JPH02282477A - 真空蒸着方法およびその装置 - Google Patents
真空蒸着方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH02282477A JPH02282477A JP10316889A JP10316889A JPH02282477A JP H02282477 A JPH02282477 A JP H02282477A JP 10316889 A JP10316889 A JP 10316889A JP 10316889 A JP10316889 A JP 10316889A JP H02282477 A JPH02282477 A JP H02282477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical body
- vapor deposition
- resistance heating
- heating wire
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000011824 nuclear material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001517013 Calidris pugnax Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は真空蒸着方法およびその装置に関し、特に、筒
状体の内周面に効率的に蕉発¥!IJ質を蒸着して薄膜
を形成できる真空蒸着方法およびその装置に関するもの
である。
状体の内周面に効率的に蕉発¥!IJ質を蒸着して薄膜
を形成できる真空蒸着方法およびその装置に関するもの
である。
〔従、来技術および解決しようとする課題〕従来、真空
蒸着における蒸発源は、第5図(al(b) (C)に
示すようなものが知られている。
蒸着における蒸発源は、第5図(al(b) (C)に
示すようなものが知られている。
すなわち、第5図(a)に示すものは、プラチナ(Pt
)などの線状の蒸発物質22をタングステン(W)など
の高融点金属からなる抵抗加熱線ヒータ21に接触させ
るとともに、その抵抗加熱線ヒータ21に通電し、前記
蒸発物質22を加熱して蒸発させるフィラメント方式で
ある。
)などの線状の蒸発物質22をタングステン(W)など
の高融点金属からなる抵抗加熱線ヒータ21に接触させ
るとともに、その抵抗加熱線ヒータ21に通電し、前記
蒸発物質22を加熱して蒸発させるフィラメント方式で
ある。
第5図(b)に示すものは、Wなどの高融点金属からな
る抵抗加熱材料からなるボート31内にptなどの粒子
状の蒸発物質32を入れて、前記ボート31に通電し、
前記原発物質32を加熱して原発させるボート方式であ
る。
る抵抗加熱材料からなるボート31内にptなどの粒子
状の蒸発物質32を入れて、前記ボート31に通電し、
前記原発物質32を加熱して原発させるボート方式であ
る。
第5図(C)に示すものは、高融点材料からなるるつぼ
41内にPtなどの粒子状の蒸発物質42を入れて、こ
のるつぼ41内の蒸発物質42にイオンビーム43を当
て戻発物質42を加熱して蒸発させる電子ビーム方式で
ある。
41内にPtなどの粒子状の蒸発物質42を入れて、こ
のるつぼ41内の蒸発物質42にイオンビーム43を当
て戻発物質42を加熱して蒸発させる電子ビーム方式で
ある。
しかしながら、これらの蒸発源は、平板状の被蒸着体で
ある基板に対向して位置させて成膜する場合には、その
基板上に前記蒸発物質22.32.42の薄膜を効率的
に形成することができるが、蒸着面が前記蒸発源に対向
していない、たとえば立体的な基体の側面、裏面又は円
筒体の内周面などの場合にあっては、前記蒸発源から蒸
発する蒸発物質22.32.42が到達しにくり、薄膜
形成が困難となり、特に、被蒸着体として口径の小さな
筒状体の内周面に薄膜を形成することは不可能であると
いう問題点を有していた。
ある基板に対向して位置させて成膜する場合には、その
基板上に前記蒸発物質22.32.42の薄膜を効率的
に形成することができるが、蒸着面が前記蒸発源に対向
していない、たとえば立体的な基体の側面、裏面又は円
筒体の内周面などの場合にあっては、前記蒸発源から蒸
発する蒸発物質22.32.42が到達しにくり、薄膜
形成が困難となり、特に、被蒸着体として口径の小さな
筒状体の内周面に薄膜を形成することは不可能であると
いう問題点を有していた。
本発明は上記のような従来のもののもつ問題点を解決し
たものであって、筒状体の内周面に効率的に薄膜を形成
できる真空蒸着方法およびその装置を提供することを目
的としている。
たものであって、筒状体の内周面に効率的に薄膜を形成
できる真空蒸着方法およびその装置を提供することを目
的としている。
〔課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するために本発明の真空蒸着方法方法
は、真空槽内に配設した被蒸着体に薄膜を形成する真空
蒸着方法であって、長尺状の抵抗加熱線ヒータの外周に
原発物質を被覆して形、成され、かつ、一端が送りロー
ラに、また他端が巻取りローラにそれぞれ巻回された蒸
着用材料を、被蒸着体である筒状体内に挿通して配設し
、前記筒状体の両端部の近傍に配設した蒸着用材料を移
動可能に支持する電極を介して前記抵抗加熱線ヒータに
通電し、前記抵抗加熱線ヒータを被覆した蒸発物質を加
熱・蒸発させ、前記筒状体の内周面に蒸発物質の薄膜を
形成する手段を有しており、前記筒状体をその軸心を中
心に回転しながら薄膜を形成してもよく、また、本発明
の真空蒸着装置は、真空槽内に、非蒸着体である筒状体
と、この筒状体内に挿通されるとともに、長尺状の抵抗
加熱線ヒータの外周に蒸発物質を被覆して形成され、か
つ、一端が送りローラに、また他端が巻取りローラにそ
れぞれ巻回された蒸着用材料と、前記筒状体の両端部の
近傍に設けられ、前記蒸着用材料を移動可能に支持する
電極とを配設し、前記電極間に電圧を印加し、前記抵抗
加熱線ヒータを被覆した茎発物質を蒸発し、前記筒状体
の内周面に蒸着させる手段を有しており、前記筒状体を
その軸心を中心に回転させる回転部材を具えたものでも
よく、また、前記蒸着用材料は、前記電極で支持される
部分が、さらに、筒状体の内径より小径の他の電極で支
持されることで折り返され、蒸着用材料の折り返された
電極間の部分が筒状体の内部に位置しているようにして
もよい。
は、真空槽内に配設した被蒸着体に薄膜を形成する真空
蒸着方法であって、長尺状の抵抗加熱線ヒータの外周に
原発物質を被覆して形、成され、かつ、一端が送りロー
ラに、また他端が巻取りローラにそれぞれ巻回された蒸
着用材料を、被蒸着体である筒状体内に挿通して配設し
、前記筒状体の両端部の近傍に配設した蒸着用材料を移
動可能に支持する電極を介して前記抵抗加熱線ヒータに
通電し、前記抵抗加熱線ヒータを被覆した蒸発物質を加
熱・蒸発させ、前記筒状体の内周面に蒸発物質の薄膜を
形成する手段を有しており、前記筒状体をその軸心を中
心に回転しながら薄膜を形成してもよく、また、本発明
の真空蒸着装置は、真空槽内に、非蒸着体である筒状体
と、この筒状体内に挿通されるとともに、長尺状の抵抗
加熱線ヒータの外周に蒸発物質を被覆して形成され、か
つ、一端が送りローラに、また他端が巻取りローラにそ
れぞれ巻回された蒸着用材料と、前記筒状体の両端部の
近傍に設けられ、前記蒸着用材料を移動可能に支持する
電極とを配設し、前記電極間に電圧を印加し、前記抵抗
加熱線ヒータを被覆した茎発物質を蒸発し、前記筒状体
の内周面に蒸着させる手段を有しており、前記筒状体を
その軸心を中心に回転させる回転部材を具えたものでも
よく、また、前記蒸着用材料は、前記電極で支持される
部分が、さらに、筒状体の内径より小径の他の電極で支
持されることで折り返され、蒸着用材料の折り返された
電極間の部分が筒状体の内部に位置しているようにして
もよい。
本発明は上記の手段を採用したことにより、被蕉着体で
ある筒状体内に配設した長尺状の蒸着用材料に、前記筒
状体の両端の近傍に配設した電極を介して通電し、抵抗
加熱線ヒータの外周に被覆した蒸発物質を加熱して蒸発
させ、前記筒状体の内周面に蒸発物質を蒸着して薄膜を
形成できるとともに、前記蒸着用材料の一端に接続した
送りローラまたは他端に接続した巻取りローラにより筒
状体内に連続的に蒸着用材料を供給でき、薄膜をを連続
的に形成できることとなる。
ある筒状体内に配設した長尺状の蒸着用材料に、前記筒
状体の両端の近傍に配設した電極を介して通電し、抵抗
加熱線ヒータの外周に被覆した蒸発物質を加熱して蒸発
させ、前記筒状体の内周面に蒸発物質を蒸着して薄膜を
形成できるとともに、前記蒸着用材料の一端に接続した
送りローラまたは他端に接続した巻取りローラにより筒
状体内に連続的に蒸着用材料を供給でき、薄膜をを連続
的に形成できることとなる。
〔発・明の具体的構成]
以下、本発明を具体的に説明する。
第1図には本発明に用いられる蒸発源とその蒸発源によ
り加熱されて蒸発する蒸発物質とを一体にした蒸着用材
料の一実施例が示されていて、この蒸着用材料1は、タ
ングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(M
o)、ニオブ(Nb)などの高融点金属をワイヤ状にし
た抵抗加熱線ヒータ2の外周に、プラチナ(Pt)、金
(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、&l11
(Cu)などの前記抵抗加熱線ヒータ2の高融点金属材
料より低融点の金属材料からなる蒸発物質3を被覆して
、同軸状に形成したものである。
り加熱されて蒸発する蒸発物質とを一体にした蒸着用材
料の一実施例が示されていて、この蒸着用材料1は、タ
ングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(M
o)、ニオブ(Nb)などの高融点金属をワイヤ状にし
た抵抗加熱線ヒータ2の外周に、プラチナ(Pt)、金
(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、&l11
(Cu)などの前記抵抗加熱線ヒータ2の高融点金属材
料より低融点の金属材料からなる蒸発物質3を被覆して
、同軸状に形成したものである。
第2図(a) (b)には本発明による真空蒸着装置の
第1の実施例の要部が示されていて、上記の蒸着用材料
1が、その一端が送りローラフに接続され、他端が巻取
りローラ8に接続されるとともに、被蒸着体である円筒
状の筒状体4内に挿通されている。
第1の実施例の要部が示されていて、上記の蒸着用材料
1が、その一端が送りローラフに接続され、他端が巻取
りローラ8に接続されるとともに、被蒸着体である円筒
状の筒状体4内に挿通されている。
また、前記筒状体4の両端部の近傍には、前記長尺状の
蒸着用材料1を移動可能に支持する電極である回転ロー
ラ5.6が配設され、この一対の回転ローラ5.6間に
電圧を印加する電源9が接続されている。
蒸着用材料1を移動可能に支持する電極である回転ロー
ラ5.6が配設され、この一対の回転ローラ5.6間に
電圧を印加する電源9が接続されている。
さらに、前記筒状体4には、その外周に筒状体4をその
軸心を中心とする回転を与える回転部材である一対の駆
動ローラ10.10が設けられている。
軸心を中心とする回転を与える回転部材である一対の駆
動ローラ10.10が設けられている。
そして、上記の各部材が真空槽A内に配設されて構成さ
れた真空蒸着装置は、真空槽A内を所定の真空条件下に
保持された状態で使用される。
れた真空蒸着装置は、真空槽A内を所定の真空条件下に
保持された状態で使用される。
すなわち、本発明による真空蒸着装置を第2図(a)の
ようにセットした後、前記筒状体4を、第2図[有])
に示すようにその軸心を中心に回転させながら、前記電
極である一対の回転ローラ5.6間に電源9から電圧を
印加し、前記筒状体4内に挿通される蒸着用材料lの抵
抗加熱線ヒータ2に電流を流して加熱し、抵抗加熱線ヒ
ータ2を、被覆する蒸発物質3を蒸発させ、筒状体4の
内周面に蒸発物質3の均一な薄膜を形成することができ
る。
ようにセットした後、前記筒状体4を、第2図[有])
に示すようにその軸心を中心に回転させながら、前記電
極である一対の回転ローラ5.6間に電源9から電圧を
印加し、前記筒状体4内に挿通される蒸着用材料lの抵
抗加熱線ヒータ2に電流を流して加熱し、抵抗加熱線ヒ
ータ2を、被覆する蒸発物質3を蒸発させ、筒状体4の
内周面に蒸発物質3の均一な薄膜を形成することができ
る。
そして、前記抵抗加熱線ヒータ2の外周に被覆した蒸発
物質3が全部蒸発してしまったら、前記巻取りローラ8
により前記蒸着用材料1を所定量巻取ることにより、前
記筒状体4内に新たに原発物質3を有する蒸着用材料1
を連続的に供給し、さらに上記の操作を繰り返し、所望
の厚さの薄膜を形成できることとなる。
物質3が全部蒸発してしまったら、前記巻取りローラ8
により前記蒸着用材料1を所定量巻取ることにより、前
記筒状体4内に新たに原発物質3を有する蒸着用材料1
を連続的に供給し、さらに上記の操作を繰り返し、所望
の厚さの薄膜を形成できることとなる。
また、前記蒸着用材料1の供給は、真空槽内の真空を破
ることなくでき、さらに、電極である回転ローラ5.6
に通電しながら、薄膜の形成を止めることなくできるこ
ととなる。
ることなくでき、さらに、電極である回転ローラ5.6
に通電しながら、薄膜の形成を止めることなくできるこ
ととなる。
したがって、本発明においては、筒状体4の内周面に蒸
発材料3を蒸着して薄膜を確実に形成できるとともに、
筒状体4内に連続的に蒸発材料3を供給できるので、薄
膜形成効率を大幅に向上できることとなる。
発材料3を蒸着して薄膜を確実に形成できるとともに、
筒状体4内に連続的に蒸発材料3を供給できるので、薄
膜形成効率を大幅に向上できることとなる。
第3図には本発明による真空蒸着装置の他の実施例の要
部が示されていて、前記と同様な蒸着用材料1が、その
一端が送りローラ17に接続され、他端が巻取りローラ
18に接続されるとともに、被蒸着体である円筒状の筒
状体14内に往復挿通されている。
部が示されていて、前記と同様な蒸着用材料1が、その
一端が送りローラ17に接続され、他端が巻取りローラ
18に接続されるとともに、被蒸着体である円筒状の筒
状体14内に往復挿通されている。
すなわち、前記筒状体14の一端側の端部近傍には、前
記茎着用材料1を移動可能に支持する電極である回転ロ
ーラ15.15′が配設され、また筒状体X4の他端側
の端部近傍には、前記筒状体14の内径より小径の電極
である回転ローラ16が配設され、被蒸着体である筒状
体14がこの回転ローラ16側から簡単に脱着できるよ
うになっているとともに、送りローラ17から出た前記
蒸着用材料1は、筒状体14内を前記一端側の回転ロー
ラ15から他端側の回転ローラ16に行き、ここで折り
返されて一端側の回転ローラ15′に到り、巻取りロー
ラ18に接続されており、前記筒状体14内に往復配設
されている。
記茎着用材料1を移動可能に支持する電極である回転ロ
ーラ15.15′が配設され、また筒状体X4の他端側
の端部近傍には、前記筒状体14の内径より小径の電極
である回転ローラ16が配設され、被蒸着体である筒状
体14がこの回転ローラ16側から簡単に脱着できるよ
うになっているとともに、送りローラ17から出た前記
蒸着用材料1は、筒状体14内を前記一端側の回転ロー
ラ15から他端側の回転ローラ16に行き、ここで折り
返されて一端側の回転ローラ15′に到り、巻取りロー
ラ18に接続されており、前記筒状体14内に往復配設
されている。
また、前記回転ローラ15.16問および回転比−ラ1
6.15′間にはそれぞれ電源19.19が接続されて
いる。
6.15′間にはそれぞれ電源19.19が接続されて
いる。
さらに、前記筒状体14には、その外周に筒状体14を
その軸心を中心とする回転を与える回転部材である一対
の駆動ローラ20.20が設けられている。
その軸心を中心とする回転を与える回転部材である一対
の駆動ローラ20.20が設けられている。
上記のような各部材が真空槽A内に配設されて構成され
た真空蒸着装置は、前記の実施例と同様に真空槽A内を
所定の真空条件下に保持された状態で使用され、前記筒
状体14を、その軸心を中心に回転させながら、前記電
極である回転ローラ15.16問および回転ローラ16
.15′間に電B20.20から電圧を印加し、前記筒
状体14内に往復挿通される蒸着用材料1の抵抗加熱線
ヒータ2に電流を流して加熱し、抵抗加熱線ヒータ2を
被覆する蒸発物質3を蒸発させ、筒状体14の内周面に
蒸発物質3の均一な薄膜を前記の実施例の倍の速度で形
成することができることとなる。
た真空蒸着装置は、前記の実施例と同様に真空槽A内を
所定の真空条件下に保持された状態で使用され、前記筒
状体14を、その軸心を中心に回転させながら、前記電
極である回転ローラ15.16問および回転ローラ16
.15′間に電B20.20から電圧を印加し、前記筒
状体14内に往復挿通される蒸着用材料1の抵抗加熱線
ヒータ2に電流を流して加熱し、抵抗加熱線ヒータ2を
被覆する蒸発物質3を蒸発させ、筒状体14の内周面に
蒸発物質3の均一な薄膜を前記の実施例の倍の速度で形
成することができることとなる。
また、前記抵抗加熱線ヒータ2の外周に被覆した蒸発物
質3が全部蒸発してしまったら、前記巻取りローラ18
により前記蒸着用材料1を所定量巻き取ることにより、
前記筒状体14内に新たに蒸発物質3が被覆した蒸着用
材料1を前記の実施例と同様に連続的に供給でき、前記
の実施例と同様に、蒸着用材料1の供給を真空槽内の真
空を破ることなく、さらに、電極である回転ローラ15
.16問および回転ローラ16.15′間に通電しなが
ら、薄膜の形成を止めることなくできる。
質3が全部蒸発してしまったら、前記巻取りローラ18
により前記蒸着用材料1を所定量巻き取ることにより、
前記筒状体14内に新たに蒸発物質3が被覆した蒸着用
材料1を前記の実施例と同様に連続的に供給でき、前記
の実施例と同様に、蒸着用材料1の供給を真空槽内の真
空を破ることなく、さらに、電極である回転ローラ15
.16問および回転ローラ16.15′間に通電しなが
ら、薄膜の形成を止めることなくできる。
さらにまた、上記の実施例においては、成膜した筒状体
14を回転ローラ16側から抜いて新たな被蒸着体であ
る筒状体14を簡単に装填でき、薄膜を前記の実施例の
倍の速度で形成できるとともに、蒸着製品の生産効率を
大幅に向上することができることとなる。
14を回転ローラ16側から抜いて新たな被蒸着体であ
る筒状体14を簡単に装填でき、薄膜を前記の実施例の
倍の速度で形成できるとともに、蒸着製品の生産効率を
大幅に向上することができることとなる。
なお、上記の実施例に示した蒸着用材料1の形状はこれ
に限定されず、第4図に示すように、高融点金属を細い
薄板状に成形した抵抗加熱線ヒータ12の外周に、プラ
チナ(Pt)、金(A、u)、銀(Ag)、パラジウム
(Pd)、銅(Cu)などの前記抵抗加熱線ヒータ12
の高融点金属材料より低融点の金属材料からなる蒸発物
質13を被覆して、同軸状に形成した蒸着用材料11と
したものであってもよい。
に限定されず、第4図に示すように、高融点金属を細い
薄板状に成形した抵抗加熱線ヒータ12の外周に、プラ
チナ(Pt)、金(A、u)、銀(Ag)、パラジウム
(Pd)、銅(Cu)などの前記抵抗加熱線ヒータ12
の高融点金属材料より低融点の金属材料からなる蒸発物
質13を被覆して、同軸状に形成した蒸着用材料11と
したものであってもよい。
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
実施例−1
前記第2 回(a) (blに示した真空蒸着装置を用
いて、抵抗加熱線ヒータ2として直径1mmのタングス
テン(W)を用い、蒸発物質3として抵抗加熱線ヒータ
2の外周に厚さ0.5mmのチタン(T i )を被覆
し、直径2mmの蒸着用材料1とし、筒状体4として、
外径10mm、長さ300mm、肉厚0.5mmのガラ
ス管を用いて、真空槽内を6X6−’Torrの真空条
件にして、電極である回転ローラ5.6間に50Aの電
流を7分間流した後、−変電流を止め、巻取りローラ8
を作動して蒸着用材料1を新たに筒状体4内に供給して
、さらに7分間、前記と同様に回転ローラ5.6間に5
0Aの電流を流して、筒状体4であるガラス管の内周面
にTiの薄膜を形成した。
いて、抵抗加熱線ヒータ2として直径1mmのタングス
テン(W)を用い、蒸発物質3として抵抗加熱線ヒータ
2の外周に厚さ0.5mmのチタン(T i )を被覆
し、直径2mmの蒸着用材料1とし、筒状体4として、
外径10mm、長さ300mm、肉厚0.5mmのガラ
ス管を用いて、真空槽内を6X6−’Torrの真空条
件にして、電極である回転ローラ5.6間に50Aの電
流を7分間流した後、−変電流を止め、巻取りローラ8
を作動して蒸着用材料1を新たに筒状体4内に供給して
、さらに7分間、前記と同様に回転ローラ5.6間に5
0Aの電流を流して、筒状体4であるガラス管の内周面
にTiの薄膜を形成した。
上記で成膜されたガラス管を取り出し、切断して、ガラ
ス管の内周面に形成されたTiの薄膜の膜厚を測定した
ところ1.1μmであり、膜厚分布は300mmあたり
で1.1μm±20%であり、Tiの付着力も強固なも
のであった。
ス管の内周面に形成されたTiの薄膜の膜厚を測定した
ところ1.1μmであり、膜厚分布は300mmあたり
で1.1μm±20%であり、Tiの付着力も強固なも
のであった。
実施例−2
前記第3図に示した真空蒸着装置を用いて、前記実施例
−1と同様な蒸着用材料l、筒状体14を用いて、さら
に真空条件も同様にして、電極である回転ローラ15.
16問および回転ローラ16.15′間に50Aの電流
を5分間流して、筒状体14であるガラス管の内周面に
Tiの薄膜を形成した。
−1と同様な蒸着用材料l、筒状体14を用いて、さら
に真空条件も同様にして、電極である回転ローラ15.
16問および回転ローラ16.15′間に50Aの電流
を5分間流して、筒状体14であるガラス管の内周面に
Tiの薄膜を形成した。
ガラス管の内周面に形成されたTiの薄膜の膜厚を測定
したところ0.5μmであり、膜厚分布は300mmあ
たりで0.5am±10%であ、す、Tiの付着力も強
固なものであった。
したところ0.5μmであり、膜厚分布は300mmあ
たりで0.5am±10%であ、す、Tiの付着力も強
固なものであった。
なお、上記の実施例で筒状体として円筒状のガラス管を
用いたが、金属、セラミックスなどでもよく、また、筒
状であればいずれのものでも適用できる。
用いたが、金属、セラミックスなどでもよく、また、筒
状であればいずれのものでも適用できる。
本発明は上記のように構成したので、筒状体の内周面に
薄膜を確実に形成できるとともに、真空を破ることなく
、かつ、薄膜の形成を止めることなく薄膜形成材料であ
る蒸発物質を連続的に供給することができるので、薄膜
形成効率を大幅に向上することができるなどのすぐれた
効果を有するものである。
薄膜を確実に形成できるとともに、真空を破ることなく
、かつ、薄膜の形成を止めることなく薄膜形成材料であ
る蒸発物質を連続的に供給することができるので、薄膜
形成効率を大幅に向上することができるなどのすぐれた
効果を有するものである。
第1図は本発明に用いる蒸着用材料の一実施例の説明図
、第2図(a) (b)は本発明の真空蒸着装置の第1
の実施例の要部を示し、第2図(a)は概略図、第2図
(b)は要部説明図、第3図は本発明の真空蒸着装置の
第2の実施例の概略図、第4圓は本発明に用いる蒸着用
材料の他の実施例の説明図、第5関(al (b) (
C)はそれぞれ従来の蒸着用材料の説明図である。 1.11・・・・・・蒸着用材料 2.12.21・・・・・・抵抗加熱線ヒータ3.13
.22.32.42・・・・・・蒸発物質4.14・・
・・・・筒状体 5.6.15、 +5’、16・・・・・・回転ローラ(電極)7.17
・・・・・・送りローラ 8.18・・・・・・巻取りローラ 9.19・・・・・・電源 1O120・・・・・・駆動ローラ A・・・・・・真空槽 31・・・・・・ボート 41・・・・・・るつぼ 43・・・・・・イオンビーム 第1図 第4図 )蒐鮮裕料 第5 図 手 続 ネ甫 正 書 (自発 ■、朋牛の耘 2、発明の名称 3、補正をする者 羽生との関係 住所 氏名 (名称) 4、代理人 断 平成 1年特許願第103168号 真空蒸着方法およびその装置
、第2図(a) (b)は本発明の真空蒸着装置の第1
の実施例の要部を示し、第2図(a)は概略図、第2図
(b)は要部説明図、第3図は本発明の真空蒸着装置の
第2の実施例の概略図、第4圓は本発明に用いる蒸着用
材料の他の実施例の説明図、第5関(al (b) (
C)はそれぞれ従来の蒸着用材料の説明図である。 1.11・・・・・・蒸着用材料 2.12.21・・・・・・抵抗加熱線ヒータ3.13
.22.32.42・・・・・・蒸発物質4.14・・
・・・・筒状体 5.6.15、 +5’、16・・・・・・回転ローラ(電極)7.17
・・・・・・送りローラ 8.18・・・・・・巻取りローラ 9.19・・・・・・電源 1O120・・・・・・駆動ローラ A・・・・・・真空槽 31・・・・・・ボート 41・・・・・・るつぼ 43・・・・・・イオンビーム 第1図 第4図 )蒐鮮裕料 第5 図 手 続 ネ甫 正 書 (自発 ■、朋牛の耘 2、発明の名称 3、補正をする者 羽生との関係 住所 氏名 (名称) 4、代理人 断 平成 1年特許願第103168号 真空蒸着方法およびその装置
Claims (5)
- (1)真空槽(A)内に配設した被蒸着体に薄膜を形成
する真空蒸着方法であって、長尺状の抵抗加熱線ヒータ
(2)(12)の外周に蒸発物質(3)(13)を被覆
して形成され、かつ、一端が送りローラ(7)(17)
に、また他端が巻取りローラ(8)(18)にそれぞれ
巻回された蒸着用材料(1)(11)を、被蒸着体であ
る筒状体(4)(14)内に挿通して配設し、前記筒状
体(4)(14)の両端部の近傍に配設した蒸着用材料
(1)(11)を移動可能に支持する電極(5)(15
)、(6)(16)を介して前記抵抗加熱線ヒータ(2
)(12)に通電し、前記抵抗加熱線ヒータ(2)(1
2)を被覆した蒸発物質(3)(13)を加熱・蒸発さ
せ、前記筒状体(4)(14)の内周面に蒸発物質(3
)(13)の薄膜を形成することを特徴とする真空蒸着
方法。 - (2)前記筒状体(4)(14)をその軸心を中心に回
転しながら薄膜を形成する請求項1記載の真空蒸着方法
。 - (3)真空槽(A)内に、非蒸着体である筒状体(4)
(14)と、この筒状体(4)(14)内に挿通される
とともに、長尺状の抵抗加熱線ヒータ(2)(12)の
外周に蒸発物質(3)(13)を被覆して形成され、か
つ、一端が送りローラ(7)(17)に、また他端が巻
取りローラ(8)(18)にそれぞれ巻回された蒸着用
材料(1)(11)と、前記筒状体(4)(14)の両
端部の近傍に設けられ、前記蒸着用材料(1)(11)
を移動可能に支持する電極(5)(15)(15′)、
(6)(16)とを配設し、前記電極(5)(15)(
15′)(6)(16)間に電圧を印加し、前記抵抗加
熱線ヒータ(2)(12)を被覆した蒸発物質(3)(
13)を蒸発し、前記筒状体(4)(14)の内周面に
蒸着させることを特徴とする真空蒸着装置。 - (4)前記筒状体(4)(14)をその軸心を中心に回
転させる回転部材(10)(20)を具えた請求項3記
載の真空蒸着装置。 - (5)前記蒸着用材料(1)(11)は、前記電極(1
5)、(15′)で支持される部分が、さらに、筒状体
(14)の内径より小径の他の電極(16)で支持され
ることで折り返され、蒸着用材料(1)(11)の折り
返された電極(15)、(16)間および電極(16)
、(15′)間の部分が筒状体(14)の内部に位置し
ている請求項3記載の真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316889A JPH02282477A (ja) | 1989-04-22 | 1989-04-22 | 真空蒸着方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316889A JPH02282477A (ja) | 1989-04-22 | 1989-04-22 | 真空蒸着方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02282477A true JPH02282477A (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=14346977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10316889A Pending JPH02282477A (ja) | 1989-04-22 | 1989-04-22 | 真空蒸着方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02282477A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223375A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 可撓性基板の搬送装置及び成膜装置 |
| US6467425B1 (en) * | 1997-08-20 | 2002-10-22 | Rheinmetall Industrie Ag | Apparatus for internally coating a metal tube |
| JP2010018871A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Ulvac Japan Ltd | 同軸型真空アーク蒸着源及び真空蒸着装置 |
| JP2010111948A (ja) * | 2009-12-25 | 2010-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置、太陽電池及び太陽電池の作製方法 |
-
1989
- 1989-04-22 JP JP10316889A patent/JPH02282477A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6467425B1 (en) * | 1997-08-20 | 2002-10-22 | Rheinmetall Industrie Ag | Apparatus for internally coating a metal tube |
| JP2001223375A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 可撓性基板の搬送装置及び成膜装置 |
| JP2010018871A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Ulvac Japan Ltd | 同軸型真空アーク蒸着源及び真空蒸着装置 |
| JP2010111948A (ja) * | 2009-12-25 | 2010-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置、太陽電池及び太陽電池の作製方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3517644A (en) | Apparatus for making metal alloy resistors | |
| FR2484463A1 (fr) | Procede et appareil de revetement par pulverisation ionique sans gaz | |
| EP0621351B1 (en) | Method for evaporating metal using a resistance heated, pyrolytic boron nitrided coated graphite boat | |
| US4482799A (en) | Evaporation heater | |
| US2450856A (en) | Method of coating by evaporating metals | |
| US3598957A (en) | Vacuum deposition apparatus | |
| US4959524A (en) | Apparatus and evaporator for metallizing foils | |
| US2450851A (en) | Method of coating by evaporating metals | |
| JPS6037869B2 (ja) | 蒸着方法 | |
| US3171017A (en) | Evaporation of metal or metalloids | |
| US2463791A (en) | Method of coating with quartz by thermal evaporation | |
| US3263648A (en) | Coating apparatus employing rotating and reciprocating filament | |
| JPH01212759A (ja) | 管材内面スパッタ用ターゲット | |
| US3488214A (en) | Evaporant material control for vapor deposition apparatus | |
| JP3856879B2 (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPS5941509B2 (ja) | 強付着性の特に硬質炭素層を大きな面積に蒸着するための装置 | |
| JP7519702B2 (ja) | 炭素繊維の被膜形成方法とその装置 | |
| JPH08325714A (ja) | 蒸着装置 | |
| JPH0537957U (ja) | 微粒子コーテイング装置 | |
| JPH02160609A (ja) | 酸化物超電導体形成用ターゲット | |
| JPH0241165Y2 (ja) | ||
| DE3904991A1 (de) | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung | |
| JPH03267366A (ja) | 薄膜形成装置ならびにその運転方法 | |
| DE3925283A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum gleichmaessigen beschichten groesserer flaechen | |
| JPS58137941A (ja) | イオン源 |