JPH02283014A - 支持体上に結晶材料のシートを形成する方法 - Google Patents

支持体上に結晶材料のシートを形成する方法

Info

Publication number
JPH02283014A
JPH02283014A JP1166467A JP16646789A JPH02283014A JP H02283014 A JPH02283014 A JP H02283014A JP 1166467 A JP1166467 A JP 1166467A JP 16646789 A JP16646789 A JP 16646789A JP H02283014 A JPH02283014 A JP H02283014A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support
growth
mask
film
crystalline
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1166467A
Other languages
English (en)
Inventor
Carl O Bozler
ボズラー，カール・オー
John C C Fan
フアン，ジヨン・シー・シー
Robert W Mcclelland
マクレランド，ロバート・ダブリユー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Massachusetts Institute of Technology
Original Assignee
Massachusetts Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Massachusetts Institute of Technology filed Critical Massachusetts Institute of Technology
Publication of JPH02283014A publication Critical patent/JPH02283014A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
    • H10F10/142—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers comprising multiple PN homojunctions, e.g. tandem cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/04—Pattern deposit, e.g. by using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/40—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising photovoltaic cells in a mechanically stacked configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/127—The active layers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs or InP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/27—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using selective deposition, e.g. simultaneous growth of monocrystalline and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H10P14/271—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using selective deposition, e.g. simultaneous growth of monocrystalline and non-monocrystalline semiconductor materials characterised by the preparation of substrate for selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/27—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using selective deposition, e.g. simultaneous growth of monocrystalline and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H10P14/276—Lateral overgrowth
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
    • H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
    • H10P14/3214—Materials thereof being Group IIIA-VA semiconductors
    • H10P14/3218—Phosphides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
    • H10P14/3214—Materials thereof being Group IIIA-VA semiconductors
    • H10P14/3221—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3418—Phosphides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3421—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H10P90/1914—Preparing SOI wafers using bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0207—Substrates having a special shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/0217—Removal of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7412—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901—Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y10S117/902—Specified orientation, shape, crystallography, or size of seed or substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/903—Dendrite or web or cage technique
    • Y10S117/904—Laser beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/905—Electron beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/915—Separating from substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/026—Deposition thru hole in mask
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/048—Energy beam assisted EPI growth
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/054—Flat sheets-substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/09—Laser anneal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/135—Removal of substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/977—Thinning or removal of substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は材料の分野であり、さらに詳しくは結晶材料の
シート、たとえば、単結晶支持体上にエピタキシャルに
成長させた結晶半導体材料の薄いシートの製造に関する
。
多くのソリッドステートの電子装置において、この装置
の活性体積は、しばしば単結晶の形の結晶半導体材料の
薄いシート、フィルムまたは層からなるか、あるいはそ
の中に存在する。これは特に半導体、たとえばヒ化ガリ
ウム、ケイ素、ゲルマニウム、リン化インジウム、テル
ル化カドミウムなどから構成される装置または集積回路
について真実である。しかしながら、このような装置を
製作する現在の技術は、結晶シートを高純度の単結晶半
導体材料の比較的厚い支持体の表面の上または付近に形
成することを必要とし、そして製造した各シートのため
のこのような支持体の使用は、薄いシートの製造コスト
を異常に増加する傾向がある。支持体のコストは多くの
原因、たとえば、原料のコスト、精製、結晶の成長、切
断、みがきおよび清浄から生ずる。
再使用可能な支持体を用いることにより、上のコストの
すべてを減少することができ、コストの多くは排除され
、そして最小の加工費のみを必要とするだけであること
が認められてきた。こうして、再使用可能な支持体全単
結晶の半導体材料の薄いシートの製造に使用する試みが
なされてきており、そしてこれらの試みのうちには次の
ものがある。
ミルネス（Ｍｉｌｎｅｓ）及びフエウヒト（Ｆ　ｅｕｃ
ｈｔ）は、単結晶のケイ素の薄いフィルムを作成する剥
離フィルム技術を示唆した。示唆された手順において、
単結晶のケイ素の薄いシートは、前もってケイ素−ゲル
マニウム合金のエピタキシャル層で被覆されたケイ素の
支持体上に、薄いケイ素のフィルムを化学的に蒸着し、
こうしてヘテロエピタキシー構造を形成することによっ
て製造される。
次いでケイ素フィルムは、ケイ素−ゲルマニウムの中間
層を溶融し、引き続いてケイ素のフィルムをその支持体
から剥離することによって、支持体から解放される。こ
の支持体は、このような剥離フィルム技術において再使
用できる。参照、Ｍｉｌｎｅｓ、　Ａ、　Ｇ、及びＦｕ
ｅｃｈｔ、　Ｄ、　Ｌ、　、　　”Ｐｅｅｌｅｄ　　Ｆ
ｉｌｍ　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　　５ｏｌａｒ　　Ｃ
ｅ１ｌｓ”　　ＩＥＥＥ　　ＰｈｏｔｏｖｏｌＬａｉｃ
　　５ｐｅｃｉａｌｉｓｔ　　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、
ｐ、３３８．１９７５゜ このミルネスおよび７エウヒトの剥離フィルムの技術は
、引き続いて、ヒ化ガリウム、アルミニウムの薄い中間
層を用いることにより、ヒ化ガリウムの製造に拡張され
た。この場合において、ヒ化ガリウムアルミニウムの中
間層は塩酸により選択的にエツチングし、モしてヒ化ガ
リウムの単結晶の薄いフィルムを次いで支持体から除去
することができ、この支持体は再使用可能である。参照
Ｋｏｎａｇａｉ、　Ｍ及びＴ　ａｋａｈａｓｈｉ、　Ｋ
″Ｔｈ１ｎ　Ｆ　１１ｍＧａＡｌＡｓ−ＧａＡｓ　　５
ｏｌａｒ　　Ｃｅ１ｌｓ　　ｂｙ　Ｐｅａｌｅｄ　　　
Ｆｉｌｍ　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、”　　Ａｂｓｔｒ
ａｃｔ　　　Ｎｏ。
２２４、　Ｊ　　、　　Ｅ　ｌｅｔｒｏｃｈｅｍ、　　
Ｓｏｃ、　　ＥｘｔｅｎｄｅｄＡｂｓｔｒａｃｔｓ、Ｖ
ｏｌ、　　　７６−　１％　　Ｍａｙ、　　ｌ　　９７
６゜単結晶の半導体材料の薄いフィルムを製造するため
に再使用可能な支持体を使用する他の技術は、米国特許
第４，１１６．７５１号（Ｚ　ａｒｏｍｂ）に開示され
ている。この技術において、連続な中間層は、単結晶支
持体とその支持体に対しエピタキシャルに成長した外側
材料との間に使用される。連続な中間層は、割れ、昇華
、選択的溶融または他の技術により破壊することができ
るので、外側層は支持体から除去できる。
単結晶支持体を再使用して単結晶材料のシートを製造す
るこのような先行技術は、ある種の固有の問題に悩まさ
れる。−例として、これらの先行技術は、中間層のため
に選択した材料が非常に特別の性質をもつことを必要と
した。たとえば、これらの技術において中間層に使用す
る材料は、支持体と異なる材料であり、しかも支持体に
対しエピタキシャルに成長できる材料であり、それゆえ
シートを中間層上でエピタキシャルに成長させる材料で
あることを必要とした。これは候補の材料の部類を非常
に狭くしたが、これらの制限を越えて、中間材料はまた
支持体およびオーバーグローしたフィルムの性質と有意
に異なる溶融性、昇華性、機械的性質、エツチング性ま
たは他の性質をもたなくてはならなかった。さらに、要
求されるヘテロ構造を製造するために必要なエピタキシ
ャル成長手順は、実施困難であることがわかり、これは
このような概念を剥離フィルム技術に応用することを制
限した。フィルムを支持体から分離するために中間層の
昇華又は溶融を用いるそれらの方法は、処理に高温を必
要とし、そしてこのような高温は製作されつつある装置
に悪影響をしばしば与えた。
選択的エツチングを用いる技術は、実際的基準で実施す
ることがとくに困難であった。中間層は比較的薄くかつ
連続であるので、フィルムをその上に有する支持体のヘ
リにおいて、ことに大きい面積のシートを製造するのに
要する大きい距離にわたって、形成された小さい開口を
通してエツチング剤を循環させることは困難であること
がわがっだ。前述のように、中間層の材料に要求される
優先的なエツチング性質は、この層に選択できる材料に
制約をさらに加えた。
結局、従来提案された再使用可能な支持体の使用に関す
るアプローチは、結晶材料のシート、とくに半導体材料
の大きい面積の薄いシートを、競争価格で、製造するた
めには実施不可能であることがわかった。特定の半導体
材料について、ヘテロ構造を形成するために要求される
中間層のために選択できる極めて狭い部類の材料が存在
したが、ヘテロ構造を形成するために要求されるエピタ
キシャル成長技術は実施することが困難であった。
このような問題のために、これらの技術は半導体材料の
結晶シートの製造について一般に受は入れられることは
決してなかった。
本発明は、結晶材料のシート、とくに必要に応じて再使
用できる単結晶の支持体上にエピタキシャルに成長させ
た結晶の半導体材料の薄いシートに関する。
本発明の１つの実施態様において、成長マスクを結晶支
持体上に形成し、次いで、結晶材料を、成長マスクを通
して露出された結晶支持体の区域において、成長させる
。成長条件は、結晶材料がマスクの露出区域を通して成
長し、次いでマスクの表面上を横方向に成長するように
選びかつ用いる。結晶材料の析出と成長を続けて、こと
に横方向において、さらに成長させ、これによって結晶
材料のシートをマスクの表面および結晶化支持体上に形
成する。シートが所望寸法になったとき、成長を中断し
、そして結晶材料のシートをその支持体から分離し、そ
の支持体は必要に応じて再使用できる。分離は種々の技
術、たとえば、結晶半導体材料のシートを臂開面に沿っ
て臂開させる機械的衝撃前面を使用することによって達
成できる。
別の実施態様において、結晶材料のシートの横方向のオ
ーバーグロースは成長マスクを必要としないで達成され
る。この実施態様は、その表面上に結晶材料の薄いスト
リップまたは埋め込まれた結晶材料の露出区域を有する
支持体を用いる。次いで、それ以上の成長は、これらの
ストリップまたは区域から横方向に起こして、結晶材料
を形成できる。
更に他の実施態様において、種々の装置は結晶材料のシ
ートを支持体から分離しないで製作される。
ここに記載する再使用可能な支持体上で結晶材料のシー
トを製造する方法は、このような製造において再使用可
能な支持体を用いるために従来提案された方法よりもす
ぐれＩ；利点を有する。１つのこのような利点は、中間
層を製造するためにヘテロエピタキシャル技術を用いる
ことの必要性の排除である。先行技術の中間層に適当な
部類よりも、非常に広い範囲の部類の材料を本発明に従
う適当な成長マスクとして使用できる。成長マスクに使
用される材料は、たとえば、単結晶である必要はなく、
また結晶であることさえ必要はない。
さらに、成長マスクは支持体に対してエピタキシャルに
成長させる必要はなく、事実、先行技術の中間層に不可
能であった成長マスクを適用する広範な種類の方法が存
在する。
ほかの利点は、本発明による横方向にオーバーグローし
た結晶層の結晶品質を、はとんどの場合において、ヘテ
ロエピタキシー技術により成長させた結晶層よりもすぐ
れるものとすることができるということである。
なおほかの利点は、要求される連続な中間層が存在しな
いために、得られ、そして支持体とオーバーグローした
フィルムとの間の結合区域が不連続な性質をもつために
、分離はいっそう容易に達成される。骨間のような技術
はこうして可能となる。他方において、必要に応じて、
ヘテロエピタキシー構造を用いであるいは用いないで、
優先的溶融、昇華またはエツチングの技術を用いること
がなお可能である。このようなヘテロエピタキシー技術
を用いた場合でさえ、選択的溶融、昇華又はエツチング
は、いっそう容易に実施できることが期待される。なぜ
なら、フィルムと支持体との間の接触の区域は、不連続
であり、そして分離のだめに選択的に溶融し、昇華しま
たはエツチングしなくてはならない材料を比較的少量で
有するだけであるからである。簡単に言えば、本発明の
横方向オーバーグロース技術は、再使用可能な支持体上
の結晶材料のシートの成長および分離を実際的とする。
薄い（たとえば、約５０μｍ）ケイ素の太陽電池は宇宙
および地球上の両方の応用において大きい可能性を有す
ることが知られている。不都合なことには、このような
薄いケイ素のシートを製造する現在の技術は、不経済な
エツチングおよびみがきの工程を含み、時間を浪費し、
また波形の表面仕上げを生成することがしばしばある。
Ｈｏ。
Ｆ、及び１ｉｅｓ、Ｐ、Ａ−，１３ｔｈ　　ＩＥＥＥＰ
　ｈｏＬｏｖｏｌｔａｉｃ　　Ｓ　ｐｅｃｉａｌｉｓｔ
ｓ　　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ。
Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎ、　Ｄ、　Ｃ−１９７８，ｐ４５
４参照。
他方において、　ここに記載する発明は太陽電池の製作
においてこれらの問題を回避することができる。約５０
ｐｍの厚さの、連続なケイ素の層を、成長マスク構造を
有するケイ素の支持体上に析出することができる。次い
で、ケイ素の層を、後述するように、従来の結晶の切断
、ウェーファーみがきおよびエツチングを必要としない
で、分離して、薄いケイ素のシートを製造できる。
薄い半導体シートの製造において支持体の再使用から生
ずるそれらの利点に加えて、結晶化支持体を再使用しな
いときでさえ、ここに記載する発明に対して利点が存在
する。
たとえば、半導体の薄いシート（例、約１／ｊｍの厚さ
）を低損失の絶縁支持体上に形成することが、集積回路
の製造に望まれる。このような組み合わせの１つの例は
、集積回路に現在広く使用されているサファイア上のケ
イ素（Ｓ　ＯＳ）である。
ＳＯ５におけるケイ素フィルムは多くの欠点をもちかつ
使用寿命が短かいことが知られているが、これに対して
本発明において記載する分離したフィルムは非常に高い
品質をもち、そしてまた支持体と半導体との非常に広い
組み合わせを許すであろう。材料のコストは集積回路の
コストにおいて主要因子とならないことがしばしばある
ので、支持体をこの応用において再使用しなくてもよい
であろう。
本発明の種々の特定の実施態様を、図面を参照しながら
説明する。これらの図面において、同様な要素は同様な
数字で示されている。
第１図は、本発明の１つの実施態様の工程を表わす、方
法の７０−シートである。この方法の第１工程において
、結晶成長マスクを結晶化支持体上に形成して、支持体
の一部分をおおいかつあるパターンの露出した支持体の
区域を残す。結晶化支持体は単結晶の支持体、たとえば
、ヒ化ガリウムまたは他の半導体の単結晶、あるいは表
面の少くとも一部分の露出領域において成長した結晶を
支持できる他の支持体であることができる。成長マスク
は、用いる成長条件下の結晶の成長を支持しない材料か
ら形成するか、あるいはマスクを通して露出した支持体
の区域における結晶の成長に比べて有意でない、わずか
の結晶の成長を支持するであろう。
この実施態様の次の工程において、結晶材料を支持体の
露出区域に析出する。これは、たとえば、マスクした支
持体を結晶成長反応器、たとえば蒸気相エピタキシー反
応器に入れることによって実施できる。結晶材料は成長
マスクにより露出された支持体のそれらの区域に析出し
、そして成長がマスクの表面に到達したとき、適切な条
件下に、それ以上の結晶の成長はマスクの表面上を横方
向に起こる。
次いで結晶の析出および成長を続けて、露出されたマス
ク区域からの材料の横方向の成長が、所望寸法の結晶材
料のシートが形成するまで、続くようにする。それは常
には必要ではないが、多くの場合において、横方向のオ
ーバーグロースは、支持体の露出区域において形成した
不連続の成長区域からの材料の連続なシートが形成して
しまうまで、続ける。
次いで、結晶材料のシートは使用する成長マスクに依存
して種々の技術を用いて、支持体から分離できる。たと
えば、低接着性成長マスクを使用する場合、シートは機
械的衝撃前面を用いて骨間して、結晶成長マスクの露出
区域を通して成長した支持リブにおいてシートを骨間す
ることができる。別法として、種々の追加の材料を工程
２において支持体の露出区域で初め結晶させ、次いで結
晶シート材料を成長させ、その後動めの結晶した′材料
を優先的にエツチングし、溶融し、昇華し、骨間し、ま
たは他の方法で除去もしくは破壊して、結晶材料のシー
トを結晶化支持体から分離することができる。
結晶化支持体は次いで必要に応じて再使用して、追加の
結晶材料のシートを成長させることができる。通常、支
持体の多少の清浄及び他の小規模の準備は必要であるが
、これはすべての場合のいいて要求されないであろう。
このような支持体は多数回使用して多くの薄い結晶材料
シートを成長させることができ、これによってこのよう
な結晶材料の薄いシートのコストを有意に減少できる。
第２図は、第１図に従い結晶材料の連続な薄いシートを
結晶化支持体上で製造することを図解する、一連の図を
表わす。
第２Ａ図において、比較的厚い再使用可能な結晶化支持
体ｌＯが示されている。この支持体は結晶の成長をその
上で支持できるいずれの材料であることもできる。単結
晶のヒ化ガリウムをその上で成長させるのに適当な支持
体の典型的な例として、再使用可能な支持体ｌＯは５〜
５０ミルの範囲の厚さのヒ化ガリウムのスラブであるこ
とができ、そしてドープされていても、されていなくて
もよい。製造された結晶フィルムを骨間により分離する
場合、支持体１０は、その表面が支持体材料の優先的臂
開面である平面に存在するように、配向させることが好
ましいが、それは必須ではない。
結晶成長マスク１２を次いで支持体ＩＯに適用し、そし
てマスク１２は支持体１０を露出する開口のパターンを
有する。適当であることがわかった１つの典型的なパタ
ーンは、第２Ｂ図に示すようなスリット１４のパターン
である。スリット１４の幅対間隔の比は、材料、成長条
件、要求される層厚さ、使用する分離技術などに依存し
て広く変化させることができ、そして最適な比は、特定
の用途に依存し、下に詳しく説明する方法によって決定
できる。一般に、スリット１４の幅は好ましくは成長す
べきフィルムの厚さより小さい。
もちろん、スリット以外の露出区域のパターンを有する
成長マスクを使用することもできる。
結晶成長マスク１２を形成する１つの適当な技術は、炭
化した７オトレジストを用いることによる。なぜなら、
炭素はヒ化ガリウムに対して非常に低い接着性をもち、
そしてまたエピタキシャル成長系において通常見いださ
れる反応成分に対して不活性であるからである。それゆ
え、炭素は多くの用途において成長マスク１２として使
用する顕著な材料である。
７オトレジストは、典型的には炭素、水素、イオウおよ
び／または酸素を含有し、初め結晶化支持体上に析出し
、次いで高温の焼付けにより部分的に酸化し揮発させて
、水素、イオウおよび／または酸素原子を除去する。こ
れにより炭素のマスクが残る。このような“炭化法”は
、まず常法で７オトレジスト、たとえばシブレイ（Ｓ　
ｈｉｐｌｅｙ）１３５０Ｊで材料を被覆することにより
、炭素を他の材料へ適用する方法を提供する。次いで７
オトレジストを必要に応じて常用技術によりパターンに
するか、あるいはパターンにしないでおくことができる
。炭化の間、フィルムの厚さは、炭素以外の原子が揮発
または燃焼するので、減少する。
空気中の４０°Ｃの１分間の加熱は、シブレイ１３５０
Ｊフオトレジストを炭化するのに必要な典型的な高温焼
付けである。
炭素層を他の材料の表面へ適用する他の技術、たとえば
、真空蒸着、スパッター、熱分解析出などが存在するが
、これらは炭素の析出に使用するとき、いくつかの欠点
に悩まされる。たとえば、このような技術により製造し
たフィルムは典型的には高い応力の低い接着性のフィル
ムであり、そしてさらにパターンを形成するためにいく
つかの工程を必要とする。炭化７オトレジストはこのよ
うな方法によりすぐれＩ；いくつかの改良を提供する。
たとえば、それは、典型的には、すぐれた接着性、低い
応力を有し、かつ先行技術の方法により製造されたフィ
ルムに比べて少ない数の工程を用いて容易に直接パター
ンにすることができる“マスク″を生成する。
もちろん、フォトレジスト以外の材料を炭化法において
使用できる。唯一の要件は、材料が炭素と少くとも１種
の他の原子とから構成されていて、炭素以外の原子を揮
発させて炭素のマスクを残すことにより、炭化できると
いうことのように思われる。
いったんマスクが支持体上に配置されると、結晶材料は
、マスクした支持体を結晶化反応器システムへ入れるか
、あるいは他の既知の成長技術により、析出することが
できる。単結晶のヒ化ガリウムを単結晶のヒ化ガリウム
支持へエピタキシャル成長させるために適当な結晶化反
応器システムは、ＡｓＣ１，−Ｇａ−Ｈ，蒸気相エピタ
キシーシステムである。第２Ｃ図に図解するように、結
晶の成長は成長マスク１２中のスリット１４の底の露出
された支持体の区域において初めに起こる。
これはスリット１４内にリブＬ６を形成し、これは完成
された結晶材料のシートをその支持体から分離できる点
としてしばしばはたらく。リブ１６の高さは、マスクの
厚さと等しく、図解の目的で誇張されている。成長はス
リット１４を通して上に続き、適切な成長条件下で、そ
の後マスク１２の表面上を横方向に続いて横方向にオー
バーグローしたシート１８ａを形成する。
第２Ｄ図において、結晶材料の連続した成長は、さらに
横方向のオーバーグロースを起こしてシート１８ｂを形
成し、このシート１８ｂはシート１８ａよりも厚く、面
積が大きいことが図解されている。
析出および成長は、必要に応じて、続けて、シート１８
が接合して、第２Ｅ図に図解するように、結晶材料の連
続なシート１８ｅ形成するようにすることができる。５
０μｍの中心に輻２．５μｍの幅を有するスリットをも
つマスクを用いるヒ化ガリウムのフィルムの典型的な横
方向のオーバーグロースにおいて、フィルムの厚さは連
続なフィルムまたはシートが形成される点において約１
μｍであることができる。成長は、もちろん、続けてこ
のフィルムをさらに厚くすることができる。
横方向にオーバーグローしたフィルムが完成した後、次
の工程はこのフィルムのその結晶化支持体からの分離で
ある。使用する特別の分離技術は、使用する結晶マスク
ならびに他の成長パラメーターにしばしば密接に関係す
る。支持体１０およびフィルム１２の曲げは、図解の目
的で誇張されている。分離の骨間技術を、下に詳述する
。
それにもかかわらず、本発明の骨間技術をさらに考察す
る前に、先行技術の分離技術を簡単に考察する。剥離フ
ィルム技術と共に使用することが従来提案された破壊技
術において、分離はフィルムと異なる材料である中間層
において起こると仮定された。しかしながら、この層は
支持体、中間層および剥離すべきフィルムを含む一体の
結晶構造の一部分であるので、結晶を破壊できるよく規
定された平面は存在しなかった。
第３Ａ図において見ることができるように、破環線は中
間層２０をたどると仮定されたが、通常、第３Ｂ図に示
すように、さまよい、これによって不均一な厚さのフィ
ルム２１ａが生じた。このような破壊のさまよいを防ぐ
ためには、原子のいくつかの間の結合を、分離しようと
する場所で、有意に弱くすることが必要である。
ここに記載する成長マスクを使用すると、結晶中に弱い
層をつくることができる。埋め込まれた成長マスクを１
２ａを有する構造が、第４Ａ図に図解されている。多く
の場合において、マスク１２ａは結晶に対して低い接着
を有する材料から形成することができ、この場合におい
て結晶は、第４Ｂ図に図解するように、マスク材料が生
ずるボイドを有するものと想像することができる。これ
らのトンネル形のボイドは、人工的に形成された襞間平
面として考えることができる。なぜなら、この平面中の
原子のいくつかの間の結合力は弱化されているからであ
る。
分離力が加わると、第４Ｃ図におけるように結晶材料は
、マスク１２ａの平面である、その最も弱い点において
破壊される傾向がある。破壊の平面は破壊平面の分解部
分断面図である第５Ａ図むよび＠５Ｂ図に示すように、
リブ厚さの範囲内で一般にさまよう。
成長マスクの区域における接着力を低くすると、オーバ
ーグローしたシートを分離するために要する力は支持体
の露出区域を通して上に成長したリブに対して本質的に
加わる。リブの間隔ａ対すブの幅すの比が大きくなれば
なるほど、加えられる分離力はリブへいっそう集中され
るようになり、これは多くの場合において有利である。
しかしながら、要求されるすべてのことは骨間を案内す
る１つの平面における結晶材料の弱化である。
第５Ａ図において、骨間はリブを通る自然の骨間面に沿
って並びにマスク区域における人工的につくられた自然
の骨間面に沿って図解されている。
前述のように、自然の骨間面は原子間の平均の結合強さ
が他の平面よりも弱い平面である。自然の骨間面の利点
を用いることにより、要求される分離力は小さくなり、
そして骨間は、図示するように、狭い帯に制限される傾
向となる。
第５Ｂ図において、人工的に作られた襞開面が自然の骨
間面と一致しない骨間が図解されている。
この結果、骨間は人工的に作られた骨間面になお従うが
、第５Ａ図におけるように狭い帯に拘束されてとどまら
ない。
支持体と横方向にオーバーグローしたフィルムとの間の
低い接着を作るためにマスクを使用できる、ある数の方
法が存在する。いくつかの場合において、支持体とオー
バーグローしたフィルム材料とに対して本来低い接着性
をもつ材料を成長マスクとして使用できる。たとえば、
炭素フィルムはヒ化ガリウムに対して低い接着性をもつ
材料の１つの例である。炭素はすぐれた化学的な不活性
、ならびに結晶成長の間の核化を抑制する能力をも有す
るので、それは支持体と横方向にオーバーグローしたフ
ィルム材料がヒ化ガリウムであるとき、成長マスクに適
した材料である。
横方向にオーバーグローした材料のシート、たとえば第
１図および第２図に図解する方法によって製造したもの
を骨間する特定の技術は、第６図に図解されている。
第６Ａ図において、再使用可能な支持体ＩＯはその上に
横方向にオーバーグローした結晶シート１８を有し、そ
して第２Ｅ図に示す位置に対して倒立した位置に配置さ
れている。結晶フィルム１８は初め新らしい支持体２２
、例えばガラスシート、へ結合剤、たとえばエポキシに
より結合される。セラミック、金属または他の材料のシ
ートを、新しい支持体に、もちろん、使用でき、そして
他の結合剤を同様に使用できる。
次の工程において、結合剤、たとえば、ワックスを用い
て、第６Ｂ図に示すように、新しい支持対２２を厚い支
持体２４へ結合することができる。
支持板２４は新しい支持体２２よりも厚くかつ剛性であ
るが、ガラス、ならびに金属などから作ることができる
。それを使用して新しい支持体が分離の間過度に曲がる
のを防ぐ。
第６Ｃ図において他の支持板２４を再使用可能な支持体
１０に結合して、最初の支持板２４としての同様な目的
として作用させる。
骨間手順を第６Ｄ図に図解する。この図において、たと
えば、ドライバーの先端であることができる、分割くさ
び２６を支持板２４の間にそう人し、次いでおだやかに
内側方向に推進させる。これは、再使用可能な支持体ｌ
Ｏと横方向にオーバーグローした結晶シート１８との間
を明瞭に分離するために十分な、衝撃波をつくる。分離
は結晶材料の骨間面に沿って起こる。
ある分離において、再使用可能な支持体の表面は、成長
マス・りで部分的におおわれたままである。
このような場合において、支持体は再使用のため、それ
を支持板から分離し、残留ワックスを清浄除去し、そし
て残りの成長マスクを除去することにより、準備するこ
とができる。この時点において、支持体は必要に応じて
再使用して、他の成長マスクをその上に形成することに
より、結晶材料の他のシートを製造できる。
他方において成長マスクが結晶化支持体に対してすぐれ
た接着性をもち、そして結晶フィルムに対して比較的劣
った接着性を有するとき、分離は殆ど完全なマスクをそ
の上に有する支持体を生ずることができ、その場合それ
を引き続いて直接再使用することができる。
第７図は、支持体と横方向にオーバーグローさせたシー
トとの間の接着力を低くするための、結晶成長マスクの
他の実施態様を示す。図示するように、結晶成長マスク
は第７図において、粉末のフィルム３０に形成した、シ
リカ粉末のような微細な粉末から形成されている。粉末
のフィルム３０は、たとえば、結晶ケイ素の成長に適当
な成長マスクを提供する。特別に調製した、個々のシリ
カ粒子は、横方向のフィルムのオーバーグロースの内そ
れらを所定の位置に保持するのに十分な方法で互いに付
着することができる。しかしながら、粉末のフィルム３
０の引張り強さは、結晶フィルム１８の強さに比べて低
く、分離を促進する。
分離力を加えると、個々の粉末粒子の間で分離が起こる
。このような粒子は、横方向にオーバーグローしたフィ
ルム１８および再使用可能な支持体ＩＯの表面から、典
型的にはエツチングにより、除去できる。
第８図は、結晶化支持体ＩＯおよび横方向にオーバーグ
ローしたシート１８への付著力が小さい他の型の成長マ
スクを図解する。この場合において、成長マスク３２は
フィルム１８の下にボイドの生成を促進する材料から形
成する。ボイドは荒いまたは多孔質の表面をもつ、フリ
ットガラスから形成できる、マスクを使用することによ
って、つくることができる。横方向にオーバーグローし
たシート１８を、再使用可能な支持体１０および成長マ
スク３２から分離するために要する骨間力は、それらと
の間の接触面積が小さいために、減少する。
第９図は、再使用可能な支持体１０とオーバーグローし
たフィルム１８との間の接触を最小とするボイドをもつ
、成長マスク３４のさらに他の実施態様を図解する。こ
の場合において、ボイドは再使用可能な支持体ＩＯの表
面をスカラップ形にし、次いで二酸化ケイ素から形成さ
れたものであるようなマスク３４を用いてピークの上表
面を除いた全部をおおうことにより、作られる。横方向
にオーバーグローしたフィルム１８と支持体との間の接
触面積は小さいので、マスク３４はそれ自体低い接着性
をもつ必要はない。横方向の成長はピークの露出区域か
ら起こって、第９図に図解する構造を形成する。分離力
を加えると、それは支持体ｌＯとオーバーグローしたフ
ィルム１８とが接触するピークに集中される。
第１Ｏ図は、本発明の異なる実施態様における他の一連
の工程を概略的に図解する。第１０Ａ図において、再使
用可能な支持体１０、たとえば単結晶のヒ化ガリウムを
接着促進性層３６、たとえば非晶質または結晶質のケイ
素で、まず被覆する。
これは非常に薄い層、たとえば、わずかに数百人の厚さ
であることができる。
その後、成長マスク１２、たとえば炭化７オトレジスト
から作ったもの、を第１０Ｂ図に図解するように前述に
類似する方式で適用する。
第１０Ｃ図は、次の工程を図解する。この工程は接着促
進層３６のエツチングであり、層３６がケイ素から形成
されているとき、ＣＦ、のプラズマにより実施できる。
ケイ素の接着促進層３６はヒ化ガリウムに対してすぐれ
た接着性をもち、そして結晶ヒ化ガリウムシートのエピ
タキシャル成長の間に用いる温度において炭化ケイ素を
形成することがわかった。炭化ケイ素は支持体と残りの
炭素との間に結合層を形成する。引き続く処理は前述の
ように実施できるが、ただし接着促進層３６は分離の構
成長マスク１２を所定位置に保持する傾向があるので、
引き続く清浄およびマスクの再使用は支持体ＩＯの再使
用前において不必要である。
第ｔｉ図において、適当な成長マスクの別の実施態様を
次のようにして支持体上に形成する。非常に微細な溶融
シリカを７オトレジストに加え、次いでこれを所望パタ
ーンで写真平版法により適用して、第１１Ａ図に示すよ
うに、マスク３８ａを形成する。高温の焼付けを次いで
用いてフォトレジストを燃焼する。この焼付けに典型的
な温度は約６００℃である。高温の焼付けの間、フォト
レジストは、炭素を含めて、完全に燃焼し去る。
これにより、第１１Ｂ図に示すように溶融シリカ粉末か
ら形成した成長マスク３８ｂが残る。粒子の上層はオー
バーグローしたフィルムに対してすぐれた接着性を有す
るが、溶融シリカ粉末内の個々の粒子は互いに対して強
い接着性をもたない。
これにより、成長マスク３８ｂの構造的一体性の低いリ
ブに沿って、襞間は容易に起こる。
第１２図および１３図は、本発明に従い結晶化支持体上
に材料の結晶シートを成長させる方法の別の実施態様を
図解する。図示するように、この方法の初期の工程は第
２Ａ−Ｃ図に図解するものに類似する。こうして、第１
３Ａ図に示すように、第２Ｃ図から得られる生成物は、
結晶材料のある程度の横方向のオーバーグロースの区域
１８ａをその上に有する結晶成長マスク１２を有する再
使用可能な支持体ＩＯである。しかしながら、この時に
おいて、材料の析出は中断され、それ以上の結晶の成長
はもとの結晶化支持体ＩＯ上で起こらない。
成長マスクを、第１３Ｂ図に図解するように、優先的に
エツチング除去することができ、そして第２支持体４０
を、第１３ｃ図に図解するように、結晶材料の区域１８
ａに取り付ける。第２支持体４０は非常に広範な種類の
材料から選ぶことができ、そして結晶の成長を支持する
材料である必要はない。さらに、支持体４０は１以上の
被膜、たとえば、結晶シート１８ａとオーム接触を形成
できる導電性金属の被膜を有することができる。
次いで、横方向にオーバーグローした区域１８ａは、第
１３図に示すように、再使用可能な支持対１０から襞間
する。個の結果、第２支持体４０は、第１３Ｅ図に示す
ように、ここでその上に結晶区域１８ａを有する。これ
らは区域１８ａをさらに成長させるために、あるいはあ
る種の装置の応用に直接使用できる。
シート１８ａをもつ第２支持体４０を、次いで、第１３
Ｆ図に図解するように、結晶シート１８ａの成長を続け
るエピタキシャル成長反応器の中に入れてシート１８ｂ
を形成し、そして必要に応じて、第１３Ｇ図に図解する
ように、連続な結晶フィルム１８が第２支持体４０上に
形成する点まで続ける。前の実施態様におけるように、
連続なフィルム１８について所望の厚さが達成されるま
で、析出および成長を続けることができる。結晶シート
１８が所望寸法に到達したとき、それを装置の製作にお
いて使用できる。
分離について前述の骨間技術に加えて、他の分離技術を
使用できる。これらの追加の分離技術の１つは、第１４
図に一般に図解するように、優先的エツチングである。
このような技術において、結晶成長マスクについて要求
される性質は、骨間技術を分離に使用する場合要求され
る性質と多少異なる。一般に、マスクに使用する材料お
よび／またはマスクとともに使用するヘテロエピタキシ
ー層は、支持体およびオーバーグローしたフィルムに比
べて優先的にエツチングされることが要求される。特別
の優先的エツチング技術を、第１５〜１８図を参照しな
がら詳述する。
第１５図は、横方向にオーバーグローした結晶したシー
トを再使用可能な支持体から優先的にエツチングするこ
とにより分離する１つの技術を図解する。第１５Ａ図に
、結晶成長マスク１２をその上にもつ結晶化支持体ｌＯ
が図解されている。
第１５Ｂ図かられかるように、横方向のオーバーグロー
スは、結晶シート１８ｂが互いに近ずくまで、続ける。
この時点において、支持体を反応器から取り出し、そし
てマスク１２のエツチング剤を結晶線のシート１８ｂの
間に形成されたトラフ４２を通して導入する。これは、
優先的に、成長マスク１２をエツチングし去り、第１５
Ｃ図に見られるような細長いボイドを残す。連続なシー
トを望む場合、支持体ｌＯを次いでエピタキシャル反応
器の中に入れ、そして結晶の成長を再開して、第１５図
に図解するように、もとの再使用可能な支持体１０上に
所望厚さの連続な横方向にオーバーグローしたシート１
８を生成する。細長いボイドは、第１５Ｅ図に示すよう
に、分離を比較的容易にする。
第１６Ａ図において、結晶化支持体１０をもう一度使用
する。この実施態様において、結晶成長マスク１２は、
第１エツチング剤に対して抵抗性である材料１２Ｈの２
層と、層１２ａの間にサンドインチされた第１エツチン
グ剤により優先的にエツチング可能な材料の追加の層１
２ｂとから成る。第１６Ａ図に示すように、横方向のオ
ーバーグロースは、結晶シート１８ｂがほとんど接触す
るまで、続け、次いで中断する。
第１６Ｂ図に図解するように、エツチング抵抗性の層１
２Ｈの区域をトラフ４２の底から除去し、次いで第１エ
ツチング剤をトラフ４２を経てサンドインチ構造中に導
入し、これによって層１２ｂを優先的にエツチング除去
して、細長いボイドをその所定位置に残す。
第１６ｃ図に図解するように、支持体１０を次いでエピ
タキシャル反応器中へもどし、そしてオーバーグロース
を所望の厚さの連続なシート１８が完成するまで統ける
。リブ１６において結晶材料をエツチングできる第２エ
ツチング剤を、次いで細長いボイドに導入して、結晶ン
ート１８を再使用可能な支持体１０から分離し、次いで
結晶支持体ｌＯを用いて、第１６Ａ図に示すように他の
マスクした支持体を形成できる。
第１７図において、ヘテロエピタキシーを用いて優先的
にエツチング可能な区域を形成する。第１７Ａ図におい
て、結晶成長マスク１２を有する再使用可能な支持体１
０が示される。成長マスク１２が形成された後、支持体
材料１０と異なる材料４４の析出物をマスク１２中にス
リット１４の底部に析出させる。支持体ＩＯがヒ化ガリ
ウムである場合、ヘテロエピタキシー材料４４は、たと
えば、ヒ化ガリウムアルミニウムであることができ、こ
れはへテロエピタキシー技術により析出できる。引き統
いて、支持体ｌＯに相当する結晶材料のエキタキシャル
析出を実施してシート１８ｂを形成する。第１エツチン
グ剤を用いて、第１７図に図解するように、マスク１２
を除去し、そして成長を続けて連続なシート１８を形成
する。引き続いて、第２エツチング剤を導入してヘテロ
エピタキシー材料４４をエンチング除去し、これによっ
て、第１７ｃ図のように、フィルム１８を支持体１０か
ら分離する。ヘテロエピタキシー材料４４がリブの底部
に析出されることが示されているが、それはまたリブの
他の部分、たとえば、上部に、少量のオーバグロースを
さえ、形成することもできる。
第８図は、横方向にオーバーグローしたフィルムを優先
的にエツチングして、それをその再使用可能な支持体か
ら分離する他の技術を図解する。
第１８Ａ図に図解するように、支持体ｌＯはスカラップ
形の上表面をもつ。支持体のスカラップ形の上表面は、
ピークの一番上を除いてすべての区域においてマスクす
る。この位置において、支持体と異なる材料４４の析出
および成長は、前述のようにヘテロエピタキシー技術に
より達成される。
次いで、支持体の析出および成長を続けて横方向にオー
バーグローしたフィルム１８を形成する。
第１８Ｂ図に図解するように、分離は、ヘテロエピタキ
シャル層４４のための優先的エッチング剤を、再使用可
能な支持体ＩＯと横方向にオーバーグローしたフィルム
１８との間に形成されたボイド中に導入することによっ
て達成できる。エツチングしなくてはならないヘテロエ
ピタキシャル材料４４は、ちょうど上に述べた３種類の
方法については少量であり、モしてボイドはエツチング
剤を循環するのに有効であるので、これらの技術はとく
に効率よくかつ実際的である。
第１９図及び第２０図は、横方向にオーバーグローした
結晶フィルムを製造する、本発明のさらに他の実施態様
を図解する。
第２０Ａ図において、再び単結晶のヒ化ガリウムである
ことができる支持体ＩＯが示されている。
この方法の第１工程において、酸化可能なマスク材料の
層４６を、第２０Ｂ図に示すように、適用する。層４６
は、ニトロ化または他の技術により優先的にエツチング
できる材料に転移できる他の材料であることもできる。
酸化可能な材料の例はケイ素であり、これは酸化して、
優先的にエツチング可能な材料である二酸化ケイ素にす
ることができる。
第２０Ｃ図において、スリット１５のパターンと酸化可
能なマスク４６へ適用することが図解されている。これ
は写真平版技術により実施できる。
次いで、結晶材料の析出および成長を、第２０Ｄ図に図
解するように、開始してリブ１６を形成し、その後マス
ク４６を、第２０Ｅ図に示すように、ある厚さ４８に酸
化する。マスク４６がケイ素である典型的な場合におい
て、マスク４６は７００℃の水蒸気により約５００Ａの
深さに酸化することができる。
第２０Ｆ図において、結晶材料の横方向のオーバーグロ
ースは前の場合におけるように図解されている。材料は
マスク４６および酸化された層４８のスリット１６を通
して上に成長し、そして酸化された層４８の表面の上を
横方向に成長、してシート１８ｂを形成する。
酸化された層４８のための優先的エツチング剤をトラフ
４２に導入し、酸化された層が、第２０Ｇ図に示すよう
に、エツチング除去された後、オーバーグローした支持
体をエピタキシャル反応器中にもどし、そして成長を続
けて、第２０Ｈ図に示すように、所望厚さの結晶材料の
連続的なシート１８を生成する。
分離は、第２０１図に図解するように、くさび２６を用
いて、支持体をオーバーグローしたフィルムからリブ１
６において壁間させることができる機械的衝撃前面を与
える。
第２ＯＪ図において、マスク４６の他の部分の引き続く
酸化が示されている。次いで工程２０Ｆ〜Ｊを反復して
、支持体ＩＯ上に横方向にオーバーグローした結晶材料
の他の分離したシート１８を形成できる。
第２１図は、本発明において使用する再使用できる支持
体を形成する他の任意の技術を図解する。
第２１図において、支持体５１は結晶半導体材料、たと
えば単結晶ケイ素である。ケイ素および他の同様な材料
のための低い接着性のマスクは、ヒ化ガリウムを用いる
同様なマスクを達成することが困難であることが時々あ
る。たとえば、ケイ素は８００°Ｃ以上の高い成長温度
において炭素と反応し、炭素マスクをこのように高い温
度条件下に望ましくないものとする。
しかしなか、５ｉｌＮ、４および５ｉＯ１のような材料
は、高温においてさえケイ素に対して比較的不活性であ
る。しかしながら、従来の熱分解または熱的の析出物は
ケイ素および多くの他の支持体に対して非常にすぐれた
接着性を有する。第２１図は、ケイ素の支持体５１のよ
うな支持体上に、きわめてすぐれた低い接着性の成長マ
スクを製造する新規な方法を概略的に表わす。
第２１Ａ図は、ケイ素の支持体５１への比較的薄い（例
、ｔｏｏｏ人）二酸化ケイ素の皮膜５３を適用すること
を図解する。二酸化ケイ素の皮膜は、熱分解的にまたは
熱的に適用できる。その厚さは数オングストロームから
数千オングストロームの範囲であることができる。
次いで７オトレジストの層を二酸化ケイ素の皮膜５３の
上へ適用し、次いで空気中で高温に加熱して炭化するこ
とにより、炭化フォトレジスト層５５を形成する。この
層は約７０００Ａの厚さで適用し、そして４００°Ｃで
１分間炭化して、約３０００Ａの厚さにに薄くすること
ができる。
第２１Ｃ図に図解するように、二酸化ケイ素の他の層を
次いで炭化７オトレジスト層５５の上に適用する。この
第２の二酸化ケイ素の層５７は初めの二酸化ケイ素の層
５３と同様な厚さ（例、１０００Ａ）をもつことができ
るであろう。
第２１Ｄ図は７オトレジスト層５９の適用を図解する。
これは、常用の写真平版技術を用いて、所望の厚さにす
る。たとえば、横方向の成長についてここに説明したス
リット開口を、図解するように、適用できる。
７オトレジスト層５９を適用し、パターンにした後、３
層の皮膜を次のようにエツチングする。
二酸化ケイ素の層５７をまず緩衝フッ化水素酸でエツチ
ングしく第２１Ｄ図）、炭化フォトレジスト層５５をヘ
リウム−酸素プラズマでエツチングしく第２１Ｅ図）、
そして二酸化炭素層５３を緩衝７ツ化水素酸溶液で同様
にエツチングする（第２１Ｅ図）。
パターン化された７オトレジストマスク５９を常用の技
術により除去し、そして試料を酸素雰囲気中に置き、そ
して高温で（例、７００°Ｃで４５分間）焼付ける。こ
の酸素雰囲気中の高置の焼付けの間、炭素化７オトレジ
スト層５５はパターン化された二酸化ケイ素５３および
５７の間から選択的に除去される（揮発する）、この結
果、上の二酸化ケイ素の層５７は下の二酸化ケイ素の層
５３の上に、整合しかつ密に結合された関係で横たわる
。ウェーファーはここで低い接着性の成長マスクととも
に完成し、そして横方向の成長を開始できる。それぞれ
上および下の二酸化ケイ素の層５７および５３はゆるく
結合しているので、横方向にオーバーグローしたフィル
ムを支持体から骨間するための弱い平面が形成される。
第２２図は、ケイ素のような材料から形成した結晶支持
体上に低い接着性のマスクを形成する別の方法を図解す
る。この別の方法における第１工程は、炭化フォトレジ
スト層５５（例、３０００人）をケイ素の支持体５１上
に直接形成することである。次いで窒化ケイ素の層６１
を、炭化７オトレジスト５５上に熱分解的に析出する。
窒化ケイ素の層６４は典型的には５００〜１００ＯＡの
厚さを有する。次いでフォトレジスト５９ｔ−窒化ケイ
素の層６１上に適用し、常用の写真平版技術によりパタ
ーン化して、所望のスリットの開口を形成する（第２２
Ｃ図）。窒化ケイ素の層６１はＣＦ、プラズマを用いて
エツチングすることができる。次いでパターン化したウ
ェーファーを酸素雰囲気中で高温において焼付け、そし
て窒化物層６１は円滑にレイダウンされ、ケイ素の支持
体５１へゆるく結合するようになる（第２２Ｄ図）。
適当な焼付けは、酸素中で７００℃において４５分間で
あることができる。ゆるく結合した窒化ケイ素の層６１
は、横方向にオーバーグローしたフィルムが支持体５１
から形成した後、骨間のための弱い平面を有する低い接
着性の成長マスクを提供する。
第２１図および第２２図に図解する低い接着性の成長マ
スクを形成する方法の本質は、中央層を優先的にエツチ
ングし、焼付けし去り、あるいは他の方法で優先的に除
去することができる、３層のサンドイッチを形成するこ
とである。これらの層は十分に低い応力をもって形成さ
れるべきであり、そして十分【４薄くて、エツチングさ
れなかった２種の材料が均一にゆるく結合されるように
すべきである。３層の厚さおよび材料の性質は、ゆるい
結合が要求されかつこれらが比較的互いに対してかつ結
晶成長環境に対して不活性である程度に、限定されるだ
けである。広範な種類の材料および厚さの組み合わせを
、使用できる。
別の実施態様は第２３図に図解されている。第２３図は
、支持体自体が単結晶材料でない場合でさえ、実質的に
単結晶の横方向にオーバーグローしたフィルムの形成に
適する支持体の略図である。
事実、支持体は非晶質、多結晶質、金属、またはいくつ
かの結合であることができる。図示するようにマスク１
２を支持体５０の上に置く。マスク１２は前述の材料の
いずれであってもよく、そして支持体と同じ材料で構成
することさえできる。
マスク１２により残された開いた区域において、単結晶
でありかつ配向されていなくてはならない、種材料５２
を形成する。これは、たとえば、単結晶材料のシートか
らストリップを切り、そしてこのようなストリップを支
持体の上に横たえることによって実施できる。単結晶の
それ以上の成長は、種材料５２を上向きにかつ横方向に
マスク１２上を外向きに成長させて、結晶材料の横方向
にオー。
バーグローしたシートを形成するであろう。
第２図は、結晶成長マスク１２をその上に有する結晶化
支持体５４を用いる方法の略図である。
支持体５４はマスク１２を通して露出された区域が単結
晶であるかぎり、多結晶質または非晶買出あることがで
き、モして図解するように、多結晶質または非晶質の材
料を開口およびマスクの上に析出してシート５６を形成
する。析出に引き続いて、エネルギービーム、たとえば
パルスを発生するレーザー５８からのエネルギービーム
を使用してフィルム５６を加熱し、それを結晶化する。
単結晶の成長は、マスクを通して露出された区域におい
てエネルギービームにより開始され、そして横方向のオ
ーバーグロースが起こる。フィルム５６の結晶化も、グ
ラファイトのストリップヒーターを用いる加熱により、
他の加熱手段により、あるいは他の結晶化技術により達
成できる。
第２５図は、材料のシートを結晶化するために有用なグ
ラファイトのストリップヒーターの使用を概略的に示す
。非晶質ケイ素で被覆されたＳｉＯ２の成長マスクをそ
の上に有する結晶Ｓｉの支持体からなるスラブ５６（拡
大挿入図に断面で示されている）を、下のグラファイト
ヒーター６５の上に置く。このヒーター６５はスラブ５
６をその融点に近い温度に加熱する。次いで、上のグラ
ファイトのストリップヒーター６３を、スラブ５６の上
を横切って走査して、非晶質ケイ素を素の融点以上に加
熱する。
第２５図において、上のグラファイトストリップヒータ
ー６３は、線条の開口の長袖に対して平行に走査される
ように、図解されている。それは、もちろん、他方法で
走査することができる。たとえば、走査方向が線条の開
口の長袖に対して垂直であるとき、きわめてすぐれた結
果が得られることがわかった。このような垂直な走査を
用いると、横方向のエピタキシャルフィルムを単一の線
条の開口から広がらせることが可能である。
走査グラ７アイトヒーターを用いることに加えて、他の
加熱源、たとえばレーザーまたは電子ビームを使用する
こともできるであろう。線条開口の形状寸法に一致する
大きいアスペクト比を有するビームを使用することが好
ましい。
静止加熱技術、たとえばレーザーまたは他の源からのパ
ルスを発生する加熱を使用できる。また、走査効果をシ
ュミレートする、試料の平面において温度勾配を有する
静止グラファイトヒーターで、スラブ５６を加熱するこ
ともできる。
前述の技術において、材料の横方向のオーバーグリース
を有することが必要である。本発明の目的に対して、横
方向のオーバーグロースとは、製造された結晶シートの
面積の少くとも１０％が結晶化支持体の表面上を横方向
に成長したことを意味する。多くの場合において、もち
ろん、横方向の成長速度は、製造された結晶のシートの
合計面積の１０％よりも非常に多くの横方向の成長を許
すの十分であろう。
優先的な横方向の成長は、適切な成長条件、支持体の結
晶学的配向、および結晶成長マスク中のスリットまたは
他の開口により得ることができる。
優先的横方向の成長を提供するように調整できる結晶成
長条件は、温度、流速、濃度、成長時間などを包含する
。
はとんどの場合において、横対垂直の成長比は少くとも
約１であることが好ましい。約２５の比は実際に実施に
おいて達成され、そしてこれより大きい比でさえ適切な
成長条件下でかつ適切な支持体およびエピタキシャル成
長マスクの開口条件を用いると可能であると信じられる
。
開口からの単結晶フィルムの横方向の成長は、第２６図
に図解する。点は単結晶中の原子を表わす。こうして、
この図面は仮想の結晶の横断面を表わす。支持体中の原
子は、単結晶において期待されるように、完全に整列さ
れている。結晶が成長するにつれて、原子は、同じ順序
で加えられて、まずマスク１２中の開口を充填し、次い
で横方向にマスク１２の表面上を広がる。原子の順序は
露出区域における原子の配置に依存し、成長マスクの下
の区域はほとんどまたはまったく影響を及ぼさないこと
に注意すべきである。原子は多くの方法で、たとえば、
析出から、または非晶質層の結晶化から供給されうる。
成長速度がその測定方向に依存して変化す乙のは、所定
の組の成長条件下の結晶の性質である。第２６Ｂ図、第
２６Ｃ図および第２６Ｄ図は、第２６Ａ図と同じ、それ
ぞれ５分、１０分及び２０分後の前述のようにして成長
したヒ化ガリウムの結晶を図解する。原子間の水平およ
び垂直の距離がＩＯＡであるとき、第２６Ｃ図から、横
方向の成長速度は、４Ａ／分であり、そして垂直の成長
速度は２Ａ／分であることがわかる。通常、たいていの
結晶の成長速度はこれらの値よりも非常に大きく、そし
てこれらは図解の目的でのみ用いる。横方向対垂直の成
長速度の比はＧ、／Ｇｖ−２である。それゆえ成長速度
を測定する簡単な方法は、マスクを通して結晶を短時間
成長させ、次いで成長を中断し、第２６Ｃ図におけるよ
うにＬおよびＶを測定することである。横対垂直の成長
速度の比はＧ、／Ｇｖ−Ｌ／Ｖ（図面においてＬ／Ｖ−
２）である。
成長を２つの隣接開口から続けさせる場合、２つの開口
からの成長は、第２７Ａ図に示すように、完全によく整
列されたシートに合同することができる。８２７８図に
おけるそれ以上の成長は、多くの場合において、上面を
平滑する傾向がある。
勿論、シートを製造するためには、オーバーグローした
区域が接合する必要はない。本発明によれば、結晶化支
持体の表面上に多数のシートを製造することは、完全に
許される。この場合において、横方向に成長した各区域
はシートを形成することができる。本発明の目的に対し
て、オーバーグローした結晶材料は、結晶化支持体に対
して平行である最大の横断面の区域が支持体に対して垂
直である最大の横断面の区域に等しいかあるいはそれよ
り大きいとき、シートであると考えれる。
ある場合において、第２８図および第２９図に示すよう
に、結晶がある条件下で接合するとき、きずがオーバー
グロースにおいて形成することがある。これらの図面に
８いて、横対垂直の成長速度の比は５として図解されて
おり、それゆえオーバーグロースは、第２６図に示すも
のに比べて、同じ厚さのフィルムについてマスクの開口
からさらに延びる。このような大きい延長では、ある場
合、オーバーグローした層中に、図解するような効果を
起こすことがある応力を発生させることができる。もち
ろん、他の場合において、５以上の比はこのような問題
を起こさない。
第２８Ａ図において、オーバーグローした層の原子は圧
縮下にあり、そしてマスクの下において原子と正確に一
列に並んでいない。結局、成長が続きかつ第２８Ｂ図に
おいて横方向の成長、区域が接合すると、原子間の余分
な空間が存在し、これは結晶のディスロケーションに導
くことがある。
同様に、第２９Ａ図における横方向の成長はオーバーグ
ローした層中に応力を発生させ、この応力は左側をわず
かに上に曲げさせる。第２９Ｂ図に示すような成長接合
では、結晶間の合致は良好ではなく、そしてディスロケ
ーションが発生するであろう。この型の応力のさずば、
横対垂直の成長比を小さくすると、結晶の応力変形が小
さくなるので減少できる。ある場合において、ディスロ
ケーションと粒界は、ここで説明したように製造した結
晶材料のシートのある用途に対して悪影響を及ぼさない
であろう。
挙げた例のほとんどにおいて、横方向のオーバーグロー
スはスリットの両側から対称に起こることを示した。こ
の対称は、図面中に簡潔を目的として含めたが、それは
要件ではなく、通常の場合でなく、また必然的に好まし
いというわけではない。
選択的エピタキシーは、設計した形状寸法の開口をもつ
マスク材料を有する結晶支持体からの結晶のエピタキシ
ャル成長である。これらの選択的開口から開始する結晶
の成長は、支持体に類似する結晶構造を有し、そして結
晶の配向、マスクの開口の形状寸法および配向、および
結晶の成長条件に基づいた形状寸法に成長するであろう
。すべてのこれらの条件は最終の成長に影響を及ぼすの
で、形状寸法、角度、成長条件および支持体を注意して
設計して、最終の成長最適にして、特別の要求を満たす
ようにしなくてはならない。
横方向のオーバーグロース法は、開口の長さが幅より非
常に大きい平行な開口の使用を包含し、そしてパターン
は、高い長さ対幅の比をもつばかりでなく、層をもつマ
スク材料に開口を生成するように設計し、特定の設計の
層を製造する最適条件を選ぶことができた。
各開口は異なるエピタキシャル成長を生成することがわ
かった。たとえば、Ｎ、ｌＯ］結晶表面上で、横対垂直
の成長の比は、綿状の開口の角度が（１１０）の方向の
直線から時計まわりにθ。
から６０’に変化したとき、ｌから２５となった。
時計まわりを９０″まで続けると、横対垂直の成長速度
は減少した。他方において、［１００］配向した支持体
は（１１０）方向から２２．５°においてきわめてすぐ
れた成長を生成し、一方［１１１１Ｂ支持体は任意の３
つの骨間した面から時計まわりにおいて１５°ですぐれ
た成長を生成した。
人工的につくった平面と整列する自然の襞間平面を有す
ることはしばしば好ましいので、［１１０］はＧａＡｓ
について選び、そして直線の開口は（１１０）方向から
６０°配向させた。この角度は最大の横対垂直の成長比
を最も平滑な表面とともに生成した。
これらの条件は特定の組の成長条件についてＧａＡｓの
特定の場合についてのみ適用されることに注意しなくて
はならない。この間じＦＡＮパターンを用いることによ
り、他の材料、例えばケイ素、およびリン化インジウム
についてモしてＧａＡｓについて、異なる成長条件下で
、最適な条件を決定することができる。
ケイ素の場合において、ｌ：１の横対垂直の成長速度比
はある成長条件下で最良結果が得られた。
このｌ：ｌの比は、ｌ０００°ＣにおイテＳ　ｉ　Ｃｌ
。
およびＨＣＩを使用して蒸気相エピタキシー成長を実施
すると、［１１１］配向したケイ素のウェー７７−上の
［１１０］平面から時計回りに４５°であることがわか
った。［１１１］平面はスリコンについて骨間容易な平
面であるので、最適な条件についての試験はこの配向で
実施した。
横対垂直の比は、ことに横方向にオーバーグローしたシ
ートの所望厚さに関して、成長マスクの設計において重
要な考察である。前述のように、ヒ化ガリウムおよびケ
イ素についての横方向の成長特性は結晶配向に関するス
リットの配向の強力な関数であることがわかった。上に
考察したように、スリットの配向け、第２７図に示すＦ
ＡＮ形状の成長マスクの助けにより研究できる。第２７
図のマスクにおける各直線は２μｍの幅のスリットであ
り、そして連続のスリットは範囲一４５″〜＋４５″に
わたって互いに２ａの角度のなす。
１８０’のスリット角の完全な範囲は、支持体上にマス
クの２つのプリント、すなわち一方のプリントが他方に
関して、９０°で配向している、を作ることによつえ得
ることができる。このようなマスク上で横方向に成長さ
せた後、セクションをウェー７７−表面に対して垂直に
作って、オーバーグロースの断面形状を検査することが
できる。
この種の研究はヒ化ガリウムおよびケイ素の両方につい
て、種々の成長条件と［１００］、［１１０］および［
１１１１表面上のマスクに関して行った。いくつかの実
施例が、ＡｓＣ！、−Ｇａ−Ｈ３系のヒ化ガリウムのウ
ェーファーについて、７５０℃の成長温度、８２０　’
Ｏのガリウム温度、および５４ｍｍの内径の管中の９０
ｃｃ／分の水素流速において、挙げられている。
第３１〜３６図は、マスクされた表面が［１００］平面
である２μｍのスリット開口を通る横方向のオーバーグ
ロース（０）を図解する。　第３１図において、直線の
開口は（１１０）の方向に沿っており、そして第３２図
において、直線の開口は（０１１）方向に沿っている。
これらの場合について、横対直線の成長速度比は小さく
、そして第３１図について張出しさえ存在する。第３３
図、第３４図および第３５図は、（１１０）方向からそ
れぞれ＋２２．５°、＋６７．５°および１１１５°で
ある。第３１図および第３２図中の上表面のわずかの傾
斜は、支持体のわずか（２’　）の方向の誤りのため、
生ずる。すなわち、この表面は正確に［１００１配向し
ていない。第３６図において、ウェーファー表面は［１
００１の場所に配向し、そしてスリットは（１１０）方
向から時計まわりに６０°配向する。この配向は、［１
００１表面について前もって与えた成長条件下で最大の
横耐垂直の成長比を与える。
第３７図は、［１００］表面上のヒ化ガリウムについて
ＦＡＮ形マスクパターンから得られた結果の型の例を与
える。各スリットは、左から［１１０１方向で出発して
、他方から１０配向されている。左から時計まわりに第
２スリツトは第１スリツトから１　ｏ、第３スリツトは
第１スリツトから４°それぞれ回転している。この例に
ついて、横対垂直の成長比は（＋１０）方向から離れる
方向に動くとき増加する。
第３８図は、異なる支持体配向における第３７図のもの
と同じ時間および条件についてのスリットからの成長を
図解する。左のスリットは（１１０）方向であり、連続
するスリットは各々１°時計まわりに回転している。横
方向の成長の間生ずる右側の囲まれたボイド７１の存在
は、興味がある。このボイドは剥離層の背面上のみぞと
して示され、これは用途に依存して有利または不利であ
ろう。
第３９図において、第３８図のボイド７１の成長が有利
に使用される実施態様が示されている。
成長マスク１２を所定位置にして、成長は始まり、第３
９Ａ図、そして連続する、第３９Ｂ〜３９Ｄ図。ボイド
７１が形成し、これらは骨間によるフィルムの分離のた
めの弱い点としてはたらくことができ、第３９Ｅ図、或
いはそれ等はエツチング剤を循環させるための開口とし
て使用できる。
第４０図は、ここに記載する技術を用いて製造されたヒ
化ガリウムの太陽電池の製作物を図解する。
ヒ化ガリウムの単結晶の支持体１０は、横方向にオーバ
ーグローしたヒ化ガリウムのシート１８を用いて形成し
た太陽電池から分離されていることが示されている。フ
ィルムの横方向のオーバーグロースの前述の技術のいず
れも適する。Ｐ＋Ｐおよびｎ＋の担体の濃度は、エピタ
キシャル反応器中に存在するドープ剤を変えることによ
って単に達成される。アノードの酸化物層、スズ接触、
透明のエポキシおよびカバーガラスの要素は、すべて、
既知の技術、とくに浅いホモ接合（ｈｏｍｏｊｕｎｃｔ
ｉｏｎ）の太陽電池の製造を開示している１９７９年３
月２１日付は特許出願第２２．４０５号に記載されるよ
うに、加えられる。
ケイ素の太陽電池は、同様な技術により形成できる。ケ
イ素の太陽電池において、ケイ素の厚さは、背面の表面
反射体を用いこれにより厚さをｌＯμｍ程度に薄くでき
ないかぎり、少くとも２０ｐｍであるべきである。この
ように薄い層は、みがきを必要としないで成長したまま
で得ることができる。
リン化インジウムの太陽電池は、ヒ化ゲルマニウムを用
いる場合のように、わずかに約２〜３μの活性層を必要
とする。背面の反射体を用いると、種々の第２の支持体
上のｌｐｍの厚さのリン化インジウムは適当であろう。
第４１図は、結晶の横方向にオーバーグローした二重転
移を図解する。この方法は、前述のように、第４１Ａ図
において第１支持体１０から除去できる横方向に成長し
たエピタキシャルフィルム１８を製造して開始する。フ
ィルム１８を第２支持体６０に結合し、第４１Ｂ図に示
すように第１支持体ＩＯから除去する。他の第２支持体
６２を、フィルム１８の表面へ第４１Ｃ図における結合
層６４により結合する。結合層６４はエポキシまたは他
の適当な結合材料であることができる。まず第２支持体
６０をここでマスク１２の優先的エツチング、溶融など
により、第４１Ｄ図に示すように除去する。第４１Ｄ図
における構造物はここで通常の単結晶のウェー７７−と
まったく同じ方法で装置の製作に使用される。第４１図
中の単結晶フィルムがヒ化ガリウム、ケイ素またはヒ化
インジウムである場合、たとえば、太陽電池または集積
回路の製作を考えることができるであろう。
第４２図は、３つのタンデムに製作された太陽電池を図
解する。これは、ここに記載する単結晶の半導体材料の
非常に薄いフィルムの製造法のために、可能である。第
４２図に示すように、下部の電池７０は薄くある必要は
ないが、上部の電池７２および７３は薄い。３つの電池
は適切な光学的重合で透明な絶縁エポキシで一緒に結合
できる。
ヘテロエピタキシータンデム電池よりもすぐれた利点は
、各電池の電流および電圧が減結合されること、すなわ
ち、それらを独立に配線できるということである。別法
として、３つの電池を透明な導電性エポキシまたはＳｎ
ドープＩｎ、０３のような層で結合することができる。
この場合において、電池は直列に結合される。これが従
来のタンデム電池のアプローチよりもすぐれている点は
、３つの電池を別々に製作し、引き続いて一緒に結合で
きるということである。従来のタンデム電池のアプロー
チにおいて、３つの電池は一体的に成長しなければなら
ず、これにはすべての固有の困難、たとえば、格子の整
合、材料の相互拡散などが伴う。もちろん、いかなる数
の電池をタンデムに接合することができる。
第４３図は、マスクを用いない横方向のオーバーグロー
スを図解する。支持体８０は単結晶、多結晶、非晶質、
金属、絶縁材料などであることができる。支持体８０に
要求される唯一の性質は、それが前述のように横方向の
オーバークロースを許すということ、そしてそれがその
表面上の横方向のオーバーグロースの間比較的不活性に
とどまるということである。その上に生成する横方向ｌ
ニオ−バーグローしたフィルムへの接着性が低い材料を
支持体８０に選択することは、ある場合において有利で
あろう。もちろん、所望性質をもたない材料の表面に、
このような性質を与えるフィルムを形成することができ
、そしてこのような破壊した支持体も適当であろう。
第４３Ｂ図において、ストリップ８２ａは、好ましくは
単結晶からなり、支持体８０の表面に配置または結合さ
れている。これは、横方向のオーバーグロースの間、結
晶の核化および成長の適当な部位としてはたらく。
第４３Ｃ図において、横方向のオーバーグロースはスト
リップ８２ａをシート８２ｂに広がらせ始めでいる。横
方向のオーバーグロースは、前述のように、この応用に
おいて続けて、所望寸法の結晶材料のシートを製造でき
る。
第４３Ｄ図において、たとえば、横方向のオーバーグロ
ースは、連続なフィル８２が支持体８０の表面上に形成
する点まで起こった。連続なフィルム８２は、前述の技
術のいずれによっても分離できる。とくに、支持体８０
の表面がフィルム８２に対して低い接着性をもつ場合、
フィルム８２を単に持ち上げることができる。
第４４図は、単結晶材料のストリップの支持体中への埋
込みを図解する、一連の略図を表わす。
この場合において、支持体４４は単結晶である必要はな
く、そして、事実、横方向のオーバーグロース技術の間
有意の結晶の核化がその上に起こらない、いかなる材料
から形成することもできる。
単結晶材料の埋込まれたストリップ８５は、たとえば、
第１２図および第１３図に関して上に説明した技術によ
り製造できる。
単結晶のストリップ８５を埋込んだ支持体８４を、次い
で、エピタキシャル成長反応器へ入れ、そして横方向の
オーバーグａ−スを開始してオーバーグローした区域８
５ａを形成できる。
もちろん、それぞれ第４３図および第４４図に示すスト
リップ８２ａおよび８５ａは、細長いストリップの形で
ある必要はなく、一連のセグメント化ストリップである
ことができ、あるいは他の形状であることができる。
第４５図は、ここに記載する方法を用いて製作できる大
きい面積の太陽電池を概略的に図解する。
再使用可能なマスターパネル９０は、たとえば、約２フ
イートＸ４７（−ト（６１，０ｃｍＸｌ　２２ｃｍ）の
大きさである。現在、不可能でなかったとしても、この
ような大きさの半導体シートを形成することは非常に困
難である。この場合、再使用可能なマスターパネル９０
を複数の挿入可能な小さい単位９１から形成する。それ
らの単位９１は、セラミック板であることができる適当
な支持体９２へ接触しかつ整列した関係で接着する。イ
ンタート９１は約６インチ×１２インチ（１５，２ｃ　
ｍＸ３０．５　ｃ　ｍ）の大きさで形成され、そして上
面に単結晶のヒ化ゲルマニウムの薄いフィルムを有する
ゲルマニウムの支持体から形成できる。
太陽電池のパネルの大量生産において再使用可能なマス
ターパネル９０を使用する１つの方法を、第４６図に概
略的に図解する。多くの再使用可能なマスターパネルを
保持できるヒ化ガリウムの蒸気相エピタキシー反応器を
、準備する。ヒ化ガリウムの横方向のエピタキシャルフ
ィルムを、次のようにしてこの反応器内で再使用可能な
マスターパネル９０上に成長させる。
初め、結晶化成長マスクを、フィルムインサート９１上
の単結晶のヒ化ガリウム層へ適用する。
このマスクは、反応器を通して、反復サイクル可能であ
ってもよい。この反応器において、横方向に成長したヒ
化ガリウムのフィルムをマスクを通して上にかつインサ
ート９１の表面上を成長させて、パネル９０上に連続な
ヒ化ガリウムのフィルムを形成する。
パネル９０を反応器から取り出し、次いで太陽電池を、
伝統的工程、たとえば、めっき、陽極酸化などを各フィ
ルムインサート９１の表面について実施して、製作する
。次いで、ヒ化ガリウムの横方向に成長したエピタキシ
ャルフィルム含有電池を、再使用可能なマスターパネル
９０に類似する大きさのガラス板へ結合する。ヒ化ガリ
ウムの電池は、前述のように弱い平面に沿った壁間によ
す、マスターパネル９０からガラスシートへ移す。次い
で、再使用可能なマスターパネル９０は、反応器を通し
て再循環できる。ガラス支持体上のエピタキシャルフィ
ルムは、太陽パネルの製作を完結するために、わずかの
追加の工程を必要とする。明らかなように、他の半導体
材料の横方向のエピタキシャルフィルムを、このような
太陽パネルの製作に使用できる。
次の実施例により、本発明をさらに詳しく説明する。
実施例　１ クロムをドープして絶縁体とした、厚さ１５ミル（０，
３８ｍｍ）の単結晶のヒ化ガリウムの支持体を使用した
。この支持体を、骨間平面である［１１０１方向に配向
した。シブレイ（Ｓ　ｈｉｐｌｅｙ）１３５０Ｊ７オト
レジストを表面上へ適用し、予備暴露焼付けにより乾燥
した。各々が幅２．５μｍ、中心が５０μｍである線条
を、［１１０１平面から時計まわりに６０″′で配向さ
せて７オトレジスト上へ接触印刷した。次いで、被覆し
た支持体を４００℃に空気中で１分間加熱して、）オド
レジストを炭化した。
短時間化学的にエツチングし、被覆した支持体をＡ　ｓ
　ＣＩ　３−Ｇ　ａ−Ｈｚエピタキシャル反応器に入れ
、そして支持体を７４０　’Ｏの温度に加熱した。
結晶の成長は線条の開口中に炭素層を通して、引き続い
て炭素層の表面上に外に開始した。隣接する開口からの
横方向の成長は、フィルムの厚さがほぼ１２ｍとなった
とき、接合した。成長は、この連続フィルムが５．８μ
ｍの厚さを有するまで、続けた。
横方向に成長したフィルムをそのもとの支持体から移す
ために、この表面を厚さ１０ミル（０−２５ｍｍ）のガ
ラス板にハイゾル（Ｈｙｓｏｌ）白色エポキシ−パッチ
キットＮｏ−０１５１を用いて結合した。このエポキシ
は硬質であり、泡を含有しない。このエポキシで結合し
たサンドイッチを、２枚の硬質ガラス板にワックスで結
合した。
フィルムを支持体から分離するために、ドライバーの先
端を２枚の板すき間にそう人し、次いでハンマーで軽く
たたいた。層はＧａＡｓが炭化マスクを通して上に成長
した［１１０１　！開面に沿って、炭素対ヒ化ガリウム
の接着性が低くかつ結晶が弱いために、容易に分離した
。こうして、エピタキシャルフィルム全体はその新しい
支持体へ結合し、同時にもとの支持体はガラス板へ結合
したままに残った。
この支持体をガラス板から除去し、洗浄剤のスプレーで
洗浄して炭素フィルムを除去し、その後それはこの方法
の開始時とほぼ同じ状態であった。
次いで、はぼ１．００ＯＡのヒ化ガリウムが支持体から
、軽度の洗浄エツチングにより分離され、そして支持体
は再使用可能であった。
実施例　２ 特別に述べる以外、実施例１に手順と材料を用いて、同
じ支持体を用いてガラス支持体上にヒ化ガリウムの４枚
のフィルムを製造した。これらのフィルムはそれぞれ５
、ｌ０１ＩＯおよび８μｍであり、そして各フィルムの
区域は約３．８ｃｍであった。これらの結果から、少く
きも１０００枚のフィルムを厚さ２５ミル（０，６４ｍ
ｍ）のヒ化ガリウム支持体から発生させることが出来る
ことが推測された。
実施例　３ 本発明に従って製造したフィルムの電気的特性を、次の
ようにして評価した。エピタキシャルのイオウをドープ
した層を２枚のウェーファー上で成長させた。一方のウ
ェーファーはここに記載する再使用可能な支持体を用い
る方法に使用し、そして他方はフォトレジストのマスク
を用いないで対照試料として使用した。両方は［１０１
配向をもつクロムをドープした半絶縁性支持体であった
。成長後、４分の１ｃｍ”のハ□ル（Ｈａｔ　ｌ）試料
のかどにおいてオーム接触を用いて、ファン・デル・パ
ラ（Ｖ　ａｎ　　ｄｅｒ　　Ｐ　ａｕ）技術により、両
方のウェー７７−についてハル測定を行った。再使用可
能なエピタキシャルフィルムをガラス支持体へ移し。接
触と針金を取付けた。次いでこの移したフィルムの測定
を再び行った。すべての測定の結果を表１に記載する。
横方向に成長した層の電子移動度は対照試料よりもわず
かに小さいが、０．４のＮＡ／ＮＤはそれが非常に高い
品質であることを示した。フィルを移した後、本質的な
変化は存在しなかった。
これらのフィルムの電気的性質は、これらのドープレベ
ルにおいて従来知られた成長法に、よって製造されたヒ
化ガリウムフィルムについて従来得ることかでさる最良
の結果に匹敵した。
実施例　４ 特記する以外、実施例１の手順な用いて、最も近い［１
ｌＯＪ平面に向けて５″離りた［ｌｏｏ］方向に配向さ
せた単結晶のＧａＡｓ支持体を用いて、ＧａＡｓの分離
し多結晶シートを製造した。
この層は容易に分離して、　［１１０１支持体を選んだ
場合よりもわずかに不均一なＧａＡｓの分離したセクシ
ョンを残した。［１１０１支持体は好ましいが、他の配
向は他の用途に依存して使用できる。
実施例　５ ケイ素のウェー７７−を支持体に使用し、そしてそれは
襞間平面である配向された［１１Ｎである。ウェー７７
−の全表面を熱的に酸化して、厚さ５００人のＳｉＯｘ
層を形成する。この層は成長マスクの一部分であり、こ
れは成長に対するバリヤーを提供するので、ケイ素は成
長マスクの他の部分として使用するシリカ粉末を通して
成長しないであろう。この粉末は、１３７５シブレイ・
レジズト（Ｓ　ｈｉｐｌｙ　　Ｒｅｓｉｓｔ）と粒度的
１ｐｍのシリカ粉末との混合物を用いて、表面へ適用す
る。普通の写真平版技術を用いて、線条の開口を形成し
、これらの開口を［１１０１方向に対して４５°で整列
させ、そして厚さ約６ｐｍのレジスト層中の中心に対し
て中心が５０μｍの間隔を有し、幅４μｍである。）オ
ドレジストを粉末の粒子の中から、ウェーファーをアセ
トンで洗浄することにより、除去する。粒子は、前と同
じパターンで表面上の所望位置にとどまる。
次の条件を用いてケイ素のオーバーグロースを得た。エ
ピタキシャル反応器は５ｉＣ１，−Ｈ，−ＨＣｌ系であ
る。ＭＣＩの両を調整して、横方向のオーバーグロース
を最大にする。典型的な成長温度は約１，０００℃であ
り、そして成長速度は約０．５　ｐ　ｍ／分であった＠
　Ｓ　Ｉ　Ｃ１４％　ＨｚおよびＭＣＩの流速は、それ
ぞれｌ　−５ｇ／分、５５ＣＣ／分及び８ｃｃ／分であ
った。オーバーグロース比は、約１であった。Ｓｉフィ
ルムは、フィルムが約２５μｍの厚さであるとき、連続
となった。実施例Ｉに類似する分離手順を用いた。
実施例　６ ＩｍＰフィルムの製造は、ＧａＡｓの製造に非常に類似
する。ＶＰＥ反応器は、ＰＣＩ、−Ｉｎ−Ｈ，法を用い
る。成長温度は約６００℃であり、モして５のオーバー
グロース比が容易に得られる。
ＩｎＰについて、炭化７オトレジストは、ＧａＡＳの場
合におけるように、よくはたらく。ＩｎＰ中の襞間平面
は［１１０１であり、そして横方向のオーバーグロース
はスリットを（１１０）方向から時計まわりに３０＠配
向することによって達成できることが分かった。これは
ＦＡＸパターンを用いて決定した。分離は、実施例１に
手順により実施した。
実施例　７ 第４７図および第４８図に図解するような、太陽電池の
製作を、次のように実施した。
成長支持体をまず製造した。フィルムを製作するため１
こ使用したＧａＡ　ｓ支持体は、（１１０）平面にでき
るだけ近接して配向した。ウェー７７−は、各側を５０
　：　５０のＮ　Ｈ４０Ｈ：　Ｈ！　Ｏｘで５３℃にお
いて化学的に３ミル（０，０７６ｍｍ）みがき、一方の
側からＩミル（０，０２５ｍｍ）クロロツクス（Ｃ１ｏ
ｒｏｘ）みがきし、最後に各側を５：１：ｌのＨｓ　Ｓ
　Ｏ４：　Ｈｔ　Ｏで２７℃において０，５ミル（０，
０１３ｍｍ）−１−７チングすることにより、２４ミル
（０，６１０ｍｍ）から１６ミル（（１４０６ｍｍ）の
使用厚さに最終的に薄くした。
７：２のシンナーとプレイ１３５０Ｊ７オトレジストと
の混合物を、０から７０００のかなりはやいｒｐｍを手
で増加することにより、支持体上へ均一に適用した。こ
れに引き統いて４００℃で３０秒間熱処理し、４００℃
に２分以内に到達させた後、炭化されたフォトレジスト
（ＣＰＲ）の層が形成する。熱分解Ｓｉｎ、の約３００
Ａの薄い層を、４００℃で２０秒間で析出させた。次い
で、直線の開口を、普通の写真平版技術により形成した
。
直線の関口は、Ｓｉｎ、フィルム中に、緩衝ＨＦ中で１
５秒間浸漬することにより、ＳｉＯ□フィルム中に形成
した。フォトレジストを次いでアセトンにより腺去した
。ＣＰＲを除去するために、プラズマのエツチングをス
トリップのモードで５分間ｌトルにおいて、Ｈｅ１０．
ガス混合物および５０ワツトの電力を用いて、実施した
。室温における９６３ｍＱのＨ＊Ｏ：　７　ｍＱのＦ（
、Ｏ，：３０ｍＱのＮ　Ｈ、ＯＨの１５秒間の軽度にエ
ツチングは、エピタキシャル反応器中の装填前の最終的
処理であった。
次いで、厚さ１０−１１７＃ｍのエピタキシャル層をＳ
ｉＯ□−〇ＰＲ構造物の上部に、７００℃の温度で合計
２時間１０分間、成長させることにより、成長させた。
これらの条件下で、必要な口＋／　ｐ　／　ｐ＋ボモ接
合の太陽電池材料を、適切なドープ剤中に適切な時間で
導入することにより製造した。
試料を反応器から取り出した後、太陽電池を次の方法で
製作し、試験した。普通の写真平版手順を用い、２０の
フィンガー開口をエビタキシャルルフィルム上の７オト
レジストフイルム中に作す、そして２〜３μｍのスズを
フィンガー開口中にプロットした。この第１のレジスト
層を除去し、第２層を適用し、太陽電池の活性区域を定
める長方形の区域でパターンを形成した。次いで、活性
区域の外側のヒ化ガリウムのエピタキシャル層の上のｌ
Ｐｍをエツチング除去した。
電池の性能を、陽極化−薄化技術により最適にした。こ
れは１０層を針金と接触させ、次いで試料を黒色ワック
ス中に取付け、注意して、覆われていない針金の自由端
を残すことによって、行った。プロピレングリコール、
酢酸およびＮＨ，ＯＨの陽極酸化溶液を用い、電池を４
３ボルトに陽極酸化して、反射防止皮膜を形成した。こ
の取付けたｆｆｉ池をシユミレートした太陽源のもとで
測定した。電流は、低く、このことは上の０１層が厚過
ぎ、薄化が必要であることを意味した。これは試料を１
％のＨＣｌ中に１分間浸漬することによって行った。次
いで電池を再陽極化し、再び測定した。電流はまだ低く
、そしてサイクルを反復して、電池が０．９４３ボトル
の開いた回路の電圧と１１．８９ｍＡの短絡回路電流を
生成するようにした。
次の工程は、電池をその支持体から第２支持体へ移すこ
とである。電池を黒色ワックスから取り出し、リード線
を除去した。エポキシ・スタイキャスト（Ｅ　ｐｏｘｕ
　　Ｓ　ｔｙｃａｓＬ）　ｌ　２を、３滴の触媒対７滴
の脂肪を用いて、混合した。１滴のこのエポキシを電池
の表面においた。電池と反射防止被覆した１０ミルの厚
さのガラス板を６０℃の熱板上に置き、約２〜３分間に
その温度に到達させた。
次いで、反射防止皮膜を上に向けてガラス板を電池に置
き、そのときエポキシおよびフィンガーの間の中に充填
されたエポキシ中に気泡が絶対に形成しないようにした
。
電池を実際に分離するために、このサンドイッチをガラ
ス側を下にして厚さ２インチ×２インチＸ０．２５イン
チ（５，１ｃｍＸ５．ｌ　ｃｍＸｏ、６ｃｍ）のガラス
ブロック上の６０℃の接着ワックス［シアーズ（Ｓ　ｅ
ａｒｓ）熱ワックス］中に入れた。
接着ワックスを有する第２の厚いガラス板を、電池の支
持体の背面上に配置した。２板の厚いガラスブロックの
間にくさびを入れ、それをハンマーで軽くたたいた後、
２つの半分は炭素−ＧａＡｓ界面で分離した。７ツ化マ
グネシウム被覆したガラスに取り付けた電池を、次いで
アセトンで洗浄した。
この分離した太陽電池を試験する前に、それを、電池が
その支持体から分離した背面において、２μｍの金でめ
っきすることが必要であった。また。
Ｑ　ａ　Ａ　ｓの一部分をエツチング除去して、接触フ
ィンガーへ接続するスズ接触パッドを露出することが必
要であったこれは背面を黒色ワックスでカハーシて、接
触付近に露出区域を残し、そしてスズのパッドが現れる
までＦ、Ｅ−でエツチングすることによって、行った。
この電池はスズのパッドおよびめっきした金への接触を
形成することにより試験し、そして次の結果が得られた
。
面積（ｃｍ”） スペクトルのをＡＭ 電池の温度（’Ｏ） 標準化源ＰＷＲ（ｍＷ） ＩＳＣ（ｍＡ） Ｖ　ＯＣ（Ｖｏｌｔｓ） Ｊ　Ｓ　Ｃ（ｍＡ／　ｃ　ｍ”） 充填ファクター （Ｆ　ｉｌｌ　　Ｆ　ａｃｔｏｒ） 効率（％） ０．５１０ ２５．７ １１．８９ ０．９４３ ２２．９９ ０．７８５ 産業上の利用分野 本発明は、半導体、酸化物および他の結晶材料を包含す
る、結晶材料のシートの製造において産業上の利用性を
有する。
同等物 前述の説明のほとんどはヒ化ガリウム、ケイ素およびリ
ン化インジウムに限定されたが、他の半導体材料、例え
ばゲルマニウム、テルル化カドミウムなど、またはそれ
らの関連する合金（例、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓ
、ＨｇＣ５Ｔｅ）を本発明の結晶材料の製作において、
用いることもできる。同様に、成長マスク上に結晶の半
導体層を成長させる他の成長技術を、前述の蒸気相エピ
タキシャルオーバーグロースの代わりに用いることがで
きるであろう。前述のＡｓＣｌ３−ＧａＨ８蒸気相エピ
タキシャルオーバーグロース技術の代わりに、他の成長
技術、たとえば、金属−打機エビタキシー、分子ビーム
エピタキシー、液相エピタキシー、他の塩化物系のよび
熱分解を用いる蒸気相エピタキシーを用いることができ
るであろう。同様に、特別に説明した平行のスリット以
外の他の成長マスクのパターンを用いることができ、そ
してまた横方向の成長を促進するために使用できるであ
ろう。また、マスクは支持体と別の材料である必要はな
く、マスクとして作用するように処理した支持体材料で
あることができる。
当業者はここに記載した特別の実施態様に対する他の同
等物を認識するであろう。これらの同等物は本書に添付
する請求の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による方法の１つの実施態様についての
方法の７０−ダイヤグラムである。 第２図は、第１図の実施態様に従う再使用可能な結晶支
持体上の結晶材料の薄いシートの製造を図解する、一連
の略図である。 第３図は、フィルムを再使用可能な支持体から破壊する
先行技術を図解する一連の略図である。 ｔＪ４図は、横方向にオーバーグローしたフィルムをそ
の結晶化支持体から壁間させる本発明の技術を、簡単に
した形で、図解する一連の略図である。 第５図は、第４図の分離したフィルムおよび支持体の壁
間区域の分解部分断面図である。 第６図は、結晶材料のシートのその結晶化支持体からの
特別な分離を、より詳しく、図解する一連の略図である
。 第７〜９図は、種々の結晶化成長マスクの上に成長した
、部分的に分離した結晶シートを、それぞれ略図的に図
解する。 第１０図は、結晶化成長マスクのための接着促進層の使
用を図解する一連の略図である。 第１１図は、適当な結晶化成長マスクの他の実施態様を
概略的に図解する、一連の図である。 第１２図は、本発明による方法の別の実施態様を図解す
る方法の７０−ダイヤグラムである。 第１３図は、第１２図の方法を図解する一連の略図であ
る。 第４図は、横方向にオーバーグローしたシートを結晶化
支持体から分離するために、成長マスクの選択的エツチ
ングを用いる本発明による方法を図解する方法のフロー
ダイヤグラムである。 第１５〜１８図は、横方向にオーバーグローした結晶を
結晶化支持体から優先的エツチングにより分離する種々
の技術を概略的に図解する、一連の図をそれぞれ表わす
。 第１９図は、本発明による方法の他の別の実施態様を図
解する方法の７０−ダイヤグラムである。 第２０図は、第１７図の方法を図解する一連の略図であ
る。 第２１図および第２２図は、本発明において使用する、
低い接着性の襞間容易な成長マスクを形成する技術を図
解する、一連の略図をそれぞれ示す。 第２３図は、単結晶材料から完全には形成されていない
が、実質的に単結晶である成長するシートに適当である
、再使用可能な支持体の略図である。 第２４図は、半導体材料の非晶質フィルムを結晶化する
ｔ；めにレーザーを使用することを図解する略図である
。 ＠２５因は、本発明における使用に適するグラファイト
加熱システムの１つの実施態様を図解する略図である。 第２６図は、横方向にオーバーグローしたフィルムが形
成する方法を図解する一連の略図である。 第２７図は、不連続な横方向にオーバーグローしたシル
ムの接合を図解する一連の略図を表わす。 第２８図および第２９図は、横方向にオーバーグローし
たフィルム中の潜在的なディスロケーションの形成を図
解する一連の略図をそれぞれ表わす。 第３０図は、所定の組の成長条件について横方向のオー
バーグロースへのスリットの配向の効果を決定するため
に用いる、ＦＡＮマスクパターンを概略的に図解する。 第３１〜３８図は、結晶成長マスク中の異なるスリット
の配向における結晶フィルムの横方向のオーバーグロー
スを図解する略図である。 第３９図は、オーバーグローしたフィルム中にボイドを
つくるのに適した条件下のフィルムの横方向にオーバー
グロースを図解する、一連の略図を表わす。 第４０図は、本発明の横方向にオーバーグローしたフィ
ルムに基づくヒ化ガリウムの太陽電池の断面図である。 第４１図は、横方向にオーバーグローしたフィルムの二
重転移を図解する、一連の略図を表わす。 第４２図は、電池が本発明の横方向にオーバーグローし
たフィルムに基づく、３つの電池の光電装置を図解する
断面図である。 第４３図は、結晶材料の薄いストリップを上に有する支
持体の上の、結晶材料の横方向のオーバーグロースを図
解する、一連の略図を表わす。 第４４図は、支持体中に埋め込まれた結晶材料のストリ
ップから結晶材料のシートを横方向にオーバーグローす
ることを図解する、一連の略図を表わす。 第４５図は、本発明による太陽パネルを形成するために
再使用可能なマスターパネルの略図である。 第４６図は、本発明による太陽パネルを形成する方法を
図解する略図である。そして、第４７図および第４８図
は、ここに把載する技術により製作した太陽電池を図解
する。 ＦＩＧ　／ ＦＩＧ ５Ａ ＦＩＧ　５１３ Ｆ／θ６Ｂ Ｈθ Ｃ ＦＩＧ　６０ ＦＩＧ　／２ ＦＩＧ、　１４ ＦＩＧ　／９ ＦＩ６．４６

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、ａ、支持体上にマスクを形成して支持体上に又は支
    持体中に単結晶区域を露出させ： ｂ、前記支持体とマスクの上に結晶化可能な材料を析出
    させ： ｃ、局在化した熱源で走査して横方向エピタキシャル結
    晶成長を引き起こすのに十分なエネルギーを前記結晶化
    可能な材料に加え、 ｄ、所望寸法の結晶材料のシートが形成されるまで、横
    方向のオーバーグロースをつづける、ことを特徴とする
    、 支持体上に結晶材料のシートを形成する方法。 ２、前記結晶材料のシートを結晶化支持体から分離し、
    そして必要に応じて前記結晶化支持体を再使用して結晶
    材料の追加のシートを生成する工程をさらに包含する請
    求項第１項記載の方法。 ３、前記局在化した熱源がグラファイトヒーターからな
    る請求項第１項に記載の方法。 ４、前記熱源が該横方向の生成を起こすため、走査され
    たもしくはパルス化されたレーザー又は電子線からなる
    請求項第１項に記載の方法。 ５、結晶化可能な材料を持つ支持体が、横方向エピタキ
    シャル結晶成長を起すに十分なエネルギーを結晶化可能
    な材料に適用する前に、結晶化可能な材料の融点近傍の
    温度まで加熱される請求項第１項に記載の方法。 ６、結晶材料のシートからもしくは該シートの中に、デ
    バイスを設ける工程をさらに包含する請求項第１項に記
    載の方法。 ７、選択された不純物ドーパントの存在下において、結
    晶材料が析出せしめられて結晶材料のシートの中に異な
    る伝導性タイプの複数層を形成する請求項第１項に記載
    の方法。 ８、結晶材料の複数のシートが形成されそして電気絶縁
    性もしくは電導性の層によって一緒に結合せしめられて
    、上記複数層がそれぞれ電気的に遮断された又は結合さ
    れたデバイスを形成する請求項第２項記載の方法。 ９、該熱源が大きい縦横比を有するビームに沿ってエネ
    ルギーを与える請求項第１項に記載の方法。
JP1166467A 1980-04-10 1989-06-28 支持体上に結晶材料のシートを形成する方法 Pending JPH02283014A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13889180A 1980-04-10 1980-04-10
US138,891 1980-04-10

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56501402A Division JPH0421334B2 (ja) 1980-04-10 1981-04-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02283014A true JPH02283014A (ja) 1990-11-20

Family

ID=22484124

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56501402A Expired - Lifetime JPH0421334B2 (ja) 1980-04-10 1981-04-06
JP1166467A Pending JPH02283014A (ja) 1980-04-10 1989-06-28 支持体上に結晶材料のシートを形成する方法
JP1166468A Pending JPH02283077A (ja) 1980-04-10 1989-06-28 タンデム型ソーラーセルの製造法
JP3325037A Expired - Lifetime JP2584164B2 (ja) 1980-04-10 1991-11-14 半導体材料の薄膜を製造する方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56501402A Expired - Lifetime JPH0421334B2 (ja) 1980-04-10 1981-04-06

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1166468A Pending JPH02283077A (ja) 1980-04-10 1989-06-28 タンデム型ソーラーセルの製造法
JP3325037A Expired - Lifetime JP2584164B2 (ja) 1980-04-10 1991-11-14 半導体材料の薄膜を製造する方法

Country Status (5)

Country Link
US (4) US4727047A (ja)
EP (8) EP0193830A3 (ja)
JP (4) JPH0421334B2 (ja)
DE (3) DE3177317T2 (ja)
WO (1) WO1981002948A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012518284A (ja) * 2009-02-19 2012-08-09 ソイテック ひずみ材料層の緩和および転写

Families Citing this family (329)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5588994A (en) * 1980-04-10 1996-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
US5362682A (en) * 1980-04-10 1994-11-08 Massachusetts Institute Of Technology Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
NL188550C (nl) * 1981-07-02 1992-07-16 Suwa Seikosha Kk Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
US4482422A (en) * 1982-02-26 1984-11-13 Rca Corporation Method for growing a low defect monocrystalline layer on a mask
US4562106A (en) * 1982-06-23 1985-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Product made by method of entraining dislocations and other crystalline defects
US4479846A (en) * 1982-06-23 1984-10-30 Massachusetts Institute Of Technology Method of entraining dislocations and other crystalline defects in heated film contacting patterned region
JPS5993000A (ja) * 1982-11-17 1984-05-29 Yoshihiro Hamakawa 単結晶薄膜製造用基板
US4507158A (en) * 1983-08-12 1985-03-26 Hewlett-Packard Co. Trench isolated transistors in semiconductor films
US4663828A (en) * 1985-10-11 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Process and apparatus for continuous production of lightweight arrays of photovoltaic cells
JPS63503345A (ja) * 1985-12-19 1988-12-02 アライド・コ−ポレ−ション Ｓｐｅ種およびレ−ザ結晶化を用いて単結晶シリコンを形成する方法
JPS62171167A (ja) * 1986-01-23 1987-07-28 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池の製造方法
US4946735A (en) * 1986-02-10 1990-08-07 Cornell Research Foundation, Inc. Ultra-thin semiconductor membranes
US4952446A (en) * 1986-02-10 1990-08-28 Cornell Research Foundation, Inc. Ultra-thin semiconductor membranes
IT1191977B (it) * 1986-06-30 1988-03-31 Selenia Ind Elettroniche Tecnica per allineare con fotolitografia convenzionale una struttura sul retro di un campione con alta precisione di registrazione
GB8618373D0 (en) * 1986-07-28 1986-09-03 British Telecomm Fabrication technique
JPH07120753B2 (ja) * 1986-09-18 1995-12-20 キヤノン株式会社 半導体メモリ装置及びその製造方法
CA1332039C (en) * 1987-03-26 1994-09-20 Takao Yonehara Ii - vi group compound crystal article and process for producing the same
US5281283A (en) * 1987-03-26 1994-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Group III-V compound crystal article using selective epitaxial growth
US4876210A (en) * 1987-04-30 1989-10-24 The University Of Delaware Solution growth of lattice mismatched and solubility mismatched heterostructures
US5363799A (en) * 1987-08-08 1994-11-15 Canon Kabushiki Kaisha Method for growth of crystal
US4970567A (en) * 1987-11-23 1990-11-13 Santa Barbara Research Center Method and apparatus for detecting infrared radiation
FR2629637B1 (fr) * 1988-04-05 1990-11-16 Thomson Csf Procede de realisation d'une alternance de couches de materiau semiconducteur monocristallin et de couches de materiau isolant
US5459346A (en) * 1988-06-28 1995-10-17 Ricoh Co., Ltd. Semiconductor substrate with electrical contact in groove
US4910164A (en) * 1988-07-27 1990-03-20 Texas Instruments Incorporated Method of making planarized heterostructures using selective epitaxial growth
US4944835A (en) * 1989-03-30 1990-07-31 Kopin Corporation Seeding process in zone recrystallization
FR2645345A1 (fr) * 1989-03-31 1990-10-05 Thomson Csf Procede de modulation dirigee de la composition ou du dopage de semi-conducteurs, notamment pour la realisation de composants electroniques monolithiques de type planar, utilisation et produits correspondants
US4988641A (en) * 1989-10-10 1991-01-29 Grumman Aerospace Corporation Graphotaxially forming a photosensitive detector array
US5019177A (en) * 1989-11-03 1991-05-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Monolithic tandem solar cell
US5202284A (en) * 1989-12-01 1993-04-13 Hewlett-Packard Company Selective and non-selective deposition of Si1-x Gex on a Si subsrate that is partially masked with SiO2
US5310446A (en) * 1990-01-10 1994-05-10 Ricoh Company, Ltd. Method for producing semiconductor film
US4990970A (en) * 1990-01-16 1991-02-05 General Motors Corporation Light emitting semiconductor having a rear reflecting surface
US4971928A (en) * 1990-01-16 1990-11-20 General Motors Corporation Method of making a light emitting semiconductor having a rear reflecting surface
US5248621A (en) * 1990-10-23 1993-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing solar cell devices of crystalline material
JP2989055B2 (ja) 1990-10-23 1999-12-13 キヤノン株式会社 太陽電池の製造方法
US5403751A (en) * 1990-11-29 1995-04-04 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing a thin silicon solar cell
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5403771A (en) * 1990-12-26 1995-04-04 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing a solar cell by means of epitaxial growth process
US5258325A (en) * 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5362671A (en) * 1990-12-31 1994-11-08 Kopin Corporation Method of fabricating single crystal silicon arrayed devices for display panels
US6143582A (en) 1990-12-31 2000-11-07 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5475514A (en) * 1990-12-31 1995-12-12 Kopin Corporation Transferred single crystal arrayed devices including a light shield for projection displays
US6593978B2 (en) 1990-12-31 2003-07-15 Kopin Corporation Method for manufacturing active matrix liquid crystal displays
US5499124A (en) * 1990-12-31 1996-03-12 Vu; Duy-Phach Polysilicon transistors formed on an insulation layer which is adjacent to a liquid crystal material
US5258320A (en) * 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Single crystal silicon arrayed devices for display panels
US5376561A (en) * 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5256562A (en) * 1990-12-31 1993-10-26 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5861929A (en) * 1990-12-31 1999-01-19 Kopin Corporation Active matrix color display with multiple cells and connection through substrate
US5300788A (en) * 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
US6627953B1 (en) 1990-12-31 2003-09-30 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US5528397A (en) * 1991-12-03 1996-06-18 Kopin Corporation Single crystal silicon transistors for display panels
US6953703B2 (en) 1991-03-18 2005-10-11 The Trustees Of Boston University Method of making a semiconductor device with exposure of sapphire substrate to activated nitrogen
EP0539559A1 (en) * 1991-04-03 1993-05-05 Eastman Kodak Company HIGH DURABILITY MASK FOR DRY ETCHING OF GaAs
US5211814A (en) * 1991-05-31 1993-05-18 Valmet Paper Machinery Inc. Wire loading device in a paper machine
JPH04365377A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Agency Of Ind Science & Technol 半導体装置
EP0531232A3 (en) * 1991-08-26 1993-04-21 Eastman Kodak Company High durability mask for use in selective area, epitaxial regrowth of gaas
DE4233777C2 (de) * 1991-10-17 1997-06-26 Mitsubishi Electric Corp Herstellungsverfahren für eine Halbleitereinrichtung
KR970003848B1 (ko) * 1991-10-17 1997-03-22 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조방법
DE4202455C1 (ja) * 1992-01-29 1993-08-19 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
JP3191972B2 (ja) * 1992-01-31 2001-07-23 キヤノン株式会社 半導体基板の作製方法及び半導体基板
FR2689680B1 (fr) * 1992-04-02 2001-08-10 Thomson Csf Procédé de réalisation de couches minces hétéroépitaxiales et de dispositifs électroniques.
US5261969A (en) * 1992-04-14 1993-11-16 The Boeing Company Monolithic voltage-matched tandem photovoltaic cell and method for making same
US5236871A (en) * 1992-04-29 1993-08-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method for producing a hybridization of detector array and integrated circuit for readout
JP2952449B2 (ja) * 1992-06-03 1999-09-27 日石三菱株式会社 液晶表示素子用補償板の製造法
JP2594001B2 (ja) * 1992-06-05 1997-03-26 株式会社日立製作所 光電変換素子の製造方法
JPH05343712A (ja) * 1992-06-05 1993-12-24 Hitachi Ltd タンデムヘテロ光電変換素子の製造方法
US5330918A (en) * 1992-08-31 1994-07-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of forming a high voltage silicon-on-sapphire photocell array
US5705424A (en) * 1992-09-11 1998-01-06 Kopin Corporation Process of fabricating active matrix pixel electrodes
US6608654B2 (en) 1992-09-11 2003-08-19 Kopin Corporation Methods of fabricating active matrix pixel electrodes
NL9201859A (nl) * 1992-10-27 1994-05-16 Gen Electric Werkwijze voor het bereiden van chloroformiaatverbindingen.
JP3360919B2 (ja) * 1993-06-11 2003-01-07 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法，及び薄膜太陽電池
EP1178530A2 (en) * 1993-09-30 2002-02-06 Kopin Corporation Three-dimensional processor using transferred thin film circuits
US20010054989A1 (en) * 1993-10-22 2001-12-27 Matthew Zavracky Color sequential display panels
US7310072B2 (en) 1993-10-22 2007-12-18 Kopin Corporation Portable communication display device
US6958093B2 (en) * 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
GB9401770D0 (en) * 1994-01-31 1994-03-23 Philips Electronics Uk Ltd Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuits
JP3257580B2 (ja) * 1994-03-10 2002-02-18 キヤノン株式会社 半導体基板の作製方法
US7148119B1 (en) 1994-03-10 2006-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Process for production of semiconductor substrate
US20030087503A1 (en) * 1994-03-10 2003-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Process for production of semiconductor substrate
FR2725074B1 (fr) 1994-09-22 1996-12-20 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure comportant une couche mince semi-conductrice sur un substrat
US6326280B1 (en) 1995-02-02 2001-12-04 Sony Corporation Thin film semiconductor and method for making thin film semiconductor
JP3381443B2 (ja) 1995-02-02 2003-02-24 ソニー株式会社 基体から半導体層を分離する方法、半導体素子の製造方法およびｓｏｉ基板の製造方法
US6107213A (en) * 1996-02-01 2000-08-22 Sony Corporation Method for making thin film semiconductor
JP3216861B2 (ja) * 1995-04-10 2001-10-09 シャープ株式会社 多結晶シリコン膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
JPH09260342A (ja) * 1996-03-18 1997-10-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法及び製造装置
EP0797258B1 (en) * 1996-03-18 2011-07-20 Sony Corporation Method for making thin film semiconductor, solar cell, and light emitting diode
US6114188A (en) * 1996-04-12 2000-09-05 Northeastern University Method of fabricating an integrated complex-transition metal oxide device
JP3204986B2 (ja) * 1996-05-28 2001-09-04 ザ トラスティース オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク 基板上の半導体膜領域の結晶化処理及びこの方法により製造されたデバイス
US6555449B1 (en) * 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
US7321354B1 (en) 1996-10-31 2008-01-22 Kopin Corporation Microdisplay for portable communication systems
US7372447B1 (en) 1996-10-31 2008-05-13 Kopin Corporation Microdisplay for portable communication systems
US6486862B1 (en) 1996-10-31 2002-11-26 Kopin Corporation Card reader display system
US6677936B2 (en) 1996-10-31 2004-01-13 Kopin Corporation Color display system for a camera
SG55413A1 (en) * 1996-11-15 1998-12-21 Method Of Manufacturing Semico Method of manufacturing semiconductor article
SG65697A1 (en) * 1996-11-15 1999-06-22 Canon Kk Process for producing semiconductor article
US6054363A (en) * 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
US6533874B1 (en) 1996-12-03 2003-03-18 Advanced Technology Materials, Inc. GaN-based devices using thick (Ga, Al, In)N base layers
EP0849788B1 (en) 1996-12-18 2004-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor article by making use of a substrate having a porous semiconductor layer
US6756289B1 (en) 1996-12-27 2004-06-29 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell
EP0851513B1 (en) 1996-12-27 2007-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell
AUPO468697A0 (en) * 1997-01-21 1997-02-13 Australian National University, The A method of producing thin silicon epitaxial films
CA2233096C (en) * 1997-03-26 2003-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Substrate and production method thereof
SG68035A1 (en) 1997-03-27 1999-10-19 Canon Kk Method and apparatus for separating composite member using fluid
JP3492142B2 (ja) 1997-03-27 2004-02-03 キヤノン株式会社 半導体基材の製造方法
CA2258080C (en) * 1997-04-11 2007-06-05 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US6159824A (en) * 1997-05-12 2000-12-12 Silicon Genesis Corporation Silicon-on-silicon wafer bonding process using a thin film blister-separation method
US20070122997A1 (en) * 1998-02-19 2007-05-31 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US6291313B1 (en) * 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US6548382B1 (en) * 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
FR2769924B1 (fr) * 1997-10-20 2000-03-10 Centre Nat Rech Scient Procede de realisation d'une couche epitaxiale de nitrure de gallium, couche epitaxiale de nitrure de gallium et composant optoelectronique muni d'une telle couche
US7560296B2 (en) 2000-07-07 2009-07-14 Lumilog Process for producing an epitalixal layer of galium nitride
US20110163323A1 (en) * 1997-10-30 2011-07-07 Sumitomo Electric Industires, Ltd. GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING THE SAME
WO1999023693A1 (fr) * 1997-10-30 1999-05-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE GaN ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
US6552704B2 (en) 1997-10-31 2003-04-22 Kopin Corporation Color display with thin gap liquid crystal
US6476784B2 (en) 1997-10-31 2002-11-05 Kopin Corporation Portable display system with memory card reader
US6909419B2 (en) 1997-10-31 2005-06-21 Kopin Corporation Portable microdisplay system
SG70141A1 (en) 1997-12-26 2000-01-25 Canon Kk Sample separating apparatus and method and substrate manufacturing method
MY118019A (en) 1998-02-18 2004-08-30 Canon Kk Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof
US6051849A (en) 1998-02-27 2000-04-18 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer
US6608327B1 (en) * 1998-02-27 2003-08-19 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structure including laterally offset patterned layers
FR2777116A1 (fr) * 1998-04-03 1999-10-01 Picogiga Sa Structure a semiconducteurs de composant photovoltaique
US6331208B1 (en) 1998-05-15 2001-12-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing solar cell, process for producing thin-film semiconductor, process for separating thin-film semiconductor, and process for forming semiconductor
DE19821841C1 (de) * 1998-05-15 1999-06-24 Karlsruhe Forschzent Verfahren zur Herstellung eines Bauteils, das eine Funktionsschicht enthält
US6265289B1 (en) * 1998-06-10 2001-07-24 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
US6606335B1 (en) * 1998-07-14 2003-08-12 Fujitsu Limited Semiconductor laser, semiconductor device, and their manufacture methods
US6368733B1 (en) * 1998-08-06 2002-04-09 Showa Denko K.K. ELO semiconductor substrate
US6177688B1 (en) 1998-11-24 2001-01-23 North Carolina State University Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates
US6255198B1 (en) 1998-11-24 2001-07-03 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby
JP2000349264A (ja) * 1998-12-04 2000-12-15 Canon Inc 半導体ウエハの製造方法、使用方法および利用方法
US6238482B1 (en) * 1999-02-26 2001-05-29 Intel Corporation Method of producing a wafer with an epitaxial quality layer and device with epitaxial quality layer
EP1939932A1 (en) * 1999-08-10 2008-07-02 Silicon Genesis Corporation A substrate comprising a stressed silicon germanium cleave layer
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6221740B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
GB9919479D0 (en) * 1999-08-17 1999-10-20 Imperial College Island arrays
JP4329183B2 (ja) * 1999-10-14 2009-09-09 ソニー株式会社 単一セル型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法、バックコンタクト型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法および集積型薄膜単結晶シリコン太陽電池の製造方法
EP1104031B1 (en) * 1999-11-15 2012-04-11 Panasonic Corporation Nitride semiconductor laser diode and method of fabricating the same
US6521514B1 (en) 1999-11-17 2003-02-18 North Carolina State University Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on sapphire substrates
JP4111669B2 (ja) 1999-11-30 2008-07-02 シャープ株式会社 シート製造方法、シートおよび太陽電池
US6380108B1 (en) 1999-12-21 2002-04-30 North Carolina State University Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on weak posts, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
JP4121697B2 (ja) * 1999-12-27 2008-07-23 シャープ株式会社 結晶シートの製造方法およびその製造装置
US6602767B2 (en) 2000-01-27 2003-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Method for transferring porous layer, method for making semiconductor devices, and method for making solar battery
US6403451B1 (en) 2000-02-09 2002-06-11 Noerh Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on substrates including non-gallium nitride posts
US6261929B1 (en) 2000-02-24 2001-07-17 North Carolina State University Methods of forming a plurality of semiconductor layers using spaced trench arrays
US6830993B1 (en) * 2000-03-21 2004-12-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method
DE10025746A1 (de) * 2000-05-24 2001-12-06 Juergen H Werner Herstellung großflächiger Festkörpersubstrate zum Aufwachsen epitaktischer Festkörperschichten
US6627974B2 (en) 2000-06-19 2003-09-30 Nichia Corporation Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and nitride semiconductor device using nitride semiconductor substrate
KR100854834B1 (ko) 2000-10-10 2008-08-27 더 트러스티스 오브 컬럼비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 얇은 금속층을 가공하는 방법 및 장치
CN1200320C (zh) * 2000-11-27 2005-05-04 纽约市哥伦比亚大学托管会 用激光结晶化法加工衬底上半导体薄膜区域的方法和掩模投影系统
FR2894990B1 (fr) 2005-12-21 2008-02-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede
WO2002043466A2 (en) 2000-11-30 2002-06-06 North Carolina State University Non-thermionic sputter material transport device, methods of use, and materials produced thereby
AU2002219978A1 (en) 2000-11-30 2002-06-11 Kyma Technologies, Inc. Method and apparatus for producing miiin columns and miiin materials grown thereon
KR100672628B1 (ko) 2000-12-29 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스 유기 전계발광 디스플레이 장치
FR2823373B1 (fr) * 2001-04-10 2005-02-04 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
US20040029365A1 (en) * 2001-05-07 2004-02-12 Linthicum Kevin J. Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby
US6956268B2 (en) * 2001-05-18 2005-10-18 Reveo, Inc. MEMS and method of manufacturing MEMS
US7045878B2 (en) * 2001-05-18 2006-05-16 Reveo, Inc. Selectively bonded thin film layer and substrate layer for processing of useful devices
US7160763B2 (en) * 2001-08-27 2007-01-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Polycrystalline TFT uniformity through microstructure mis-alignment
US7163826B2 (en) * 2001-09-12 2007-01-16 Reveo, Inc Method of fabricating multi layer devices on buried oxide layer substrates
US6875671B2 (en) * 2001-09-12 2005-04-05 Reveo, Inc. Method of fabricating vertical integrated circuits
US7033910B2 (en) * 2001-09-12 2006-04-25 Reveo, Inc. Method of fabricating multi layer MEMS and microfluidic devices
US20090065471A1 (en) * 2003-02-10 2009-03-12 Faris Sadeg M Micro-nozzle, nano-nozzle, manufacturing methods therefor, applications therefor
JP4541708B2 (ja) * 2002-03-05 2010-09-08 コーニング インコーポレイテッド 光学部材および光学部材と光学系の性能を予測する方法
AU2003220148A1 (en) * 2002-03-14 2003-09-29 Corning Incorporated Fiber array and methods of fabrication
WO2003084688A2 (en) * 2002-04-01 2003-10-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a thin film
JP2004071874A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Sharp Corp 半導体装置製造方法および半導体装置
US6867983B2 (en) 2002-08-07 2005-03-15 Avery Dennison Corporation Radio frequency identification device and method
TWI331803B (en) * 2002-08-19 2010-10-11 Univ Columbia A single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns
AU2003265498A1 (en) * 2002-08-19 2004-03-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to provide substantial uniformity within areas in such regions and edge areas thereof, and a structure of such film regions
WO2004017379A2 (en) * 2002-08-19 2004-02-26 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Process and system for processing a thin film sample and thin film structure
AU2003272222A1 (en) * 2002-08-19 2004-03-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions
JP2004103946A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Canon Inc 基板及びその製造方法
US8187377B2 (en) * 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
CN1688516A (zh) * 2002-10-04 2005-10-26 康宁股份有限公司 透镜阵列及制造这种透镜阵列和光敏玻璃板的方法
KR101191837B1 (ko) * 2003-02-19 2012-10-18 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 순차적 측면 고상화 기술을 이용하여 결정화되는 복수의 반도체 박막을 가공하는 방법 및 장치
WO2005029551A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions
US7164152B2 (en) * 2003-09-16 2007-01-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Laser-irradiated thin films having variable thickness
US7364952B2 (en) * 2003-09-16 2008-04-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing thin films
WO2005029548A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York System and process for providing multiple beam sequential lateral solidification
WO2005029547A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Enhancing the width of polycrystalline grains with mask
WO2005029546A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
WO2005029550A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for producing crystalline thin films with a uniform crystalline orientation
TWI351713B (en) * 2003-09-16 2011-11-01 Univ Columbia Method and system for providing a single-scan, con
US7318866B2 (en) * 2003-09-16 2008-01-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths
US7311778B2 (en) 2003-09-19 2007-12-25 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Single scan irradiation for crystallization of thin films
US7354815B2 (en) * 2003-11-18 2008-04-08 Silicon Genesis Corporation Method for fabricating semiconductor devices using strained silicon bearing material
JP2006049800A (ja) * 2004-03-10 2006-02-16 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの供給体、薄膜デバイスの供給体の製造方法、転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器
US7645337B2 (en) * 2004-11-18 2010-01-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films
US7393733B2 (en) 2004-12-01 2008-07-01 Amberwave Systems Corporation Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures
KR100566675B1 (ko) * 2004-12-14 2006-03-31 삼성전자주식회사 반도체 장치와 그 제조 방법
US20060131606A1 (en) * 2004-12-18 2006-06-22 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures employing seed layers and related fabrication methods
JP2008532317A (ja) * 2005-02-28 2008-08-14 シリコン・ジェネシス・コーポレーション レイヤ転送プロセス用の基板強化方法および結果のデバイス
US8221544B2 (en) * 2005-04-06 2012-07-17 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Line scan sequential lateral solidification of thin films
US8324660B2 (en) 2005-05-17 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US20070267722A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US9153645B2 (en) * 2005-05-17 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US20060292719A1 (en) * 2005-05-17 2006-12-28 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
CN101268547B (zh) * 2005-07-26 2014-07-09 琥珀波系统公司 包含交替有源区材料的结构及其形成方法
KR101368570B1 (ko) * 2005-08-16 2014-02-27 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 박막의 고수율 결정화
US7638842B2 (en) * 2005-09-07 2009-12-29 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures on insulators
US20070054467A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Amberwave Systems Corporation Methods for integrating lattice-mismatched semiconductor structure on insulators
WO2007067541A2 (en) * 2005-12-05 2007-06-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing a film, and thin films
US7528065B2 (en) * 2006-01-17 2009-05-05 International Business Machines Corporation Structure and method for MOSFET gate electrode landing pad
US7863157B2 (en) * 2006-03-17 2011-01-04 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a layer transfer process
US7777250B2 (en) * 2006-03-24 2010-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication
US20070240759A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Stacked thin film photovoltaic module and method for making same using IC processing
CN101432453B (zh) * 2006-04-28 2011-12-28 Sri国际公司 用于生产固结的和纯化的材料的方法
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US20100047959A1 (en) * 2006-08-07 2010-02-25 Emcore Solar Power, Inc. Epitaxial Lift Off on Film Mounted Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US8173551B2 (en) 2006-09-07 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Defect reduction using aspect ratio trapping
US7811900B2 (en) * 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
WO2008036256A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-27 Amberwave Systems Corporation Aspect ratio trapping for mixed signal applications
WO2008039495A1 (en) * 2006-09-27 2008-04-03 Amberwave Systems Corporation Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping
US7875958B2 (en) * 2006-09-27 2011-01-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures
WO2008051503A2 (en) 2006-10-19 2008-05-02 Amberwave Systems Corporation Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures
US8237151B2 (en) 2009-01-09 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Diode-based devices and methods for making the same
WO2008124154A2 (en) 2007-04-09 2008-10-16 Amberwave Systems Corporation Photovoltaics on silicon
US7825328B2 (en) 2007-04-09 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same
US8304805B2 (en) 2009-01-09 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films
US20080300918A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Commercenet Consortium, Inc. System and method for facilitating hospital scheduling and support
US8329541B2 (en) 2007-06-15 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. InP-based transistor fabrication
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
JP5576272B2 (ja) 2007-07-03 2014-08-20 マイクロリンク デバイセズ インコーポレイテッド Ｉｉｉ−ｖ化合物薄膜太陽電池
DE112008002387B4 (de) 2007-09-07 2022-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Struktur einer Mehrfachübergangs-Solarzelle, Verfahren zur Bildung einer photonischenVorrichtung, Photovoltaische Mehrfachübergangs-Zelle und Photovoltaische Mehrfachübergangs-Zellenvorrichtung,
US8614471B2 (en) * 2007-09-21 2013-12-24 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors
JP5385289B2 (ja) 2007-09-25 2014-01-08 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク 横方向に結晶化した薄膜上に作製される薄膜トランジスタデバイスにおいて高い均一性を生成する方法
US8759671B2 (en) * 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8187434B1 (en) 2007-11-14 2012-05-29 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using single-chamber configuration
WO2009067688A1 (en) 2007-11-21 2009-05-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
KR20100105606A (ko) 2007-11-21 2010-09-29 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 에피택셜하게 텍스쳐화된 후막의 제조를 위한 시스템 및 방법
US8012861B2 (en) 2007-11-21 2011-09-06 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
JP5248994B2 (ja) * 2007-11-30 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
JP5248995B2 (ja) * 2007-11-30 2013-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
JP5572307B2 (ja) 2007-12-28 2014-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
JP5276852B2 (ja) * 2008-02-08 2013-08-28 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体エピタキシャル基板の製造方法
US20090208770A1 (en) * 2008-02-14 2009-08-20 Ralf Jonczyk Semiconductor sheets and methods for fabricating the same
US8569155B2 (en) * 2008-02-29 2013-10-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Flash lamp annealing crystallization for large area thin films
WO2009108936A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Lithographic method of making uniform crystalline si films
KR101413370B1 (ko) * 2008-02-29 2014-06-30 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 결정질 막 제조 방법, 태양전지 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 결정질 막 및 태양 전지
US8481357B2 (en) * 2008-03-08 2013-07-09 Crystal Solar Incorporated Thin film solar cell with ceramic handling layer
JP4247413B1 (ja) * 2008-03-19 2009-04-02 株式会社 東北テクノアーチ デバイスの製造方法
WO2009155119A2 (en) * 2008-05-30 2009-12-23 Alta Devices, Inc. Methods and apparatus for a chemical vapor deposition reactor
CN102084464A (zh) 2008-05-30 2011-06-01 奥塔装置公司 外延迁移堆栈和方法
US8183667B2 (en) 2008-06-03 2012-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Epitaxial growth of crystalline material
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8274097B2 (en) 2008-07-01 2012-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduction of edge effects from aspect ratio trapping
US8981427B2 (en) 2008-07-15 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing of small composite semiconductor materials
US8298856B2 (en) * 2008-07-17 2012-10-30 Uriel Solar, Inc. Polycrystalline CDTE thin film semiconductor photovoltaic cell structures for use in solar electricity generation
US20100037933A1 (en) 2008-08-12 2010-02-18 Harold John Hovel Solar cell panels and method of fabricating same
US8330126B2 (en) * 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
CN102160145B (zh) 2008-09-19 2013-08-21 台湾积体电路制造股份有限公司 通过外延层过成长的元件形成
US20100072515A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Amberwave Systems Corporation Fabrication and structures of crystalline material
US8253211B2 (en) 2008-09-24 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8383450B2 (en) * 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US7947524B2 (en) * 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US7910399B1 (en) * 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US7863074B2 (en) * 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US8741689B2 (en) * 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
TW201034055A (en) * 2008-10-10 2010-09-16 Alta Devices Inc Continuous feed chemical vapor deposition
EP2335274A4 (en) * 2008-10-10 2012-02-29 Alta Devices Inc MESA-ETCHING METHOD AND COMPOSITION FOR EPITAXIAL SOLUTION
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US20100108130A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Crystal Solar, Inc. Thin Interdigitated backside contact solar cell and manufacturing process thereof
KR20110094022A (ko) 2008-11-14 2011-08-19 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 박막 결정화를 위한 시스템 및 방법
US8344243B2 (en) * 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US9068278B2 (en) * 2008-12-08 2015-06-30 Alta Devices, Inc. Multiple stack deposition for epitaxial lift off
CN102301456A (zh) 2008-12-17 2011-12-28 奥塔装置公司 基于带的外延剥离设备和方法
US8778199B2 (en) 2009-02-09 2014-07-15 Emoore Solar Power, Inc. Epitaxial lift off in inverted metamorphic multijunction solar cells
WO2010099544A2 (en) 2009-02-27 2010-09-02 Alta Devices, Inc. Tiled substrates for deposition and epitaxial lift off processes
JP5705207B2 (ja) * 2009-04-02 2015-04-22 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ． 結晶物質の非極性面から形成される装置とその製作方法
US8329557B2 (en) * 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
US9070818B2 (en) 2009-07-17 2015-06-30 Soitec Methods and structures for bonding elements
US20110030773A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 Alliance For Sustainable Energy, Llc Photovoltaic cell with back-surface reflectivity scattering
US8466447B2 (en) 2009-08-06 2013-06-18 Alliance For Sustainable Energy, Llc Back contact to film silicon on metal for photovoltaic cells
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
US9834860B2 (en) * 2009-10-14 2017-12-05 Alta Devices, Inc. Method of high growth rate deposition for group III/V materials
US11393683B2 (en) 2009-10-14 2022-07-19 Utica Leaseco, Llc Methods for high growth rate deposition for forming different cells on a wafer
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US9087696B2 (en) 2009-11-03 2015-07-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing
US8440581B2 (en) 2009-11-24 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification
US9646831B2 (en) 2009-11-03 2017-05-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Advanced excimer laser annealing for thin films
JP5706670B2 (ja) 2009-11-24 2015-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
CA2780175A1 (en) * 2009-12-10 2011-06-16 Uriel Solar Inc. High power efficiency polycrystalline cdte thin film semiconductor photovoltaic cell structures for use in solar electricity generation
US8859880B2 (en) 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
JP2011243651A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置、貼り合せ基板およびそれらの製造方法
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
JP2012054364A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Nobuyuki Akiyama シリコン薄膜の製造方法、シリコン薄膜太陽電池の製造方法、シリコン薄膜、シリコン薄膜太陽電池
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US8654435B2 (en) 2010-10-06 2014-02-18 Fusao Ishii Microwindow device
US8609453B2 (en) 2010-11-22 2013-12-17 International Business Machines Corporation Low cost solar cell manufacture method employing a reusable substrate
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
JP2014067869A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Nobuyuki Akiyama ヘテロエピタキシャル単結晶の製造方法、ヘテロ接合太陽電池の製造方法、ヘテロエピタキシャル単結晶、ヘテロ接合太陽電池
WO2014133866A1 (en) * 2013-02-26 2014-09-04 Massachusetts Institute Of Technology Production of free-standing crystalline material layers
JP6335099B2 (ja) * 2014-11-04 2018-05-30 東芝メモリ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN119349566A (zh) 2015-09-08 2025-01-24 麻省理工学院 基于石墨烯的层转移的系统和方法
WO2018078642A1 (en) 2016-10-24 2018-05-03 Indian Institute Of Technology, Guwahati A microfluidic electrical energy harvester
US10903073B2 (en) 2016-11-08 2021-01-26 Massachusetts Institute Of Technology Systems and methods of dislocation filtering for layer transfer
KR20190118189A (ko) 2017-02-24 2019-10-17 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 곡선형 초점면 어레이를 위한 장치 및 방법들
WO2019099461A1 (en) * 2017-11-14 2019-05-23 Massachusetts Institute Of Technology Epitaxial growth and transfer via patterned two-dimensional (2d) layers
US20210125826A1 (en) 2018-06-22 2021-04-29 Massachusetts Institute Of Technology Systems and methods for growth of silicon carbide over a layer comprising graphene and/or hexagonal boron nitride and related articles
JP7221302B2 (ja) * 2018-12-26 2023-02-13 京セラ株式会社 半導体素子の製造方法、半導体素子および半導体デバイス
US12470045B2 (en) 2019-05-28 2025-11-11 Ciena Corporation Semiconductor device with selective area epitaxy growth utilizing a mask to suppress or enhance growth at the edges
US10852478B1 (en) * 2019-05-28 2020-12-01 Ciena Corporation Monolithically integrated gain element
CN111690986B (zh) * 2020-06-22 2021-05-25 江苏超芯星半导体有限公司 一种晶体与晶体托的分离方法
CN116705682B (zh) * 2023-08-02 2023-10-03 常州科瑞尔科技有限公司 一种针带式插针上料机构及其工作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4942350A (ja) * 1972-08-16 1974-04-20

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1047911B (de) * 1955-06-07 1958-12-31 Dr Erwin Daniels Verfahren zur Herstellung temperaturempfindlicher Hochohmwiderstaende geringer Waermetraegheit, insbesondere zur Strahlungsmessung
DE1029941B (de) * 1955-07-13 1958-05-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von einkristallinen Halbleiterschichten
FR1129220A (fr) * 1955-07-25 1957-01-17 Piles photovoltaïques à rendement élevé
US2922903A (en) * 1956-09-11 1960-01-26 Bendix Aviat Corp Ignition apparatus
US2992903A (en) * 1957-10-30 1961-07-18 Imber Oscar Apparatus for growing thin crystals
US3112997A (en) * 1958-10-01 1963-12-03 Merck & Co Inc Process for producing pure crystalline silicon by pyrolysis
US3031275A (en) * 1959-02-20 1962-04-24 Shockley William Process for growing single crystals
US3133336A (en) * 1959-12-30 1964-05-19 Ibm Semiconductor device fabrication
NL262949A (ja) * 1960-04-02 1900-01-01
NL270516A (ja) * 1960-11-30
US3172778A (en) * 1961-01-03 1965-03-09 Method for producing thin semi- conducting layers of semicon- ductor compounds
NL278170A (ja) * 1961-05-09 1900-01-01
DE1289831B (de) * 1961-12-22 1969-02-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung duenner frei tragender Folien aus einkristallinem Halbleitermaterial
US3186880A (en) * 1962-10-10 1965-06-01 Martin Marietta Corp Method of producing unsupported epitaxial films of germanium by evaporating the substrate
US3247576A (en) * 1962-10-30 1966-04-26 Ibm Method of fabrication of crystalline shapes
US3370980A (en) * 1963-08-19 1968-02-27 Litton Systems Inc Method for orienting single crystal films on polycrystalline substrates
US3336159A (en) * 1963-10-07 1967-08-15 Ncr Co Method for growing single thin film crystals
US3372069A (en) * 1963-10-22 1968-03-05 Texas Instruments Inc Method for depositing a single crystal on an amorphous film, method for manufacturing a metal base transistor, and a thin-film, metal base transistor
US3429756A (en) * 1965-02-05 1969-02-25 Monsanto Co Method for the preparation of inorganic single crystal and polycrystalline electronic materials
US3425879A (en) * 1965-10-24 1969-02-04 Texas Instruments Inc Method of making shaped epitaxial deposits
US3433686A (en) * 1966-01-06 1969-03-18 Ibm Process of bonding chips in a substrate recess by epitaxial growth of the bonding material
US3905037A (en) * 1966-12-30 1975-09-09 Texas Instruments Inc Integrated circuit components in insulated islands of integrated semiconductor materials in a single substrate
US3549432A (en) * 1968-07-15 1970-12-22 Texas Instruments Inc Multilayer microelectronic circuitry techniques
US3816906A (en) * 1969-06-20 1974-06-18 Siemens Ag Method of dividing mg-al spinel substrate wafers coated with semiconductor material and provided with semiconductor components
US3634150A (en) * 1969-06-25 1972-01-11 Gen Electric Method for forming epitaxial crystals or wafers in selected regions of substrates
US3884733A (en) * 1971-08-13 1975-05-20 Texas Instruments Inc Dielectric isolation process
US3846198A (en) * 1972-10-02 1974-11-05 Rca Corp Method of making semiconductor devices having thin active regions of the semiconductor material
US4046618A (en) * 1972-12-29 1977-09-06 International Business Machines Corporation Method for preparing large single crystal thin films
FR2217068B1 (ja) * 1973-02-13 1978-10-20 Labo Electronique Physique
US3900943A (en) * 1973-06-07 1975-08-26 Dow Corning Silicon semiconductor device array and method of making same
JPS5084189A (ja) * 1973-11-26 1975-07-07
US4058418A (en) * 1974-04-01 1977-11-15 Solarex Corporation Fabrication of thin film solar cells utilizing epitaxial deposition onto a liquid surface to obtain lateral growth
US3902979A (en) * 1974-06-24 1975-09-02 Westinghouse Electric Corp Insulator substrate with a thin mono-crystalline semiconductive layer and method of fabrication
US3959045A (en) * 1974-11-18 1976-05-25 Varian Associates Process for making III-V devices
US4095004A (en) * 1975-03-31 1978-06-13 Hughes Aircraft Company Process for low temperature stoichiometric recrystallization of compound semiconductor films
US3993533A (en) * 1975-04-09 1976-11-23 Carnegie-Mellon University Method for making semiconductors for solar cells
US4053350A (en) * 1975-07-11 1977-10-11 Rca Corporation Methods of defining regions of crystalline material of the group iii-v compounds
US4018627A (en) * 1975-09-22 1977-04-19 Signetics Corporation Method for fabricating semiconductor devices utilizing oxide protective layer
US4116751A (en) * 1975-10-08 1978-09-26 Solomon Zaromb Methods and apparatus for producing unsupported monocrystalline films of silicon and of other materials
US4027053A (en) * 1975-12-19 1977-05-31 Motorola, Inc. Method of producing polycrystalline silicon ribbon
FR2354810A1 (fr) * 1976-06-14 1978-01-13 Anvar Couches monocristallines, procedes de fabrication de telles couches, et structures comportant une couche monocristalline
JPS5329587A (en) * 1976-08-31 1978-03-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Experimental device for testing temperature characteristic of communication cable
US4094704A (en) * 1977-05-11 1978-06-13 Milnes Arthur G Dual electrically insulated solar cells
JPS6311789B2 (ja) * 1978-05-12 1988-03-16 Sutepanoitsuchi Ridorenko Nikorai
FR2432770A1 (fr) * 1978-08-02 1980-02-29 Commissariat Energie Atomique Generateur photovoltaique
NL7810549A (nl) * 1978-10-23 1980-04-25 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
US4168998A (en) * 1978-12-06 1979-09-25 Mitsubishi Monsanto Chemical Co. Process for manufacturing a vapor phase epitaxial wafer of compound semiconductor without causing breaking of wafer by utilizing a pre-coating of carbonaceous powder
US4178197A (en) * 1979-03-05 1979-12-11 International Business Machines Corporation Formation of epitaxial tunnels utilizing oriented growth techniques
US4255208A (en) * 1979-05-25 1981-03-10 Ramot University Authority For Applied Research And Industrial Development Ltd. Method of producing monocrystalline semiconductor films utilizing an intermediate water dissolvable salt layer
JPS5623781A (en) * 1979-08-02 1981-03-06 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor device
US4309225A (en) * 1979-09-13 1982-01-05 Massachusetts Institute Of Technology Method of crystallizing amorphous material with a moving energy beam
US4381201A (en) * 1980-03-11 1983-04-26 Fujitsu Limited Method for production of semiconductor devices
US4323417A (en) * 1980-05-06 1982-04-06 Texas Instruments Incorporated Method of producing monocrystal on insulator
JPS5723218A (en) * 1980-07-18 1982-02-06 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS5776830A (en) * 1980-10-31 1982-05-14 Fujitsu Ltd Semiconductor substrate
NL8220051A (nl) * 1981-02-04 1983-01-03 Western Electric Co Werkwijze voor het vormen van een monokristallijn halfgeleidergebied op een isolatiefilm.
US4371421A (en) * 1981-04-16 1983-02-01 Massachusetts Institute Of Technology Lateral epitaxial growth by seeded solidification
JPS58130517A (ja) * 1982-01-29 1983-08-04 Hitachi Ltd 単結晶薄膜の製造方法
US4670088A (en) * 1982-03-18 1987-06-02 Massachusetts Institute Of Technology Lateral epitaxial growth by seeded solidification
US4461670A (en) * 1982-05-03 1984-07-24 At&T Bell Laboratories Process for producing silicon devices
US4494303A (en) * 1983-03-31 1985-01-22 At&T Bell Laboratories Method of making dielectrically isolated silicon devices
US4592799A (en) * 1983-05-09 1986-06-03 Sony Corporation Method of recrystallizing a polycrystalline, amorphous or small grain material
US4522661A (en) * 1983-06-24 1985-06-11 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Low defect, high purity crystalline layers grown by selective deposition
US4444620A (en) * 1983-09-12 1984-04-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Growth of oriented single crystal semiconductor on insulator

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4942350A (ja) * 1972-08-16 1974-04-20

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012518284A (ja) * 2009-02-19 2012-08-09 ソイテック ひずみ材料層の緩和および転写
US9041165B2 (en) 2009-02-19 2015-05-26 Soitec Relaxation and transfer of strained material layers

Also Published As

Publication number Publication date
DE3176676D1 (en) 1988-04-07
US4727047A (en) 1988-02-23
EP0191504A3 (en) 1986-09-10
EP0191505A3 (en) 1986-09-10
EP0191504A2 (en) 1986-08-20
WO1981002948A1 (en) 1981-10-15
EP0194495B1 (en) 1998-07-15
EP0191503A2 (en) 1986-08-20
US5549747A (en) 1996-08-27
EP0191504B1 (en) 1989-08-16
EP0049286B1 (en) 1988-03-02
JPH02283077A (ja) 1990-11-20
EP0193830A2 (en) 1986-09-10
DE3177317T2 (de) 1999-02-25
EP0049286A4 (en) 1982-08-05
EP0506146A2 (en) 1992-09-30
DE3177084D1 (en) 1989-09-21
EP0191503A3 (en) 1986-09-10
EP0194495A1 (en) 1986-09-17
EP0506146A3 (ja) 1995-02-01
EP0192280A2 (en) 1986-08-27
JP2584164B2 (ja) 1997-02-19
JPS57500670A (ja) 1982-04-15
EP0191505A2 (en) 1986-08-20
JPH0421334B2 (ja) 1992-04-09
US4816420A (en) 1989-03-28
EP0049286A1 (en) 1982-04-14
EP0193830A3 (en) 1986-10-01
JPH0620945A (ja) 1994-01-28
EP0192280A3 (en) 1986-09-10
US4837182A (en) 1989-06-06
DE3177317D1 (de) 1998-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02283014A (ja) 支持体上に結晶材料のシートを形成する方法
US5217564A (en) Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
US5676752A (en) Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
US5588994A (en) Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
McClelland et al. A technique for producing epitaxial films on reuseable substrates
US5273616A (en) Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
EP0867918B1 (en) Process for producing semiconductor substrate
US7615468B2 (en) Methods for making substrates and substrates formed therefrom
US6211038B1 (en) Semiconductor device, and method for manufacturing the same
US5328549A (en) Method of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
JPH0521338A (ja) 半導体部材及び半導体部材の製造方法
JPH0394476A (ja) 選択的結晶成長方法及びそれを用いた太陽電池の製造方法
JPH10233352A5 (ja)
Celler et al. Seeded recrystallization of thick polysilicon films on oxidized 3‐in. wafers
JP3472197B2 (ja) 半導体基材及び太陽電池の製造方法
JP2802180B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JPS58175844A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2833924B2 (ja) 結晶太陽電池およびその製造方法
JPS6219046B2 (ja)
JPS61188975A (ja) 薄型化ＧａＡｓ太陽電池の製造方法
JPS62234319A (ja) ヘテロエピタキシヤル薄膜の形成方法
JPH0396222A (ja) 単結晶Ｓｉ膜の形成方法