JPH02280735A - 核磁気共鳴断層撮影装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は高周波アンテナを備えた核磁気共鳴断層撮影
装置に関する。

［従来の技術］ 高周波を遮り低周波を通す円筒形外被を有する高周波ア
ンテナを備え、この外被が円筒軸線に平行に延びる少な
くとも二つの内部導体を囲み、これらの内部導体のイン
ダクタンスが少なくとも一つの短絡キャパシタンスと共
に導波管共振器を形成する核磁気共鳴断層撮影装置が知
られている。

医療診断の分野では周知のように核磁気共鳴断層撮影装
置が用いられ、この装置では全体の陽子共鳴信号の計算
的な又は測定技術的な解析により、検査しようとする肉
体の空間的なスピン密度分布又は緩和時間分布からＸ線
断層像と類似した像が構成される。検査しようとする肉
体特に人体は強力で均一な磁界すなわち基本磁界の中に
入れられ、この磁界が人体の核スピンを揃える。更に空
間的に異なる磁界を発生させる傾斜コイルが設けられて
いる。高周波アンテナは核スピンを励起し、かつ励起さ
れた核スピンから構成される装置を受信する。この高周
波アンテナは一般に整合コンデンサ及び送受信分岐を経
て送信器及び受信器に接続されている。

核磁気共鳴断層撮影装置の従来例では、高周波アンテナ
は良導電性材料から成り高周波を遮り低周波を通す円筒
形外被を備え、この外被は円筒軸線に平行に延びる少な
くとも二つの内部導体を囲む、内部導体と外被とは送信
器及び受信器に接続されている。内部導体は短絡コンデ
ンサに接続され、内部導体のインダクタンスがこの短絡
キャパシタンスと共に導波管共振器を形成するようにな
っている。導体対により外被の内部で例えば１００ＭＨ
ｚの高い周波数を有する波伝播が可能となり、その際共
振状態が調節されるので、撮影体積の中では同相に振動
する磁界が発生し、内部導体上には定在波が形成される
。内部導体は短絡コンデンサにより、はぼ検査対象物す
なわち人体の大きさに相応する長さに制限される。外被
は高周波磁界のための案内体であるばかりでなく同時に
外部部品に対する高周波シールドである。これに反して
、厚さが望ましくは１００ｇｍ未満である外被の低周波
透過性に基づいて、撮影体積の中では低周波の傾斜磁界
はほぼ妨げられることなく伝播することができる。高周
波アンテナはそれぞれ一つの共鳴周波数に対して選ばれ
ている（欧州特許第００７３３７５号明細書参照）。

核磁気共鳴断層撮影装置の中の高周波アンテナは一般に
陽子撮影のために用いられる。しかしながらますます他
の原子例えばリン、フッ素又はナトリウムをも同じ設備
で検査できるようにすることが要求される。これらの原
子核は非常に異なる核スピン共鳴を有するので、これら
の原子核は相応に広帯域の高周波アンテナを用いなけれ
ば検査することができない、しかし高周波アンテナの広
帯域の構成は、装置損失を少なくしたいという要求のた
めに、許容されない大きい出費をかけなければ製作する
ことができない、それゆえに異なる原子核の検査のため
に従来は異なる高周波アンテナが用いられた。比較的小
さい寸法を有する高周波アンテナ例えば表面コイル又は
頭部コイルを使用する場合には、これらのアンテナを大
した苦労をせずに交換することができる。これに反して
このことは全身用共振器の場合には実際上不可能である
。従って全身用共振器は所定の原子の検査のためにだけ
、例えば専ら陽子検査のために用いられる。

【発明が解決しようとする課題１ この発明の課題は、容量的に短絡された導波管共振器の
形で、複数の共鳴周波数のために従って種々の原子の検
査のために用いることができる全身用共振器の構成を提
供することにある。

［課題を解決するための手段］ この課題はこの発明に基づき、一つの導波管共振器が複
数の共鳴周波数のために用いられ、各共鳴周波数に対し
て他の共鳴周波数から減結合された固有の入力端が設け
られ、各共鳴周波数に対して少なくとも一つの電流分岐
が設けられ、これらの電流分岐のうちの少なくとも一つ
の分岐が他の電流分岐の共鳴周波数に対する少なくとも
一つのトラップ回路を備えることにより解決される。

この核磁気共鳴断層撮影装置では、複数の周波数に適合
された共振器は直線偏波されたアンテナに対しては少な
くとも二つの内部導体から成り、また円偏波されたアン
テナに対しては少なくとも四つの内部導体から成る。共
振器の一実施悪様では異なる共鳴周波数を有する導体装
置が内外に重なり合っている。その際誘導性結合を望ま
しくない周波数のためのトラップ回路により防止するこ
とができ、トラップ回路はそのために内部導体の少なく
とも一方の端部に短絡コンデンサと直列に配置されてい
る。内部導体の容量性結合の効果は別のトラップ回路に
より内部導体の他方の端部で実際上防止できる。

入力側ではトラップ回路を直接に内部導体に接続するこ
とができる。それにより再入力端の減結合が達成される
。

核磁気共鳴断層撮影装置の特別な実施態様によれば、導
波管共振器は複数の共鳴周波数と強固な結合とのために
巾−の内部導体を有するにすぎず、この内部導体はまた
更に複数の短絡コンデンサを備えることができる。

トラップ回路は阻止しようとする共鳴周波数のための並
列振動回路であり、トラップ回路は特に伝送線路として
構成することができる。トラップ回路が大地に接続され
るならば、特にシールドを接地された同軸導体回路を用
いることができる。

［実施例］ 次にこの発明に基づく核磁気共鳴断層撮影装置の高周波
アンテナ回路の複数の実施例を示す図面により、この発
明の詳細な説明する。

第１図に示す導波管共振器としての核磁気共鳴断層撮影
装置用高周波アンテナの実施例では、かご形の中空円筒
形外被２が用いられ、その円筒軸線はｘ−ｙ−ｚ直角座
標系の２軸の方向に向いている０例えば約２００ｃｍの
長さＬと例えば約７０ｃｍの直径りとを有するこの外被
は１例えば銅から成るか又は少なくとも部分的に銀めっ
きされた銅から成ることもできる。更に外被は少なくと
も片面を金属化例えば銅めっき又は銀めっきされたプラ
スチックから成ることができる。外被２は四つの内部導
体４〜７を囲み、これらの内部導体のうちそれぞれ二つ
の導体が一つの導体装置を形成し、第１図では符号４，
５又は６．７が付けられている。これらの内部導体４〜
７は円筒軸線に平行に相互に間隔Ａを置いて配置され、
この間隔は例えば約２ｃｍとすることができる。内部導
体６．７を備えた導体装置は円筒形外被２から約３ｃｍ
離れているので、内部導体４．５は約６０ｃｍの直径ｄ
を有する検査空間を囲む０円筒形外被２により囲まれた
この導体装置により破線の矢印により示された高周波磁
界Ｂが発生し、この高周波磁界は円筒軸線の付近ではほ
ぼ均一でありかつｚ軸に垂直に向いている。導体４〜７
は少なくとも一端に少なくとも一つの短絡コンデンサ望
ましくは複数の短絡コンデンサを備え、これらの短絡コ
ンデンサのうち図には簡単化のために一つのコンデンサ
だけが示され、例えば内部導体４に対しては符号ｌＯが
付けられている。同様に残りの内部導体は短絡コンデン
サ１１−１３を備える。これらのコンデンサはコンデン
サに従属する内部導体のインダクタンスと共にそれぞれ
導波管共振器を形成する。内部導体４．５及び６，７の
電流方向は図中にそれぞれ矢印Ｊにより示されている。

導波管共振器のための給電線と内部導体４〜７の分離さ
れた送信器及び受信器への結合部とは図示されていない
。

内部導体４．６のそれぞれ送信器４０又は４１及び受信
：Ａ４２又は４３へのこの結合は第２図に示されている
。リンの検査のための例えばｆ２　＝６９ＭＨｚの低い
共鳴周波数のための内部導体４は、始端に少なくとも一
つの短絡コンデンサ１０を備える。終端にも複数の短絡
コンデンサ・を備えることができ、これらのコンデンサ
のうち第２図には［１化のために一つのコンデンサだけ
が示され符号１５が付けられている。内部導体４は更に
始端にｍ絡コンデンサ１−０に直列に高い共鳴周波数例
えばｆ＋＝１７０ＭＨｚに対するトラップ回路５０を愉
え、また終端に短絡コンデンサ１５に直列に同゛じトラ
ップ回路５１を備える。

同様に場合によっては設けられしかしながら図示されて
いない別の短絡コンデンサにトラップ回路が直列に接続
される。送信器４０は送受信分岐４４及び整合コンデン
サ３０を経て、トラップ回路５０と短絡コンデンサ１０
との結合導体に接続されている。短絡コンデンサｌＯに
は有利に更に、同調のための可変補助短絡コンデンサ１
７を並列接続することができる。高い共鳴周波数ｆ１の
ための内部導体６は更に補助短絡コンデンサ１４を備え
るのが有利である。内部導体６の始端は低い共鳴周波数
ｆ２に対するトラップ回路５２と短絡コンデンサ１２と
を経て接地されている。

内部導体６の端部は、第２図にただ一つだけが示され符
号１６が付けられている短絡コンデンサ及び低い共鳴周
波数ｆ２に対するトラップ回路５３を経て同様に接地さ
れている０図示の接地端子は外被２に設けられるのが有
利である。内部導体６に従属する送信器４１は送受信分
岐４５及び整合コンデンサ３１を経て、トラップ回路５
２と短絡コンデンサ１２との間の結合導体に接続されて
ぃる、同調のために望ましくは用いられる短絡コンデン
サは図中に符号１８で示されている。送受信分岐４４．
４５には更に各−つの受信器４２又は４３が接続される
。補助短絡コンデンサ１４による二重容量性短絡部を備
えた内部導体６は非常に高い共鳴周波数に特に適してい
る。

第３図に示す複数の運転周波数を備える核磁気共鳴断層
撮影装置の特に有利な実施例においては、両共鳴周波数
に対して共通な内部導体８が用いられ、この内部導体は
有利に導体装置の中の短絡コンデンサ１４及び更に図示
されていない補助短絡コンデンサを備えることができる
。この内部導体８は始端及び終端に両共鳴周波＊ｆ１．
ｆ２に対する電流の分離された制御のための手段を備え
る。この目的のために始端はトラップ回路５４又は５６
及び短絡コンデンサ１０又は１９を介して接地され、ま
た終端はトラップ回路５５又は５７及び短絡コンデンサ
２１又は２２を介して接地されている。送信器及び受信
器はそれぞれ入力端４６又は４７に接続されている。入
力回路はそれぞれ整合コンデンサ３２又は３３を備える
。内部導体８の中の電流はトラップ回路５４．５６及び
５５．５７のインピーダンスにより設定される。それぞ
れの二つのトラップ回路例えば高い周波数ｆ１のための
トラップ回路５４．５５では、他の回路の周波数が阻止
される０例えばこれらのトラップ回路５４．５５が阻止
すると、その電流分岐の中には低い周波数ｆ２を有する
電流Ｊだけが流れる０両共鳴周波数すなわち同時に高い
共鳴周波数ｆ１ばかりでなく低い共鳴周波数ｆ２による
運転も可能である。なぜならば低い周波数ｆ２に対する
トラップ回路５６．５７を備えた他の電流分岐の中には
高い共鳴周波ａ　ｆ　＋　を有する電流が流れることが
できるからである。

第４図に示す簡単化された実施例では同様に共通の内部
導体８が短絡コンデンサを備え、これらの短絡コンデン
サのうち簡単化のためにそれぞれ一つだけが示され符号
１ｏ、１５及び１９．２゜が付けられている。始端は短
絡コンデンサ１０及びトラップ回路５８を介して接地さ
れている。更に始端は短絡コンデンサ１９を介して直接
接地されている。同様に終端は短絡コンデンサ２０を介
して直接に、かつトラップ回路５９と直列の短絡コンデ
ンサ１５を介して接地されている。この実施例では両短
絡コンデンサ１９．２０が高い共鳴周波数ｆ、に対して
選ばれている０両トラップ回路５８．５９は同様に高い
共鳴周波数ｆｌ　に対して選ばれている。短絡コンデン
サ１０．１９とトラップ回路５８とを備えた両分岐、並
びに短絡コンデンサ１５．２０とトラップ回路５９とを
備えた両分岐が、それぞれ合わせて低い共鳴周波数ｆ２
のための短絡キャパシタンスを形成する。低い周波数ｆ
２に対してコンデンサ１５又は１０を選定する場合に、
コンデンサ２０又は１９及びトラップ回路５９又は５８
のインピーダンスを考慮することができる。それにより
この実施例では二つのトラップ回路が省略される。

トラップ回路は第５図に示すような並列共振回路を備え
、ｉ５図には短絡コンデンサ１ｏと直列なトラップ回路
５０が選ばれている。トラップ回路のインダクタンスＬ
とキャパシタンスＣとは。

トラップ回路が阻止しようとする共鳴周波数に対し高い
共振回路インピーダンスＺを有するように１ｆｆｔｆれ
ている。最大共振回路インピーダンスＺは例えば次式 ％式％） に示す共鳴周波数の場合の損失に関係する。従ってトラ
ップ回路の共鳴周波数ｆ１又はｆ２は隣接する分岐の阻
止しようとする共鳴周波数に対して選ばれている。トラ
ップ回路５９は例えば低い共鳴周波ａ　ｆ　２のための
回路の中では高い共鳴周波数ｆ１を阻止する。

トラップ回路は第６図に示すように特に終端で短絡され
た同軸導体７０を備えた伝送回路として有利に構成する
ことができる。この実施例は１例えば１０ｍｍの直径と
１＝入×／４の長さとを有する符号の無い外被を備えた
同軸導体７ｏを備える。ここで入×は伝送波長であり、
ｌは例えば１７０ＭＨｚに対しては約３０Ｃｍとなる。

しかしながら並列共振回路としての同軸導体のこの実雄
側のほかに平行な二つの導体を用いることもでき、その
ときその長さと間隔とは相応に選ばれる。

第７図には導体８４と大地との間の短絡コンデンサ２４
により゛容量的に短絡されかつ終端で短絡された同軸導
体７１を並列共振回路として示す。

従ってこの実施例では長さｌの一部が短絡コンデンサ２
４により補償されている。符号の無い外被はとこでも接
地されている。所定の共鳴周波数ｆＯに対しては短絡コ
ンデンサ２４の容量を次式％式％） ここで２１は伝送インピーダンスであり、β＝２πｌｖ
／入０ λＧは周波数ｆＯの場合の伝送波長である。

従属する内部導体１例えば両共鳴周波数ｆｌ、ｆｌのた
めの内部導体４，５を備えた導波管共振塁のための内部
導体４と５との相互接続、並びにこれらの内部導体の入
力端４６．４７を介して図示されていない送信器及び受
信器への結合は、ｔ５８図に示されている。内部導体４
．５は第４図に示すようにそれぞれ高い共鳴周波数ｆ１
に基づき選ばれた短絡コンデンサ１９．２０を介して接
地されている。更に両端はそれぞれ短絡コンデンサ１０
．１５と各−つのトラップ回路５８．５９との直列回路
を介して接地されている。短絡コンデンサ１０．１９及
びトラップ回路５Ｂのインピーダンスは一緒に低い共鳴
周波数ｆ２のための短絡キャパシタンスを形成する。同
様に短絡コンデンサ１５．２０及びトラップ回路５９の
インピーダンスが低い共鳴周波数ｆ２のための短絡キャ
パシタンスを形成する。内部導体５の始端と終端とは同
様な方法で短絡コンデンサ１１．２１及び２２．２３並
びに符号の無いトラップ回路に接続されている。

内部導体４の始端は共鳴周波１＆　ｆ　ｒのためのトラ
ップ回路６０．同軸導体７２及び整合コンデンサ３４を
介し入力端４６に結合されている。始端は更にｆｌのた
めのトラップ回路６１、同軸導体７５及び整合コンデン
サ３５を介して入力端４７に結合されている。同様に内
部導体５の始端はそれぞれ、ｆｌ又はｆｌのためのトラ
ップ回路６２又は６３と同軸導体７３又は７４と整合コ
ンデンサ３４又は３５とを介して入力端４６又は４７に
結合されている。入力端４６には図示されていない送受
信分岐を介して低い共鳴周波数ｆ２のための送信器及び
受信器が接続されるのが有利であり、入力端４７には同
様に送受信分岐を介して高い周波数ｆｌのための送信器
及び受信器が接続されるのが有利である。整合コンデン
サ３４は例えば６９ＭＨｚの入力される低い共鳴周波数
ｆ２に対して選ばれ、また整合コンデンサ３５は例えば
１７０ＭＨｚの入力される高い共鳴周波数ｆ、に対して
選ばれている。装置の特別な実施例では整合コンデンサ
３４．３５に各−つの補助同調コンデンサ２６．２７を
付設することができる。整合コンデンサ３４．３５とト
ラップ回路６０〜６３との間の結合導体は、それぞれシ
ールドを備えた同軸導体として構成されるのが有利であ
る。同軸導体７２と７３又は７４と７５との間の長さの
差はそれぞれの共鳴周波数に対してλ／２である。

従って同軸導体７３又は７５はそれぞれ導体７２又は７
４よりλ／２だけ長い、それにより導体４．５の中の電
流Ｊの１８０’の位相ずれが得られる。それぞれの同軸
導体の電気的な全長は少なくともほぼλ／２又はその倍
数とすべきである。

そのとき導体４又は５の入力点でのインピーダンスは整
合コンデンサ３４又は３５の個所で同じ値に変換される
。導体の物理的な長さについてはトラップ回路６０〜６
３の影響を考慮すべきである。

変形案として電流Ｊの１８０’の位相ずれを起こさせる
ために、第９図に示すように内部導体４には前側でかつ
内部導体５には後ろ側で入力することもできる。この実
施例では低い共鳴周波数ｆ２は整合コンデンサ３４と同
軸導体７６．７７とトラップ回路６０．６２とを経て入
力され、高い共鳴周波数ｆｌは整合コンデンサ３５と同
軸導体７８．７９とトラップ回路６３，８１とを経て入
力される。この場合には同軸導体７６．７７及び７８．
７９に対して同じ伝送長さが得られる。

結合の特に簡単な実施例が第１θ図に示され、この実施
例では同様に電流Ｊを有する内部導体４．５並びに短絡
コンデンサ及びトラップ回路の同様な装置が選ばれてい
る。この実施例では内部導体４の始端は共鳴周波数ｆ！
のためのトラップ回路６４及び整合コンデンサ３６を介
して低い共鳴周波数ｆ２のための入力端４６に結合され
ている。内部導体４の始端は更に区切り点Ｓを備えた線
路を経て内部導体５の始端に結合され、この区切り点は
低い共鳴周波数ｆ２のためのトラップ回路６５及び整合
コンデンサ３７を経て高い周波数ｆｌ　のための入力端
４７に結合されている。整合コンデンサ３６．３７には
それぞれ符号の無い同調コンデンサを付設することがで
きるので有利である０区切り点Ｓにより二つの導体８０
．８１が形成され、その長さｌ　ｓｏ、　　ｌ　ｓ＋は
低い共鳴周波数ｆ２に対してλ／２バラン回路が生じる
ように選ばれている。それゆえに導体８０．８１の長さ
は低い共鳴周波数ｆ２に対して、 １８０＋１８　童　＝＝＝＝　　入２　／　２また高い
共鳴周波ａｆ１に対して。

１８０−１８１−人１／２ となるように選ばれる。それにより低い共鳴周波ｌｊｔ
　ｆ　２の入力に対して内部導体４へは直接入力され、
内部導体５へは入２／２バラン回路を介して入力される
。これに反して高い共鳴周波数ｆ１に対しては導体４．
５が入１／２の長さの差を有する線路を介して入力され
る。それによりこの場合にも角周波数において導体４．
５の中の電流が１８０”だけ位相がずれているというこ
とが保証される。上記の式による線路長の和又は差は半
波長の整数倍Ｎを選ぶこともできる。

特に有利な一実施例によれば、第１０図に示すように内
部導体４を同軸導体８２を介してトラップ回路６４に結
合することができ、同軸導体８２の長さ１１１２は、大
地に対するトラップ回路６４の漂遊キャパシタンスが内
部導体４の始端では高い共鳴周波数ｆ１の場合に無負荷
運転へ変換されるように選ばれている。

これまで述べた一実施例では、それぞれ直線偏波高周波
磁界Ｂを発生させる導波管共振器が選ばれた。しかしな
がら円偏波高周波磁界Ｂを発生させる導波管共振器を用
いることもできる。この場合には導体装置が９０°だけ
ずれている二つの直線偏波導波管共振器が共通の外被２
の内部に配置される。

この発明に基づく導波管共振器を備えた核磁気共鳴断層
撮影装置が一般にｎｇ４の共鳴周波数に対して用いられ
るときは、ｎ個の電流分岐が少なくとも一端に配置され
、これらの分岐は阻止しようとする共鳴周波数のための
（ｎ−１）個のトラップ回路を備える。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に基づく核磁気共鳴断層撮影装置の全
身用高周波アンテナの一実施例の斜視図、第２図ないし
第４図及び第８図ないし第１０図はそれぞれこの発明に
基づくアンテナ回路の異なる実施例を示す回路図、第５
図ないし第７図はそれぞれ前記アンテナ回路に用いられ
るトラップ回路の異なる実施例の回路図である。 ２・・・円筒形外被 ４〜７・・・内部導体 ｌＯ〜１６．１９〜２４・・・短絡コンデンサ３０〜３
７・・・整合コンデンサ ４４．４５．５０〜６５・・・トラップ回路４６．４７
・・・入力端 ７０〜７９・・・同軸導体 ８０．８１・・・λ／２バラン回路 ８４・・・中心導体 ｆ、、ｆ２・・・共鳴周波数 Ｓ・・・区切り点

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）高周波を遮り低周波を通す円筒形外被を有する高周
   波アンテナを備え、この外被が円筒軸線に平行に延びる
   少なくとも二つの内部導体を囲み、これらの内部導体の
   インダクタンスが少なくとも一つの短絡キャパシタンス
   と共に導波管共振器を形成する核磁気共鳴断層撮影装置
   において、一つの導波管共振器が複数の共鳴周波数（ｆ
   ＿１、ｆ＿２）のために用いられ、各共鳴周波数（ｆ＿
   １、ｆ＿２）に対して他の共鳴周波数（ｆ＿２、ｆ＿１
   ）から減結合された固有の入力端が設けられ、各共鳴周
   波数（ｆ＿１、ｆ＿２）に対して少なくとも一つの電流
   分岐が設けられ、これらの電流分岐のうちの少なくとも
   一つの分岐が他の電流分岐の共鳴周波数に対する少なく
   とも一つのトラップ回路を備えることを特徴とする核磁
   気共鳴断層撮影装置。 ２）内部導体（４〜７）が始端及び終端にそれぞれ少な
   くとも一つのトラップ回路（５０〜５３）を備えること
   を特徴とする請求項１記載の装置。 ３）著しく異なる共鳴周波数のために、高い方の共鳴周
   波数に対する内部導体（６）が少なくとも一つの補助短
   絡コンデンサ（１４）を備えることを特徴とする請求項
   ２記載の装置。 ４）共通の内部導体（８）が用いられることを特徴とす
   る請求項２記載の装置。 ５）内筒導体（８）が複数の短絡コンデンサを備えるこ
   とを特徴とする請求項４記載の装置。 ６）共通の内部導体を備え、その始端及び終端がそれぞ
   れ高い共鳴周波数（ｆ＿１）のための少なくとも一つの
   短絡コンデンサ（１９、 ２０）を介して直接接地され、かつその始端及び終端が
   それぞれ少なくとも一つの短絡コンデンサ（１０、１５
   ）及び高い周波数 （ｆ＿１）のための少なくとも一つのトラップ回路（５
   ８、５９）を介して接地されることを特徴とする請求項
   １記載の装置。 ７）それぞれ阻止しようとする共鳴周波数 （ｆ＿１又はｆ＿２）のためのトラップ回路（５０〜６
   ５）として並列共振回路を備えることを特徴とする請求
   項１記載の装置。 ８）トラップ回路が終端で短絡されたλ／４同軸導体（
   ７０）から成ることを特徴とする請求項７記載の装置。 ９）トラップ回路が終端で短絡された同軸導体（７１）
   を備え、この同軸導体の長さ（ｌ＿ｖ）がλ／４より小
   さく、かつこの同軸導体の入力端には短絡コンデンサ（
   ２４）が中心導体（８４）と大地との間に配置されてい
   ることを特徴とする請求項７記載の装置。 １０）内部導体（４、５）がそれぞれ同軸導体（７２又
   は７３）を備えたトラップ回路（６０又は６２）と整合
   コンデンサ（３４）との直列回路を経て第１の入力端（
   ４６）に接続され、かつ同軸導体（７５又は７４）を備
   えたトラップ回路（６１又は６３）と整合コンデンサ（
   ３５）との直列回路を経て第２の入力端（４７）に接続
   され、同一の入力端（４６又は４７）に接続された同軸
   導体（７２、７３又は７４、７５）の長さが接続された
   送信器の半波長λ／２だけ異なっていることを特徴とす
   る請求項１記載の装置。 １１）第１の内部導体（４）の始端と第２の内部導体（
   ５）の終端とがそれぞれ、同軸導体（７６又は７７）を
   備えたトラップ回路（６０又は６２）と整合コンデンサ
   （３４）との直列回路を経て第１の入力端（４６）に接
   続され、かつ同軸導体（７９又は７８）を備えたトラッ
   プ回路（６１又は６３）と整合コンデンサ（３５）との
   同様な直列回路を経て第２の入力端（４７）に接続され
   ていることを特徴とする請求項１記載の装置。 １２）高い共鳴周波数（ｆ＿１）及び低い共鳴周波数（
   ｆ＿２）のための導波管共振器を備え、内部導体（４）
   が高い共鳴周波数（ｆ＿１）のためのトラップ回路（６
   ４）と整合コンデンサ（３６）とを経て低い共鳴周波数
   （ｆ＿２）のための入力端（４６）に接続され、両内部
   導体（４、５）が区切り点（Ｓ）を備えたλ＿２／２バ
   ラン回路（８０、８１）を介して相互に結合され、この
   区切り点が長さｌ＿８＿０を有する導体（８０）を経て
   第１の内部導体（４）に結合され、かつ長さｌ＿８＿１
   を有する導体（８１）を経て第２の内部導体（５）に結
   合され、区切り点（Ｓ）が低い共鳴周波数（ｆ＿２）の
   ためのトラップ回路（６５）と整合コンデンサ（３７）
   とを経て高い共鳴周波数（ｆ＿１）のための入力端（４
   ７）に接続されていることを特徴とする請求項１記載の
   装置。