JPH02283079A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPH02283079A JPH02283079A JP1104910A JP10491089A JPH02283079A JP H02283079 A JPH02283079 A JP H02283079A JP 1104910 A JP1104910 A JP 1104910A JP 10491089 A JP10491089 A JP 10491089A JP H02283079 A JPH02283079 A JP H02283079A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- electrodes
- light
- voltage
- junction
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、カラー表示に用いることのできる発光素子に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
近年ディスクリートのＬＫＤ以外に、マルチカラーＬＥ
Ｄが多色発光デバイスとして注目されている。（例えば
、今井哲二他［化合物半導体デバイス■、（昭和６０年
１月５日）工業調査会、ｐ１１７）。
Ｄが多色発光デバイスとして注目されている。（例えば
、今井哲二他［化合物半導体デバイス■、（昭和６０年
１月５日）工業調査会、ｐ１１７）。
以下、図面を参照しながら上述したような従来の発光素
子について説明する。
子について説明する。
第３図は従来の発光素子の概略図である。図中２１．２
２，２３．２４はそれぞれ第２のｎ、第２のｐ、第１の
ｐ、第１のｎ型の半導体層、２８はｎ −ＧａＰ 基
板結晶、２６．２７．２５はそれぞれ電極である。
２，２３．２４はそれぞれ第２のｎ、第２のｐ、第１の
ｐ、第１のｎ型の半導体層、２８はｎ −ＧａＰ 基
板結晶、２６．２７．２５はそれぞれ電極である。
以上のように構成された発光素子の動作を以下に説明す
る。電極２５．２６に電圧をかけると第１のｎ型半導体
層２３と第２のｐ型半導体層接合は赤色発光し、電極２
６．２７に電圧をかけると第２のｐ型半導体層２２と第
２のｎ型半導体層２１接合は緑色に発光する、マルチカ
ラーＬＥＤとして動作する。
る。電極２５．２６に電圧をかけると第１のｎ型半導体
層２３と第２のｐ型半導体層接合は赤色発光し、電極２
６．２７に電圧をかけると第２のｐ型半導体層２２と第
２のｎ型半導体層２１接合は緑色に発光する、マルチカ
ラーＬＥＤとして動作する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、赤または緑、およ
びその中間色しか発光できないという欠点を有していた
。本発明では、この欠点に鑑み、１つの素子で３つの色
、つまりカラーを発光することのできる発光素子を提供
するものである。
びその中間色しか発光できないという欠点を有していた
。本発明では、この欠点に鑑み、１つの素子で３つの色
、つまりカラーを発光することのできる発光素子を提供
するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、本発明の発光素子は、３つの
ｐｎ接合と電極を内蔵することにより構成される。
ｐｎ接合と電極を内蔵することにより構成される。
作用
この構成により、１個の素子で赤緑青およびそれらの中
間色、つまりカラーの発光素子が得られる０ 実施例 〔実施例１〕 以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
間色、つまりカラーの発光素子が得られる０ 実施例 〔実施例１〕 以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
第１図は本発明の実施例における発光素子の概略を示す
ものである。第１図に於て、１，２，３゜４．５．６は
それぞれ第１のｎ、第１のｐ、第２のｐ、第２のｎ、第
３のｐ型の半導体層、７はｎ−Ｇ２ＬＰ基板、８，９，
１０．１１はそれぞれ電極である。
ものである。第１図に於て、１，２，３゜４．５．６は
それぞれ第１のｎ、第１のｐ、第２のｐ、第２のｎ、第
３のｐ型の半導体層、７はｎ−Ｇ２ＬＰ基板、８，９，
１０．１１はそれぞれ電極である。
以上のように構成された発光素子は、電極８゜９に電圧
をかけると第１のｐ型半導体層２と第１のｎ型半導体層
１接合は赤色発光し、電極８，１０に電圧をかけると半
導体層３．４接合は緑色に発光し、電極１０．１１に電
圧をかけると半導体層６．６接合は青色に発光するフル
カラーの表示素子として動作する。
をかけると第１のｐ型半導体層２と第１のｎ型半導体層
１接合は赤色発光し、電極８，１０に電圧をかけると半
導体層３．４接合は緑色に発光し、電極１０．１１に電
圧をかけると半導体層６．６接合は青色に発光するフル
カラーの表示素子として動作する。
なお、本実施例では基板結晶をＧａＰ基板としだがこれ
に限定されるものではなく、発光する化合物半導体なら
なんでもよい。例えば、ＧａＮやＧａｒｂを用いること
もできる。また半導体層１〜６の成長の順番もこの通り
でなくとも逆でもよいことは言うまでもない。
に限定されるものではなく、発光する化合物半導体なら
なんでもよい。例えば、ＧａＮやＧａｒｂを用いること
もできる。また半導体層１〜６の成長の順番もこの通り
でなくとも逆でもよいことは言うまでもない。
〔実施例２〕
以下に本発明の別の実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第２図は本発明の実施例における発光素子の概略を示す
ものである。同ａはＬＥＤの断面図、同すはＬＥＤ配列
の模式図である。第２図ａに於て、第１図と同一番号は
同一部分を示す。又、９′は電極である。
ものである。同ａはＬＥＤの断面図、同すはＬＥＤ配列
の模式図である。第２図ａに於て、第１図と同一番号は
同一部分を示す。又、９′は電極である。
同すにおいて１２は配線、１３はＬＥＤである。
以上のように構成された発光素子は、電極８゜９′に電
圧をかけると半導体層１，２接合は赤色発光し、電極８
，１ｏに電圧をかけると接合３，４は緑色に発光し、電
極１０．１１に電圧をかけると接合５，６は青色に発光
するフルカラーの表示素子として動作する。また、それ
ぞれの色のＬＸＤが配線で結ばれ二次元的に配列してい
るので、フルカラーの二次元像かえられる。
圧をかけると半導体層１，２接合は赤色発光し、電極８
，１ｏに電圧をかけると接合３，４は緑色に発光し、電
極１０．１１に電圧をかけると接合５，６は青色に発光
するフルカラーの表示素子として動作する。また、それ
ぞれの色のＬＸＤが配線で結ばれ二次元的に配列してい
るので、フルカラーの二次元像かえられる。
発明の効果
以上のように、本発明の発光素子は、３つの発光部を同
一半導体基板上に持つことにより小型のフルカラー素子
となり、その発明の効果は絶大である。
一半導体基板上に持つことにより小型のフルカラー素子
となり、その発明の効果は絶大である。
第１図は、本発明の実施例における発光素子の概略図、
第２図ａは他の実施例による素子の概略図、同すは配置
の模式図、第３図は、従来の発光素子の概略図である。 １・・・・・・第１のｎ型半導体層、２・・・・・・第
１のｐ型半導体層、７・・・・・・ｎ−ＧａＰ基板、８
・・・・・・電極、９・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名菓 図 １−６−一半導イ本１ ７゛−九−ｑαＦ基板 ８〜／／−ｔ ＠ｔ− 薬２図 Ｉ７ Ｃゐ２ （ｂ） 第 図
第２図ａは他の実施例による素子の概略図、同すは配置
の模式図、第３図は、従来の発光素子の概略図である。 １・・・・・・第１のｎ型半導体層、２・・・・・・第
１のｐ型半導体層、７・・・・・・ｎ−ＧａＰ基板、８
・・・・・・電極、９・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名菓 図 １−６−一半導イ本１ ７゛−九−ｑαＦ基板 ８〜／／−ｔ ＠ｔ− 薬２図 Ｉ７ Ｃゐ２ （ｂ） 第 図
Claims (1)
- 同一半導体基板上に、異なる３つのＬＥＤ接合を持つ発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1104910A JPH02283079A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1104910A JPH02283079A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283079A true JPH02283079A (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=14393273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1104910A Pending JPH02283079A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02283079A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459337A (en) * | 1993-02-19 | 1995-10-17 | Sony Corporation | Semiconductor display device with red, green and blue emission |
| FR2726126A1 (fr) * | 1994-10-24 | 1996-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Procede de fabrication de dispositifs a diodes electroluminescentes a lumiere visible |
| US5625201A (en) * | 1994-12-12 | 1997-04-29 | Motorola | Multiwavelength LED devices and methods of fabrication |
| US5681756A (en) * | 1994-05-31 | 1997-10-28 | Motorola | Method of fabricating an integrated multicolor organic led array |
| JPH10256605A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US6060727A (en) * | 1994-08-11 | 2000-05-09 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device |
| JP2005072628A (ja) * | 2004-12-13 | 2005-03-17 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2017513225A (ja) * | 2014-04-01 | 2017-05-25 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク | 半導体画素、このような画素のマトリクス、このような画素を製造するための半導体構造、およびそれらの製作方法 |
| CN109461754A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-03-12 | 友达光电股份有限公司 | 发光装置 |
| JP2021508170A (ja) * | 2017-12-20 | 2021-02-25 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ディスプレイ用ｌｅｄユニットおよびこれを有するディスプレイ装置 |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP1104910A patent/JPH02283079A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459337A (en) * | 1993-02-19 | 1995-10-17 | Sony Corporation | Semiconductor display device with red, green and blue emission |
| US5597740A (en) * | 1993-02-19 | 1997-01-28 | Sony Corporation | Semiconductor display device and a method of fabricating the same |
| US5681756A (en) * | 1994-05-31 | 1997-10-28 | Motorola | Method of fabricating an integrated multicolor organic led array |
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| JP2017513225A (ja) * | 2014-04-01 | 2017-05-25 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク | 半導体画素、このような画素のマトリクス、このような画素を製造するための半導体構造、およびそれらの製作方法 |
| JP2021508170A (ja) * | 2017-12-20 | 2021-02-25 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ディスプレイ用ｌｅｄユニットおよびこれを有するディスプレイ装置 |
| CN109461754A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-03-12 | 友达光电股份有限公司 | 发光装置 |
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