JPH0228575A - 磁束計及び磁束計部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超電導量子干渉計を用いた磁束計、磁束センサ
に係り、特に化学プラント及び原子カプラント等の高温
環境下で使用される含フェライト系ステンレス鋼等の金
属材料の実機部における高温時効脆化損傷の検知に好適
なピックアップコイル（プローブコイル）及びピックア
ップコイル（プローブコイル）用コアに関する。

〔従来の技術〕

含フェライト系ステンレス鋼の劣化診断の場合のごとく
低磁界ではなく、核融合トロイダルマグネットや粒子加
速器用マグネット、超電導発電機用マグネット等に使用
される高磁界域において高い臨界電流特性を発揮する超
電導シートコイルの製造方法について、特開昭６２−２
７７７０４号公報に述べられている技術がある。

一方、含フェライトステンレス鋼実機部材の高温脆化損
傷度の検知方法として、特開昭６１−２８８５９号公報
に記載のような方法がある。これは。

フェライトスコープを用いて、実機部材の高温長時間使
用後のフェライト量変化を磁気的に測定することによっ
て当該部の脆化の進行度を検知する方法である。

〔発明が解決しようとする課題〕

特開昭６１−２８８５９号公報においては、フェライト
スコープを用いてフェライト量変化を測定する手法であ
るため、初期フェライト相のスピノーダル分解によって
生じるα′相やＧ相の析出による磁気特性の変化を計測
することができないという問題があった。

特開昭６２−２７７７０４号公報においては、ＮｂａＳ
ｎ超電導金属間化合物等の超電導導体に関するもので、
超電導金属間化合物を構成する２つ以上の金属元素のう
ち少なくとも１つを含有する基板と。

残りの金属元素を含有する金属板とを東ね、さらにその
間に高磁界域における臨界電流密度を向上させるＴｉ、
Ｔａ等の第３元素を含む添加部材を挿入し、レーザビー
ムや電子線等の加熱ビームによる回路形成処理を施して
、超電導シートコイルを製造する方法である。前記方法
は基板と金属板を合金化することなく第３元素を添加し
て超電導回路を生成させることができるため、高磁界域
において優れた臨界電流特性を発揮する超電導コイルを
製造できる。しかしながら上記従来技術は。

最近の酸化物高温超電導材のコイルの製法に関しては論
じられておらず、低磁界において最適な超電導プリント
コイルの製法についての配慮がなされていなかった。

この他先行技術として特開昭６２−１４０４０３号公報
記載の技術がある。これによれば、加速器等の偏向電磁
石に用いられる超電導コイルにおいて、超電導コイルの
口出し部同士を交差させ、互いに逆向きの電流を流す複
数の閉曲面を設けることにより、超電導素線の臨界電流
特性を劣化させることなく、超電導コイルの中心軸近傍
で不整磁場の少ない均一な磁場を発生することができる
。しかしながら上記従来技術は加速器等の高磁場では有
効であるが、超電導量子干渉素子（以下、スキ、ラドと
もいう）のような微少磁場の検出においては。

コイルの取出し口による不整磁場よりも、外界や内部の
雑音による影響の方が大きい。

本発明の目的は、磁束伝達回路、又は磁束トランスを備
えた超電導量子干渉索子磁束計の感度と信号分解能の向
上を図るとともに、高温環境下で使用する含フェライト
系ステンレス鋼等の金属材料の実機部材の脆化の程度を
高精度に検知できる方法及び装置を提供することにある
。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、超電導量子干渉索子磁束計の磁束トランス
において、ピックアップコイルをプリントコイルとし、
かつ、該プリントコイルに軟磁性材料のプリントコイル
用コアを具備することにより、達成される。前記プリン
トコイルは薄膜状プリントコイル又は、薄板状プリント
コイルにすることができる。また、プリントコイルは二
枚以上重ねることも可能であり、二枚のプリントコイル
の巻き方向を変えると磁束勾配計にもなる。薄膜状プリ
ントコイルの製造方法として、スパッタ。

レーザスパッタ、ＭＢＥ法１Ｍ０ＣｖＤ法、スプレーバ
イロリシス法等が採用でき、薄膜板プリントコイルの場
合にはドクターブレード法が可能である。

尚、以下の説明においてプローブコイル（探傷コイル）
は磁束伝達回路と対応させ、ピックアップコイル（検出
コイル）は磁束トランスと対応させて記しているが、両
者の明確な技術的区別は不要であり、磁束伝達回路と磁
束トランスとの技術的区別も不要であるが１便宜上この
ように対応させて語句を使用する。また、プリントコイ
ルとは薄膜状にあるいは薄板状に形成したコイルを示し
、印刷形成のものには限定されない。

（磁束計） 本発明の磁束計はプローブコイル或いはピックアップコ
イルが被測定物に面するよう配置された磁束伝達回路或
いは磁束トランスと、該回路或いはトランスから発生す
る磁束の届く範囲内に設けた超電導量子干渉素子とを備
え、前記コイルにプリントコイルを適用したことを特徴
とする。更に望ましくは軟磁性材料のコアを併用する。

軟磁性コアを併用するならプローブコイルが必ずしもプ
ロトコイルであることを要しない。これらのコイルと被
認定物との間には両部材間の距離を規定する部材（介在
物）を挿入することが好ましい。

コイルとコアの関係は次のような態様が挙げられる。

■　プリントコイルに対して被測定試料と反対側に軟磁
性材のコアを具備する。

■　軟磁性材料のコアをプリントコイルの超電導リボン
間に装着し、該プリントコイルと軟磁性材のコアを同一
平面上に収納する。

■　上記■のコアと上記■のコアを一体物としたコアを
備える。

■　プリントコイルの超電導リボン間のコアを被測定試
料側に延長し、被測定試料と接触させる。

■　プリントコイルを２枚以上重ねる。

（磁気遮蔽） 磁気遮蔽には、磁束が入射するプリントコイルを除く全
体を磁気遮蔽板で被覆する方法と、磁束伝達回路或いは
磁束トランスのリード線を磁気遮蔽管で覆いかつその回
路或いはトランスの中でスキッドに磁束を伝えるコイル
と該スキッドとを磁気遮蔽板で被覆する方法とがある。

磁気遮蔽板や磁気遮蔽管は、高透磁率材又はμメタルと
することが好ましい。

（磁束勾配計） 本発明の磁束勾配計は、プローブコイル若ししくピック
アップコイルと逆巻きにした第２のプリントコイルを前
記プローブコイル若しくはピックアップコイルに対して
被測定体とは反対側に設けたものである。

（プリントコイル） プローブコイル（ピックアップコイルとも言える）やピ
ックアップコイル（プローブコイルとも言える）はプリ
ントコイルとなることが望ましい。

プリントコイルの製法を例示すれば次の通りである。

■　基板上に予めプリントコイルの形状に合わせて作製
したマスクを置き、該型の前方に配置した超電導材ター
ゲットをスパッタすることにより基板上に超電導性薄膜
コイル状物を形成する。

■　上記■のスパッタに代えて電子ビーム蒸着。

レーザスパッタ蒸着、ＭＢＥ蒸着、ＭＯＣＶＤ蒸着、ス
プレーバイロリシス法蒸着、若しくはこれらの組合せ、
またはこれらとスパッタとの組合せを行う。

■　超電導体となる可塑性を備えた（つまり超電導材料
の）混合物を冷間加工により線材化し、該線材をコイル
形状に変形させた後、ドクターブレード法にてプリント
コイル状にし、焼成して得る。

■　超電導体となる可塑性を備えた（超電導材料の）混
合物をドクターブレード法により板材化し、該板材を直
接加工法にてプリントコイル状にし、焼成して得る。

■　基板表面にプリントコイルのネガ画像を形成してお
き、その後薄膜を全面に付与し、次いで溶剤にてネガ画
像形成物値とその上に付与された超電導薄膜をネガパタ
ーン状に除去して基板上の残部として超電導薄膜のコイ
ルを形成する。

■　基板表面の超電導薄膜上にプリントコイルのポジパ
ターンを形成し、エツチングにてネガパターンを除去し
、残部のポジパターン表面を形成するレジストを溶剤で
除去し若しくはドライエツチングプロセスでアッシング
する・■　基板上の超電導薄膜を集束イオンビームでス
パッタ若しくはイオン注入し、ビームを走査して得る。

■　基板上の薄膜にレーザビームを照射し加熱。

走査して、非超電導相を形成する温度ではネガパターン
、超電導相を形成する温度ではポジパターンを作成する
。

■　超電導材料をペースト状にして基板上にこれをスク
リーン印刷することによりコイルパターンを得る。

［株］　上記ネガ画像やコイルパターンの形成にシルク
スクリーン印刷や感光性樹脂を用いる。

■酸素中または大気中での加熱処理を行う。

（コア） 本発明のコアは軟磁性材でできている。この製法は、熱
処理によって点欠陥、格子欠陥や不純物析出による内部
応力の不均一性を取り除き、かつ磁場中冷却や圧延と再
結晶によって磁化容易方向を調整することを特徴とする
。

（劣化検出方法〕 本発明の劣化検出方法は、被測定物に磁場を印加すると
共に該被測定物固有の磁気特性の変化を監視し、この磁
気特性の変化から前記被測定物の劣化の程度を知る劣化
検出方法において、前記磁気特性の変化を上記本発明の
磁束計を用いて計測することを特徴とする。

〔作用〕

超電導量子干渉素子磁気トランス（磁束伝達回路）にお
いて、検出コイルを超電導リボンから成るプリントコイ
ルとすることによって一般的にピックアップコイルの自
己インダクタンスは減少する。さらに自己インダクタン
スの減少によって磁束トランス（磁束伝達回路）の磁束
の伝達率ε（感度）が上がり、その結果として磁束計の
信号分解能は向上する。また、プリントコイルに軟磁性
材のプリントコイル用コアを具備することによリ、磁力
線がコア内に導かれるためにプリントコイルの超電導ル
ープ内を通過する磁束の漏洩が抑制され、外部磁界から
のノイズを減少させることができたため磁気センサとし
ての感度は一段と向上する。さらに、高温環境下で使用
した含フェライト系ステンレス鋼のフェライト相中に析
出したα′相やＧ相による起磁力の変化は、ピックアッ
プコイルの測定試料の近傍に設けることができるため、
本発明の磁気センサ（磁束計）によって河精度に測定さ
れる。

〔実施例〕 以下、本発明の実施例を。

（磁気センサの構成） 第１図、第２０〜２５図は本発明実施例に係る磁束計（
磁気センサ）の概略構成図である。第１図の実施例では
超電導量子干渉計（スキッド）１を上部に設け、測定試
料２の近傍に、プリントコイル製のピックアップコイル
３を配置した。前記超電導量子干渉計（スキッド）１．
ピックアップコイル３は外来ノイズを遮蔽するためにシ
ールド図面により説明する。

９９内に設けられる。第１図に示されるように装置のお
およその寸法は、装置の径Ｗは２０〜２００■、装置の
高さＨは５０〜２００ｍである。またピックアップコイ
ル３の厚さＡは５０μｍ〜３ｍ、ピックアップコイル３
と試料２の間は密着させるか、あるいは近接して配置す
る。ピックアップコイル３と試料２の間の距離Ｂはおお
よそ１００μｍ〜５ＩＩＩＩである。

ピックアップコイル３は薄膜によっても薄板によっても
形成可能であるが、第１図、第２０〜２５図では薄板の
場合を例として図示する。第２０図の実施例では、ピッ
クアップコイル４と測定試料２の距離を規定するために
、比透磁率が１に近く磁束の吸収損失を抑制する部材５
を挿入する。部材５の材質としてポリエチレンやテフロ
ン等の有機絶縁材料や無機絶縁材料が適当である。

上記プリントコイルにより、測定試料２の微少な磁束変
化に追従することができ、磁気センサの感度と信号分解
能が向上する。

第２１図の実施例では、プリントコイル４に対して測定
試料２と反対側に軟磁性材のプリントコイル用コア（１
）６を備えた。軟磁性材料としては、ヒステリシス損の
少ないパーマロイ（ｐｃ）や高硬度パーマロイ（ＨＰ　
Ｃ）等の鉄−ニッケル合金やセンダスト、又は、高周波
に強いフェライト系材料が有効である。このプリントコ
イル用コーア（１）６の装着により、プリントコイル４
を通過する磁束の漏洩を抑制し、磁気センサの信号強度
を増大させる。第２２図の実施例では、プリントコイル
用コア（２）７をプリントコイル４の超電導リボン間に
はめ込み、プリントコイル４とプリントコイル用コア（
２）７を同一平面上に収納させた。又、第２３図の実施
例では、第２１図のプリントコイル用コア（１）６と第
２２図のプリントコイル用コア（２）７を一体物とした
プリントコイル用コア（３）８を装着した。さらに第２
４図の実施例では、第２３図のプリントコイル４の超電
導リボン間のコアを測定試料側に延長し、測定試料２と
接触するプリントコイル用コア（４）９を設けた。この
プリントコイル用コア（４）９により、測定試料２から
放出される磁力線は直接コア内に導かれるため、漏洩磁
束が減少するとともにノイズがキャンセルされ、磁気セ
ンサの感度が向上する。

第２５図は磁束こう配計の概略図である。自己インダク
タンスの等しい二つのピックアップコイルを直列に接続
した磁束伝達回路を有し、被１ｌｌｌ’ｌ定体側に一つ
の下部ピックアップコイル１０をセットし、被測定体側
とは反対側にもう一方の上部ピックアップコイル１１を
逆向きになるように配置したものである。この場合均一
磁界は打ち消し合うので、二つのピックアップコイルの
拾う磁束の差のみが５ＱＶＩＤに伝わる信号となる。コ
アの配置方法はいろいろ考えられるが、例えば第２５図
に図示されるようにコア１７を配置する方法がある。本
磁束こう配計を用いると、フェライト相内に発生するα
′相やＧ相の深さ方向の分布を調べることが可能となり
、均一な外部磁界が差し引かれるので、前記の磁束計よ
りもシールドについて都合がよく、Ｓ／Ｎにおいても有
利である。

第２５図は磁気センサの感度と測定試料２の近傍に下部
プリントコイル１０を設け、下部プリントコイル１０に
対して測定試料２と反対側に、下部プリントコイルと逆
巻きの上部プリントコイル１１を備えた。この二つのプ
リントコイルにより、磁束勾配の測定が可能となり、前
記のプリントコイルでは絶縁値の測定であるのに対して
、相対値の測定および磁束方向の検知ができるようにな
るとともに、Ｓ／Ｈにおいて有利となる。

このように第２５図に示される磁束計は、二つのピック
アップコイルを備えているので、前述の磁束計が絶対値
測定であるのに対し、相対値の測定および磁束方向の検
知ができ、磁束勾配の測定が可能となる。

第２６図に冷却システムを具備した本発明の磁束計を示
す、第２３図に示した形状を有する磁束計の磁気じゃへ
い板２８１の周囲を内側真空容器２９０で囲む。内側真
空容器２９０を外側真空容器２９１内に装着し、真空用
フレキシブル管３００より真空に排気する６真空に排気
することによって磁束計と被測定物の断熱をおこなう、
測定試料２の一つである原子炉圧力容器の内壁は通常の
検査時には約６０度の炉水に浸漬された状態であり。

これらの炉水と磁束計との断熱効率を高めるために多層
断熱層３１０を外側真空容器の内側に接着する。内側真
空容器２９０の内部には、供給用フレキシブル管３２０
より液体ヘリウム又は液体窒素を導入し、戻り用フレキ
シブル管３３０より排出する。これらの冷却媒体により
、プリントコイル４やリード線２４、コイルＳ２５やｒ
ｆＳＱＶＩＤ２８や超電導で動作する温度まで冷却され
る。ここで、プリントコイル４がＮｂ−Ｔｉ系でｒｆＳ
ＱＶＩＤ　２８がＮｂ系の超電導材料から構成されてい
る場合には液体ヘリウムを導入し１両者がＹ系、Ｂｉ系
、又はＴＱ系の超電導材料からできている場合には液体
窒素を導入する。磁束計の外側真空容器２９１等の構造
体はステンレスあるいは強化プラスチックによって作ら
れている。

第２７図は、本発明の磁束計を原子力容器に適用した場
合を説明する断面図である。

原子力圧力容器の炉壁９３３の高温時効脆化損傷を検知
する場合には、本発明の磁束計が備った外側真空容器２
９１を駆動シャフト（１）９３４及び駆動シャフト（２
）９３５に取り付け、各駆動シャフトはギヤボックス９
３６内に接続されている。外側真空容器２９１はＸ軸モ
ータ９３７によりＸ方向へ移動し、Ｙ軸モータ９３８に
よりＹ方向への移動も可能となる°。前記ギヤボックス
９３６はフレーム９３９で支持し、フレーム９３９は図
のごとく吸盤９４０を介して炉壁９３３上に４箇所で固
定する。ここで、吸盤９４０と炉壁９３３との吸着は、
真空ポンプ９４１を用いて吸盤９４０内の炉水を排出す
ることにより行う。さらにフレーム９３９はケーブル９
４２で吊るし、蓋を開けた圧力容器の上部に配置したク
レーンで上下左右への移動が可能である。尚、９３０は
ヘリウム管で真空チャンバに連結される蛇腹管となって
おり、その内部には磁束計と外部とを結ぶ配線系統がシ
ールされつつ収容されている。

第１図、第２０〜２５図のプリントコイルの実施例形状
を第２〜４図に示す。第２図のプリントコイル（１）１
２は超電導リボンを平行に並べた形をしており、超電導
ループを形成する溝部（１）１５溝部（３）１５溝部（
３）１７を通過する磁束を計測することができるが、溝
部（２）１６を通過する磁束を計測することができない
ので、その部分が損失となる。第３図のプリントコイル
（２）１３、及び第４図のプリントコイル（３）１４に
おいて、溝部（４）１８は超電導リボン（１）２１と超
電導リボン（２）２２からなるループの自己インダクタ
ンスとそれに相当する磁束信号強度を有し、溝部（５）
１９はさらに内側の超電導リボンによる自己インダクタ
ンスとそれに相当する磁束信号強度が上乗せされること
になり、結局、溝部（６）２０が最も磁束信号強度が高
い場所となる。プリントコイル（３）１４はプリントコ
イル（２）１３に比べて角部がアール部となっているの
で電流の形状による抵抗を下げる効果がある。上述した
プリントコイルは、磁束に影響を与える析出物が局所的
な分布をしている金属材料の試料等に有効である。

（磁束センサの感度及び信号分解能） 第５図のピックアップコイルＰ２３は、リード線２４を
介してコイル８２５と結合しており、全体として超電導
閉回路２６を形成している。また。

コイルＳ２５は、ジョセフソン接合２７を１個有するｒ
ｆｓＱＵＩＤ　２８　　とＭｓで結合するＩＩＬｌｌは
リード線の自己インダクタンスで、十分によじっておい
て可能な限りＬａ　を小さくする。第２〜４図に示した
ピックアップコイルを使用した場合、従来の円形多巻型
ピックアップコイルと比較して磁束計の感度及び信号分
解能が向上する。上記理由を第６図を用いて説明する。

ピックアップコイルＰ２３の自己インダクタンスをＬｐ
１巻数をｎｐ。

断面積をＡｐｅ円形−巻コイルとした場合の等価平均直
径をｄ、コイル８２５の自己インダクタンスをＬｓｇ巻
数をｎｓ、−巻の自己インダクタンスとすると、磁束計
の感度に相当するピックアップコイルＰを各々Ｌｐｏ、
　Ｌｓｏ２３からコイル８２５への磁束の伝達率εは第
６図の式で示される。εが最大となるのはＬ　ｐ　”　
Ｌ　ｓで、最大感度は図のようになる。したがって検出
コイルの一巻の自己インダクタンスＬｐｏを小さくする
ことにより、磁束計の感度εと信号分解能ΔΦが向上す
る。またピックアップコイル（１）１５．（２）１６．
（３）１７は従来のピックアップコイルと比べてｎｐ”
１で断面積Ａｐが小さく平均直径ｄが大きくなることよ
りＬｐｏを減少させる効果がある。

さらに従来雑音対策として、第７図に示すように、測定
試料２からの磁束を検知するプリントコイル側以外の磁
気センサ全体をμメタル等の磁気しやへい板２８１で被
い、外来磁気を１０−’Ｇ程度までしやへいする０次に
、磁束伝達回路のリード線２４を鉛等の磁気じゃへい管
２８２で磁気しやへいし、かつ５ＱＵＩＤ２８と５ＣＩ
ＵＩＤ２８へ磁束を伝えるコイルＳ２５とをＰＣ材等の
磁気じゃへい材２８３でしやへいすることにより、外来
磁気による雑音は十分に抑制される。

（本発明の応用例） 第８図において、第１，２０〜２５図の測定試料２を化
学プラント及び原子カプラント等の高温環境下で使用さ
れる含フェライト系ステンレス鋼２９とする。含フェラ
イト系ステンレス鋼２９を高温環境中で長時間使用する
と、内部組織に変化を生じ１強度が低下する。第８図に
示すように上記内部組織の変化は、鋼中フェライト相３
０のスピノーダル分解によるもので、フェライト相３０
内にα′相３１及びＧ相３２が析出する。まず試料を消
磁装置によって消磁し、励磁コイルを設けた励磁システ
ムにより磁化すると、フェライト相３０より発生する磁
力線３３は第８図のようになる。しかしながら、従来の
ピックアップコイル３４を用いると、コイルが試料から
離れているため、磁束密度の高い領域の測定ができず、
微少析出物による磁束密度変化の計測感度が低かった。

一方、本実施例のプリントコイル４を使用すると。

コイルを微少析出物に接近させることができるため、α
′相３１やＧ相３２による磁束密度の変化を感度よく測
定することができる。また、比透磁率が１に近い薄板材
を挿入することにより、プリントコイル４を保持するこ
とにより、プリントコイル４と測定試料である含フェラ
イト系ステンレス鋼との間の距離のふらつきを減少させ
、より一層の感度の向上を計ることが可能である。

第９図に、含フェライト系ステレンス鋼２９を第２１図
に示した磁気センサによって測定する場合の磁力線の分
布を示す。第８図のプリントフィル４のみの場合に比較
して、プリントコイル用コア６により磁力線が誘導され
て漏洩磁束が減少する。さらに、第１０図に示すように
、第２４図に示した磁気センサで測定すると、第９図で
はプリントコイルに到達できなかった磁力線（２）３５
は、軟磁性材のプリントコイル用コア８により誘導され
るため、さらに漏洩磁束の抑制と感度の向上及びノイズ
の低減を計ることができる。

第１１図は、高温環境中で長時間使用する前の受は入れ
材である含フェライト系ステンレス鋼２９についての磁
束密度３７（Ｂ）−起磁力３６（Ｈ）特性図である。起
磁力３６により磁化曲線は磁気ヒステリシスループ３８
を形成し、最大磁東密度３９．残留磁束密度４０．保持
力４１．またはヒステリシス面積４２を測定することが
できる。また、最大磁束密度３９は材料の初期フェライ
ト量に依存する。これに対して、高温環境中で長時間使
用した劣化材について、従来のピックアップコイル３４
と、本発明のプリントコイル４を用いて測定すると、磁
束密度３７−起磁力３６特性はそれぞれ第１２図、第１
３図となる。図から明らかなように、本発明の磁気セン
サを使用したことにより、ヒステリシス面積４２や残留
磁束密度４０の測定感度が大幅に向上するという効果が
ある。

（プリントコイルの製造方法） プリントコイルの製造方法について説明する。

プリントコイル製造方法として、スパッタ蒸着。

電子ビーム蒸着、レーザスパッタ蒸着、ＭＢＥ蒸、ＩＬ
　ＭＯＣＶＤ蒸着、スプレーバイロリシス法蒸着が使用
される。

プリントコイルをスパッタ蒸着によって作成する場合に
ついて説明する。スパッタ蒸着では、製造容器内に例え
ばＭｇＯからなる基板を配置し基板上に予めプリントコ
イルの形状に合わせて作成したマスクを置き、製造容器
内に置かれたＢ１５ｉＣａＣｕＯ等の超電導材料焼結体
からなるターゲットを、アルゴンＡｒ等の希ガスプラズ
マ中でスパッタリングすることによって基板上に超電導
性薄膜コイル状物を形成する。

電子ビーム蒸着法によって作成した場合について説明す
る。電子ビーム蒸着では、高真空中で電子ビームを超電
導物質からなる金属源に照射することによって金属を真
空蒸発させ、そのフラックスを基板上に蒸着する方法で
ある。真空度は高い方が良く例えば１０”−６Ｐａ程度
が望ましいが、１Ｏ−８Ｐａ程度の真空度においても、
基板温度５００℃以上、成膜速度数１０ｎｍ／分で石英
基板上に遷移温度Ｔｃ＝９．８°にのＮｂ薄膜を成膜す
ることができ、この遷移温度Ｔｃはバルクより高い値と
なっている。

第１４図は電子ビーム蒸着を例として本発明の薄膜プリ
ントコイルの成膜方法を説明する図である。例えば１０
−ＢＴｏｒｒ台の真空中で石英基板４３上に予めプリン
トコイルの形状に合わせて作製したマスク（型）４４を
置き、基板温度を６００℃で加熱回転して、上方から電
子ビーム照射によって真空蒸発した超電導構成物質例え
ばＮｂのフラックス４５をすてることにより、マスク４
４の溝部に薄膜状プリントコイル４６を作製する。ここ
で石英基板上に数十ｍｍ／ｍｉｎ程度の成膜速度で薄膜
を成長させることができ、Ｔｃはバルクより高く、９．
８Ｋ　が得られる。

レーザビーム蒸着について説明する。第１５図に示すよ
うに例えばＭｇＯ基板上にマスク（型）４４を形成して
真空容器４７内に導入し１０−ｔ。

〜１０−”Ｔｏｒｒの真空度に排気する。真空容器４７
の中心部に、Ｂ　ｉ　Ｓ　ｉ　Ｃａ　Ｃｕ　Ｏ焼結体等
からなる超電導材のターゲット４９を設け、エキシマレ
ーザ５０のレーザ光５１をターゲット４９に照射しフラ
ックス４５を発生させることにより、基板４３上に薄膜
状プリントコイル４６を成長させる。

尚、フラックス４５の状態を四重極質景分析計５２で監
視する。例えばレーザ源としてＡｒＦエキシマレーザ（
波長１９３ｎｍ）を用い、出力３０ｍＪ／パルスのレー
ザ光を２０　Ｈｚで２０分間照射することによって、１
μｍの超電導膜を形成することができる。高真空を必要
とするが、基板加熱は要しない。

ＭＢＥ蒸着法として、酸化物超電体プリントコイルを形
成する場合を例として説明する。超高真空中（１０−１
０〜１０−’１Ｔｏｒｒ台）で、例えば、超電導材を構
成する元素を含んだ蒸着源として金属Ｂａ、金属Ｃｕ、
金属レアケース、固体酸素源として５ｂｚＯａを用いて
この蒸着源を加熱して真空蒸発させ、例えば６００℃に
加熱したＭｇＯ基板（１００）面上に各構成元素を一原
子層毎績み上げて超電導膜（約２μｍの膜）が形成され
る。

ＭＯＣＶＤ蒸着によってプリントコイルを製造する場合
について説明する。

ＭＯＣＶＤ法とは、超電導材の構成材料元素を含有した
材料を気化し、それぞれのガスをキャリアガスで運んで
加熱した基板上に膜を形成される手法である。例えばＹ
ＢＣＯ膜を作製するには、有機化合物材料であるＹ　（
Ｄ　Ｐ　Ｍ）ａ、　Ｂａ（Ｄ　Ｐ　Ｍ）２゜Ｃｕ　（Ｄ
　Ｐ　Ｍ）２を気化し、各ガスの温度を１３０〜１６０
’Ｃ，２８０〜３００℃、１４０〜１７０℃に保って、
Ａｒのキャリアガスといっしょに毎分２００ａｌ？の流
速で反応室に運ぶ。このとき同時に、精製した酸素ガス
も毎分２００〜５００ｄの速度で反応室に送る。基板温
度は６００℃とする。

この条件では、１時間当り０．１〜１０μｍの成長速度
でＶＢＧＯ薄膜を合成できる。

次にスプレーパイオリシス法によりプリントコイルを製
作する方法について説明する。

スプレーパイオリシス法とは、加熱した基板上に超電導
物質を含有した水溶液を大気中で吹き付けた後大気中で
熱処理を行い超電導膜を得る方法。

この方法は、複雑な形状をした基板にも成膜可能であり
、仕込みの組成比がそのまま膜組成になり、成膜速度が
速く厚膜化も容易であるという利点がある。例えばＢｉ
系超電導では、Ｂｉ、Ｓｒ。

Ｃａ、Ｃｕが１対１対１対２になるようにそれぞれの硝
酸塩を混合した水溶液を作る。次に４００℃に加熱した
基板上に大気中で水溶液を吹き付けると、溶媒である水
は一瞬のうちに気化する。はとんどのＣｕ硝酸塩は数秒
で酸化物に、Ｂｉ硝酸塩も一部が酸化物になる。最後に
空気中で８６０℃×１０分の熱処理を行うと、残りの金
属硝酸塩が酸化物になり、超電導体プリントコイルが形
成される。

レーザスパッタ蒸着による製造例を示す。

レーザスパッタ蒸着法とは、レーザ光を超電導材からな
るターゲットに照射し、ターゲットからスパッタされる
フラックスを基板上にたい積させて超電導膜を得る方法
。例えばＭｇＯ基板上に、Ｂ　ｉ　Ｓ　ｉ　Ｃａ　Ｃｕ
　Ｏ焼結体をターゲットとして、ＡｒＦエキシマレーザ
（波長１９３ｎｍ）からの出力３０　ｍ　Ｊ　／　１パ
ルスのレーザ光を２０Ｈｚで２０分間照射と１μｍの超
電導膜となる。蒸着は１０−”Ｔｏｒｒ台の超高真空中
で行い、基板は加熱しない。

第１６図に薄板状プリントコイルの製造手順の一例を示
す、予め作製したＢａｚＹ　ＣＬＩ０７−Ｆ膜組成を有
する酸化物を結合剤と混合・粉砕する。結合剤としては
一般にエポキシ系の樹脂又は有機バインダーを用いる。

次に押し出し法等の冷間加工により線材化し、コイル形
状に変形させる。さらにその部材をドクターブレード５
３により、薄板状コイル５４とする。最後に、結合剤を
蒸発させて粉末を焼結するために薄板状コイル５４を焼
成する。

ここでドクターブレード法について説明する。

ドクターブレード法とは、積層コンデンサ用誘電体層の
生シートの製造によく用いられ、原理的にはセラミック
粉末にバインダ、可塑剤９分離剤。

溶剤を均一に混合し、脱泡して調整した泥しよう（スラ
リー）を平坦な金属、又はガラス板上に流し、その厚さ
をドクターブレードという平坦な部分をもった刃を接触
させて移動しながら調節する方法をいう。例えばＢｉ系
超電導体（例えばテープ状物）を作製する場合には、酸
化物原料をＢｉｏ、７Ｐｂｏ、ｇＳｒＣａｔＣｕｔ、ａ
Ｃ）ｘの組成比で混合し、高１゛ｃ相のＢｉ系超電導体
を作る。これを粉砕し、有機バインダーと混合してスラ
リーを作る。次にデクターブレードを使い、このスラリ
ーでポリエステル・フィルム等の基板の上に幅１２５１
ｍ、厚さ１００μｍの厚膜の超電導体膜を成膜する。こ
の厚膜フィルムから例えば幅３　ｍ　、長さ１００ｍの
リボンをプリントコイル形状に切り出し、例えば５００
℃、１時間程度の熱処理を行う。

第１７図に１ａ膜状プリントコイルの製造例を示す。基
板４３上に感光性樹脂５３−１を用いてプリントコイル
のネガ画像を作製し１次に超電導薄膜５４−１を全面に
蒸着する。さらに、溶剤を用いてネガ画像形成物質とそ
の上の薄膜を除去することにより薄膜状プリントコイル
４６が作製される。

ｐｂ系超超電導体実施した場合を１例として以下により
具体的に説明する。基板４３上に感光性樹脂５３を用い
てプリントコイルのネガ画像を作成する。基板には石英
ガラス又はサファイアを用い、感光性樹脂にはビスアジ
ド、Ｎ−アセチル４ニトロ１ナフチルアミンを用いる。

次に全面に超電導薄膜５４を形成する。超電導材はｐｂ
系を用い、形成方法は抵抗加熱による真空蒸着を用いる
。ここで純粋のｐｂ薄膜は熱歪に対する耐性が弱く、防
水性（耐水性）枚が悪いのでＰｂ以外にＡｕとＩｎを添
加し、実際にはＡｕ（約４Ｗ％）、Ｉｎ（約５〜１４Ｗ
％、例えば１２Ｗ％）、ｐｂ（約８２〜８８Ｗ％、例え
ば８４Ｗ％）の順で真空蒸着する。さらに、溶剤にてネ
ガ画像形成物質とその上の薄膜を除去することにより薄
膜状プリントコイル４６が作製される。

溶剤としては、例えばアルカリ水溶液またはアルコール
が使用される。

上記説明において材料は１例であり１本発明は他の材料
にも適用される。

類似例として第１８図に薄膜プリントコイルの製造例を
示す、基板４３上に超電導薄膜５４を形成させ、感光性
樹脂５４によりプリントコイルのポジパターン５５を形
成する６次に、化学エッチによりネガパターン５６を除
去し、さらにポジパターン５５に残っている感光性樹脂
５４を溶剤にて溶解除去すると、薄膜状プリントコイル
４６が形成される。

第３図、第４図のプリントコイルは、プリントコイルが
重なりあう交差部を有する。交差部の形状、製法につい
て第４図のプリントコイルを例として説明する。

第２８図は第４図に示した超電導プリントコイルの交差
部の製造行程の概略図であり、第２９図はその交差部の
概観図である。第２８図において例えば９．５にで超電
導となるＮｂを、ガラスの基板４３上に電子ビーム蒸着
（６ＫＷ）を２０００（人／Ｉ！１ｉｎ）の成長速度で
５０分間蒸着して１０μｍの厚さをもつＮｂの超電導膜
（１）４４０を形成させて、プリントコイルを作製する
。この超電導膜（１）４４上にマスク（１）４５０を置
き、その上方からスパッタリングにより約１５μｍの５
ｉＯｚ又はＬｉＦの絶縁膜４６０を形成させる。

その際、絶縁膜が局部的に薄く　（数十人）ならないよ
うにしなければその絶縁膜がジョセフソン接合となって
しまうので注意を払う。さらにマスク（１）４５を取り
除き、マスク（２）４５１を図のように設置し、その上
方から電子ビーム蒸着（６ＫＷ）で２０μｍのＮｂ膜を
蒸着し、マスク（２）４５１を除去すると第２９図に示
すような交差部が作製できる。ただし、絶縁膜４６０は
超電導膜（１）４４０よりもＸ方向に延ばすことにより
、超電導膜（１）４４０と超電導膜（２）４４１がブリ
ッジを形成してジョセフソン接合にならないようにする
。

さらに超電導プリントコイルの製法について説明する。

第３０図は超電導プリントコイルの製造方法の他の一実
施例を示す。

回路パターンのネガに相当する溝部を形成したＮｂＨの
基板５６１の該溝にＴｉ（回路パターン）５６２をはめ
込む。このＴｉはめ込み済みのＮｂ基板上にＣｕ　−Ｓ
　ｎ合金製金属板５６３を重ね合わせて接合し、Ｔｉを
はさんだＮｂ基板とＣｕ　−Ｓｎ合金板とのラミネート
を作る。このラミネートに、Ｔｉパターンに沿ってレー
ザビームを照射し１両基板のＮｂとＳｎとの拡散反応を
行わせ、かつＴｉを拡散させてＮ　ｂ　ｓ　Ｓ　ｎ　−
Ｔ　ｉ　　の超電導回路５６４を得る０周囲のＮｂｇＳ
ｎ　層（パターン外の層）は化学的手段（エツチング等
）や切削にて除去する。

さらにＹ　−Ｂ　ａ−Ｃｕ　−０系コイルの製造例とし
て、第３１図に示すような方法がある。まず、Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕａ元系合金の鋳塊５６５を圧延して基板５６６を
作る。この基板５６６上に回路パターンを切欠いたポリ
イミド等の高分子材料遮蔽シート５６７を張り付ける。

このシート付き基板をＮ　ａ　ＯＨ等のアルカリ水溶液
に浸漬しつつ、水溶液に通電すると、シートの切欠いで
ある部分（基板の露出部）に陽極酸化による酸化物Ｍ５
６７が形成される。次いでこの基板を例えば８００〜９
５０℃で５〜１００時間加熱処理する。この処理により
、酸化物層中の酸素と基板の各元が互いに拡散して反応
し、酸化物系超電導コイル５６８（ＹｚＢａｚＣｕａＯ
ｔ−８）が得られる。不要の部位は化学的、或いは機械
的に削除すればよい。

第１９図に薄膜状プリントコイルの製造の一実施例を示
す。基板４３上に超電導薄膜５４を形成し、液体金属イ
オン源５７より集束イオンビーム５８を薄膜上に照射し
スパッタする。また、集束イオンビーム５８をアインツ
エルレンズ５９で集束制御６０し、かつイオンビーム走
査制御６１及び基板４３の位置決め制御６２により、薄
膜状プリントコイル４６を作製する。実施例はいろいろ
あるが例えばＣａ、Ａｕを液体金属イオン源としてガラ
ス、石英、ＹＳＺ　（イツトリア安定ジルコニア）基板
上の超電導材ＹＢａｚＣｕａＯ７−δを加工することが
できる。もちろん他材料にも適用できる。本発明の実施
例によれば、従来の超電導薄膜や線材の製造工程を大き
く増加させることなく。

プリントコイルを製造することができるという効果があ
る。

前記薄膜状プリントコイルの製造例において、基板とし
て用いた場合に薄膜が相分離を起こさない高透磁率材料
をプリントコイル製造用の基板とすれば１作製したプリ
ントコイルを基板から削除せずにコアとして用いること
ができるという効果がある。また、一般の透磁率の低い
基板は薄いものを採用することにより、被測定休とプリ
ントコイルとの距離を規定する部材として用いることが
できるという効果もある。

〔発明の効果〕

本発明によれば、超電導量子干渉計と磁束トランスから
成る磁気センサにおいて、磁束トランスの磁束伝達率及
び、磁束計としての感度と信号分解能を向上させること
ができるので、化学プラント及び原子カプラント等の高
温環境下で使用される含フェライト系ステレンス鋼の劣
化度を高精度に検知することができるという効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２０図、第２１図、第２２図、第２３図、第
２４図及び第２５図は夫々本発明の実施例に係る磁束計
の縦断面図、第２図、第３図。 第４図は夫々本発明に用いるプリントコイルの例を示す
主視図、第５図は本発明の実施例に係る磁束計の原理構
成図、第６図は本発明の検出例を示すフロー図、第７図
は外来磁気雑音を抑制する磁束計の概略断面図、第８図
は従来の方法と本発明の方法による磁束測定状態の相違
を示す概略断面図、第９図は第２１図の磁気センサによ
る磁束測定の状態を示す概略断面図、第１０図は第２４
図の磁気センサによる磁束測定の状態を示す概略断面図
、第１１図は含フェライト系ステンレス鋼の受は入れ材
の磁気ヒステリシスを示す特性図、第１２図は含フェラ
イト系ステンレス鋼の劣化材を従来の方法で測定した磁
気ヒステリシスを示す特性図、第１３図は劣化材を本発
明の方法で測定した磁気ヒステリシスを示す特性図、第
１４図、第１５図及び第１９図は夫々本発明の薄膜状プ
リントコイルの製造方法の一実施例を示す装置の概略図
、第１６図は薄板状プリントコイルの製造手順の一実施
例を示すフロー図、第１７図、第１８図は夫々本発明の
薄膜状プリントコイルの製造方法の一実施例を示すフロ
ー図、第２６図は液体ヘリウム温度で作動する超電導体
材料を磁束トランス及び５ＱＶＩＤに用いた場合の磁束
計の概略図、第２７図は本発明の磁束計により原子カプ
ラントの原子炉炉壁の磁気特性を検出する場合の概略図
、第２８図は本発明のプリントコイルの交差部の作製方
法を示す図、第２９図は本発明のプリントコイルの交差
部の概観図、第３０図、第３１図は。 夫々プリントコイルの作製法の１例を示す説明図である
。 １・・・超電導量子干渉計、２・・・測定試料、３・・
・ピックアップコイル、４・・・プリントコイル、５・
・・部材。 ６・・・プリントコイル用コア（１）、７・・・プリン
トコイル用コア（２）、８・・・プリントコイル用コア
（３）、９・・・プリントコイル用コア（４）、１０・
・・下部プリントコイル、１１・・・上部プリントコイ
ル、１２・・・プリントコイル（１）、１３・・・プリ
ントコイル（２）、１４・・・プリントコイル（３）、
１５・・・溝部（１）、１６・・・溝部（２）、１７・
・・溝部（３）、１８・・・溝部（４）、１９・・・溝
部（５）、２０・・・溝部（６）、２１・・・超電導リ
ボン（１）。 ２２・・・超電導リボン（２）、２３・・・ピックアッ
プコイルＰ、２４−・・リード線、２５・・・コイルＳ
、２６・・・超電導ループ、２７・・・ジョセフソン接
合、２８−ｒｆｓＱＵＩＤ　、２８−１−磁気じゃへい
板、２８−２・・・磁気しやへい管、２８−３・・・磁
気じゃへい材、２９・・・含フェライト系ステンレス鋼
、３０・・・フェライト相、３１・・・α′相、３２・
・・Ｇ相、３３・・・磁力線、３４・・・従来のピック
アップコイル、３５・・・磁力線（２）、３６・・・起
磁力、３７・・・磁束密度、３８・・・磁気ヒステリシ
スループ、３９・・・最大磁束密度、４０・・・残留磁
束密度、４１・・・保持力、４２・・・ヒステリシス面
積、４３・・・基板、４４・・・型、４５・・・フラッ
クス、４６・・・薄膜状プリントコイル、４７・・・真
空容器、４８・・・真空排気、４９・・・ターゲット、
５０・・・エキシマレーザ、５１・・・レーザ光、５２
・・・四重極質量分析計、５３・・・ドクターブレード
、５４・・・薄板状コイル、５３−１・・・感光性樹脂
。 ５４−１・・・超電導薄膜、５５・・・ポジパターン、
５６・・・ネガパターン、５７・・・液体金属イオン源
、５８・・・集束イオンビーム、５９・・・アインツエ
ルレンズ、６０・・・集束制御、６１・・・イオンビー
ム走査制御、６２・・・位置決め制御、６３・・・内側
真空容器、６４・・・多層断熱材、６５・・・真空用フ
レキシブル管、６６・・・供給用フレキシブル管、６７
・・・戻り用フレキシブル管、６８・・・外側真空容器
、６９・・・炉壁、７０・・・駆動シャフト（１）、７
１・・・駆動シャフト（２）、７２・・・ギヤボックス
、７３・・・Ｘ軸モータ、７４・・・Ｙ軸モータ、７５
・・・フレーム、７６・・・吸盤、７７・・・真空ポン
プ、７８・・・ケーブル、７９・・・基板、８０・・・
超電導膜（１）、８１・・・超電導膜（２）、８２・・
・マスク（１）、８３・・・マスク（２）、８４・・・
絶縁膜、８５・・・Ｎｂ製の基板、８６・・・Ｔｉ　（
回路パターン）、８７・・・Ｃｕ−８ｎ合金製金属板、
８８−ＮｂａＳｎ−Ｔｉ　Ｈの超電導回路、８９　・・
・鋳塊、９０・・・基板、９１・・・高分子材料製遮蔽
シート、９２・・・酸化物層、９３・・・酸化物系超電
導体コイル。 第 口 ２２−・−に！：電導リす”〉（２） 第 凶 第 目 ネ ７　図 ｚ４−・・リード釆勢 ２占・・・コイルＳ ２８　　どチ５ＱＶＴＤ ２δｌ　−ｒた気しへい不文 ２３２　・・石奮拡気乙ヤヘ（１ネ反、２８．３・・・
磁気しゃへい扱 皐 力 第 ｐ 幻 ４２・−・Ｅステリシスω精 ４４−　マスク ４Ｓ・・・フランクス ４６・−ＪＨＵ大ブソントコイル 第 ７．５ 国 ４９゛“ターア゛ット 、５０　　・エヤシマし−γ 第 図 、５４−・−簿木受４大コイル 第 図 アワントコイルのネカ゛匝イ亀ｆＴ＝製式象側１；よろ
ネ刀−Ｉｒｅ＠戸に物竺ド欽去第 日 イ乙蓼エッ÷１ｚよろネカ゛へ°ターンの〆賢人、５．
、Ｓ・−ボシノ＼°ｙ−ン 、！；６・−キカ゛ハ０５−ン 奉 ■ 、、Ｓ９　・・フィンツェルＬンＩ 第 図 ６・−プリントコイルｍコア（υ 早 凹 ７　プリントコイル用コア（２） 第２３ す δ・−・７゛１１ルトコイルア（３） 第 目 一一一一一−ｆプリントフィル用コア（４）第２３　の １０　下部ア１ルト〕イル １／　・・Ｊ：杏ｐプリントコイル 第 第 η ？５ブ・・・ツム−４ 第 ２δ 剰 第 目 率 口 拳 ：３１ −０−一基イスとのイト働■ レートの冷或

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、プローブコイルが被測定物に面するよう配置された
   磁束伝達回路と、該回路から発生する磁束の届く範囲内
   に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前記プローブコ
   イルにプリントコイルを適用したことを特徴とする磁束
   計。 ２、ピックアップコイルが被測定物に面するように配置
   された磁束トランスと、該トランスから発生する磁束の
   届く範囲内に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前記
   ピックアップコイルにプリントコイルを適用したことを
   特徴とする磁束計。 ３、プローブコイルが被測定物に面するよう配置された
   磁束伝達回路と、該回路から発生する磁束の届く範囲内
   に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前記プローブコ
   イルにプリントコイルを適用すると共に、軟磁性材料の
   コアを該プローブコイルに併用したことを特徴とする磁
   束計。 ４、ピックアップコイルが被測定物に面するように配置
   されな磁束トランスと、該トランスから発生する磁束の
   届く範囲内に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前記
   ピックアップコイルにプリントコイルを適用すると共に
   、軟磁性材料のコアを該ピックアップコイルに併用した
   ことを特徴とする磁束計。 ５、プローブコイルが被測定物に面するよう配置された
   磁束伝達回路と、該回路から発生する磁束の届く範囲内
   に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前記プローブコ
   イルに軟磁性材料のコアを併用したことを特徴とする磁
   束計。 ６、ピックアップコイルが被測定物に面するように配置
   された磁束トランスと、該トランスから発生する磁束の
   届く範囲内に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前記
   ピックアップコイルに軟磁性材料のコアを併用したこと
   を特徴とする磁束計。 ７、磁束伝達回路の一部を形成し、その形態が薄膜状で
   あることを特徴とするプローブコイル。 ８、磁束トランスの一部を形成し、その形態が薄膜状で
   あることを特徴とするピツクアツプコイル。 ９、プローブコイルと組み合わせて磁束伝達回路を形成
   しかつ軟磁性材料で形成されていることを特徴とするコ
   ア。 １０、ピックアップコイルと組み合わせて磁束トランス
   を形成しかつ軟磁性材料で形成されていることを特徴と
   するコア。 １１、薄膜状のプローブコイルに軟磁性材料製のコアを
   組み合わせた部分を有することを特徴とする磁束伝達回
   路。 １２、薄膜状のピックアップコイルに軟磁性材料製のコ
   アを組み合わせた部分を有することを特徴とする磁束ト
   ランス。 １３、請求項１、３または５のプローブコイルと前記被
   測定物との距離を規定する部材を具備することを特徴と
   する磁束計。 １４、請求項２、４または６のピックアップコイルと前
   記被測定物との距離を規定する部材を具備することを特
   徴とする磁束計。 １５、被測定物の磁場を印加すると共に該被測定物固有
   の磁気特性の変化を監視し、この磁気特性の変化から前
   記被測定物の劣化の程度を知る劣化検出方法において、
   前記磁気特性の変化を請求項１乃至６のいずれかまたは
   請求項１３若しくは１４の磁束計を用いて計測すること
   を特徴とする劣化検出方法。 １６、基板上に予めプリントコイルの形状に合わせて作
   製したマスクを置き、該型の前方に配置した超電導材タ
   ーゲットをスパッタすることにより基板上に超電導性薄
   膜コイル状物を形成することを特徴とするプリントコイ
   ルの製法。 １７、請求項１６のスパッタに代えて電子ビーム蒸着、
   レーザスパッタ蒸着、ＭＢＥ蒸着、ＭＯＣＶＤ蒸着、ス
   プレーバイロリシス法蒸着、若しくはこれらの組合せ、
   またはこれらとスパッタとの組合せを行うことを特徴と
   するプリントコイルの製法。 １８、超電導体となる可塑性を備えた混合物を冷間加工
   により線材化し、該線材をコイル形状に変形させた後、
   ドクターブレード法にてプリントコイル状にし、焼成し
   て得ることを特徴とするプリントコイルの製法。 １９、超電導体となる可塑性を備えた混合物をドクター
   ブレード法により板材化し、該板材を直接加工法にてプ
   リントコイル状にし、焼成して得ることを特徴とするプ
   リントコイルの製法。 ２０、請求項７のプローブコイル若しくは請求項８のピ
   ックアップコイルと逆巻きにした第２のプリントコイル
   を前記プローブコイル若しくはピックアップコイルに対
   して被測定体とは反対側に設けたことを特徴とする磁束
   勾配計。 ２１、請求項９または１０のコアを製造するに際し、熱
   処理を行うと共に磁化容易方向を調整することを特徴と
   するコアの製造方法。 ２２、基板表面にプリントコイルのネガ画像を形成して
   おき、その後薄膜を全面に付与し、次いで溶剤にてネガ
   画像形成物値とその上に付与された超電導薄膜をネガパ
   ターン状に除去して基板上の残部として超電導薄膜のコ
   イルを形成することを特徴とするプリントコイルの製法
   。 ２３、基板表面の超電導薄膜上にプリントコイルのポジ
   パターンを形成し、エッチングにてネガパターンを除去
   し、残部のポジパターン表面を形成するレジストを溶剤
   で除去し若しくはドライプロセスでアッシングすること
   を特徴とするプリントコイルの製法。 ２４、基板上の超電導薄膜を集束イオンビームでスパッ
   タ若しくはイオン注入し、ビームを走査して得ることを
   特徴とするプリントコイルの製法。 ２５、基板上の薄膜にレーザビームを照射し加熱、走査
   して、非超電導相を形成する温度ではネガパターン、超
   電導相を形成する温度ではポジパターンを作成すること
   を特徴とするプリントコイルの製法。 ２６、超電導材料をペースト状にして基板上にこれをス
   クリーン印刷することによりコイルパターンを得ること
   を特徴とするプリントコイルの製法。 ２７、プローブコイルが被測定物に面するよう配置され
   た磁束伝達回路と、該回路から発生する磁束の届く範囲
   内に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前記プローブ
   コイルにプリントコイルを適用し、磁束が入射する該プ
   リントコイル側を除く全体を磁気遮蔽板で被覆したこと
   を特徴とする磁束計。 ２８、ピックアップコイルが被測定物に面するように配
   置された磁束トランスと、該トランスから発生する磁束
   の届く範囲内に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前
   記ピックアップコイルにプリントコイルを適用し、磁束
   が入射する該プリントコイル側を除く全体を磁気遮蔽板
   で被覆したことを特徴とする磁束計。 ２９、プローブコイルが被測定物に面するよう配置され
   た磁束伝達回路と、該回路から発生する磁束の届く範囲
   内に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前記プローブ
   コイルにプリントコイルを適用し、前記磁束伝達回路の
   リード線を磁気遮蔽管で覆い、かつ該回路の中で前記超
   電導量子干渉素子に磁束を伝えるコイルと該超電導量子
   干渉素子とを磁気遮蔽板で被覆したことを特徴とする磁
   束計。 ３０、ピックアップコイルが被測定物に面するように配
   置された磁束トランスと、該トランスから発生する磁束
   の届く範囲内に設けた超電導量子干渉素子とを備え、前
   記ピックアップコイルにプリントコイルを適用し、前記
   磁束トランスのリード線を磁気遮蔽管で覆い、かつ該ト
   ランスの中で前記超電導量子干渉素子に磁束を伝えるコ
   イルと該超電導量子干渉素子とを磁気遮蔽板で被覆した
   ことを特徴とする磁束計。 ３１、超電導量子干渉素子と、被測定物と面するように
   配置されるピックアップコイルと磁束漏洩を抑制するピ
   ックアップコイル用コアを有し、前記超電導量子干渉素
   子と磁気的に結合する磁束伝達回路 からなることを特徴とする磁束計。 ３２、請求項３１において、ピックアップコイルが、超
   電導体を有するプリントコイルであることを特徴とする
   磁束計。 ３３、請求項３２において、ピックアップコイルが、ス
   パッタによつて形成されることを特徴とする磁束計。 ３４、請求項３２において、ピックアップコイルが、レ
   ーザスパッタ蒸着によつて形成されることを特徴とする
   磁束計。 ３５、請求項３２において、ピックアップコイルが、Ｍ
   ＢＥ蒸着によつて形成されることを特徴とする磁束計。 ３６、請求項３２において、ピックアップコイルが、Ｍ
   ＯＣＶＤ蒸着によつて形成されることを特徴とする磁束
   計。 ３７、請求項３２において、ピックアップコイルが、ス
   プレーバイロリシス法蒸着によつて形成されることを特
   徴とする磁束計。 ３８、請求項３１において、前記被測定物との距離を規
   定する部材を備えることを特徴とする磁束計。 ３９、請求項３１において、磁束伝達回路が、相互に直
   列に接続し、相互の磁束を互いにうち消すように配置さ
   れた２個のピックアップコイルを有することを特徴とす
   る磁束計。４０、請求項３１の磁束計が、磁気遮蔽板を
   有し、前記磁気遮蔽板が、前記超電導量子干渉素子、前
   記磁束伝達回路のリード線、前記超電導量子干渉素子に
   磁束を伝えるコイルを磁気遮蔽することを特徴とする磁
   束計。 ４１、請求項３１において、磁気遮蔽板を有し、ピック
   アップコイルの磁束が入射する被測定物側を除く全体を
   磁気遮蔽することを特徴とする磁束計。 ４２、超電導体となる材料と結合材からなる混合物を粉
   砕し混合するステップ、 前記混合物を冷間加工し線材とするステップ、前記線材
   をコイル形状に加工するステップ、前記コイル形状とな
   つた部材をドクターブレート法にてプリントコイル形状
   に加工するステップ、 前記プリントコイル形状に加工された部材を焼成するス
   テップ、 からなる磁束計のプリントコイルの製造方法。 ４３、基板上に感光性樹脂を用いて、プリントコイルの
   ネガパターンとなる薄膜を形成するステップ、 超電導薄膜を、前記ネガパターンとなる薄膜が作成され
   た基板上に全面にわたつて蒸着するステップ、 溶材を用いて、前記ネガパターンを構成する薄膜と前記
   超電導薄膜を除去するステップ、からなる磁束計のプリ
   ントコイルの製造方法。 ４４、基板上に超電導薄膜を形成するステップ、前記超
   電導薄膜上に感光性樹脂によりプリントコイルのポジパ
   ターンを形成するステップ、エッチングにより、前記超
   電導薄膜のネガパターン部を除去するステップ、 ポジパターン部に残る感光性樹脂を溶剤にて除去するス
   テップ、 からなる磁束計のプリントコイルの製造方法。 ４５、請求項４４において、エッチングが化学エッチン
   グであることを特徴とする磁束計のプリントコイルの製
   造方法。 ４６、請求項４４において、エッチングがプラズマエッ
   チングであることを特徴とする磁束計のプリントコイル
   の製造方法。 ４７、請求項４４において、エッチングが集束イオンビ
   ームであることを特徴とする磁束計のプリントコイルの
   製造方法。 ４８、被測定物に磁場を印加し、 超電導量子干渉素子と 被測定物と面するように配置されるピックアップコイル
   と磁束漏洩を抑制するピックアップコイル用コアを有し
   、 前記超電導量子干渉素子と磁気的に結合する磁束伝達回
   路からなる磁束計によつて 前記被測定物固有の磁気特性の変化を計測し、前記磁気
   特性の変化から、前記被測定物の劣化の程度を知る劣化
   検出方法。