JPH0228574A - 光磁界センサ - Google Patents
光磁界センサInfo
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- JPH0228574A JPH0228574A JP18003788A JP18003788A JPH0228574A JP H0228574 A JPH0228574 A JP H0228574A JP 18003788 A JP18003788 A JP 18003788A JP 18003788 A JP18003788 A JP 18003788A JP H0228574 A JPH0228574 A JP H0228574A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 29
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 22
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 16
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ファラデー効果素子を用いた光磁界センサに
関するものである。
関するものである。
[従来技術]
色層偏光の光が磁界を受けている物質中を進むとき、偏
光面が回転するが、これは磁界の強さに比例する。
光面が回転するが、これは磁界の強さに比例する。
このようなファラデー効果を顕著に生じる素子、例えば
BSO単結晶やZn5e多結晶等の素子を用いる磁界セ
ンサが開発されている。
BSO単結晶やZn5e多結晶等の素子を用いる磁界セ
ンサが開発されている。
第4図は上記のようなファラデー効果素子を用いた光磁
界センサの構成を示す。図において2目ま偏光子、22
はファラデー効果素子、23は検光子である。直線上に
、例えば垂直方向に偏光するように偏光子21が配置さ
れ、これにファラデー効果素子22が配置され、このフ
ァラデー効果素子22をはさみ、偏光子21と反対側に
検光子23が、その偏光方向を前記偏光子21に対して
45″回転させて配置される。
界センサの構成を示す。図において2目ま偏光子、22
はファラデー効果素子、23は検光子である。直線上に
、例えば垂直方向に偏光するように偏光子21が配置さ
れ、これにファラデー効果素子22が配置され、このフ
ァラデー効果素子22をはさみ、偏光子21と反対側に
検光子23が、その偏光方向を前記偏光子21に対して
45″回転させて配置される。
ファラデー効果素子22において光の透過する結晶の長
さをQとして、光の通過する方向で、前記素子22に及
ぶ磁界強度をH1偏光の偏光面の回転角をθ、Veをベ
ルデ定数とすると、偏光面の回転角は次式で表わされる
。
さをQとして、光の通過する方向で、前記素子22に及
ぶ磁界強度をH1偏光の偏光面の回転角をθ、Veをベ
ルデ定数とすると、偏光面の回転角は次式で表わされる
。
θ=Ve−H−ρ ・・・・0)
光源よりの光は偏光子21で直線偏光を受け、磁界Hに
よりファラデー効果素子22で偏光面の・回転を受け、
偏光子21に対し、45@の検光子角をもつ検光子23
を通過する。
よりファラデー効果素子22で偏光面の・回転を受け、
偏光子21に対し、45@の検光子角をもつ検光子23
を通過する。
Poを被測定磁界が零のとき検光子23を通過する通過
光の強さ、Pを被測定磁界があるとき検光子23を通過
する通過光の強さとすると、Pは次式%式% なお、回転角θは45″″より充分小さいものとする。
光の強さ、Pを被測定磁界があるとき検光子23を通過
する通過光の強さとすると、Pは次式%式% なお、回転角θは45″″より充分小さいものとする。
(2)式に(1)式を代入すると、
P = Po (1+ 5in2Ve −H−Q )
・・−・(3)となる。
・・−・(3)となる。
ここで、偏光子21と検光子23との間に45°の検光
子角を与えているので、上記(3)式で表わされ、この
形であれば、磁界が零のとき、検光子23を通過する通
過光が求まるから、容易に5in2θ、すなわち、被α
1定磁界の大きさによって変化する出力分を取り出すこ
とができる。
子角を与えているので、上記(3)式で表わされ、この
形であれば、磁界が零のとき、検光子23を通過する通
過光が求まるから、容易に5in2θ、すなわち、被α
1定磁界の大きさによって変化する出力分を取り出すこ
とができる。
このように5in2θを取り出すには、上記のような構
成にかえ、第5図に示すように旋光子24を用いる構成
をとることもできる。直線上に偏光子21.45°旋光
子24.ファラデー効果素子22.検光子23が順に配
置される。旋光子24は偏光子21によって直線偏光さ
れた光の偏光面を45°回転させるものであり、例えば
BSOの単結晶を用いたものである。45°回転させら
れた偏光は、ファラデー効果素子22を通過中、磁界に
より偏光面が回転され、検光子23を透過する。この構
成では偏光子21と検光子23の偏光方向は互に平行と
なる配置をとる。
成にかえ、第5図に示すように旋光子24を用いる構成
をとることもできる。直線上に偏光子21.45°旋光
子24.ファラデー効果素子22.検光子23が順に配
置される。旋光子24は偏光子21によって直線偏光さ
れた光の偏光面を45°回転させるものであり、例えば
BSOの単結晶を用いたものである。45°回転させら
れた偏光は、ファラデー効果素子22を通過中、磁界に
より偏光面が回転され、検光子23を透過する。この構
成では偏光子21と検光子23の偏光方向は互に平行と
なる配置をとる。
この構成で磁界が零のとき、検光子23を透過する光の
強さをPoとすると、磁界が加わり、偏光面がθ回転し
たとき、検光子23を透過する光の強さPは次式で表わ
される。
強さをPoとすると、磁界が加わり、偏光面がθ回転し
たとき、検光子23を透過する光の強さPは次式で表わ
される。
P=Po(1+5in2θ)
= Po (1+ 5in2Ve −H−Q )
−(4)このように、偏光子、検光子を互に45°の角
度をなすようにするが、施米が45’になるようなもの
を使用すれば、被測定磁界による偏光面の回転角を容易
に求めることができ、この回転角より磁界Hの大きさを
知ることができ、もしこの磁界が線路電流によって生じ
ている場合は、線路電流値を測定できることになる。
−(4)このように、偏光子、検光子を互に45°の角
度をなすようにするが、施米が45’になるようなもの
を使用すれば、被測定磁界による偏光面の回転角を容易
に求めることができ、この回転角より磁界Hの大きさを
知ることができ、もしこの磁界が線路電流によって生じ
ている場合は、線路電流値を測定できることになる。
[解決しようとする課題]
以上説明のように、従来の構成によれば、光の通路とし
て、■図示していないが大光用光ファイバ、■偏光子、
■ファラデー効果素子、■偏光子と45″の検光子角を
もつ検光子あるいは、偏光子と45°旋光子、■出光用
の光ファイバの順、またはこの逆の順に1回ずつ通過す
る通路を有し、人出光用の光ファイバを共用化できず、
必ず2本の光ファイバを必要とする。
て、■図示していないが大光用光ファイバ、■偏光子、
■ファラデー効果素子、■偏光子と45″の検光子角を
もつ検光子あるいは、偏光子と45°旋光子、■出光用
の光ファイバの順、またはこの逆の順に1回ずつ通過す
る通路を有し、人出光用の光ファイバを共用化できず、
必ず2本の光ファイバを必要とする。
このため、この種センサの大きさを小型化するには限界
があり、また光ファイバは2心である必要があり、信号
伝送部の細径化の妨げとなっていた。
があり、また光ファイバは2心である必要があり、信号
伝送部の細径化の妨げとなっていた。
[課題を解決するための手段]
本発明は上記課題を解決するため、入光、出光併せて単
心の光ファイバにより磁界センサとの間を連絡し、磁界
センサにあっては、前記単心の光ファイバにより、一つ
のゲートで光の入光、出光を行うため、偏光の折り返し
位置に反射ミラーを配置し、偏光が磁界センサ中を往復
する間に、測定上必要な偏光面の45°の回転のバイア
スを与え、これに加えて外部被測定磁界による偏光面の
回転を与えて出光するように構成するものである。
心の光ファイバにより磁界センサとの間を連絡し、磁界
センサにあっては、前記単心の光ファイバにより、一つ
のゲートで光の入光、出光を行うため、偏光の折り返し
位置に反射ミラーを配置し、偏光が磁界センサ中を往復
する間に、測定上必要な偏光面の45°の回転のバイア
スを与え、これに加えて外部被測定磁界による偏光面の
回転を与えて出光するように構成するものである。
ンサ」に示される磁石を用いるものが適用される。
[発明の構成]
以下図面により本発明を説明する。
第1図は本発明の原理図である。単心の光ファイバ6の
端末と結合されたレンズ5の光軸と同一直線上に、偏光
子3.ファラデー効果素子19反射ミラー2の順で配置
される。反射ミラーは反射膜であってもよい。
端末と結合されたレンズ5の光軸と同一直線上に、偏光
子3.ファラデー効果素子19反射ミラー2の順で配置
される。反射ミラーは反射膜であってもよい。
前記ファラデー効果素子1.偏光子3を囲んで環状の永
久磁石4が配置される。この磁界印加部として用いられ
る永久磁石4はその環状中心部に、光路方向と同一方向
の磁界を形成するものであって、外部被測定磁界がない
状態で、後述のように偏光がファラデー効果素子1を往
復するとき丁度偏光面に45″の角度回転のバイアスを
生じる磁界強度を発生できるものである。
久磁石4が配置される。この磁界印加部として用いられ
る永久磁石4はその環状中心部に、光路方向と同一方向
の磁界を形成するものであって、外部被測定磁界がない
状態で、後述のように偏光がファラデー効果素子1を往
復するとき丁度偏光面に45″の角度回転のバイアスを
生じる磁界強度を発生できるものである。
光ファイバ6を出た光は、レンズ5により平行光となり
、偏光子3を通過することにより直線偏光となる。さら
に、ファラデー効果素子1を通ることにより、前記永久
磁石4が存在しなければ、外部被測定磁界によって及ぶ
磁界により、偏光面を回転させて反射ミラー2にて反射
し、再びファラデー効果素子1で偏光面を回転させ、レ
ンズ5に入るのであるが、この偏光は、ファラデー効果
素子1の中の一往復中において、永久磁石4により丁度
45@の角度のバイアスが掛けられるので、前記外部被
測定磁界強度による偏光面の回転角に、永久磁石4の磁
界強度による45°の角度のバイアスを加えた偏光面を
もって検光子3を通過し、レンズ5を通過して光ファイ
バ6に入射する。
、偏光子3を通過することにより直線偏光となる。さら
に、ファラデー効果素子1を通ることにより、前記永久
磁石4が存在しなければ、外部被測定磁界によって及ぶ
磁界により、偏光面を回転させて反射ミラー2にて反射
し、再びファラデー効果素子1で偏光面を回転させ、レ
ンズ5に入るのであるが、この偏光は、ファラデー効果
素子1の中の一往復中において、永久磁石4により丁度
45@の角度のバイアスが掛けられるので、前記外部被
測定磁界強度による偏光面の回転角に、永久磁石4の磁
界強度による45°の角度のバイアスを加えた偏光面を
もって検光子3を通過し、レンズ5を通過して光ファイ
バ6に入射する。
つまり、光は本磁界センサによれば、単心の光ファイバ
より入射して、反射ミラーで反射して光ファイバに出射
する往復の間において、外部被測定磁界強度測定データ
が得られるのである。
より入射して、反射ミラーで反射して光ファイバに出射
する往復の間において、外部被測定磁界強度測定データ
が得られるのである。
前記磁界センサを用いて、磁界を測定するには、第3図
のような光信号検出装置を用いて行う。
のような光信号検出装置を用いて行う。
図示のように、発光素子8に対し、光分岐器9が結合さ
れ、光分岐器9に光ファイバ6が結合され、この光ファ
イバ6の端末に第1図の磁界センサ11が結合され、前
記光分岐器8に対し、受光素子10が配置される。
れ、光分岐器9に光ファイバ6が結合され、この光ファ
イバ6の端末に第1図の磁界センサ11が結合され、前
記光分岐器8に対し、受光素子10が配置される。
さきの実施例から理解されるように、発光素子8よりの
光は光分岐器9を通り、光ファイバ6を通り、磁界セン
サ■を往復して光分岐器9に到達した光は2方向に分岐
され、その一方が受光素子IOに入力し、電気信号に変
換され、計C1ff1となる。
光は光分岐器9を通り、光ファイバ6を通り、磁界セン
サ■を往復して光分岐器9に到達した光は2方向に分岐
され、その一方が受光素子IOに入力し、電気信号に変
換され、計C1ff1となる。
第2図(イ)、(ロ)、(ハ)は本発明の実施例を示す
。第1図実施例と同一部分は同一符号で示す。
。第1図実施例と同一部分は同一符号で示す。
(イ)図の光磁界センサにおいては、ファラデー効果素
子1を間にして、偏光子3を囲んで、上下面をS、Hに
着磁した環状の永久磁石4を配置し、ファラデー効果素
子1の他端の反射ミラー2を設けた外側に、rrlI記
環状の永久磁石4の磁極極性と対向する極性を反射とし
て永久磁石4′を配置する。
子1を間にして、偏光子3を囲んで、上下面をS、Hに
着磁した環状の永久磁石4を配置し、ファラデー効果素
子1の他端の反射ミラー2を設けた外側に、rrlI記
環状の永久磁石4の磁極極性と対向する極性を反射とし
て永久磁石4′を配置する。
この磁石構成により、ファラデー効果素子1内の偏光通
路に沿って正確に所要偏光角45°のバイアスをかける
ことができる。
路に沿って正確に所要偏光角45°のバイアスをかける
ことができる。
(ロ)図に示すものは、第1図のものにおいて、使用さ
れる永久磁石4の磁極構成を示したものである。
れる永久磁石4の磁極構成を示したものである。
(ハ)図に示すものは、永久磁石使用にかえ、電磁石又
は空心コイル口を用いたものである。電磁石、又は空心
コイルを用いるときは、ファラデー効果素子、往復で偏
光面の回転角45″のバイアスを生じしめる磁界の調整
がコイルに対する通電制御によって容易となる。このよ
うに磁界印加部とじては単に永久磁石ばかりでなく、電
磁石、空心コイルを用いることができる。
は空心コイル口を用いたものである。電磁石、又は空心
コイルを用いるときは、ファラデー効果素子、往復で偏
光面の回転角45″のバイアスを生じしめる磁界の調整
がコイルに対する通電制御によって容易となる。このよ
うに磁界印加部とじては単に永久磁石ばかりでなく、電
磁石、空心コイルを用いることができる。
[発明の効果コ
本発明によれば、検光子は一つの偏光子で兼用され、光
ファイバも1本ですみ、光磁界センサの小型化、信号伝
送部の細径化を計ることができる。
ファイバも1本ですみ、光磁界センサの小型化、信号伝
送部の細径化を計ることができる。
第1図は、本発明の原理図を示し、第2図(イ)。
(ロ)、(ハ)は実施例を示す。
第3図は、光信号検出装置を示す。
第4図、第5図は従来の磁界センサを示す。
1・・・ファラデー効果素子、2・・・反射ミラー又は
、反射膜、3・・・偏光子、4.4’・・・永久磁石、
5・・・レンズ、6・・・光ファイバ、7・・・旋光子
、8・・・発光素子、9・・・光分岐器、1G・・・受
光素子、菫■・・・磁界センサ、!2・・・電磁石、又
は空心コイル。 算 図 懐 図 答4回 22()75デー効深濠)) %5 図
、反射膜、3・・・偏光子、4.4’・・・永久磁石、
5・・・レンズ、6・・・光ファイバ、7・・・旋光子
、8・・・発光素子、9・・・光分岐器、1G・・・受
光素子、菫■・・・磁界センサ、!2・・・電磁石、又
は空心コイル。 算 図 懐 図 答4回 22()75デー効深濠)) %5 図
Claims (3)
- (1)ファラデー効果素子に偏光を通過させ、該ファラ
デー効果素子に及ぶ被測定磁界強度を前記偏光の偏光面
の回転角に基づいて測定するための光磁界センサであっ
て、前記磁界センサは入光側より偏光子、ファラデー効
果素子、反射ミラーを順に備えるとともに、前記偏光子
よりの偏光が前記ファラデー効果素子を通過し、前記ミ
ラーで反射して再度前記ファラデー効果素子を逆に通過
して前記偏光子に至る間に、被測定磁界が零の状態で、
前記ファラデー効果素子を通過する偏光に45゜の回転
角のバイアスを与える磁界印加部を備えることを特徴と
する光磁界センサ。 - (2)磁界印加部が永久磁石である請求項(1)の光磁
界センサ。 - (3)磁界印加部が電磁石、又は空心コイルである請求
項(1)の光磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18003788A JPH0228574A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 光磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18003788A JPH0228574A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 光磁界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228574A true JPH0228574A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16076376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18003788A Pending JPH0228574A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 光磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228574A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007225340A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | National Institute Of Information & Communication Technology | 高周波磁界測定装置 |
| JP2008523401A (ja) * | 2004-12-13 | 2008-07-03 | シュランベルジェ、ホールディング、リミテッド | 磁気光学センサ |
| JP2011141172A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Mitsutoyo Corp | 光ファイバ型磁界センサ |
| US8153955B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-04-10 | Nec Corporation | Electric field sensor and method for fabricating the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0437714A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPH05232459A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 液晶表示セルおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP18003788A patent/JPH0228574A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2007225340A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | National Institute Of Information & Communication Technology | 高周波磁界測定装置 |
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