JPH0228125A - ４―ヒドロキシフェニル芳香族化合物およびその誘導体の製造方法 - Google Patents
４―ヒドロキシフェニル芳香族化合物およびその誘導体の製造方法Info
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- JPH0228125A JPH0228125A JP13028189A JP13028189A JPH0228125A JP H0228125 A JPH0228125 A JP H0228125A JP 13028189 A JP13028189 A JP 13028189A JP 13028189 A JP13028189 A JP 13028189A JP H0228125 A JPH0228125 A JP H0228125A
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- C07C37/50—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring by reactions decreasing the number of carbon atoms
- C07C37/52—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring by reactions decreasing the number of carbon atoms by splitting polyaromatic compounds, e.g. polyphenolalkanes
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- C07C319/00—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides
- C07C319/02—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides of thiols
- C07C319/12—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides of thiols by reactions not involving the formation of mercapto groups
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C319/00—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides
- C07C319/14—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides of sulfides
- C07C319/20—Preparation of thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides of sulfides by reactions not involving the formation of sulfide groups
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C49/00—Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
- C07C49/76—Ketones containing a keto group bound to a six-membered aromatic ring
- C07C49/82—Ketones containing a keto group bound to a six-membered aromatic ring containing hydroxy groups
- C07C49/83—Ketones containing a keto group bound to a six-membered aromatic ring containing hydroxy groups polycyclic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は４−ヒドロキシフェニル芳香族化合物、特にビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）芳香族化合物およびその
誘導体の製造方法に関する。
ス（４−ヒドロキシフェニル）芳香族化合物およびその
誘導体の製造方法に関する。
４．４′〜ジヒドロキシ−ｐ−ターフェニル、および関
連する化合物はポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポ
リエーテルスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート
および他のポリマーの製造に用途が見い出されている。
連する化合物はポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポ
リエーテルスルホン、ポリエステル、ポリカーボネート
および他のポリマーの製造に用途が見い出されている。
未置換化合物は高性能エンジニアリングポリマーの製造
に特に有効である。
に特に有効である。
本発明の第１の態様に従い、下式■
Ｘ −Ｐｈ−Ａｒ−Ｐｈ −Ｘ （Ｉ ）
〔上式中、静は１，４−フェニレン、１，３−フェニレ
ンまたは直接に結合しているあるいはＣ０１ＳＯ□、０
．ＳまたはＣＲＹ（各Ｒは独立に水素、０１〜Ｃ４アル
キルあるいはフルオロアルキルまたはフェニルを表わす
）により結合している少なくとも２個の芳香族基を含む
ポリ芳香族基より選ばれる置換あるいは未置換芳香族基
であり；Ｐｈは所望によりＣ２〜Ｃ４アルキル、ハロゲ
ンまたはヒドロキシより選ばれた１個あるいは２個の置
換基で置換した１、４−フェニレンであり；ＸはＯＢ
、 ＳＲ。
〔上式中、静は１，４−フェニレン、１，３−フェニレ
ンまたは直接に結合しているあるいはＣ０１ＳＯ□、０
．ＳまたはＣＲＹ（各Ｒは独立に水素、０１〜Ｃ４アル
キルあるいはフルオロアルキルまたはフェニルを表わす
）により結合している少なくとも２個の芳香族基を含む
ポリ芳香族基より選ばれる置換あるいは未置換芳香族基
であり；Ｐｈは所望によりＣ２〜Ｃ４アルキル、ハロゲ
ンまたはヒドロキシより選ばれた１個あるいは２個の置
換基で置換した１、４−フェニレンであり；ＸはＯＢ
、 ＳＲ。
ＯＲ”またはＳＲ”（Ｒ”はＣｌ−Ｃ４アルキルまたは
例えばメチルあるいはｔｅｒ ｔ−ブチルまたはベンジ
ルである）である〕 で表わされるビス（４−ヒドロキシフェニル）芳香族化
合物およびその誘導体の製造方法は、下式■（上式中、
Ａは水素を除去した際暴行を生ずる飽和あるいは一部飽
和環式基である） で表わされる化合物の脱水素化工程を含んでなる。
例えばメチルあるいはｔｅｒ ｔ−ブチルまたはベンジ
ルである）である〕 で表わされるビス（４−ヒドロキシフェニル）芳香族化
合物およびその誘導体の製造方法は、下式■（上式中、
Ａは水素を除去した際暴行を生ずる飽和あるいは一部飽
和環式基である） で表わされる化合物の脱水素化工程を含んでなる。
「直接結合」とは、芳香族基がビフェニレンおよびクー
フェニレン内として環の間の直接結合により結合してい
ることをまたはナフタレンあるいはペンタレン内として
縮合環システムで結合していることを意味する。
フェニレン内として環の間の直接結合により結合してい
ることをまたはナフタレンあるいはペンタレン内として
縮合環システムで結合していることを意味する。
基Ｐｈは置換している場合、好ましくは基Ｘに対し２ま
たは３位で置換している。
たは３位で置換している。
ポリ芳香族基Ａｒ（７）例は、Ｐｈ５ＯＺＰｈ、ＰｈＣ
０Ｐｈ、Ｐｈ０Ｐｈ。
０Ｐｈ、Ｐｈ０Ｐｈ。
Ｐｈ５Ｐｈ、ＰｈＣＲ”ＺＰｈ （各Ｒ１は独立ニＨ、
ＣＨ，、またはＣｂＨｓを表わす）、およびナフチレン
（Ｉ、４； １゜５；２，６；２，７）を含む。
ＣＨ，、またはＣｂＨｓを表わす）、およびナフチレン
（Ｉ、４； １゜５；２，６；２，７）を含む。
脱水素化は脱水素化触媒の存在下で行なわれる。
これは白金触媒、例えば白金担体触媒（例えばｐｉ−Ｃ
）；金属白金；酸化白金等フパラジウム触媒、例えばパ
ラジウム担体触媒（例えばＰｄ−Ｃ，ＰｄＢａＳＯ４、
Ｐｄ ＭｇＯ、Ｐｄ ＣａＯ、Ｐｄ ＡｆｚＯ３）；金
属パラジウム；酸化パラジウム等；ロジウム触媒、例え
ばロジウム組体触媒（例えばＲｈ−Ｃ）；ルテニウムま
たはレニウム触媒を含む。池の触媒はラニニノケル、ラ
ニーコバルト、アルいはラニー１同；還元ニッケル、コ
バルトあるいは銅；ニッケル担体、コバルト担体あるい
は銅担体触媒を含む。基質が反応性基を含まない場合白
金群金属の使用が好ましい。
）；金属白金；酸化白金等フパラジウム触媒、例えばパ
ラジウム担体触媒（例えばＰｄ−Ｃ，ＰｄＢａＳＯ４、
Ｐｄ ＭｇＯ、Ｐｄ ＣａＯ、Ｐｄ ＡｆｚＯ３）；金
属パラジウム；酸化パラジウム等；ロジウム触媒、例え
ばロジウム組体触媒（例えばＲｈ−Ｃ）；ルテニウムま
たはレニウム触媒を含む。池の触媒はラニニノケル、ラ
ニーコバルト、アルいはラニー１同；還元ニッケル、コ
バルトあるいは銅；ニッケル担体、コバルト担体あるい
は銅担体触媒を含む。基質が反応性基を含まない場合白
金群金属の使用が好ましい。
白金群金属脱水素化触媒の量は、化合物■に対し０．０
０１〜０．２モルの触媒金属であるが、他の比を用いて
もよい。
０１〜０．２モルの触媒金属であるが、他の比を用いて
もよい。
部分脱水素化は塩基、例えばＮａ０ＩＩの存在下式■の
化合物の熱分解により行なわれる。
化合物の熱分解により行なわれる。
脱水素化は酸あるいは塩基の存在下で行ってよいがいず
れも用いる必要がない。塩基、例えば水酸化アルカリ金
属、例えば水酸化すｌ・リウムあるいは水酸化カリウム
、水酸化アルカリ土類金属、例えば水酸化マグネシウム
あるいは水酸化バリウム、カーボネート、例えば炭酸ナ
トリウム、アセテートおよびフェノキシトの使用が好ま
しい。強塩基、例えば水酸化ナトリウムの使用が好まし
い。
れも用いる必要がない。塩基、例えば水酸化アルカリ金
属、例えば水酸化すｌ・リウムあるいは水酸化カリウム
、水酸化アルカリ土類金属、例えば水酸化マグネシウム
あるいは水酸化バリウム、カーボネート、例えば炭酸ナ
トリウム、アセテートおよびフェノキシトの使用が好ま
しい。強塩基、例えば水酸化ナトリウムの使用が好まし
い。
酸触媒はルイス酸、例えば塩化アルミニウム、塩化第一
鉄、および塩化第一錫；スルホン酸、例えば４−トルエ
ンスルホン酸およびＣＦ３５Ｏ，Ｈを含む。
鉄、および塩化第一錫；スルホン酸、例えば４−トルエ
ンスルホン酸およびＣＦ３５Ｏ，Ｈを含む。
水素受容体は必須ではないが用いてよい。用いてよい従
来の水素受容体は、硫黄、セレニウム、キノンおよび不
飽和化合物、例えばアルケンまたはアルキンを含む。ア
ゾ、ニトロ、カルボニルまたはフェノール化合物も用い
てよい。特に、有効な化合物を形成する場合、不飽和化
合物、例えばα−メチルスチレンまたはフェノールが好
ましい。
来の水素受容体は、硫黄、セレニウム、キノンおよび不
飽和化合物、例えばアルケンまたはアルキンを含む。ア
ゾ、ニトロ、カルボニルまたはフェノール化合物も用い
てよい。特に、有効な化合物を形成する場合、不飽和化
合物、例えばα−メチルスチレンまたはフェノールが好
ましい。
α−メチルスチレンはクメンヲ生し、フェノールはシク
ロヘキサノンまたはシクロヘキサノールを生ずる。
ロヘキサノンまたはシクロヘキサノールを生ずる。
脱水素化は好ましくは１００〜４００°Ｃ１より好まし
くは１５０〜３００’Ｃの温度において行なわれる。
くは１５０〜３００’Ｃの温度において行なわれる。
溶媒の使用が好ましい。従来の脱水素化溶媒を用いてよ
い。溶）夜中の反応は通常比較的高沸点溶媒、例えばク
メン、Ｐ−クメン、デカリン、ニトロヘンゼン、ナフタ
レン、キノリンあるいは１−メチルナフタレン中で還流
下で行なわれる。ポリグリコールエーテル、例えばトリ
グリムはその水との相溶性のため仕上げの間の除去の都
合よさおよび広範囲の沸点の利点を与える。混合物を撹
拌するためおよび′ｔＩ離したシステムからの水素を除
去するため激しく沸騰させまたは溶液に不活性ガスを通
すことがしばしば行なわれる。溶媒として水素受容体を
用いてもよい。好ましい方法において、水素受容体は下
式■、 ＨＰｈＸ （［）で表わさ
れ、例えばフェノールであり、式■の化合物を製造する
縮合反応に用いられる。この脱水素化工程に水が存在し
てよい。
い。溶）夜中の反応は通常比較的高沸点溶媒、例えばク
メン、Ｐ−クメン、デカリン、ニトロヘンゼン、ナフタ
レン、キノリンあるいは１−メチルナフタレン中で還流
下で行なわれる。ポリグリコールエーテル、例えばトリ
グリムはその水との相溶性のため仕上げの間の除去の都
合よさおよび広範囲の沸点の利点を与える。混合物を撹
拌するためおよび′ｔＩ離したシステムからの水素を除
去するため激しく沸騰させまたは溶液に不活性ガスを通
すことがしばしば行なわれる。溶媒として水素受容体を
用いてもよい。好ましい方法において、水素受容体は下
式■、 ＨＰｈＸ （［）で表わさ
れ、例えばフェノールであり、式■の化合物を製造する
縮合反応に用いられる。この脱水素化工程に水が存在し
てよい。
トリアリール化合物の形成は脱水素化が例えばシクロヘ
キサノンおよびフェノールからのビアリ、−ル化合物の
形成よりも低温で進行する点で有利である。これはテト
ラキス化合物から２分子のＨＰ ｈ Ｘ、例えばフェノ
ールの除去の際２ｆＩＩの二重結合の形成に帰因する。
キサノンおよびフェノールからのビアリ、−ル化合物の
形成よりも低温で進行する点で有利である。これはテト
ラキス化合物から２分子のＨＰ ｈ Ｘ、例えばフェノ
ールの除去の際２ｆＩＩの二重結合の形成に帰因する。
弐■の化合物は、弐■の化合物と環式ジオンとの縮合に
より製造される。米国特許第４２７７６００号に記載さ
れた都合のよい方法は、これらの試剤の混合物への塩化
水素の通過を含む。
より製造される。米国特許第４２７７６００号に記載さ
れた都合のよい方法は、これらの試剤の混合物への塩化
水素の通過を含む。
適当なジオンは、シクロヘキサン−１，４−ジオン、シ
クロヘキサン−１，３−ジオン、ビシクロへキシル−４
，４′−ジオン、ビシクロへキシル−３，４′−ジオン
、プロパン−２，２−ビス（シクロヘキサン−４−オン
）、ビシクロヘキサン（３，３，０）−２，５−ジオン
（ベンタランジオノ）、デカリン−１，５−ジオン、デ
カリン−１，４−ジオン、デカリン−２，６−ジオン、
ビス（シクロヘキシル）−ケトン−４，４′−ジオン、
およびビス（シクロヘキシル）スルホン−４，４′−ジ
オンを含む。保護されたあるいはマスクされたジオン、
例えばこれらのジオンのテトラアセテートあるいはビス
ケタールを用いてよい。
クロヘキサン−１，３−ジオン、ビシクロへキシル−４
，４′−ジオン、ビシクロへキシル−３，４′−ジオン
、プロパン−２，２−ビス（シクロヘキサン−４−オン
）、ビシクロヘキサン（３，３，０）−２，５−ジオン
（ベンタランジオノ）、デカリン−１，５−ジオン、デ
カリン−１，４−ジオン、デカリン−２，６−ジオン、
ビス（シクロヘキシル）−ケトン−４，４′−ジオン、
およびビス（シクロヘキシル）スルホン−４，４′−ジ
オンを含む。保護されたあるいはマスクされたジオン、
例えばこれらのジオンのテトラアセテートあるいはビス
ケタールを用いてよい。
置換ジオンを用いてもよい。適当な置換基はＲおよびＣ
０２Ｒ（ＲはＣ５〜Ｃ４アルキルを表わす）を含む。
０２Ｒ（ＲはＣ５〜Ｃ４アルキルを表わす）を含む。
本発明の第２の態様に従い、下式■、
（Ｘ−Ｐｈ）、、 −八ｒ
（ＩＶ ）（上式中、Ａｒ 、 ＰｈおよびＸは
前記規定のものであり、ｎは１または２である） で表わされる４−ヒドロキシフェニル芳香族化合物また
はその誘導体の製造方法は、下式Ｖで表わされる化合物
の形成工程を含んでなり、基Ａに相当する環式モノある
いはジケトンと下式■ＨＰｈＸ
（Ｉ［［）で表わされる化合物の縮合および化合
物■の脱水素化により、この脱水素化は化合物Ｖを単離
しないで行なわれる。
（ＩＶ ）（上式中、Ａｒ 、 ＰｈおよびＸは
前記規定のものであり、ｎは１または２である） で表わされる４−ヒドロキシフェニル芳香族化合物また
はその誘導体の製造方法は、下式Ｖで表わされる化合物
の形成工程を含んでなり、基Ａに相当する環式モノある
いはジケトンと下式■ＨＰｈＸ
（Ｉ［［）で表わされる化合物の縮合および化合
物■の脱水素化により、この脱水素化は化合物Ｖを単離
しないで行なわれる。
環式モノあるいはジケトンは保護されたまたはマスクさ
れた形状で導入される。これはｎ＝２、化合物■が前記
の化合物■である場合認められる。
れた形状で導入される。これはｎ＝２、化合物■が前記
の化合物■である場合認められる。
この方法はビフェニルおよびターフェニル化合物の工業
スケール製造に特定の用途が見い出されている。例えば
、ＥＰ２４０３６２およびＥＰ２５１６１４に開示され
た化合物はこの方法により経済的に製造される。この方
法は１個の反応容器内での操作を可能とし、本発明の産
業上の利用を促進する。
スケール製造に特定の用途が見い出されている。例えば
、ＥＰ２４０３６２およびＥＰ２５１６１４に開示され
た化合物はこの方法により経済的に製造される。この方
法は１個の反応容器内での操作を可能とし、本発明の産
業上の利用を促進する。
縮合段階において、化合物■反応体はケト基の好ましく
は例えば２〜２０、特に５〜１０倍過剰で存在する。従
ってそれは両方の段階において溶媒としておよび脱水素
化段階において水素受容体として作用する。
は例えば２〜２０、特に５〜１０倍過剰で存在する。従
ってそれは両方の段階において溶媒としておよび脱水素
化段階において水素受容体として作用する。
縮合反応は好ましくは酸触媒化である。適当な酸触媒は
、ブロンステソＦ酸（所望により水の存在下）、例えば
ＩＩＸ（Ｘ＝Ｆ 、 Ｃ／２ 、Ｂｒ、 Ｉ）、）＋２
ｓＯ４、Ｈ３ＰＯ４、ハロゲン化酢酸、スルホン酸、例
えばベンゼンスルホン酸、トリフル酸、高分子酸、例え
ばスルホン酸基を含む陽イオン交換樹脂（例えばＡｍｂ
ｅｒｌｙｓｔ １５、Ｎａｆｉｏｎ−Ｈ）である。ルイ
ス酸、例えば［ｌＦ３ 、ＡｌＣ１ｙ 、ＺｎＣ１ｚ
、またはアルミニウムフェネートをそれのみまたは上記
ブロンステ・７ド酸と組み合せて用いてよい。酸形状の
ゼオライトを用いてよい。例えば総反応混合物の１〜１
０％ｗ ／ ｗで水が存在する場合、その後の脱水素化
の生成物の純度は影響されないと考えられる。特に、気
体塩化水素のかわりに濃塩酸を用いてよく、塩酸中に存
在するおよび縮合反応により形成する水は１留によりそ
の後除去される。
、ブロンステソＦ酸（所望により水の存在下）、例えば
ＩＩＸ（Ｘ＝Ｆ 、 Ｃ／２ 、Ｂｒ、 Ｉ）、）＋２
ｓＯ４、Ｈ３ＰＯ４、ハロゲン化酢酸、スルホン酸、例
えばベンゼンスルホン酸、トリフル酸、高分子酸、例え
ばスルホン酸基を含む陽イオン交換樹脂（例えばＡｍｂ
ｅｒｌｙｓｔ １５、Ｎａｆｉｏｎ−Ｈ）である。ルイ
ス酸、例えば［ｌＦ３ 、ＡｌＣ１ｙ 、ＺｎＣ１ｚ
、またはアルミニウムフェネートをそれのみまたは上記
ブロンステ・７ド酸と組み合せて用いてよい。酸形状の
ゼオライトを用いてよい。例えば総反応混合物の１〜１
０％ｗ ／ ｗで水が存在する場合、その後の脱水素化
の生成物の純度は影響されないと考えられる。特に、気
体塩化水素のかわりに濃塩酸を用いてよく、塩酸中に存
在するおよび縮合反応により形成する水は１留によりそ
の後除去される。
さらに、チオールあるいはチオエーテル基を含む促進剤
、例えば１１□Ｓ、アルキルメルカプタン、メルカプト
−アミンあるいはチアゾールを上記酸と共に用いてよい
。
、例えば１１□Ｓ、アルキルメルカプタン、メルカプト
−アミンあるいはチアゾールを上記酸と共に用いてよい
。
化合物■反応体は、４位において置換していなシ）どの
ような化合物であってよい。好ましい化合物において、
ＸはＯＨである。ケトン反応体はどの上記ジオンまたは
相当するモノケトンであってよい。
ような化合物であってよい。好ましい化合物において、
ＸはＯＨである。ケトン反応体はどの上記ジオンまたは
相当するモノケトンであってよい。
脱水素化段階に対し、未反応化合物■を含む化合物Ｖの
溶液は強塩基、例えばＮａＯＨの添加によりアルカリ性
にされる。脱水素化触媒、例えばＰｄＣが加えられ、温
度を１６０〜２００”Ｃに上げ水を蒸留する。次いでこ
の混合物を脱水素化が完了するまで（例えば４時間）還
流上加熱し、次いで冷却し酸性化する。酸性化後、所望
により低温での濾過を促進するため溶液として未反応お
よび発生したフェノールを保つため水の添加後、得られ
る混合物より生成物化合物■を濾過する。
溶液は強塩基、例えばＮａＯＨの添加によりアルカリ性
にされる。脱水素化触媒、例えばＰｄＣが加えられ、温
度を１６０〜２００”Ｃに上げ水を蒸留する。次いでこ
の混合物を脱水素化が完了するまで（例えば４時間）還
流上加熱し、次いで冷却し酸性化する。酸性化後、所望
により低温での濾過を促進するため溶液として未反応お
よび発生したフェノールを保つため水の添加後、得られ
る混合物より生成物化合物■を濾過する。
化合物■を形成するため、塩基触媒、例えばＮａまたは
にフェネートを用いてよい。この際脱水素化前のアルカ
リの添加は必要ない。
にフェネートを用いてよい。この際脱水素化前のアルカ
リの添加は必要ない。
本発明をさらに例により説明するが、限定するものでは
ない。
ない。
炎上
米国特許第４．７７６、００４号の例１に開示された方
法に従いテトラフェノール、１，１，４．４−−ｊ−ト
ラキス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンを製
造した。
法に従いテトラフェノール、１，１，４．４−−ｊ−ト
ラキス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンを製
造した。
このテトラフェノール（ｍｐ ３１６〜３２４°Ｃ）は
’Ｈおよび” Ｃ−ＮＭＲにより少なくとも純度９５％
であることが示された。
’Ｈおよび” Ｃ−ＮＭＲにより少なくとも純度９５％
であることが示された。
Ｈｏ−ＯＨ凌（）ＯＨ
ステンレススチールオートクレーブ内で水酸化ナトリウ
ム（０，８２ｇ）、木炭上５％パラジウム（０，１２ｇ
）、α−メチルスチレン（６，６０ｇ ）および水（３
０ｈ＋４りと共に１．１，４．４−テトラキス（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサン（Ｉ３，５８ｇ ）
を２５０°Ｃで３．５時間加熱した。さらに水酸化ナト
リウム（２，０ｇ）を加え、この混合物を撹拌しなから
氷酢酸（５０戚）に注いだ。固体生成物を集め、水洗し
、真空下５０’Ｃで乾燥した。
ム（０，８２ｇ）、木炭上５％パラジウム（０，１２ｇ
）、α−メチルスチレン（６，６０ｇ ）および水（３
０ｈ＋４りと共に１．１，４．４−テトラキス（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサン（Ｉ３，５８ｇ ）
を２５０°Ｃで３．５時間加熱した。さらに水酸化ナト
リウム（２，０ｇ）を加え、この混合物を撹拌しなから
氷酢酸（５０戚）に注いだ。固体生成物を集め、水洗し
、真空下５０’Ｃで乾燥した。
この４．４″−ジヒドロキシ−ｐ〜ターフェニ／ｌ／
（７，８８ｇ ）は１Ｈおよび’ ”Ｃ−ＮＭＲニよす
純度９５％であることが示された。 ’）Ｉ−ＮＭＩ？
スペクトルは６．９８ 、７．６３および７．７３ｐＰ
ＩＩ＋において共鳴を含んでいた。’ ”Ｃ−ＩＪＭＲ
スペクトルは１１５．６．１２５．９１２７、Ｌ １３
０．３．１３８．０および１５６−９ｐｐＩ１１におい
て共鳴を含んでいた。実測Ｃ＝８１．８４％、Ｈ＝５．
５１％、計算Ｃ−８２，４２％、）（＝５．３８％。こ
の生成物の融点は密閉チューブ内で測定し、３７８．６
〜３８０．６“Ｃであった。
（７，８８ｇ ）は１Ｈおよび’ ”Ｃ−ＮＭＲニよす
純度９５％であることが示された。 ’）Ｉ−ＮＭＩ？
スペクトルは６．９８ 、７．６３および７．７３ｐＰ
ＩＩ＋において共鳴を含んでいた。’ ”Ｃ−ＩＪＭＲ
スペクトルは１１５．６．１２５．９１２７、Ｌ １３
０．３．１３８．０および１５６−９ｐｐＩ１１におい
て共鳴を含んでいた。実測Ｃ＝８１．８４％、Ｈ＝５．
５１％、計算Ｃ−８２，４２％、）（＝５．３８％。こ
の生成物の融点は密閉チューブ内で測定し、３７８．６
〜３８０．６“Ｃであった。
窒素流入口、撹拌器、温度計および長い空気冷却器を取
り付けた１１の三ロフラスコに１．４−シクロへキサジ
オン（０，４０モル、４４．８ｇ）およびフェノール（
６，４モル、６００ｇ）を加えた。この混合物を５０°
Ｃに加熱し溶液を形成し、濃塩酸（ｓｇ ＝ １．１８
） （２０ｔａｌｌ ）を加えた。次いでこの混合物を
５０’Ｃで７，０時間撹拌した。
り付けた１１の三ロフラスコに１．４−シクロへキサジ
オン（０，４０モル、４４．８ｇ）およびフェノール（
６，４モル、６００ｇ）を加えた。この混合物を５０°
Ｃに加熱し溶液を形成し、濃塩酸（ｓｇ ＝ １．１８
） （２０ｔａｌｌ ）を加えた。次いでこの混合物を
５０’Ｃで７，０時間撹拌した。
水酸化ナトリウム（０，７５モル、３０ｇ）および炭素
上５％パラジウム（２，０ｇ）を加え、ボット温度が１
８０°Ｃに達するまで低沸点物質を除去した（約５０ｍ
１）。次いでこの混合物を４時間還流しく１８０〜１８
５°Ｃ）、５０“Ｃに冷却し、氷酢酸（６０滅）および
水（Ｉ００ｄ）を加えた。
上５％パラジウム（２，０ｇ）を加え、ボット温度が１
８０°Ｃに達するまで低沸点物質を除去した（約５０ｍ
１）。次いでこの混合物を４時間還流しく１８０〜１８
５°Ｃ）、５０“Ｃに冷却し、氷酢酸（６０滅）および
水（Ｉ００ｄ）を加えた。
固体生成物を集め、フェノールの臭気がなくなるまで５
０°Ｃで水洗しく３ Ｘ ３００ｒｎ１） 、真空下１
００°Ｃで乾燥し、３６．７ｇ得た（触媒（２，０ｇ）
を考慮に入れ、１．４−シクロヘキサンジオンに対し収
率３５．０％）。
０°Ｃで水洗しく３ Ｘ ３００ｒｎ１） 、真空下１
００°Ｃで乾燥し、３６．７ｇ得た（触媒（２，０ｇ）
を考慮に入れ、１．４−シクロヘキサンジオンに対し収
率３５．０％）。
生成物をＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ） （Ｉ７５ｍ
ｌ）より再結晶させ、１５０’Ｃに加熱し、濾過しＰｄ
／Ｃ触媒を除去した。生成物を集め、１度合ＮＭＰ（５
０ｄ）で、２度メタノール（５０ｍｆ）で洗い、真空下
１２０’Ｃで３時間乾燥した。
ｌ）より再結晶させ、１５０’Ｃに加熱し、濾過しＰｄ
／Ｃ触媒を除去した。生成物を集め、１度合ＮＭＰ（５
０ｄ）で、２度メタノール（５０ｍｆ）で洗い、真空下
１２０’Ｃで３時間乾燥した。
収量は２４．４３ｇであり、ｉｐは３７８〜３８１°Ｃ
であった。赤外スペクトルにより例２の生成物が示され
た。
であった。赤外スペクトルにより例２の生成物が示され
た。
１４．４”−ジヒ ロキシー −−フエ窒素流入口、撹
拌器、温度計および長い空気冷却器を取り付けた５００
ｍｆｆ１の三ロフラスコに１，４−シクロへキサジオン
ビス（エチレンケクール）（［１２０モル、４０．０４
ｇ ）およびフェノール（２，１３モル、２００ ｇ
）を加えた。この混合物を７０ ’Ｃに加熱し、溶液
を形成し、５０゛ｃに冷却し、濃塩酸（Ｉ０ｍｌ）を加
えた。次いでこの混合物を５０’Ｃで６．０時間撹拌し
、室温で１晩放置した。
拌器、温度計および長い空気冷却器を取り付けた５００
ｍｆｆ１の三ロフラスコに１，４−シクロへキサジオン
ビス（エチレンケクール）（［１２０モル、４０．０４
ｇ ）およびフェノール（２，１３モル、２００ ｇ
）を加えた。この混合物を７０ ’Ｃに加熱し、溶液
を形成し、５０゛ｃに冷却し、濃塩酸（Ｉ０ｍｌ）を加
えた。次いでこの混合物を５０’Ｃで６．０時間撹拌し
、室温で１晩放置した。
撹拌しながら水酸化ナトリウムペレット（０，３８モル
、１５ｇ）を加え、続いて炭素上５％パラジウム（Ｉ，
０ｇ）を加えた。装置を蒸留用に配置し、１８０°Ｃに
達するまで反応混合物を加熱した。この混合物を４時間
２０分還流しく１８０°Ｃ）、５０’Ｃに冷却し、氷酢
酸（３０ｄ）続いて水（５０ｍｌ）を加えた。さらに室
温に冷却し、固体を集め、２度水洗し、真空下１００’
Ｃで乾燥した。
、１５ｇ）を加え、続いて炭素上５％パラジウム（Ｉ，
０ｇ）を加えた。装置を蒸留用に配置し、１８０°Ｃに
達するまで反応混合物を加熱した。この混合物を４時間
２０分還流しく１８０°Ｃ）、５０’Ｃに冷却し、氷酢
酸（３０ｄ）続いて水（５０ｍｌ）を加えた。さらに室
温に冷却し、固体を集め、２度水洗し、真空下１００’
Ｃで乾燥した。
生成物（収１１０ ｇ）をＮ−メチルピロリドンより再
結晶させ、３７８°Ｃのｍｐを有する′＃ｙＪ質７．１
０ｇを得た。赤外スペクトルにより例２の生成物が示さ
れた。
結晶させ、３７８°Ｃのｍｐを有する′＃ｙＪ質７．１
０ｇを得た。赤外スペクトルにより例２の生成物が示さ
れた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下式 I Ｘ−Ｐｈ−Ａｒ−Ｐｈ−Ｘ（ I ） 〔上式中、Ａｒは１，４−フェニレン、１，３−フェニ
レンまたは直接に結合しているあるいはＣＯ、ＳＯ＿２
、Ｏ、ＳまたはＣ＿Ｒ＿２（各Ｒは独立に水素、Ｃ＿１
〜Ｃ＿４アルキルあるいはフルオロアルキルまたはフェ
ニルを表わす）により結合している少なくとも２個の芳
香族基を含むポリ芳香族基より選ばれる置換あるいは未
置換芳香族基であり；Ｐｈは所望によりＣ＿１〜Ｃ＿４
アルキル、ハロゲンまたはヒドロキシより選ばれた１個
あるいは２個の置換基で置換した１，４−フェニレンで
あり；ＸはＯＨ、ＳＨ、ＯＲ＾２またはＳＲ＾２（Ｒ＾
２はＣ＿１〜Ｃ＿４アルキルまたはベンジルである）で
ある〕 で表わされるビス（４−ヒドロキシフェニル）芳香族化
合物およびその誘導体の製造方法であって、下式II ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （上式中、Ａは水素を除去した際、基Ａｒを生ずる飽和
あるいは一部飽和環式基である）で表わされる化合物の
脱水素化工程を含んでなることを特徴とする方法。 ２、下式IV、 （Ｘ−Ｐｈ）＿ｎ−Ａｒ（IV） 〔上式中、Ａｒは１，４−フェニレン、１，３−フェニ
レンまたは直接に結合しているあるいはＣＯ、ＳＯ＿２
、Ｏ、ＳまたはＣＲ＿２（各Ｒは独立に水素、Ｃ＿１〜
Ｃ＿４アルキルあるいはフルオロアルキルまたはフェニ
ルを表わす）により結合している少なくとも２個の芳香
族基を含むポリ芳香族基より選ばれる置換あるいは未置
換芳香族基であり、Ｐｈは所望によりＣ＿１〜Ｃ＿４ア
ルキル、ハロゲンまたはヒドロキシより選ばれた１個あ
るいは２個の置換基で置換した１，４−フェニレンであ
り；ＸはＯＨ、ＳＨ、ＯＲ＾２またはＳＲ＾２（Ｒ＾２
はＣ＿１〜Ｃ＿４アルキルまたはベンジルである）であ
り；ｎは１または２である〕で表わされる４−ヒドロキ
シフェニル芳香族化合物またはその誘導体の製造方法で
あって、下式Ｖ、▲数式、化学式、表等があります▼（
Ｖ） （上式中、Ａは水素を除去した際基Ａｒを生ずる飽和あ
るいは一部飽和環式基である） で表わされる化合物の脱水素化および基Ａに相当する環
式モノあるいはジケトンによる下式III、ＨＰｈＸ（II
I） で表わされる化合物の縮合による化合物Ｖの形成の工程
を含んでなる（前記脱水素化は化合物Ｖを単離しないで
行なわれる）ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8812539A GB8812539D0 (en) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | Preparation of aromatic compounds & derivatives therefor |
| GB8812539.8 | 1988-05-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228125A true JPH0228125A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=10637609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13028189A Pending JPH0228125A (ja) | 1988-05-26 | 1989-05-25 | ４―ヒドロキシフェニル芳香族化合物およびその誘導体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0343798A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0228125A (ja) |
| GB (1) | GB8812539D0 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6373167B1 (en) | 1999-11-09 | 2002-04-16 | Nec Corporation | Surface acoustic wave filter |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145973A (en) * | 1991-09-30 | 1992-09-08 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Oxa-Bicyclic polyfunctional compounds and preparation thereof |
| US5206393A (en) * | 1991-09-30 | 1993-04-27 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Oxa-bicyclic polyfunctional compounds and preparation thereof |
| CN106458811A (zh) * | 2014-03-12 | 2017-02-22 | 索尔维特殊聚合物美国有限责任公司 | 用于制造三联苯化合物的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1643554A1 (de) * | 1966-09-22 | 1971-07-01 | Union Carbide Corp | Verfahren zur Herstellung von P-Phenylphenol |
-
1988
- 1988-05-26 GB GB8812539A patent/GB8812539D0/en active Pending
-
1989
- 1989-04-28 EP EP89304359A patent/EP0343798A1/en not_active Withdrawn
- 1989-05-25 JP JP13028189A patent/JPH0228125A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6373167B1 (en) | 1999-11-09 | 2002-04-16 | Nec Corporation | Surface acoustic wave filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0343798A1 (en) | 1989-11-29 |
| GB8812539D0 (en) | 1988-06-29 |
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