JPH02284085A - 光電式物体検出装置 - Google Patents
光電式物体検出装置Info
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- JPH02284085A JPH02284085A JP1104878A JP10487889A JPH02284085A JP H02284085 A JPH02284085 A JP H02284085A JP 1104878 A JP1104878 A JP 1104878A JP 10487889 A JP10487889 A JP 10487889A JP H02284085 A JPH02284085 A JP H02284085A
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- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光素子と、物体から反射した光を検出し電気
信号を発生する受光素子の組み合わせからなる光電式反
射型物体検出装置に関し、より詳しくは物体面からの反
射光強度と背景面からの反射光強度を相対比較して物体
の監視領域への進入を検出する装置に関する。
信号を発生する受光素子の組み合わせからなる光電式反
射型物体検出装置に関し、より詳しくは物体面からの反
射光強度と背景面からの反射光強度を相対比較して物体
の監視領域への進入を検出する装置に関する。
従来から所定の監視領域に光を入射し該領域に進入した
物体面から反射した光の強度を所定の基準値と比較して
物体を検出する光電式反射型物体検出装置が知られてい
る。
物体面から反射した光の強度を所定の基準値と比較して
物体を検出する光電式反射型物体検出装置が知られてい
る。
しかしながら従来の検出装置においては絶対的な基準値
を用いて物体の存在有無を検出、判別していたので種々
の変動要因によりしばしば誤検出が生じ問題となってい
た。変動要因としては発光強度のドリフト、物体面反射
率のバラツキ、受光素子の感度変化及び背景面の影響等
がある。
を用いて物体の存在有無を検出、判別していたので種々
の変動要因によりしばしば誤検出が生じ問題となってい
た。変動要因としては発光強度のドリフト、物体面反射
率のバラツキ、受光素子の感度変化及び背景面の影響等
がある。
特に様々な場所に設置される汎用性の光電式反射型検出
装置の場合、背景面の反射率や距離が異なる為、絶対的
な基準値では物体面からの反射光強度と背景面からの反
射光強度を識別できない場合が生じ問題となっていた。
装置の場合、背景面の反射率や距離が異なる為、絶対的
な基準値では物体面からの反射光強度と背景面からの反
射光強度を識別できない場合が生じ問題となっていた。
本発明は上述した従来技術の問題点を解決する事を目的
とする。その為に本発明にがかる光電式物体検出装置は
、所定の間隔で入力されるサンプリング信号に応答して
間欠的に光を発生する発光部と、該間欠発光を物体の監
視領域を横切って背景面に入射する為の光学系と、背景
面又は監視領域に進入した物体面によって反射された間
欠反射光を受光し該間欠反射光の強度に応じたサンプリ
ングデータを逐次発生する受光部を有している。
とする。その為に本発明にがかる光電式物体検出装置は
、所定の間隔で入力されるサンプリング信号に応答して
間欠的に光を発生する発光部と、該間欠発光を物体の監
視領域を横切って背景面に入射する為の光学系と、背景
面又は監視領域に進入した物体面によって反射された間
欠反射光を受光し該間欠反射光の強度に応じたサンプリ
ングデータを逐次発生する受光部を有している。
さらに本光電式物体検出装置はサンプリングデータ演算
処理部すなわち出力部を有しており時間的に前後する一
対のサンプリングデータの相対比を逐次演算し該相対比
が設定閾値例えば１±αを越えた時物体の進入を示す出
力信号を外部に出力する。
処理部すなわち出力部を有しており時間的に前後する一
対のサンプリングデータの相対比を逐次演算し該相対比
が設定閾値例えば１±αを越えた時物体の進入を示す出
力信号を外部に出力する。
本発明によれば通常間欠入射光は背景面によって反射さ
れ背景面反射率に応じた間欠反射光が受光検出される。
れ背景面反射率に応じた間欠反射光が受光検出される。
モしてあ乞タイミングで物体が監視領域に進入するとそ
の直後の間欠入射光は物体面によって反射され物体面反
射率に応じた反射間欠光が受光検出される。該タイミン
グの直前直後における一対の間欠反射光の相対強度比が
反射率の相違から値１±αよりβ分だけづれ、これによ
り物体の存在有無が識別される。
の直後の間欠入射光は物体面によって反射され物体面反
射率に応じた反射間欠光が受光検出される。該タイミン
グの直前直後における一対の間欠反射光の相対強度比が
反射率の相違から値１±αよりβ分だけづれ、これによ
り物体の存在有無が識別される。
以下図面に従って本発明の好適な実施例を詳細に説明す
る。第１図Ａは本発明にがかる光電式反射型物体検出装
置の全体構成を示す概念図であって、物体が監視領域外
に存在する通常状態を示す。
る。第１図Ａは本発明にがかる光電式反射型物体検出装
置の全体構成を示す概念図であって、物体が監視領域外
に存在する通常状態を示す。
図示する様に物体検出装置は、発光部、光学系、受光部
及び演算処理部を内蔵するケース１より構成されている
。
及び演算処理部を内蔵するケース１より構成されている
。
発光部は発光ダイオード等からなる発光素子２を含む。
光学系は発光をビーム状又は平行光線として監視領域の
背後に存する背景面３に入射する為のレンズ４、及びレ
ンズ４と発光素子２の中間に挿入され監視領域から戻っ
てきた反射光を入射光から分離する為のビームスプリッ
タ−例えば半透明鏡５より構成されている。なおこの通
常状態において物体６すなわち被検物は監視領域外にあ
る。受光部は半透明鏡５より分離された反射光を検出す
る為のホトトランジスター等から構成される受光素子７
を含んでいる。
背後に存する背景面３に入射する為のレンズ４、及びレ
ンズ４と発光素子２の中間に挿入され監視領域から戻っ
てきた反射光を入射光から分離する為のビームスプリッ
タ−例えば半透明鏡５より構成されている。なおこの通
常状態において物体６すなわち被検物は監視領域外にあ
る。受光部は半透明鏡５より分離された反射光を検出す
る為のホトトランジスター等から構成される受光素子７
を含んでいる。
第１図Ｂは同一の光電式反射型物体検出装置において、
被検物６が矢印で示す様に監視領域に進入した状態を示
す。発光素子２からの入射光は進入した物体６によって
遮断される為、入射光は物体６の表面により反射される
。反射光は第１図Ａに示すと同一の光路をたどり受光素
子７上に収束される。
被検物６が矢印で示す様に監視領域に進入した状態を示
す。発光素子２からの入射光は進入した物体６によって
遮断される為、入射光は物体６の表面により反射される
。反射光は第１図Ａに示すと同一の光路をたどり受光素
子７上に収束される。
第２図は本発明にかかる光電式反射型物体検出装置の全
体回路構成を示すブロック図である。まず発光部は、所
定の間隔で入力されるコントロール信号すなわちサンプ
リング信号ＣＴＬに応答して間欠的に発振し、所望の設
定周波数成分を有する九周波重畳サンプリング信号Ｏ３
Ｃを出力する発振部８を有する。さらに高周波ｆｆ１畳
サンすリング信号に応じて周波数変調された間欠変調駆
動電流を発光素子２に供給する駆動部９を含む。発光素
子２は変調駆動電流により駆動され周波数変調された光
をサンプリング信号に応じて間欠的に放出する。
体回路構成を示すブロック図である。まず発光部は、所
定の間隔で入力されるコントロール信号すなわちサンプ
リング信号ＣＴＬに応答して間欠的に発振し、所望の設
定周波数成分を有する九周波重畳サンプリング信号Ｏ３
Ｃを出力する発振部８を有する。さらに高周波ｆｆ１畳
サンすリング信号に応じて周波数変調された間欠変調駆
動電流を発光素子２に供給する駆動部９を含む。発光素
子２は変調駆動電流により駆動され周波数変調された光
をサンプリング信号に応じて間欠的に放出する。
受光部は背景面若しくは物体面から反射された変調間欠
反射光を順次受光しその光強度に応じた振幅を有する変
調検出電流を間欠的に出力する受光素子７を含む。受光
素子７−には増幅部ｉｏが接続されており、変調検出電
流を検波増幅して間欠的に交流検出信号ＡＣを出力する
。増幅部１０は例えば設定周波数成分をフィルタリング
する狭帯域フィルター回路及び交流増幅回路で構成され
る。
反射光を順次受光しその光強度に応じた振幅を有する変
調検出電流を間欠的に出力する受光素子７を含む。受光
素子７−には増幅部ｉｏが接続されており、変調検出電
流を検波増幅して間欠的に交流検出信号ＡＣを出力する
。増幅部１０は例えば設定周波数成分をフィルタリング
する狭帯域フィルター回路及び交流増幅回路で構成され
る。
例えば積分回路等から構成される平滑部１１が増幅部Ｉ
Ｏに接続されており交流検出信号ＡＣを整流平滑化し対
応する波高値を有する直流検出信号ＤＣを間欠的に出力
する。平滑部１１にはＡ／Ｄコンバータよりなる変換部
１２が接続されており、サンプリング信号ＣＴＬに同期
して直流検出信号ＤＣの波高成分を逐次対応するサンプ
リングデータＤＡＴＡに変換する。従って各サンプリン
グデータＤＡＴＡは間欠的に受光される反射光強度を示
すデータとな゛る。
Ｏに接続されており交流検出信号ＡＣを整流平滑化し対
応する波高値を有する直流検出信号ＤＣを間欠的に出力
する。平滑部１１にはＡ／Ｄコンバータよりなる変換部
１２が接続されており、サンプリング信号ＣＴＬに同期
して直流検出信号ＤＣの波高成分を逐次対応するサンプ
リングデータＤＡＴＡに変換する。従って各サンプリン
グデータＤＡＴＡは間欠的に受光される反射光強度を示
すデータとな゛る。
最後に出力部はメモリ部１３と制御演算部１４とにより
構成されている。メモリ部１３は少くとも２つのレジス
タ又はメモリ領域Ｍ１とＭ２を有し、変換部１２より供
給されるサンプリングデータを交互に記録し且つ新サン
プリングデータの入力毎に記録データを更新する。制御
演算部１４は例えばＣＰＵで構成され、前述したサンプ
リング信号ＣＴＬを出力する他、メモリ部１３をアドレ
ス信号ＡＤＳにより逐次アクセスし、一対のメモリ領域
Ｍ１及びＭ２に記録されている更新サンプリングデータ
を読み出し、一対のサンプリングデータの相対比を演算
する。演算結果に基いて物体の監視領域への進入の白°
無を表わす出力信号ＯＵＴを外部に出力する。
構成されている。メモリ部１３は少くとも２つのレジス
タ又はメモリ領域Ｍ１とＭ２を有し、変換部１２より供
給されるサンプリングデータを交互に記録し且つ新サン
プリングデータの入力毎に記録データを更新する。制御
演算部１４は例えばＣＰＵで構成され、前述したサンプ
リング信号ＣＴＬを出力する他、メモリ部１３をアドレ
ス信号ＡＤＳにより逐次アクセスし、一対のメモリ領域
Ｍ１及びＭ２に記録されている更新サンプリングデータ
を読み出し、一対のサンプリングデータの相対比を演算
する。演算結果に基いて物体の監視領域への進入の白°
無を表わす出力信号ＯＵＴを外部に出力する。
さて次に第３図のタイミングチャートに基き本発明にか
かる光電式物体検出装置の動作を説明する。まず制御演
算部１４は所定の間隔でサンプリング信号ＣＴＬを発生
する。サンプリング信号ＣＴＬは時系列的に配列された
クロックパルスを含み順次サンプリングタイミングＳＬ
、Ｓ２゜Ｓ３．Ｓ４・・・・・・を規定する。発振部８
はこれらサンプリングタイミングに同期してタロツクパ
ルスのパルス幅に対応する時間分だけ発振し、高周波が
重畳されたサンプリング信号Ｏ８Ｃを出力する。次いで
駆動部９は高周波重畳サンプリング信号Ｏ３Ｃに応じて
周波数変調された駆動電流を所定のサンプリングタイミ
ングで発光素子２に供給する。発光素子２は周波数変調
された発光をサンプリングタイミングＳ１．Ｓ２．Ｓ３
・・・・・・の順で発生する。
かる光電式物体検出装置の動作を説明する。まず制御演
算部１４は所定の間隔でサンプリング信号ＣＴＬを発生
する。サンプリング信号ＣＴＬは時系列的に配列された
クロックパルスを含み順次サンプリングタイミングＳＬ
、Ｓ２゜Ｓ３．Ｓ４・・・・・・を規定する。発振部８
はこれらサンプリングタイミングに同期してタロツクパ
ルスのパルス幅に対応する時間分だけ発振し、高周波が
重畳されたサンプリング信号Ｏ８Ｃを出力する。次いで
駆動部９は高周波重畳サンプリング信号Ｏ３Ｃに応じて
周波数変調された駆動電流を所定のサンプリングタイミ
ングで発光素子２に供給する。発光素子２は周波数変調
された発光をサンプリングタイミングＳ１．Ｓ２．Ｓ３
・・・・・・の順で発生する。
受光素子７は変調された反射光を上述のタイミングで順
次受光し、その反射光強度に応じた振幅を有する変調検
出電流を間欠的に出力する。交流増幅部ｌＯが該変調検
出電流を検波し増幅して交流検出信号ＡＣを出力する。
次受光し、その反射光強度に応じた振幅を有する変調検
出電流を間欠的に出力する。交流増幅部ｌＯが該変調検
出電流を検波し増幅して交流検出信号ＡＣを出力する。
この検波により変調検出電流に含まれる雑音成分が除去
されるので検出精度が向上する。
されるので検出精度が向上する。
さて第３図に示す様に今サンプリングタイミングＳ３と
８４の間の時点Ｔにおいて物体６が監視領域に進入した
とする。すると進入時点Ｔ以前においては各サンプリン
グタイミングＳｌ、Ｓ２及びＳ３において交流検出信号
ＡＣは背景面の反射強度に応じた小さな振幅を有してい
るのに対して、進入時点直後のサンプリングタイミング
Ｓ４において交流検出信号ＡＣは物体面の反射強度に応
じた大きな振幅を有している。
８４の間の時点Ｔにおいて物体６が監視領域に進入した
とする。すると進入時点Ｔ以前においては各サンプリン
グタイミングＳｌ、Ｓ２及びＳ３において交流検出信号
ＡＣは背景面の反射強度に応じた小さな振幅を有してい
るのに対して、進入時点直後のサンプリングタイミング
Ｓ４において交流検出信号ＡＣは物体面の反射強度に応
じた大きな振幅を有している。
次に平滑部１１が該交流検出信号ＡＣを平滑化しその振
幅値に対応した波高値を有する直流検出信号ＤＣに変換
する。変換部１２はサンプリング信号ＣＴＬに同期して
、所定のタイミングＳｌ、Ｓ２゜Ｓ３・・・・・・でア
ナログの該直流検出信号ＤＣをデジタル化し各波高値に
対応したサンプリングデータＤＡＴＡを順次出力する。
幅値に対応した波高値を有する直流検出信号ＤＣに変換
する。変換部１２はサンプリング信号ＣＴＬに同期して
、所定のタイミングＳｌ、Ｓ２゜Ｓ３・・・・・・でア
ナログの該直流検出信号ＤＣをデジタル化し各波高値に
対応したサンプリングデータＤＡＴＡを順次出力する。
最後にサンプリングデータＤＡＴＡはメモリ部１３の一
対のメモリ領域Ｍ１とＭ２に交互に記録され且つ最新の
データによって更新される。例えばタイミングＳ１で発
生したデータは領域Ｍ１に書き込まれタイミングＳ２で
発生したデータは領域Ｐｗｘ２に書き込まれる。次いで
タイミングＳ３で発生したデータは領域Ｍ１の記録デー
タを消去した上でここに書き込まれ、タイミングＳ４で
発生したデータは領域Ｍ２の記録データを消去した上で
ここに書き込まれる。制御演算部１４は所定の間隔で一
対のメモリ領域Ｍ１とＭ２をアドレスし一対の更新デー
タを読み取る。両者の相対比が演算される。物体進入時
点Ｔ以前においては、反射光強度に変化は無い為相対比
は値１に等しい。しかし、物体進入８．７点直前のタイ
ミングＳ３で発生したサンプリングデータと直後のタイ
ミングＳ４で発生したサンプリングデータを比較すると
反射光強度に変化が生じているので両者の相対比は所定
の設定閾値範囲１土αを越える。なおαは検出許容誤差
を示す量である。従ってこの変化に応じて出力信号ＯＵ
Ｔは図示する様に低レベルから高レベルに切り換えられ
、物体進入の事実が検出される。
対のメモリ領域Ｍ１とＭ２に交互に記録され且つ最新の
データによって更新される。例えばタイミングＳ１で発
生したデータは領域Ｍ１に書き込まれタイミングＳ２で
発生したデータは領域Ｐｗｘ２に書き込まれる。次いで
タイミングＳ３で発生したデータは領域Ｍ１の記録デー
タを消去した上でここに書き込まれ、タイミングＳ４で
発生したデータは領域Ｍ２の記録データを消去した上で
ここに書き込まれる。制御演算部１４は所定の間隔で一
対のメモリ領域Ｍ１とＭ２をアドレスし一対の更新デー
タを読み取る。両者の相対比が演算される。物体進入時
点Ｔ以前においては、反射光強度に変化は無い為相対比
は値１に等しい。しかし、物体進入８．７点直前のタイ
ミングＳ３で発生したサンプリングデータと直後のタイ
ミングＳ４で発生したサンプリングデータを比較すると
反射光強度に変化が生じているので両者の相対比は所定
の設定閾値範囲１土αを越える。なおαは検出許容誤差
を示す量である。従ってこの変化に応じて出力信号ＯＵ
Ｔは図示する様に低レベルから高レベルに切り換えられ
、物体進入の事実が検出される。
以上述べた様に本発明においては、物体の進入移動にと
もなう受光反射強度の変化をモニターしている。従って
物体の進入移動を誤差変動等の原因により誤って横比で
きなかった場合には、進入物体が監視領域に静止した後
受光反射強度の変化が生じない為、物体の存在を識別で
きない可能性もある。この為、本実施例においては、制
御演算部１４のサンプリング間隔より相当程度長い一定
の間隔で最新のサンプリングデータを読み取り、あらか
しめ設定した絶対基準値と比較して、両者の差が基準を
越えた時には物体が既に監視領域に進入し静＋）−して
いる事実を示す出力信号を発生する様になっている。
もなう受光反射強度の変化をモニターしている。従って
物体の進入移動を誤差変動等の原因により誤って横比で
きなかった場合には、進入物体が監視領域に静止した後
受光反射強度の変化が生じない為、物体の存在を識別で
きない可能性もある。この為、本実施例においては、制
御演算部１４のサンプリング間隔より相当程度長い一定
の間隔で最新のサンプリングデータを読み取り、あらか
しめ設定した絶対基準値と比較して、両者の差が基準を
越えた時には物体が既に監視領域に進入し静＋）−して
いる事実を示す出力信号を発生する様になっている。
第４図は本発明にかかる光電式反射型物体検出装置の他
の実施例を示す断面図である。樹脂基板１５には所定の
間隔で配置された一対の発光素子２が埋め込まれている
。又一対の発光素子２の中間には受光素子７が埋め込ま
れている。基板１５の裏側には検出装置の回路部分を搭
載した回路基板１６が固定されている。
の実施例を示す断面図である。樹脂基板１５には所定の
間隔で配置された一対の発光素子２が埋め込まれている
。又一対の発光素子２の中間には受光素子７が埋め込ま
れている。基板１５の裏側には検出装置の回路部分を搭
載した回路基板１６が固定されている。
各発光素子２の発光面には発光を発散放出する為の強屈
折光学部材Ｉ７が取り付けられており、図示する様に背
景面３に対して発散光は広角度で入射し、物体監視領域
の全域を照射する。反射光の一部は中央に配置された受
光素子７によって受光され物体進入にともなう反射光強
度変化を検出する。この実施例は全域を監視できる利点
がある一方、検出精度が第１図Ａ及びＢに示す実施例に
比し劣る。他方第１図Ａ及びＢに示す実施例においては
収束入射光を用いているので、監視領域の中央部のみし
か照射できない反面、高感度である。
折光学部材Ｉ７が取り付けられており、図示する様に背
景面３に対して発散光は広角度で入射し、物体監視領域
の全域を照射する。反射光の一部は中央に配置された受
光素子７によって受光され物体進入にともなう反射光強
度変化を検出する。この実施例は全域を監視できる利点
がある一方、検出精度が第１図Ａ及びＢに示す実施例に
比し劣る。他方第１図Ａ及びＢに示す実施例においては
収束入射光を用いているので、監視領域の中央部のみし
か照射できない反面、高感度である。
第５図は第４図に示す光電式物体検出装置をいわゆるＰ
ＯＳシステムの端未読み取り装置に組み込んだ使用例を
示す斜視図である。ポータプル型の端未読み取り装置１
８は設置型と異なり任意に所望の商品カウンター１９に
置かれる。読み取り装置１８は監視領域に置かれた商品
に付されたコードを読み取る為の光学式コード読み取り
素子２０を具備しており、その光源には一般に半導体レ
ーザが用いられている。半導体レーザの寿命を延ばす為
、半導体レーザは物体の進入時のみ動作される。このレ
ーザの動作を制御する為に、第４図に示す光電式物体検
出装置２１が読み取り装置１８に組み込まれている。該
物体検出装置２１は、商品カウンター１９上の全監視領
域を照射し、しかも商品カウンター１９の表面すなわち
背景面の絶対的反射率の大きさに影響を受ける事なく高
精度で物体すなわち商品の進入を検出できる。
ＯＳシステムの端未読み取り装置に組み込んだ使用例を
示す斜視図である。ポータプル型の端未読み取り装置１
８は設置型と異なり任意に所望の商品カウンター１９に
置かれる。読み取り装置１８は監視領域に置かれた商品
に付されたコードを読み取る為の光学式コード読み取り
素子２０を具備しており、その光源には一般に半導体レ
ーザが用いられている。半導体レーザの寿命を延ばす為
、半導体レーザは物体の進入時のみ動作される。このレ
ーザの動作を制御する為に、第４図に示す光電式物体検
出装置２１が読み取り装置１８に組み込まれている。該
物体検出装置２１は、商品カウンター１９上の全監視領
域を照射し、しかも商品カウンター１９の表面すなわち
背景面の絶対的反射率の大きさに影響を受ける事なく高
精度で物体すなわち商品の進入を検出できる。
上述した様に本発明によれば、所定のサンプリング間隔
で間欠的に監視領域からの反射光強度を検出し、逐次一
対の反射光強度データを相対比較する事により、物体の
進入の有無を識別するようになっている為、発光強度受
光感度等様々の変動要因にかかわらず、高精度の物体検
出が可能になるという効果がある。
で間欠的に監視領域からの反射光強度を検出し、逐次一
対の反射光強度データを相対比較する事により、物体の
進入の有無を識別するようになっている為、発光強度受
光感度等様々の変動要因にかかわらず、高精度の物体検
出が可能になるという効果がある。
又物体表面や背景表面の絶対的反射率にかかわらず物体
の進入移動を検出できるので、任意の物体を識別でき、
又任意の場所に設定できるので極めて汎用性が窩いとい
う効果を有する。
の進入移動を検出できるので、任意の物体を識別でき、
又任意の場所に設定できるので極めて汎用性が窩いとい
う効果を有する。
さらに発散入射光を用いる事により、広範囲の監視領域
を照射できるという効果がある。
を照射できるという効果がある。
第１図Ａは本発明にがかる光電式物体検出装置の全体構
成を示す概念図であり、物体が監視領域外にある状態を
示す。ｍ１図Ｂは同じく物体が監視領域内にある状態を
示す。第２図は本発明にかかる光電式物体検出装置の全
体回路構成を示すブロック図である。第３図は第２図に
示す回路の動作を説明する為のタイミングチャートであ
る。第４図は本発明にかかる光電式物体検出装置の他の
実施例を示す断面図である。第５図は第４図に示す光電
式物体検出装置をポータプル型のＰＯ８端未読み取り装
置に組み込んだ応用例を示す斜視図である。 １・・・ケース、 ３・・・背景面、 ５・・・半透明鏡、 ７・・・受光素子、 ９・・・駆動部、 １１・・・平滑部、 １３・・・メモリ部、 １５・・・樹脂基板、 ■７・・・光発散部材。 ２・・・発光素子、 ４・・・レンズ、 ６・・・物 体、 ８・・・発振部、 ｌＯ・・・増幅部、 １２・・・変換部、 １４・・・制御演算部、 １６・・・回路基板、
成を示す概念図であり、物体が監視領域外にある状態を
示す。ｍ１図Ｂは同じく物体が監視領域内にある状態を
示す。第２図は本発明にかかる光電式物体検出装置の全
体回路構成を示すブロック図である。第３図は第２図に
示す回路の動作を説明する為のタイミングチャートであ
る。第４図は本発明にかかる光電式物体検出装置の他の
実施例を示す断面図である。第５図は第４図に示す光電
式物体検出装置をポータプル型のＰＯ８端未読み取り装
置に組み込んだ応用例を示す斜視図である。 １・・・ケース、 ３・・・背景面、 ５・・・半透明鏡、 ７・・・受光素子、 ９・・・駆動部、 １１・・・平滑部、 １３・・・メモリ部、 １５・・・樹脂基板、 ■７・・・光発散部材。 ２・・・発光素子、 ４・・・レンズ、 ６・・・物 体、 ８・・・発振部、 ｌＯ・・・増幅部、 １２・・・変換部、 １４・・・制御演算部、 １６・・・回路基板、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、所定の間隔で入力されるサンプリング信号に応答し
て間欠的に光を発生する発光部と、該間欠発光を物体の
監視領域を横切って背景面に入射する為の光学部と、背
景面又は監視領域に進入した物体面によって反射された
間欠反射光を受光し該間欠反射光の強度に応じたサンプ
リングデータを逐次発生する受光部と、時間的に前後す
る一対のサンプリングデータの相対比を逐次演算し該相
対比が設定閾値を越えた時物体の進入を示す出力信号を
発生する出力部とからなる光電式物体検出装置。 ２、該発光部は点発光素子を含み、該受光部は受光素子
を含み、該光学部は点発光素子から発する光を光ビーム
スポットとして背景面に入射する為のレンズと、該レン
ズと点発光素子の間に介在し戻ってきた反射光を受光素
子に向ける半透明鏡からなる請求項１に記載の光電式物
体検出装置。 ３、該発光部は少くとも一対の離間した発光素子を含み
、該受光部は一対の発光素子の中間に配置された受光素
子を含み、該光学部は一対の発光素子から発する光を発
散光として背景面に入射する為の発散部材を含んでいる
請求項１に記載の光電式物体検出装置。 ４、該発光部はサンプリング信号に応答して間欠的に発
振する発振部と、該発振周波数に応じて変調された駆動
電流を生じる駆動部と、該変調駆動電流により変調発光
を放出する発光素子を含み、該受光部は変調反射光を受
光しそれに応じた交流電流を出力する受光素子と、該交
流電流を検波増幅する増幅部と、増幅された交流電流を
平滑化し対応する直流電流を出力する平滑部と、サンプ
リング信号に応答して該直流電流値を逐次サンプリング
データに変換するＡ／Ｄコンバータを含む請求項１に記
載の光電式物体検出装置。 ５、該出力部は順次入力されるサンプリングデータを交
互に記憶し逐次更新する一対のレジスタを有するメモリ
部と、一対の更新サンプリングデータを呼び出し両者の
相対比を演算する演算処理部を含む請求項１に記載の光
電式物体検出装置。 ６、該出力部はサンプリング間隔より長い一定の間隔で
最新のサンプリングデータをあらかじめ設定した絶対基
準値と比較し両者の差が基準を越えた時には物体の進入
を示す出力信号を発生する請求項１に記載の光電式物体
検出装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1104878A JPH0721538B2 (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 光電式物体検出装置 |
| US07/509,402 US5187361A (en) | 1989-04-25 | 1990-04-16 | Object detection apparatus of the photoelectric reflection type with sampled data |
| DE69028238T DE69028238T2 (de) | 1989-04-25 | 1990-04-21 | Vorrichtung zur Entdeckung eines Objekts vom photoelektrischen Reflektionstyp |
| EP90107598A EP0394888B1 (en) | 1989-04-25 | 1990-04-21 | Object detection apparatus of the photoelectric reflection type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1104878A JPH0721538B2 (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 光電式物体検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02284085A true JPH02284085A (ja) | 1990-11-21 |
| JPH0721538B2 JPH0721538B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=14392458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1104878A Expired - Fee Related JPH0721538B2 (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 光電式物体検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721538B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2369183A (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-22 | Otis Elevator Co | Detecting object in a zone by reflected radiation |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5167175A (ja) * | 1974-12-09 | 1976-06-10 | Yamakawa Denshi Kk | |
| JPS52148949U (ja) * | 1976-05-07 | 1977-11-11 | ||
| JPS5853449A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-30 | Fujitsu Ltd | 印字制御方式 |
| JPS59193382A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-01 | Sogo Keibi Hoshiyou Kk | 侵入検知装置 |
| JPS61284689A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Yoshida Kogyo Kk <Ykk> | 人体検知方法 |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP1104878A patent/JPH0721538B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5167175A (ja) * | 1974-12-09 | 1976-06-10 | Yamakawa Denshi Kk | |
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| JPS5853449A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-30 | Fujitsu Ltd | 印字制御方式 |
| JPS59193382A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-01 | Sogo Keibi Hoshiyou Kk | 侵入検知装置 |
| JPS61284689A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Yoshida Kogyo Kk <Ykk> | 人体検知方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2369183A (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-22 | Otis Elevator Co | Detecting object in a zone by reflected radiation |
| GB2369183B (en) * | 2000-11-21 | 2002-10-16 | Otis Elevator Co | 3-D Safety detection system for elevator sliding doors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0721538B2 (ja) | 1995-03-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |