccd固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02280474A true JPH02280474A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14263983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1100062A Pending JPH02280474A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Ccd固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02280474A (ja) |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP1100062A patent/JPH02280474A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20240006427A1 (en) | Imaging device and imaging system | |
| US10778918B2 (en) | Solid-state imaging device | |
| KR101254360B1 (ko) | 이미지 센서 및 이를 포함하는 카메라 | |
| US7456886B2 (en) | Image pickup apparatus | |
| CN1823532B (zh) | 具有电荷装仓的图像传感器 | |
| KR101204571B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 구동 방법 및 카메라 | |
| US20090201405A1 (en) | Solid-state imaging device | |
| JP2006253876A (ja) | 物理量分布検知装置および物理量分布検知装置の駆動方法 | |
| JP3854720B2 (ja) | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム | |
| JP2641802B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JPH04262679A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| US7616241B2 (en) | Color image sensing device and pixel data reading method thereof | |
| US5500675A (en) | Method of driving solid-state image sensing device | |
| JP2000295530A (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN101213829A (zh) | 具有可选择装仓的cmos图像传感器像素 | |
| JPH0834558B2 (ja) | 高品質ビデオカメラ | |
| JP7468594B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
| JPH02280474A (ja) | Ccd固体撮像素子 | |
| JPH0313192A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0440179A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH01165270A (ja) | Mos型固体撮像装置 | |
| KR20260015522A (ko) | 이미지 센싱 시스템 및 그 동작 방법 | |
| JPH03117985A (ja) | 固体撮像素子の駆動方式 | |
| JP2003282859A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0548976A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 |