JPH02287122A - 光センサ回路 - Google Patents
光センサ回路Info
- Publication number
- JPH02287122A JPH02287122A JP10854789A JP10854789A JPH02287122A JP H02287122 A JPH02287122 A JP H02287122A JP 10854789 A JP10854789 A JP 10854789A JP 10854789 A JP10854789 A JP 10854789A JP H02287122 A JPH02287122 A JP H02287122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- comparator
- reference voltage
- optical sensor
- voltage
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光センサの電荷蓄積時間からそれが受ける光強
度を測定するための光センサ回路、とくにイメージセン
サ等の中に複数個組み込まれる電荷蓄積形の光センサに
適する回路に関する。
度を測定するための光センサ回路、とくにイメージセン
サ等の中に複数個組み込まれる電荷蓄積形の光センサに
適する回路に関する。
光センサは最も簡単にはそれが受ける光の有無を検出す
るために利用されるが、より高度な利用面ではその受光
量を1密に測定する要がある0例えば通常のイメージセ
ンサでは、その各光センサが受ける光の明暗を各1ビツ
トのデータとして表す程度の精度で対象のイメージを検
出できればよい場合が多いが、最近のカメラの自動焦点
等の用途では、対象のイメージのもつパターンすなわち
光強度分布を各8ビツトの精度のデータで表すことが要
求されるようになって来た。
るために利用されるが、より高度な利用面ではその受光
量を1密に測定する要がある0例えば通常のイメージセ
ンサでは、その各光センサが受ける光の明暗を各1ビツ
トのデータとして表す程度の精度で対象のイメージを検
出できればよい場合が多いが、最近のカメラの自動焦点
等の用途では、対象のイメージのもつパターンすなわち
光強度分布を各8ビツトの精度のデータで表すことが要
求されるようになって来た。
かかる光強度の正確な測定には、光センサからの出力を
そのまま取り出すよりも、センサを電荷蓄積形に構成し
てその電荷蓄積時間を測定する方が、測定精度上および
データのディジタル化上有利である0本発明はかかる電
荷蓄積形光センサの回路に関し、第3図にその従来回路
を1.第4図にその主な信号の波形をそれぞれ示す。
そのまま取り出すよりも、センサを電荷蓄積形に構成し
てその電荷蓄積時間を測定する方が、測定精度上および
データのディジタル化上有利である0本発明はかかる電
荷蓄積形光センサの回路に関し、第3図にその従来回路
を1.第4図にその主な信号の波形をそれぞれ示す。
第3図で一点鎖線で囲んで示された光センサ回路50は
、上述の自動焦点装置に用いられるイメージセンサに組
み込まれる電荷蓄積形光センサlの1個分を示す、光セ
ンサlはフォトダイオードlaとその小さな接合容量1
bとからなり、フォトダイオード1aが受ける光りの強
度に比例する光電流が接合容量1bに蓄積される。光セ
ンサ1に直列にその動作開始用のトランジスタ2が接続
され、この直列回路が電源電位点Vdと接地電位点Eと
の間に複数個の光センサ回路50に共通に設定された動
作開始電圧Voを介して接続される。
、上述の自動焦点装置に用いられるイメージセンサに組
み込まれる電荷蓄積形光センサlの1個分を示す、光セ
ンサlはフォトダイオードlaとその小さな接合容量1
bとからなり、フォトダイオード1aが受ける光りの強
度に比例する光電流が接合容量1bに蓄積される。光セ
ンサ1に直列にその動作開始用のトランジスタ2が接続
され、この直列回路が電源電位点Vdと接地電位点Eと
の間に複数個の光センサ回路50に共通に設定された動
作開始電圧Voを介して接続される。
従って、トランジスタ2が第4図(a)に示すリセット
パルスRPによりオン操作されたとき、光センサ1の接
合容量1bが電源電圧Vdと動作開始電圧VOとの差電
圧により充電される。このとき、光センサlとトランジ
スタ2との相互接続点の電位である光センサ電圧Vは、
第4図(ロ)に示すように動作開始電圧Voにセットさ
れ、その後は光センサ1の光電流により接合容量1bが
放電されるに伴って図示のように立ち上がって行く。
パルスRPによりオン操作されたとき、光センサ1の接
合容量1bが電源電圧Vdと動作開始電圧VOとの差電
圧により充電される。このとき、光センサlとトランジ
スタ2との相互接続点の電位である光センサ電圧Vは、
第4図(ロ)に示すように動作開始電圧Voにセットさ
れ、その後は光センサ1の光電流により接合容量1bが
放電されるに伴って図示のように立ち上がって行く。
コンパレータ3はこの先センサ電圧Vをその一方の入力
に受け、その他方の入力に与えられている複数個の光セ
ンサ回路に共通な基準電圧Vrと比較するもので、その
出力から取り出されるストローブ信号Sは、第4図(C
)に示すようにリセットパルスRPによってhの状態に
立ち上がった後、光センサ電圧Vが動作開始電圧Voか
ら基準電圧Vrにまで上昇したときしの状態に立ち下が
る。容易にわかるように、このストローブ信号Sがhの
状態にある第4図(C)に示す期間Tが光センサスの電
荷蓄積時間であって、それが受ける光りの強度をこの電
荷蓄積時間Tによってほぼ逆比例関係ではあるが測定で
きることになる。
に受け、その他方の入力に与えられている複数個の光セ
ンサ回路に共通な基準電圧Vrと比較するもので、その
出力から取り出されるストローブ信号Sは、第4図(C
)に示すようにリセットパルスRPによってhの状態に
立ち上がった後、光センサ電圧Vが動作開始電圧Voか
ら基準電圧Vrにまで上昇したときしの状態に立ち下が
る。容易にわかるように、このストローブ信号Sがhの
状態にある第4図(C)に示す期間Tが光センサスの電
荷蓄積時間であって、それが受ける光りの強度をこの電
荷蓄積時間Tによってほぼ逆比例関係ではあるが測定で
きることになる。
第3図の例では、この電荷蓄積時間Tをクロックパルス
CPのパルス数で計数してディジタル化するようになっ
ている。このため、例えば8ビツトのラッチ4が各光セ
ンサ回!50に付属して設けられ、間挿に8ビツト構成
のカウンタ5が複数個の光センサ回路50に対して設け
られて、各ラッチ4と共通のバス6を介して接続される
。
CPのパルス数で計数してディジタル化するようになっ
ている。このため、例えば8ビツトのラッチ4が各光セ
ンサ回!50に付属して設けられ、間挿に8ビツト構成
のカウンタ5が複数個の光センサ回路50に対して設け
られて、各ラッチ4と共通のバス6を介して接続される
。
このカウンタ5は、複数個の光センサ回路5oがリセッ
トパルスRPにより一斉に動作開始した時、これを図示
のように受けてリセットないしはクリアされて、クロッ
クパルスCPの計数を開始する。
トパルスRPにより一斉に動作開始した時、これを図示
のように受けてリセットないしはクリアされて、クロッ
クパルスCPの計数を開始する。
この計数値をバス6を介して受けている各ラッチ4は、
対応する光センサ回路50からの上述のストローブ信号
Sをラッチ指令として受け、ストローブ信号Sがこの例
ではへから−に変化した時のバス6上の計数値を読み込
んで記憶する。
対応する光センサ回路50からの上述のストローブ信号
Sをラッチ指令として受け、ストローブ信号Sがこの例
ではへから−に変化した時のバス6上の計数値を読み込
んで記憶する。
従って、各ラッチ4内にはそれに対応する光センサlが
受けている光強度を表す電荷蓄積時間Tが8ビツトのデ
ィジタルデータとして記憶されることになり、このデー
タは例えば別のバス7を介して計算機やマイクロプロセ
ッサに適宜読み取ることができる。なお、クロックパル
スCPの周期は光強度の最小測定限界に対応する最長電
萄蓄積時間T内にカウンタ5がちょうどカウントアツプ
するように決められ、この周期が順次長(なる1変周期
クロックパルスを用いれば、光強度の測定可能範囲を非
常に広い範囲に拡大できる。
受けている光強度を表す電荷蓄積時間Tが8ビツトのデ
ィジタルデータとして記憶されることになり、このデー
タは例えば別のバス7を介して計算機やマイクロプロセ
ッサに適宜読み取ることができる。なお、クロックパル
スCPの周期は光強度の最小測定限界に対応する最長電
萄蓄積時間T内にカウンタ5がちょうどカウントアツプ
するように決められ、この周期が順次長(なる1変周期
クロックパルスを用いれば、光強度の測定可能範囲を非
常に広い範囲に拡大できる。
以上の従来の光センサ回路によって、光センサが受ける
光強度をその電荷蓄積時間から例えば6ビツト程度まで
の精度で測定できるが、これ以上に測定精度を高めよう
とすると、電荷蓄積時間の検出に上述のようにコンパレ
ータを利用しているので、その動作特性に生じ得るばら
つきによって精度が制約されてしまう問題がある。
光強度をその電荷蓄積時間から例えば6ビツト程度まで
の精度で測定できるが、これ以上に測定精度を高めよう
とすると、電荷蓄積時間の検出に上述のようにコンパレ
ータを利用しているので、その動作特性に生じ得るばら
つきによって精度が制約されてしまう問題がある。
例えば、いま仮に第3図の光センサ回路5oに与える電
源電圧Vdを5V、動作開始電圧Voを2V。
源電圧Vdを5V、動作開始電圧Voを2V。
基準電圧Vrを2.5■にそれぞれ設定したとする。
この場合、コンパレータ3ば光センサ電圧Vが2Vから
2.5vに立ち上がったときに動作してストローブ信号
Sの状態を変化させるが、この際の光センサ電圧Vの0
.5vの変化“に対して、その実際の動作には第4図b
)でΔVで示すように±0.01 V程度、つまり±2
%程度の誤差ないしはオフセットがふつう存在し、これ
に応じて電荷蓄積時間Tには第4図(C)に717で示
したように同じく±2%程度の誤差が発生することにな
る。
2.5vに立ち上がったときに動作してストローブ信号
Sの状態を変化させるが、この際の光センサ電圧Vの0
.5vの変化“に対して、その実際の動作には第4図b
)でΔVで示すように±0.01 V程度、つまり±2
%程度の誤差ないしはオフセットがふつう存在し、これ
に応じて電荷蓄積時間Tには第4図(C)に717で示
したように同じく±2%程度の誤差が発生することにな
る。
従って、電荷蓄積時間Tを表すラッチ4のデータは8ビ
ツト構成ではあるが、この場合のデータの信鯨性は実際
には6ビツト程度しか保証されないことになる。もちろ
ん、かかるコンパレータ3に生じるオフセットを個別補
償することは原理上は可能であるが、補償のための回路
調整に手間が掛かり、とくに集積回路装置としてのイメ
ージセンサ内に多数個の光センサ回路が作り込まれる場
合には、それらのコンパレータに生じ得るオフセットを
個別調整によって一々補償することは非常に手間が掛か
り実際上器よ不可能に近い。
ツト構成ではあるが、この場合のデータの信鯨性は実際
には6ビツト程度しか保証されないことになる。もちろ
ん、かかるコンパレータ3に生じるオフセットを個別補
償することは原理上は可能であるが、補償のための回路
調整に手間が掛かり、とくに集積回路装置としてのイメ
ージセンサ内に多数個の光センサ回路が作り込まれる場
合には、それらのコンパレータに生じ得るオフセットを
個別調整によって一々補償することは非常に手間が掛か
り実際上器よ不可能に近い。
また、コンパレータのオフセットは長期の使用中に漸次
変化することがあるので、測定精度を維持するためにこ
れを再調整によって補償することは実際上不可能である
。
変化することがあるので、測定精度を維持するためにこ
れを再調整によって補償することは実際上不可能である
。
本発明はかかる問題点を解決して、電荷蓄積時間を検出
するためのコンパレータの動作特性に若干のオフセット
誤差が発生しても、これを自動的に補償して測定精度を
実質的に向上できる光センサ回路を得ることを目的とす
る。
するためのコンパレータの動作特性に若干のオフセット
誤差が発生しても、これを自動的に補償して測定精度を
実質的に向上できる光センサ回路を得ることを目的とす
る。
本発明によればこの目的は、光センサの電荷蓄積状態に
応じて変化する光センサ電圧を基準電圧と比較して電荷
18時間の経過後にその出力の論理状態を変化させるコ
ンパレータと、測定開始に先立ちコンパレータの2入力
に互いに等しい電圧ヲ与えるコンパレータ校正回路と、
コンパレータ校正回路の動作中のコンパレータ出力の論
理状態を起重する記憶手段と、光強度の測定中にこの記
憶手段の記憶内容に応じて補正された基準電圧を光セン
サ電圧き比較すべき電圧としてコンパレータに与える基
準電圧補正回路とで光センサ回路を構成することにより
達成される。
応じて変化する光センサ電圧を基準電圧と比較して電荷
18時間の経過後にその出力の論理状態を変化させるコ
ンパレータと、測定開始に先立ちコンパレータの2入力
に互いに等しい電圧ヲ与えるコンパレータ校正回路と、
コンパレータ校正回路の動作中のコンパレータ出力の論
理状態を起重する記憶手段と、光強度の測定中にこの記
憶手段の記憶内容に応じて補正された基準電圧を光セン
サ電圧き比較すべき電圧としてコンパレータに与える基
準電圧補正回路とで光センサ回路を構成することにより
達成される。
なお、上記構成中のコンパレータ校正回路からコンパレ
ータに与える電圧は、動作開始電圧とするのが回路構成
上有利である。また、記憶手段は最も簡単には1個のフ
リップフロップで構成できる。さらに、基準電圧補正回
路による基準電圧の補正量は、コンパレータのオフセッ
トのばらつきの程度に応じて設定するのが合理的である
。
ータに与える電圧は、動作開始電圧とするのが回路構成
上有利である。また、記憶手段は最も簡単には1個のフ
リップフロップで構成できる。さらに、基準電圧補正回
路による基準電圧の補正量は、コンパレータのオフセッ
トのばらつきの程度に応じて設定するのが合理的である
。
光センサの電荷蓄積時間から光強度を測定する際に光セ
ンサ電圧を基準電圧と比較するコンパレータは、その2
入力に受ける電圧の大小関係に厳密に応じてその出力で
ある上述のストローブ信号の状態を変化させるのが理想
的であるが、実際にはこの電圧比較動作には僅かな誤差
があって、再入力電圧の差があるオフセット値を越えた
とき始めてその出力状態を変化させる。このオフセット
が電荷蓄積時間測定上の誤差の主原因であって、実際に
は正または負の値を取り得る。
ンサ電圧を基準電圧と比較するコンパレータは、その2
入力に受ける電圧の大小関係に厳密に応じてその出力で
ある上述のストローブ信号の状態を変化させるのが理想
的であるが、実際にはこの電圧比較動作には僅かな誤差
があって、再入力電圧の差があるオフセット値を越えた
とき始めてその出力状態を変化させる。このオフセット
が電荷蓄積時間測定上の誤差の主原因であって、実際に
は正または負の値を取り得る。
本発明はこの点に着目して、オフセット値が正か負かを
上記構成中のコンパレータと、コンパレータ校正回路と
、記憶手段により判定した上で、基準電圧補正回路によ
ってこの判定結果に応じてコンパレータに与える基準電
圧を補正することにより、オフセット値を等価的に自動
補償することに成功したもので、これによって電荷蓄積
時間の測定誤差を敞分の1に減少させて前述の所期の課
題を解決することができる。
上記構成中のコンパレータと、コンパレータ校正回路と
、記憶手段により判定した上で、基準電圧補正回路によ
ってこの判定結果に応じてコンパレータに与える基準電
圧を補正することにより、オフセット値を等価的に自動
補償することに成功したもので、これによって電荷蓄積
時間の測定誤差を敞分の1に減少させて前述の所期の課
題を解決することができる。
もちろん、この基準電圧を補正すべき量はコンパレータ
のオフセット値のばらつきないし分布状況により異なっ
て来るが、例えばこの分布が通常のように正負対称ない
わゆる3σ限界をもつ正規分布の場合、補正量を例えば
その標準偏差値σに等しく設定し、オフセットの正負の
判定結果に応じて基準電圧をこの値だけ大または小な値
に補正すれば、オフセット値を自動補償して電荷蓄積時
間の測定誤差を減少できる。オフセットの分布状態がこ
れと異なる場合、基準電圧はもちろんそれに則して適宜
補正される。
のオフセット値のばらつきないし分布状況により異なっ
て来るが、例えばこの分布が通常のように正負対称ない
わゆる3σ限界をもつ正規分布の場合、補正量を例えば
その標準偏差値σに等しく設定し、オフセットの正負の
判定結果に応じて基準電圧をこの値だけ大または小な値
に補正すれば、オフセット値を自動補償して電荷蓄積時
間の測定誤差を減少できる。オフセットの分布状態がこ
れと異なる場合、基準電圧はもちろんそれに則して適宜
補正される。
なお、本発明回路では上述のオフセット値の正負の判定
のために、まずコンパレータ校正回路により測定開始に
先立ってコンパレータの2入力に互いに等しい電圧2例
えば動作開始電圧を与え、この状態でのコンパレータの
出力の論理状態すなわちオフセットの正負の判定結果を
記憶手段1例えばフリップフロップに記憶させて置き、
この記憶内容に応じて基準電圧補正回路に上述の補正さ
れた基準電圧値を発生させる。
のために、まずコンパレータ校正回路により測定開始に
先立ってコンパレータの2入力に互いに等しい電圧2例
えば動作開始電圧を与え、この状態でのコンパレータの
出力の論理状態すなわちオフセットの正負の判定結果を
記憶手段1例えばフリップフロップに記憶させて置き、
この記憶内容に応じて基準電圧補正回路に上述の補正さ
れた基準電圧値を発生させる。
〔実施例]
以下、図を参照しながら本発明の実施例を具体的に説明
する。第1図は本発明による光センサ回路50の実施例
回路を示し、例えば前の第3図中の相当部分のみを抽出
して示すもので、第2図にその主な信号の波形等が示さ
れている。なお、これらの図中で第3図および第4図と
の共通部分には同じ符号が付けられている。
する。第1図は本発明による光センサ回路50の実施例
回路を示し、例えば前の第3図中の相当部分のみを抽出
して示すもので、第2図にその主な信号の波形等が示さ
れている。なお、これらの図中で第3図および第4図と
の共通部分には同じ符号が付けられている。
第1図において、フォトダイオード1aとその接合容量
1bとからなる光センサ1.動作開始用の電界効果トラ
ンジスタ2および光センサ電圧Vを一方の入力に受ける
コンパレータ3は、第3図の場合と同じであるが、本発
明に基づきこのコンパレータ3の他方の入力側にはコン
パレータ校正回路10と基準電圧補正回路30が、その
出力側には記憶手段20がそれぞれ設けられている。リ
セットパルスRPは従来と同じくトランジスタ2に与え
られ、これに関連して動作制御用の信号R1が記憶手段
20に、信号R2がコンパレータ校正回路10と基準電
圧補正回路30にそれぞれ与えられる。
1bとからなる光センサ1.動作開始用の電界効果トラ
ンジスタ2および光センサ電圧Vを一方の入力に受ける
コンパレータ3は、第3図の場合と同じであるが、本発
明に基づきこのコンパレータ3の他方の入力側にはコン
パレータ校正回路10と基準電圧補正回路30が、その
出力側には記憶手段20がそれぞれ設けられている。リ
セットパルスRPは従来と同じくトランジスタ2に与え
られ、これに関連して動作制御用の信号R1が記憶手段
20に、信号R2がコンパレータ校正回路10と基準電
圧補正回路30にそれぞれ与えられる。
第1図のように、この例でのコンパレータ校正回路lO
は電界効果トランジスタ11とそのゲートに接続された
インバータ12とからなり、制御信号R2は第2図(C
)のように当初は〜の状態にあるので、これをインバー
タ12を介して受けているトランジスタ11は当初はオ
ン状態にあって、コンパレータ3の他方の入力にこの例
では動作開始電圧Veを与えている。
は電界効果トランジスタ11とそのゲートに接続された
インバータ12とからなり、制御信号R2は第2図(C
)のように当初は〜の状態にあるので、これをインバー
タ12を介して受けているトランジスタ11は当初はオ
ン状態にあって、コンパレータ3の他方の入力にこの例
では動作開始電圧Veを与えている。
この状態で第2図(a)に示すリセットパルスRPがト
ランジスタ2に従来と同様に光センサ回路50に対する
動作開始指令として与えられると、このトランジスタ2
がオンしてコンパレータ3の一方の入力にも同じ動作開
始電圧Veを与える。しかし、このようにコンパレータ
3の2入力に互いに等しい電圧が与えられても、その動
作には前述のように常にオフセントがあるので、その出
力であるストローブ信号Sは実際には−または−の状態
を取り、このストローブ信号Sの論理状態にコンパレー
タ3が持つオフセット値の正負の判定結果がいわば反映
されるでいることになる。
ランジスタ2に従来と同様に光センサ回路50に対する
動作開始指令として与えられると、このトランジスタ2
がオンしてコンパレータ3の一方の入力にも同じ動作開
始電圧Veを与える。しかし、このようにコンパレータ
3の2入力に互いに等しい電圧が与えられても、その動
作には前述のように常にオフセントがあるので、その出
力であるストローブ信号Sは実際には−または−の状態
を取り、このストローブ信号Sの論理状態にコンパレー
タ3が持つオフセット値の正負の判定結果がいわば反映
されるでいることになる。
この実施例での記憶手段20は、このストローブ信号S
をD入力に受ける単一のフリップフロップ21で構成さ
れており、そのトリガ入力Tに受けている制御信号R1
がつぎに第2図中)に示すように−から−に変わったと
き、同図回に示すようにストローブ信号Sの−または−
の状態に応じてセットまたはリセットされ、これによっ
てコンパレータ3のオフセットの正負の判定結果がこの
フリップフロップ21内に記憶されたことになる。
をD入力に受ける単一のフリップフロップ21で構成さ
れており、そのトリガ入力Tに受けている制御信号R1
がつぎに第2図中)に示すように−から−に変わったと
き、同図回に示すようにストローブ信号Sの−または−
の状態に応じてセットまたはリセットされ、これによっ
てコンパレータ3のオフセットの正負の判定結果がこの
フリップフロップ21内に記憶されたことになる。
なお、この実施例ではコンパレータ3のオフセットの正
負の判定を上述のように動作開始電圧Veを利用して行
なうようにしたが、より厳密には第3図の基準電圧Vr
の下でするのが最も望ましく、容易にわかるようにこの
ためにはコンパレータ校正回路lO内にインバータ12
で操作される電界効果トランジスタをもう1個追加すれ
ばよい。
負の判定を上述のように動作開始電圧Veを利用して行
なうようにしたが、より厳密には第3図の基準電圧Vr
の下でするのが最も望ましく、容易にわかるようにこの
ためにはコンパレータ校正回路lO内にインバータ12
で操作される電界効果トランジスタをもう1個追加すれ
ばよい。
つぎに、第2図(C)に示す制御信号R2が当初の−か
らhの状態に変化したとき、コンパレータ校正回路10
の動作は打ち切られ、基準電圧補正回路30から補正さ
れた基準電圧がコンパレータ3の他方の入力に与えられ
る。
らhの状態に変化したとき、コンパレータ校正回路10
の動作は打ち切られ、基準電圧補正回路30から補正さ
れた基準電圧がコンパレータ3の他方の入力に与えられ
る。
基準電圧補正回路30は、1対のトランジスタ31およ
び32による補正された2個の基準電圧Vaおよびvb
の切り換え機能と、これによって選択された電圧をトラ
ンジスタ33によりコンパレータ3の他方の入力に賦与
する機能とを備え、この内の制御信号R2によりゲート
制御されるトランジスタ33はコンパレータ校正回路1
0のトランジスタ11と交互に開閉制御される。1対の
トランジスタ31および32は記憶手段20がオフセッ
トの正負の判定結果を記憶したときに一方が選択されて
おり、前者31は記憶手段20のフリップフロップ21
の補のQ出力を受け、コンパレータ3のオフセットが負
で従ってフリップフロップ21がリセットされていると
きにオン動作して、正規の基準電圧Vrよりも高く補正
された基準電圧Vaを選択し、後者32はフリップフロ
ップ21のQ出力を受け、コンパレータ3のオフセント
が正でフリップフロップ21がセットされているときに
オン動作して、基準電圧Vrより低−く補正された基準
電圧vbを選択する。
び32による補正された2個の基準電圧Vaおよびvb
の切り換え機能と、これによって選択された電圧をトラ
ンジスタ33によりコンパレータ3の他方の入力に賦与
する機能とを備え、この内の制御信号R2によりゲート
制御されるトランジスタ33はコンパレータ校正回路1
0のトランジスタ11と交互に開閉制御される。1対の
トランジスタ31および32は記憶手段20がオフセッ
トの正負の判定結果を記憶したときに一方が選択されて
おり、前者31は記憶手段20のフリップフロップ21
の補のQ出力を受け、コンパレータ3のオフセットが負
で従ってフリップフロップ21がリセットされていると
きにオン動作して、正規の基準電圧Vrよりも高く補正
された基準電圧Vaを選択し、後者32はフリップフロ
ップ21のQ出力を受け、コンパレータ3のオフセント
が正でフリップフロップ21がセットされているときに
オン動作して、基準電圧Vrより低−く補正された基準
電圧vbを選択する。
上述の補正量は、前述のようにコンパレータ3のオフセ
ット値の分布が正負対称な正規分布の場合は例えばその
標準偏差値グにほぼ等しく設定され、いまこの補正量を
dV=σと置くと、上述の補正された基準電圧はVa
w Vr + dVおよびVb=Vr−dVにそれぞれ
設定される0例えば、オフセット値のばらつきないしは
3σ限界が前述のように0.01Vの場合、コノ補正値
dVを0.003〜0.005 Vニ設定するのが好適
である。
ット値の分布が正負対称な正規分布の場合は例えばその
標準偏差値グにほぼ等しく設定され、いまこの補正量を
dV=σと置くと、上述の補正された基準電圧はVa
w Vr + dVおよびVb=Vr−dVにそれぞれ
設定される0例えば、オフセット値のばらつきないしは
3σ限界が前述のように0.01Vの場合、コノ補正値
dVを0.003〜0.005 Vニ設定するのが好適
である。
前述のように制御信号R2が第2図(C)のように−か
ら1に切り換わったとき、コンパレータ校正回路10の
トランジスタ11はオフし、かわりに基準電圧補正回路
30のトランジスタ33がオンして、上述の補正された
基準電圧Vaまたはvbがコンパレータ3の他方の入力
に与えられる。この後、リセットパルスRPが第2図(
a)のように%から−に復帰したときに光センサ1の受
けている光りの測定が開始され、光センサ電圧Vは同図
(e)のようにリセットパルスRPが−になったときに
セットされていた動作開始電圧Veから立ち上がって行
く。
ら1に切り換わったとき、コンパレータ校正回路10の
トランジスタ11はオフし、かわりに基準電圧補正回路
30のトランジスタ33がオンして、上述の補正された
基準電圧Vaまたはvbがコンパレータ3の他方の入力
に与えられる。この後、リセットパルスRPが第2図(
a)のように%から−に復帰したときに光センサ1の受
けている光りの測定が開始され、光センサ電圧Vは同図
(e)のようにリセットパルスRPが−になったときに
セットされていた動作開始電圧Veから立ち上がって行
く。
一方、コンパレータ3からのストローブ信号Sは、第2
図(f)のように制御信号R2が%になると同時にnの
状態にセットされており、光センサ電圧Vが同図(el
のように補正された基準電圧Vaまたはvbまで立ち上
がったときに−の状態に変わり、リセットパルスRPが
−になってからこの時点までが光センサlの電荷蓄積時
間になるのは従来と変わらない、しかし、本発明回路で
は、この電荷蓄積時間つまりストローブ信号Sの波形の
−への立ち下がり時点は、補正された基準電圧がVaか
vbかで異なって来ることになり、図ではその様子がS
aとsbでそれぞれ示されている。
図(f)のように制御信号R2が%になると同時にnの
状態にセットされており、光センサ電圧Vが同図(el
のように補正された基準電圧Vaまたはvbまで立ち上
がったときに−の状態に変わり、リセットパルスRPが
−になってからこの時点までが光センサlの電荷蓄積時
間になるのは従来と変わらない、しかし、本発明回路で
は、この電荷蓄積時間つまりストローブ信号Sの波形の
−への立ち下がり時点は、補正された基準電圧がVaか
vbかで異なって来ることになり、図ではその様子がS
aとsbでそれぞれ示されている。
以上の例示かられかるように、本発明回路では光センサ
1の電荷蓄積時間を検出するコンパレータ3の動作にオ
フセットがあっても、その値が正の場合には光センサ電
圧Vを比較すべき基準電圧Vrが低めに補正され、負の
場合には逆に高めに補正されるので、コンパレータ3の
オフセットの大部分を自動補償して光強度の測定精度を
実質的に向上することができる。
1の電荷蓄積時間を検出するコンパレータ3の動作にオ
フセットがあっても、その値が正の場合には光センサ電
圧Vを比較すべき基準電圧Vrが低めに補正され、負の
場合には逆に高めに補正されるので、コンパレータ3の
オフセットの大部分を自動補償して光強度の測定精度を
実質的に向上することができる。
1例として、前述のように動作開始電圧Veと基準電圧
Vrの差、つまり光センサ電圧Vの変化範囲が0.5■
で、コンパレータ3のオフセットが最大で0.IVの場
合、電荷蓄積時間で表された光強度の測定精度は従来は
前述のように6ビツト程度までであったが、本発明回路
の採用によりこの精度を8ビツトまで確実に高めること
ができる。もちろん、同じオフセント条件で光センサ電
圧の変化範囲をこれより大きく取ることにより、測定精
度をさらに高めることができる。
Vrの差、つまり光センサ電圧Vの変化範囲が0.5■
で、コンパレータ3のオフセットが最大で0.IVの場
合、電荷蓄積時間で表された光強度の測定精度は従来は
前述のように6ビツト程度までであったが、本発明回路
の採用によりこの精度を8ビツトまで確実に高めること
ができる。もちろん、同じオフセント条件で光センサ電
圧の変化範囲をこれより大きく取ることにより、測定精
度をさらに高めることができる。
以上説明した実施例に限らず、本発明は種々の態様で実
施できる。実施例では単一の光センサ回路を示したが、
実際には第3図で示したようにイメージセンサ内にかか
る光センサ回路が多数個組み込まれる場合が多い、コン
パレータ校正回路。
施できる。実施例では単一の光センサ回路を示したが、
実際には第3図で示したようにイメージセンサ内にかか
る光センサ回路が多数個組み込まれる場合が多い、コン
パレータ校正回路。
記憶手段および基準電圧補正回路は、本発明の要旨の範
囲内で公知技術を適宜組み合わせて種々の形態に構成で
き、基準電圧の補正態様もコンパレータのオフセットの
ばらつきの程度や分布の様子に応じて適宜な選択が可能
である。
囲内で公知技術を適宜組み合わせて種々の形態に構成で
き、基準電圧の補正態様もコンパレータのオフセットの
ばらつきの程度や分布の様子に応じて適宜な選択が可能
である。
以上のとおり本発明では、光センサの電荷蓄積時間から
光強度を測定するため光センサ回路を、光センサの電荷
蓄積状態に応じて変化する光センサ電圧を基準電圧と比
較して電荷蓄積時間の経過後にその出力の論理状態を変
化させるコンパレータと、測定開始に先立ちコンパレー
タの2入力に互いに等しい電圧を与えるコンパレータ校
正回路と、コンパレータ校正回路の動作中のコンパレー
タ出力の論理状態を記憶する記憶手段と、光強度の測定
中にこの記憶手段の記憶内容に応じて補正された基準電
圧を光センサ電圧と比較すべき電圧としてコンパレータ
に与える基準電圧補正回路とで構成したので、光強度の
測定開始前にまずコンパレータ校正回路を動作させてコ
ンパレータのオフセット値の正負を判定し、その結果を
記憶手段に記憶させ、基準電圧補正回路によってこの判
定結果に応じてコンパレータに与える基準電圧を補正し
た状態で測定することにより、オフセット値を等価的に
自動補償することができる。
光強度を測定するため光センサ回路を、光センサの電荷
蓄積状態に応じて変化する光センサ電圧を基準電圧と比
較して電荷蓄積時間の経過後にその出力の論理状態を変
化させるコンパレータと、測定開始に先立ちコンパレー
タの2入力に互いに等しい電圧を与えるコンパレータ校
正回路と、コンパレータ校正回路の動作中のコンパレー
タ出力の論理状態を記憶する記憶手段と、光強度の測定
中にこの記憶手段の記憶内容に応じて補正された基準電
圧を光センサ電圧と比較すべき電圧としてコンパレータ
に与える基準電圧補正回路とで構成したので、光強度の
測定開始前にまずコンパレータ校正回路を動作させてコ
ンパレータのオフセット値の正負を判定し、その結果を
記憶手段に記憶させ、基準電圧補正回路によってこの判
定結果に応じてコンパレータに与える基準電圧を補正し
た状態で測定することにより、オフセット値を等価的に
自動補償することができる。
二のようにコンパレータのオフセット(ti ヲ補1す
ることにより、光センサの電荷蓄積時間で表された光強
度の測定誤差を従来の数分の1に減少させて、測定精度
を電荷蓄積時間のディジタル値にして例えば従来の6ビ
ツト程度から8ビツトにまで向上することができる。ま
た、本発明回路ではこの補償が自動的になされるので、
とくに集積回路化されたイメージセンサ等に多数個の光
センサ回路を作り込む場合、それらを−々調整する手間
を一切省くことができる。
ることにより、光センサの電荷蓄積時間で表された光強
度の測定誤差を従来の数分の1に減少させて、測定精度
を電荷蓄積時間のディジタル値にして例えば従来の6ビ
ツト程度から8ビツトにまで向上することができる。ま
た、本発明回路ではこの補償が自動的になされるので、
とくに集積回路化されたイメージセンサ等に多数個の光
センサ回路を作り込む場合、それらを−々調整する手間
を一切省くことができる。
本発明の場合、このオフセット値の補償は必ずしも完全
でな(上述のように等価ないしは確率的なので、精度向
上の効果は数倍程度ではあるが、多数個の光センサから
なるイメージセンサのイメージ検出精度を実用上はぼ完
全な程度にまで向上することができる。かかる特長をも
つ本発明回路は、とくにカメラ等の自動焦点調整に通用
して、1対のイメージセンサが捉えた被写体のイメージ
を高精度で相互比較しながら厳密な焦点合わせを可能に
する上で著効を奏することができる。
でな(上述のように等価ないしは確率的なので、精度向
上の効果は数倍程度ではあるが、多数個の光センサから
なるイメージセンサのイメージ検出精度を実用上はぼ完
全な程度にまで向上することができる。かかる特長をも
つ本発明回路は、とくにカメラ等の自動焦点調整に通用
して、1対のイメージセンサが捉えた被写体のイメージ
を高精度で相互比較しながら厳密な焦点合わせを可能に
する上で著効を奏することができる。
第1図および第2図が本発明に関し、第1図は本発明に
よる光センサ回路の実施例回路図、第2図はその主な信
号の波形図等である。第3図以降は従来技術に関し、第
3図は従来の光センサ回路を関連回路とともに示す回路
図、第4図はその主な信号の波形図である0図において
、 l:光センサ、1a:フォトダイオード、lb:電荷蓄
積用接合容量、2:動作開始用電界効果トランジスタ、
3:コンパレータ、4:ラッチ、5:カウンタ、6.7
:バス、10:コンパレータ校正回路、114校正電圧
賦与用電界効果トランジスタ、12:インバータ、20
:記憶手段、21:フリップフロップ、30:基準電圧
補正回路、31.32 :補正された基準電圧選択用電
界効果トランジスタ、33:補正された基準電圧の賦与
用電界効果トランジスタ、CP:クロックパルス、E:
接地電位点、L:光センサへの光、RP:動作開始指令
としてのリセットパルス、R1,R2j制御信号、S:
電荷蓄積時間測定用ストローブ信号、Sa、Sb:補正
された基準電圧に基づくストローブ信号の波尾、T:電
荷蓄積時間、ΔT:電荷蓄積時間の測定誤差、V:光セ
ンサ電圧、Va、Vb:補正された基準電圧、vd:電
源電位点、ve:動作開始電圧、dv:基準電圧の補正
量、6V:コンパレータの動作オフセット値、稟1図 S& 第Z肥
よる光センサ回路の実施例回路図、第2図はその主な信
号の波形図等である。第3図以降は従来技術に関し、第
3図は従来の光センサ回路を関連回路とともに示す回路
図、第4図はその主な信号の波形図である0図において
、 l:光センサ、1a:フォトダイオード、lb:電荷蓄
積用接合容量、2:動作開始用電界効果トランジスタ、
3:コンパレータ、4:ラッチ、5:カウンタ、6.7
:バス、10:コンパレータ校正回路、114校正電圧
賦与用電界効果トランジスタ、12:インバータ、20
:記憶手段、21:フリップフロップ、30:基準電圧
補正回路、31.32 :補正された基準電圧選択用電
界効果トランジスタ、33:補正された基準電圧の賦与
用電界効果トランジスタ、CP:クロックパルス、E:
接地電位点、L:光センサへの光、RP:動作開始指令
としてのリセットパルス、R1,R2j制御信号、S:
電荷蓄積時間測定用ストローブ信号、Sa、Sb:補正
された基準電圧に基づくストローブ信号の波尾、T:電
荷蓄積時間、ΔT:電荷蓄積時間の測定誤差、V:光セ
ンサ電圧、Va、Vb:補正された基準電圧、vd:電
源電位点、ve:動作開始電圧、dv:基準電圧の補正
量、6V:コンパレータの動作オフセット値、稟1図 S& 第Z肥
Claims (1)
- 光センサの電荷蓄積時間からそれが受ける光強度を測定
するための回路であって、光センサの電荷蓄積状態に応
じて変化する光センサ電圧を基準電圧と比較して電荷蓄
積時間の経過後にその出力の論理状態を変化させるコン
パレータと、測定開始に先立ちコンパレータの2入力に
互いに等しい電圧を与えるコンパレータ校正回路と、こ
のコンパレータ校正回路の動作中のコンパレータ出力の
論理状態を記憶する記憶手段と、光強度の測定中にこの
記憶手段の記憶内容に応じて補正された基準電圧を光セ
ンサ電圧と比較すべき電圧としてコンパレータに与える
基準電圧補正回路とを備えてなる光センサ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10854789A JPH02287122A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 光センサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10854789A JPH02287122A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 光センサ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02287122A true JPH02287122A (ja) | 1990-11-27 |
Family
ID=14487598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10854789A Pending JPH02287122A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 光センサ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02287122A (ja) |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP10854789A patent/JPH02287122A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4243975A (en) | Analog-to-digital converter | |
| US4783701A (en) | Focus condition detecting device for use in a camera | |
| JPH0560049B2 (ja) | ||
| US4623927A (en) | Solid state image pickup apparatus | |
| US4459475A (en) | Automatic calibration for D.C. transducers | |
| JPS5815982B2 (ja) | アナログ↓−デジタル変換回路 | |
| JPH01291684A (ja) | 磁気ディスクのサーボ回路 | |
| JPH02287122A (ja) | 光センサ回路 | |
| US4503467A (en) | Analog-digital converting apparatus | |
| US4291297A (en) | Single ramp comparison analog to digital converter | |
| JPH01305328A (ja) | 光強度検出回路 | |
| CN113341232A (zh) | 一种量程自适应的高精度电容检测方法及检测电路 | |
| JPS6135729B2 (ja) | ||
| JPS632489B2 (ja) | ||
| US6163204A (en) | Fast AC sensor for detecting power outages | |
| US20240322802A1 (en) | Device and circuit for measuring a derivative | |
| JP2000162496A (ja) | 測距装置 | |
| US11307089B2 (en) | Light sensing device | |
| JP2009229165A (ja) | クーロンカウンタ、その内部電源制御方法 | |
| JP2526958B2 (ja) | 逆光検出回路 | |
| JPH034139B2 (ja) | ||
| JPS625664Y2 (ja) | ||
| JPH0693767B2 (ja) | 電荷蓄積形イメージセンサ回路 | |
| JPS62288597A (ja) | 時間計測装置 | |
| JPS60223226A (ja) | カメラ |