JPH02281645A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02281645A JPH02281645A JP1102463A JP10246389A JPH02281645A JP H02281645 A JPH02281645 A JP H02281645A JP 1102463 A JP1102463 A JP 1102463A JP 10246389 A JP10246389 A JP 10246389A JP H02281645 A JPH02281645 A JP H02281645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- metal plate
- circuit board
- wiring pattern
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4046—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections using auxiliary conductive elements, e.g. metallic spheres, eyelets, pieces of wire
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関する。
ピングリッドアレイ型半導体装置はセラミック基板の一
面に多数の導体ピンを植込んで回路基板を形成し、回路
基板上に半導体チップを搭載して半導体装置を構成して
いるが、セラミック基板が高価であることや耐衝撃性が
劣る等の理由でプラスチック基板を使用したものが開発
されている。
面に多数の導体ピンを植込んで回路基板を形成し、回路
基板上に半導体チップを搭載して半導体装置を構成して
いるが、セラミック基板が高価であることや耐衝撃性が
劣る等の理由でプラスチック基板を使用したものが開発
されている。
従来の半導体装置は、プラスチック基板上に配線パター
ンを形成した配線基板にスルーホールを設け、スルーホ
ールに導体ピンの一端を挿入し仮固定し、半田により固
定していた。（例えば特開昭６２−２６６８５８号、特
開昭６２−２５７７５４号、特開昭６２−２５７７５５
号公報参照）又、半導体チップの熱放射を向上させるた
めにダイボンディング部に金属板を張付けていた。
ンを形成した配線基板にスルーホールを設け、スルーホ
ールに導体ピンの一端を挿入し仮固定し、半田により固
定していた。（例えば特開昭６２−２６６８５８号、特
開昭６２−２５７７５４号、特開昭６２−２５７７５５
号公報参照）又、半導体チップの熱放射を向上させるた
めにダイボンディング部に金属板を張付けていた。
上述した従来の半導体装置は、導体ピンを仮固定させる
為にスルーホールを設けているので、スルーホール部の
信頼性低下及び配線基板にスルーホールを設けることに
よるコストアップが生ずるという欠点がある。また、熱
抵抗を下げて放熱を向上させるためのダイボンディング
部に設けた金属板は、スルーホールのために大きさが限
定されて熱抵抗を下げる効果が小さいという欠点がある
。
為にスルーホールを設けているので、スルーホール部の
信頼性低下及び配線基板にスルーホールを設けることに
よるコストアップが生ずるという欠点がある。また、熱
抵抗を下げて放熱を向上させるためのダイボンディング
部に設けた金属板は、スルーホールのために大きさが限
定されて熱抵抗を下げる効果が小さいという欠点がある
。
本発明の半導体装置は、スルーホールを設けていないプ
ラスチック基板に配線層を設けた配線基板の電極に釘型
の導体ピンの頭部をろう付は等により行列状に配置して
固着させ、配線基板の裏面に接着剤を介して張り合わさ
れた金属板を有している。
ラスチック基板に配線層を設けた配線基板の電極に釘型
の導体ピンの頭部をろう付は等により行列状に配置して
固着させ、配線基板の裏面に接着剤を介して張り合わさ
れた金属板を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。厚さ０．２
〜０．６ｍｍのガラス繊維−エポキシ系樹脂、ガラス繊
維−トリアジン系樹脂、ガラス繊維−ポリイミド系樹脂
等の複合プラスチック基板２の中央部を貫通する半導体
チップの載置部形成用開孔部を設け、図の下方に当たる
表面に配線パターンを設は該配線パターンの導体ピン接
続用電極部及びボンディングパッド部以外の表面にソル
ダーレジスト膜を設けて回路基板を形成する。導体ピン
接続用電極の表面にＡｕ８０％、５ｎ２０％の共晶合金
からなるろう材を設け、２８０〜３００℃と比較的低温
で溶融し回路基板にダメージを与えることなく釘状の導
体ピン１の頭部を接合させる。図の上方に当たる回路基
板の裏面に金属板９を接着剤で接着する。ここで、金属
板９はプラスチック基板２と熱膨張率が近いものでかつ
熱伝導率に優れたものが要求されるが、本実施例ではＣ
ｕ板を使用した。Ｃｕ板の表面は酸化防止の為Ｎｉ又は
Ａｕめっき層３を設けている。前記開孔部の一端に設け
た金属板９の上に半導体チップ４を搭載し、回路基板の
ボンディングパッドと半導体チップ４の電極間をボンデ
ィング線５で接続し、前記開孔部を含む表面を選択的に
樹脂体６で封止し、キャップ７を樹脂体６の表面を覆っ
て封止し、半導体チップ４を保護している。
〜０．６ｍｍのガラス繊維−エポキシ系樹脂、ガラス繊
維−トリアジン系樹脂、ガラス繊維−ポリイミド系樹脂
等の複合プラスチック基板２の中央部を貫通する半導体
チップの載置部形成用開孔部を設け、図の下方に当たる
表面に配線パターンを設は該配線パターンの導体ピン接
続用電極部及びボンディングパッド部以外の表面にソル
ダーレジスト膜を設けて回路基板を形成する。導体ピン
接続用電極の表面にＡｕ８０％、５ｎ２０％の共晶合金
からなるろう材を設け、２８０〜３００℃と比較的低温
で溶融し回路基板にダメージを与えることなく釘状の導
体ピン１の頭部を接合させる。図の上方に当たる回路基
板の裏面に金属板９を接着剤で接着する。ここで、金属
板９はプラスチック基板２と熱膨張率が近いものでかつ
熱伝導率に優れたものが要求されるが、本実施例ではＣ
ｕ板を使用した。Ｃｕ板の表面は酸化防止の為Ｎｉ又は
Ａｕめっき層３を設けている。前記開孔部の一端に設け
た金属板９の上に半導体チップ４を搭載し、回路基板の
ボンディングパッドと半導体チップ４の電極間をボンデ
ィング線５で接続し、前記開孔部を含む表面を選択的に
樹脂体６で封止し、キャップ７を樹脂体６の表面を覆っ
て封止し、半導体チップ４を保護している。
本発明のパッケージの熱抵抗は、このメタル板９により
変わってくるが、本実施例では０．５ｍｍ厚のものを使
用して熱抵抗を測定した結果無風状態で約２７℃／Ｗと
なり、従来のヒートシンクを付けず銅板だけのものより
約１３％熱抵抗を低下させることができた。
変わってくるが、本実施例では０．５ｍｍ厚のものを使
用して熱抵抗を測定した結果無風状態で約２７℃／Ｗと
なり、従来のヒートシンクを付けず銅板だけのものより
約１３％熱抵抗を低下させることができた。
以上説明したように本発明は、回路基板上に設けた電極
にくぎ状の導体ピンの頭部を接合することにより、導体
ピン植込用のスルーホールを設ける必要がないだけコス
ト低減になるし、又、回路基板の裏面全面に金属板を張
付けることが可能になる為熱抵抗をより低くすることが
できる効果がある。
にくぎ状の導体ピンの頭部を接合することにより、導体
ピン植込用のスルーホールを設ける必要がないだけコス
ト低減になるし、又、回路基板の裏面全面に金属板を張
付けることが可能になる為熱抵抗をより低くすることが
できる効果がある。
ィング線、６・・・樹脂体、７・・・キャップ、９・・
・金属板。
・金属板。
Claims (1)
- 素子載置部形成用の開孔部を有する有機系絶縁基板の表
面に配線パターンを設けた回路基板と、前記配線パター
ンの導体ピン接続用電極部に釘状の頭部を接合した導体
ピンと、前記回路基板の裏面に接着して前記開孔部の一
端を閉じる放熱用の金属板と、前記開孔部の金属板上に
搭載して前記配線パターンのボンディングパッド部と電
気的に接続する半導体チップと、前記開孔部を含んで選
択的に封止する樹脂体とを有することを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1102463A JPH02281645A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1102463A JPH02281645A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281645A true JPH02281645A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14328155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1102463A Pending JPH02281645A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281645A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455456A (en) * | 1993-09-15 | 1995-10-03 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package lid |
| US10446460B2 (en) | 2017-04-27 | 2019-10-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP1102463A patent/JPH02281645A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455456A (en) * | 1993-09-15 | 1995-10-03 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package lid |
| US10446460B2 (en) | 2017-04-27 | 2019-10-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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