JPH02285274A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPH02285274A JPH02285274A JP1106503A JP10650389A JPH02285274A JP H02285274 A JPH02285274 A JP H02285274A JP 1106503 A JP1106503 A JP 1106503A JP 10650389 A JP10650389 A JP 10650389A JP H02285274 A JPH02285274 A JP H02285274A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- dimples
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- hysteresis
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- Pending
Links
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気信号を強磁性体薄膜の磁気抵抗効果を利
用して検出する磁気エンコーダー、磁気ヘッド等の磁気
抵抗効果素子に関するものである。
用して検出する磁気エンコーダー、磁気ヘッド等の磁気
抵抗効果素子に関するものである。
磁気抵抗効果素子は、磁気信号に対して磁気検出感度が
極めて高いことから高精度の回転検出あるいは位置検出
センサとして利用されている。−般に、その感磁部であ
る強磁性薄膜によって形成されるセンサパターンはスト
ライプ状のものが用いられており、ストライブに対して
直角に信号磁界が印加された際の抵抗変化を電圧変化と
して読み取っている。
極めて高いことから高精度の回転検出あるいは位置検出
センサとして利用されている。−般に、その感磁部であ
る強磁性薄膜によって形成されるセンサパターンはスト
ライプ状のものが用いられており、ストライブに対して
直角に信号磁界が印加された際の抵抗変化を電圧変化と
して読み取っている。
しかしながら、上記ストライプ状のパターンを用いる磁
気抵抗効果素子を用いた場合には、第３図に示す抵抗変
化の磁場履歴曲線（ＭＲ曲線）においてＡおよびＢの両
面線で示されるような径路が異なる特性となり、ヒステ
リシスが存在するため検出された信号波形に乱れを生ず
るという問題点があった。
気抵抗効果素子を用いた場合には、第３図に示す抵抗変
化の磁場履歴曲線（ＭＲ曲線）においてＡおよびＢの両
面線で示されるような径路が異なる特性となり、ヒステ
リシスが存在するため検出された信号波形に乱れを生ず
るという問題点があった。
本発明者は、磁性薄膜における磁区観察を行ない、スト
ライプ状もｎ性薄膜においては第４図に示すように、反
磁場の影響によってストライプｌの幅方向両端部に磁壁
２が生じ三磁区構造が形成され、この磁壁が信号磁界の
変化に伴ない消滅し単磁区構造になることによりヒステ
リシスが発生しているものと考えられた。
ライプ状もｎ性薄膜においては第４図に示すように、反
磁場の影響によってストライプｌの幅方向両端部に磁壁
２が生じ三磁区構造が形成され、この磁壁が信号磁界の
変化に伴ない消滅し単磁区構造になることによりヒステ
リシスが発生しているものと考えられた。
本発明は、ストライブ状の磁性薄膜の磁区構造を安定化
させ、ヒステリシスの少ない磁気抵抗効果素子を提供す
ることを目的とするものである。
させ、ヒステリシスの少ない磁気抵抗効果素子を提供す
ることを目的とするものである。
本発明は、上記目的を達成するために、ストライブ状の
磁性薄膜パターン上の磁壁の発生する位置にディンプル
を形成することにより磁区構造の変化を抑制することを
特徴とするものである。
磁性薄膜パターン上の磁壁の発生する位置にディンプル
を形成することにより磁区構造の変化を抑制することを
特徴とするものである。
例えば、第１図に示すように幅Ｗｓ３のストライブ状の
磁性薄膜上の幅方向両端部の磁壁が発生する位置に、あ
る間隔β４を設けてディンプル５を形成する。このディ
ンプルの形は円または楕円が望ましい。また、磁壁の発
生する位置はストライプ幅の１／２０〜１１５であり、
パターン幅方向端部からディンプルを形成する位置−４
６はＬ ／２０〜Ｌ １５にすることが望ましく、間隔
ｉは狭いことが好ましく、−１以下とすることが望まし
い。
磁性薄膜上の幅方向両端部の磁壁が発生する位置に、あ
る間隔β４を設けてディンプル５を形成する。このディ
ンプルの形は円または楕円が望ましい。また、磁壁の発
生する位置はストライプ幅の１／２０〜１１５であり、
パターン幅方向端部からディンプルを形成する位置−４
６はＬ ／２０〜Ｌ １５にすることが望ましく、間隔
ｉは狭いことが好ましく、−１以下とすることが望まし
い。
形成するディンプルの大きさは１０μｍ以下とすること
が望ましい。
が望ましい。
本発明の磁気抵抗効果素子の実施例を説明するガラス基
板上に膜厚４００人の強磁性体であるパーマロイ薄膜を
形成し、ウニ・ノドエツチング法により、ストライプ幅
し：３０μｍ、ディンプル形成位置−６：５μｍ、ディ
ンプル間隔ｌ：１５μｍのストライブをもつ磁気抵抗効
果素子を作成し、ＭＲ凸曲線測定したところ、第２図に
示すようにヒステリシスがほとんど認められないもので
あった。
板上に膜厚４００人の強磁性体であるパーマロイ薄膜を
形成し、ウニ・ノドエツチング法により、ストライプ幅
し：３０μｍ、ディンプル形成位置−６：５μｍ、ディ
ンプル間隔ｌ：１５μｍのストライブをもつ磁気抵抗効
果素子を作成し、ＭＲ凸曲線測定したところ、第２図に
示すようにヒステリシスがほとんど認められないもので
あった。
また、磁区観察を行ったところ検出磁界強度、±Ｈｋ以
下において三磁区構造であることが確認された。
下において三磁区構造であることが確認された。
このため、上記形状のストライブ状磁性薄膜を用いて、
磁気抵抗素子を作製すると、ヒステリシスに起因する信
号波形の乱れを低減することが可能となり、優れた特性
の磁気抵抗素子を作製できる。
磁気抵抗素子を作製すると、ヒステリシスに起因する信
号波形の乱れを低減することが可能となり、優れた特性
の磁気抵抗素子を作製できる。
本発明の磁気抵抗効果素子は、従来のストライプ形状で
は不安定であった磁区構造をストライプ上にディンプル
を形成することにより安定化し、ヒステリシスを減少さ
せることができるので、出力信号波形の乱れが低減され
検出精度を向上することができる。
は不安定であった磁区構造をストライプ上にディンプル
を形成することにより安定化し、ヒステリシスを減少さ
せることができるので、出力信号波形の乱れが低減され
検出精度を向上することができる。
第１図は本発明におけるストライブ状磁性薄膜の形状を
示す説明図、第２図は本発明の磁気抵抗効果素子のＭＲ
凸曲線第３図は従来の磁気抵抗効果素子のＭＲ凸曲線第
４図は従来のストライブ状磁性薄膜における磁区構造を
示す説明図である。
示す説明図、第２図は本発明の磁気抵抗効果素子のＭＲ
凸曲線第３図は従来の磁気抵抗効果素子のＭＲ凸曲線第
４図は従来のストライブ状磁性薄膜における磁区構造を
示す説明図である。
Claims (3)
- （１）磁気抵抗効果を有する強磁性体薄膜より成る感磁
部パターン内にディンプルを有することを特徴とする磁
気抵抗効果素子。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果素子に
おいて、ディンプルの形状を円又は楕円とすることを特
徴とする磁気抵抗効果素子。 - （３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の磁気抵
抗効果素子において、ディンプルの大きさを１０μｍ以
下であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1106503A JPH02285274A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1106503A JPH02285274A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02285274A true JPH02285274A (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=14435236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1106503A Pending JPH02285274A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02285274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0352807U (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-22 |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1106503A patent/JPH02285274A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0352807U (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-22 |
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