JPH02281594A - 薄膜エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH02281594A JPH02281594A JP1099983A JP9998389A JPH02281594A JP H02281594 A JPH02281594 A JP H02281594A JP 1099983 A JP1099983 A JP 1099983A JP 9998389 A JP9998389 A JP 9998389A JP H02281594 A JPH02281594 A JP H02281594A
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- JP
- Japan
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- thin film
- etching
- zno
- transparent electrode
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜エレクトロルミネッセンスパネル（以下薄
膜ＥＬパネルと略記する）の製造方法に関するものであ
る。
膜ＥＬパネルと略記する）の製造方法に関するものであ
る。
［従来の技術］
螢光体に電界を印加した時に生じる発光現象を利用した
薄膜ＥＬパネルは視認性に優れたフラットパネルデイス
プレィとして応用されつつある。薄膜ＥＬパネルの代表
的な構造は、例えば、第３図に示すとおり、透明ガラス
基板８上に透明電極９、絶縁層１０、発光層１１１絶縁
層１２、金属電極１３を積層したようなものである。透
明電極９と金属電極１３は、ウェットエツチングにより
ストライブ状にパターニングされている。
薄膜ＥＬパネルは視認性に優れたフラットパネルデイス
プレィとして応用されつつある。薄膜ＥＬパネルの代表
的な構造は、例えば、第３図に示すとおり、透明ガラス
基板８上に透明電極９、絶縁層１０、発光層１１１絶縁
層１２、金属電極１３を積層したようなものである。透
明電極９と金属電極１３は、ウェットエツチングにより
ストライブ状にパターニングされている。
一方、薄膜ＥＬパネルを構成する各薄膜が金属電極１３
を除き透明であることを利用して、金属電極１３をアル
ミニウム添加酸化亜鉛（以下ＺｎＯ：Ａｌと略記する）
透明電極に置き換えることにより、すべて透明な薄膜か
らなる透明薄膜ＥＬパネルを作製することができる。さ
らに、発光色の異なる透明薄膜ＥＬパネルを重ね合わせ
たマルチカラー薄膜ＥＬパネルも検討されている。
を除き透明であることを利用して、金属電極１３をアル
ミニウム添加酸化亜鉛（以下ＺｎＯ：Ａｌと略記する）
透明電極に置き換えることにより、すべて透明な薄膜か
らなる透明薄膜ＥＬパネルを作製することができる。さ
らに、発光色の異なる透明薄膜ＥＬパネルを重ね合わせ
たマルチカラー薄膜ＥＬパネルも検討されている。
マルチカラー薄膜ＥＬパネルに用いる発光層としては、
ＣａＳ％ＳｒＳ、５ｒＳｅのようなＵ ａ −Ｖｌ ｂ
族化合物の母材にＣｅ、Ｅｕなどの希土類元素を発光中
心として添加したものが注目されている。しかしながら
、ＩＩ ａ −Ｖｌ ｂ族化合物は一般に水に対して極
めて活性であることが知られており、この様な材料系を
用いた薄膜ＥＬパネルの最外層電極をパターニングする
際に、ウェットエツチングを用いると絶縁層のピンホー
ルなどから水が侵入し、発光層に損傷を与え発光ムラや
リークの原因となることがある。
ＣａＳ％ＳｒＳ、５ｒＳｅのようなＵ ａ −Ｖｌ ｂ
族化合物の母材にＣｅ、Ｅｕなどの希土類元素を発光中
心として添加したものが注目されている。しかしながら
、ＩＩ ａ −Ｖｌ ｂ族化合物は一般に水に対して極
めて活性であることが知られており、この様な材料系を
用いた薄膜ＥＬパネルの最外層電極をパターニングする
際に、ウェットエツチングを用いると絶縁層のピンホー
ルなどから水が侵入し、発光層に損傷を与え発光ムラや
リークの原因となることがある。
最外層の電極をドライエツチングによりパタニングする
試みもなされているが、エッチレートや下地の絶縁層と
のエツチングの選択比（エッチレートの比）については
検討されていない。また、ドライエツチング中に加速さ
れたイオンや原子がＥＬパネルを叩き発光層や絶縁層に
損傷を与えることが考えられるため、エッチレートを大
きくしエツチング時間をなるべく短縮する必要がある。
試みもなされているが、エッチレートや下地の絶縁層と
のエツチングの選択比（エッチレートの比）については
検討されていない。また、ドライエツチング中に加速さ
れたイオンや原子がＥＬパネルを叩き発光層や絶縁層に
損傷を与えることが考えられるため、エッチレートを大
きくしエツチング時間をなるべく短縮する必要がある。
さらに、エッチレートが単に大きいだけではなく、下地
となる絶縁層がエツチングされにくいように絶縁層に対
するエツチングの選択比が大きくなくてはならない。
となる絶縁層がエツチングされにくいように絶縁層に対
するエツチングの選択比が大きくなくてはならない。
一方、ＺｎＯは圧電効果を有することから表面弾性波デ
バイスなどの超音波アクチュエータとして従来から応用
されており、ＺｎＯの微細加工も検討されている。Ｚｎ
Ｏのりアクティブイオンエツチングについては、例えば
、プロシーディングズ・オブ・アイトリプルイー・１９
８２・ウルトラソニックス・シンポジウム、１９８２年
、第３４６項（ｒｏｃｅｅｄｌｎｇｓ ｏｒ ＩＥＥＥ
１９８２旧Ｌｒａｓｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
、Ｐ、３４６（１９８２）］に論じられている。
バイスなどの超音波アクチュエータとして従来から応用
されており、ＺｎＯの微細加工も検討されている。Ｚｎ
Ｏのりアクティブイオンエツチングについては、例えば
、プロシーディングズ・オブ・アイトリプルイー・１９
８２・ウルトラソニックス・シンポジウム、１９８２年
、第３４６項（ｒｏｃｅｅｄｌｎｇｓ ｏｒ ＩＥＥＥ
１９８２旧Ｌｒａｓｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
、Ｐ、３４６（１９８２）］に論じられている。
この従来技術では、ヨウ化水素（ＨＩ）ガスを用いたり
アクティブイオンエツチングによりＺｎＯのエッチレー
トが２０００＾／ｓｉｎ ％Ｓ ｉ ０２に対する選択
比が４０：ｌと報告されている。しかし、この技術は不
純物の入らないＺｎＯに関するものであり、透明電極と
して用いられるようなアルミニウムなどを添加したＺｎ
Ｏについては当てはまるものかどうかわからない。また
、ＺｎＯ： Ａ １透明電極のエツチングに関する技術
例として開示されているものは非常に少なく、下地に水
に対して活性な薄膜が存在する場合について言及してい
るものはほとんどない。
アクティブイオンエツチングによりＺｎＯのエッチレー
トが２０００＾／ｓｉｎ ％Ｓ ｉ ０２に対する選択
比が４０：ｌと報告されている。しかし、この技術は不
純物の入らないＺｎＯに関するものであり、透明電極と
して用いられるようなアルミニウムなどを添加したＺｎ
Ｏについては当てはまるものかどうかわからない。また
、ＺｎＯ： Ａ １透明電極のエツチングに関する技術
例として開示されているものは非常に少なく、下地に水
に対して活性な薄膜が存在する場合について言及してい
るものはほとんどない。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は最外層にＺｎＯ：Ａｌ透明電極を用いた薄膜Ｅ
Ｌパネルにおける上記問題点を解決し、信頼性に優れた
透明薄膜ＥＬパネルやマルチカラー薄膜ＥＬパネルを提
供することを目的としている。
Ｌパネルにおける上記問題点を解決し、信頼性に優れた
透明薄膜ＥＬパネルやマルチカラー薄膜ＥＬパネルを提
供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するための本発明の構成は、最外層にＺ
ｎＯ：Ａｌ透明電極を配置した構造を持つ薄膜ＥＬ索子
の製造方法において、最外層にＺｎＯ： Ａ ｌ透明電
極をヨウ素を含んだ反応性ガスを用いたドライエツチン
グによりパタニングすることを特徴とする薄膜ＥＬパネ
ルの製造方法である。
ｎＯ：Ａｌ透明電極を配置した構造を持つ薄膜ＥＬ索子
の製造方法において、最外層にＺｎＯ： Ａ ｌ透明電
極をヨウ素を含んだ反応性ガスを用いたドライエツチン
グによりパタニングすることを特徴とする薄膜ＥＬパネ
ルの製造方法である。
反応性ガスを用いたドライエツチングにおけるエツチン
グ機構は完全には明らかにされていない。しかし、導入
した反応性ガスがプラズマ化し、プラズマ中の活性化し
たイオンが加速され、被エツチング物質の表面に衝突し
反応することで揮発性の物質が生成し、表面から離脱し
てエツチングが進行すると一般に言われている。
グ機構は完全には明らかにされていない。しかし、導入
した反応性ガスがプラズマ化し、プラズマ中の活性化し
たイオンが加速され、被エツチング物質の表面に衝突し
反応することで揮発性の物質が生成し、表面から離脱し
てエツチングが進行すると一般に言われている。
ハロゲン元素を成分に含む反応性ガスを用いたＺｎＯ：
Ａ ｌ透明電極のエツチングにおいては、プラズマ中
の活性化したハロゲンイオンやハロゲン原子がＺｎＯ：
Ａｌ；の表面で反応し、ＺｎＸ２ （Ｘはハロゲン元素
を示す）を生成するものと考えられる。このエツチング
過程で、ＺｎＸ２の蒸気圧の高いものほどエッチレート
が大きくなる可能性がある。一般にＺｎＸ２の蒸気圧は
Ｘが重いものほど高くなる傾向があり、もっとも重いハ
ロゲン元素であるヨウ素を含んだ反応性ガスがＺｎＯ：
Ａ ｌのエツチングに適している。
Ａ ｌ透明電極のエツチングにおいては、プラズマ中
の活性化したハロゲンイオンやハロゲン原子がＺｎＯ：
Ａｌ；の表面で反応し、ＺｎＸ２ （Ｘはハロゲン元素
を示す）を生成するものと考えられる。このエツチング
過程で、ＺｎＸ２の蒸気圧の高いものほどエッチレート
が大きくなる可能性がある。一般にＺｎＸ２の蒸気圧は
Ｘが重いものほど高くなる傾向があり、もっとも重いハ
ロゲン元素であるヨウ素を含んだ反応性ガスがＺｎＯ：
Ａ ｌのエツチングに適している。
一方、下地である絶縁層とのエツチングの選択比につい
ても考慮する必要がある。絶縁層としては、酸化物、窒
化物などを用いることができるが、ＺｎＯ： Ａ １の
下地となる絶縁層にはヨウ素を含んだ反応性ガスに対し
てエッチレートの小さい５ｉＯｚを用いることが望まし
い。
ても考慮する必要がある。絶縁層としては、酸化物、窒
化物などを用いることができるが、ＺｎＯ： Ａ １の
下地となる絶縁層にはヨウ素を含んだ反応性ガスに対し
てエッチレートの小さい５ｉＯｚを用いることが望まし
い。
これは５ｉ１４の蒸気圧が低いことによるものと考えら
れる。
れる。
ヨウ素を含んだ反応性エツチングガスとしては、ヨウ化
水素（Ｈｌ） ヨウ化メチル（ＣＨ３１） 、ヨウ化
メチレン（ＣＨ２１２）などを、また、ドライエツチン
グ手段としては、リアクティブイオンエツチング法ある
いはりアクティブイオンビームエツチング法を用いるこ
とができる。
水素（Ｈｌ） ヨウ化メチル（ＣＨ３１） 、ヨウ化
メチレン（ＣＨ２１２）などを、また、ドライエツチン
グ手段としては、リアクティブイオンエツチング法ある
いはりアクティブイオンビームエツチング法を用いるこ
とができる。
以下、実施例によって、本発明を具体的に説明する。
［実施例］
第１図に本発明の製造法の一実施例を説明するためのフ
ロー図、及び第２図に本発明の方法で製造されるパネル
の層構成を示す。
ロー図、及び第２図に本発明の方法で製造されるパネル
の層構成を示す。
ガラス基板ｌ上にスパッタリング法により厚さ２０００
人のＺｎＯ： Ａ ｌ薄膜を成膜した後、レジスト塗布
、プリベーク、露光、現像、ボストベーク、リン酸によ
るウェットエツチング、レジスト除去などからなるフォ
トリソグラフィー工程によりパターニングを行いストラ
イブ状のＺｎＯ：Ａｌ第１透明電極２を形成した。レジ
ストは東京応化工業型のポジレジスト０ＦＰＲ−８００
を用いた。その上にスパッタリング法により厚さ２００
０人の薄膜からなるＡＩＮ絶縁層３を形成し、ざらにＥ
Ｂ蒸着法により厚さ１μｍのＳ ｒＳ ： Ｃｅ発光層
４を形成した。次に、スパッタリング法により第二絶縁
層である、それぞれ厚さ２０００人のＡＩＮ薄膜５と５
ｉＯｚ薄膜Ｂを、さらに第２透明電極となる厚さ２００
０人のＺｎＯ：Ａｌ薄膜７を形成した。
人のＺｎＯ： Ａ ｌ薄膜を成膜した後、レジスト塗布
、プリベーク、露光、現像、ボストベーク、リン酸によ
るウェットエツチング、レジスト除去などからなるフォ
トリソグラフィー工程によりパターニングを行いストラ
イブ状のＺｎＯ：Ａｌ第１透明電極２を形成した。レジ
ストは東京応化工業型のポジレジスト０ＦＰＲ−８００
を用いた。その上にスパッタリング法により厚さ２００
０人の薄膜からなるＡＩＮ絶縁層３を形成し、ざらにＥ
Ｂ蒸着法により厚さ１μｍのＳ ｒＳ ： Ｃｅ発光層
４を形成した。次に、スパッタリング法により第二絶縁
層である、それぞれ厚さ２０００人のＡＩＮ薄膜５と５
ｉＯｚ薄膜Ｂを、さらに第２透明電極となる厚さ２００
０人のＺｎＯ：Ａｌ薄膜７を形成した。
最外層のＺｎＯ： Ａ Ｉ第２透明電極のフォトリソグ
ラフィー工程は、第１透明電極とは異なりネガレジスト
による工程を用いた。これは、ポジレジストの現像工程
で水を使用しているのに対し、ネガレジストでは水は用
いずリンスも含めてすべて有機溶剤を使用しているため
、水に対して活性である発光層のダメージが極力抑えら
れると考えられるためである。ネガレジストには東京応
化工業型０ＮＮＲ−２２を用いた。もちろん、現像工程
は水も有機溶剤も用いないドライ現像プロセスにより行
ってもよい。レジスト塗布、ブリベータ、露光、現像、
ボストベークまで行ったパネルに対し、最上層のＺｎＯ
：Ａｌ第二透明電極パターニングのためにドライエツチ
ングを行った。
ラフィー工程は、第１透明電極とは異なりネガレジスト
による工程を用いた。これは、ポジレジストの現像工程
で水を使用しているのに対し、ネガレジストでは水は用
いずリンスも含めてすべて有機溶剤を使用しているため
、水に対して活性である発光層のダメージが極力抑えら
れると考えられるためである。ネガレジストには東京応
化工業型０ＮＮＲ−２２を用いた。もちろん、現像工程
は水も有機溶剤も用いないドライ現像プロセスにより行
ってもよい。レジスト塗布、ブリベータ、露光、現像、
ボストベークまで行ったパネルに対し、最上層のＺｎＯ
：Ａｌ第二透明電極パターニングのためにドライエツチ
ングを行った。
ドライエツチング手段としては、リアクティブイオンエ
ツチングを、エツチングガスとしてＨＩガスを用いたが
、ヨウ化メチルやヨウ化メチレンなどのガスを用いても
よい。ＺｎＯ：Ａｌに対するエッチレートが５００Ａ／
＋ｇｌｎとなるようにガス圧、ｒｆパワーなどのエツチ
ング条件を設定し、エツチングを行った。電極間のリー
クを防ぐためＺｎＯ：Ａ１４Ｍのエツチングをオーバー
エッチ気味に行ったが、５ｉ０２絶縁層に対するエッチ
レートは小さいためほとんどエッチされず、内部の薄膜
層に対する損傷は無かった。レジスト除去の手段には酸
素プラズマアッシング法を用いた。
ツチングを、エツチングガスとしてＨＩガスを用いたが
、ヨウ化メチルやヨウ化メチレンなどのガスを用いても
よい。ＺｎＯ：Ａｌに対するエッチレートが５００Ａ／
＋ｇｌｎとなるようにガス圧、ｒｆパワーなどのエツチ
ング条件を設定し、エツチングを行った。電極間のリー
クを防ぐためＺｎＯ：Ａ１４Ｍのエツチングをオーバー
エッチ気味に行ったが、５ｉ０２絶縁層に対するエッチ
レートは小さいためほとんどエッチされず、内部の薄膜
層に対する損傷は無かった。レジスト除去の手段には酸
素プラズマアッシング法を用いた。
比較のためにエツチングをリン酸によるつエツトプロセ
スで行った透明薄膜ＥＬパネルも作製した。
スで行った透明薄膜ＥＬパネルも作製した。
ドライエツチングを用いて作製した透明電極ＥＬパネル
は、作製プロセス中に水を使用していないため、発光層
に損傷は無く、はぼ均一なＥＬ発光を示した。一方、ウ
ェットエツチングを用いて作製したものの一部には、絶
縁層のピンホールから侵入したと思われる水により発光
層に損傷が見られ、発光パターンにもムラが見られるこ
とがあった。
は、作製プロセス中に水を使用していないため、発光層
に損傷は無く、はぼ均一なＥＬ発光を示した。一方、ウ
ェットエツチングを用いて作製したものの一部には、絶
縁層のピンホールから侵入したと思われる水により発光
層に損傷が見られ、発光パターンにもムラが見られるこ
とがあった。
本実施例では、単色発光の透明薄膜ＥＬパネルの作製例
を示したが、これと異なる発光色を示す透明薄膜ＥＬパ
ネルと重ね合わせることによりマルチカラー透明薄膜Ｅ
Ｌパネルが可能となり、本発明の効果をさらに発揮する
ことができる。また、本発明の技術は、−枚ガラス基板
上に複数枚の発光色の異なる発光層を積層したＪＭ 成
ヲ持つようなマルチカラー薄膜ＥＬパネルのＺｎＯ：Ａ
ｌ透明電極のパターニングにも応用できる。
を示したが、これと異なる発光色を示す透明薄膜ＥＬパ
ネルと重ね合わせることによりマルチカラー透明薄膜Ｅ
Ｌパネルが可能となり、本発明の効果をさらに発揮する
ことができる。また、本発明の技術は、−枚ガラス基板
上に複数枚の発光色の異なる発光層を積層したＪＭ 成
ヲ持つようなマルチカラー薄膜ＥＬパネルのＺｎＯ：Ａ
ｌ透明電極のパターニングにも応用できる。
［発明の効果］
以上で説明したように、本発明によればＺｎＯ：Ａｌ透
明電極をドライエツチングにより短時間に下地に対する
損傷無くパターニングすることができるため、発光濃度
が均一な薄膜ＥＬパネルを再現良く作製できる。したが
って、透明Ｒ膜ＥＬパネルやマルチカラー透明薄膜ＥＬ
パネルを作製する時の実用的価値は大きい。
明電極をドライエツチングにより短時間に下地に対する
損傷無くパターニングすることができるため、発光濃度
が均一な薄膜ＥＬパネルを再現良く作製できる。したが
って、透明Ｒ膜ＥＬパネルやマルチカラー透明薄膜ＥＬ
パネルを作製する時の実用的価値は大きい。
第１図は本発明の詳細な説明するためのフロー図、
第２図は透明薄膜ＥＬパネルの断面図、第３図は従来の
薄膜ＥＬパネルの断面図を示す。 ■・・・ガラス基板、 ２−−−ＺｎＯ：Ａｌ第１透明電極、 ３・・・ＡＩＮ絶縁層、４・・・発光層、５・・・ＡＩ
Ｎ絶縁層、６・・・ＳｉＯ２絶縁層、７−Ｚ ｎ Ｏ：
Ａ １第２透明電極、８・・・ガラス基板、９・・・
透明電極、１０および１２・・・絶縁層、１１・・・発
光層、１８・・・金属電極。
薄膜ＥＬパネルの断面図を示す。 ■・・・ガラス基板、 ２−−−ＺｎＯ：Ａｌ第１透明電極、 ３・・・ＡＩＮ絶縁層、４・・・発光層、５・・・ＡＩ
Ｎ絶縁層、６・・・ＳｉＯ２絶縁層、７−Ｚ ｎ Ｏ：
Ａ １第２透明電極、８・・・ガラス基板、９・・・
透明電極、１０および１２・・・絶縁層、１１・・・発
光層、１８・・・金属電極。
Claims (1)
- 最外層にアルミニウム添加酸化亜鉛透明電極を配置し
た構造を有する薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製
造方法において、最外層のアルミニウム添加酸化亜鉛透
明電極を、ヨウ素を含んだ反応性ガスを用いたドライエ
ッチングによりパターニングすることを特徴とする薄膜
エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1099983A JPH02281594A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 薄膜エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1099983A JPH02281594A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 薄膜エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281594A true JPH02281594A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14261898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1099983A Pending JPH02281594A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 薄膜エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281594A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221430A (en) * | 1991-03-29 | 1993-06-22 | Sony Corporation | Dry etching method |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP1099983A patent/JPH02281594A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221430A (en) * | 1991-03-29 | 1993-06-22 | Sony Corporation | Dry etching method |
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