JPH02287456A - レジスト重合促進加熱方法および装置 - Google Patents
レジスト重合促進加熱方法および装置Info
- Publication number
- JPH02287456A JPH02287456A JP1109343A JP10934389A JPH02287456A JP H02287456 A JPH02287456 A JP H02287456A JP 1109343 A JP1109343 A JP 1109343A JP 10934389 A JP10934389 A JP 10934389A JP H02287456 A JPH02287456 A JP H02287456A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- resist
- polymn
- reaction
- polymerization
- Prior art date
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- Granted
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶テレビ、固体撮像素子等に用いる着色フォ
トレジストの重合促進加熱方法および装置に関する。
トレジストの重合促進加熱方法および装置に関する。
従来の技術
従来、ガラス基板上に着色フォトレジスト膜をパターニ
ングする場合は第２図のようなプロセスを行っていた。
ングする場合は第２図のようなプロセスを行っていた。
すなわち、ガラス基板上に液状の着色フォトレジストを
塗布した後（２１）、このレジストをプリベータで乾燥
硬化する（２２）。
塗布した後（２１）、このレジストをプリベータで乾燥
硬化する（２２）。
次に、フォトマスクを介してレジスト膜を露光しく２３
）、ガラス基板の裏面からの接触伝導による重合促進加
熱を行う（２４）。これは、露光によって発生したラジ
カルを利用し、熱によってさらにそツマ−の重合を進め
、耐現像性を高めるために行うものである。すなわち、
現像時、未露光の非画像部のレジストは、感光性モノマ
ーの重合が行われていないため、現像液に溶解する。ま
た、露光した部分は現像液に溶解せずに残る。しかし、
着色フォトレジストは顔料が高い濃度で分散されている
ため、露光時に光が吸収され、・ レジスト内部の露光
量はきわめて少なくなっており 光だけでは充分な重合
が行われない。従って、露光後に重合促進加熱によって
、レジスト内部の重合反応を促進するわけであるが、こ
の重合促進加熱が充分に行われないと、現像時にレジス
ト下部が溶解する、いわゆる”サイドエッチ”が起こり
、レジスト膜の欠け、剥離などの原因となるからである
。
）、ガラス基板の裏面からの接触伝導による重合促進加
熱を行う（２４）。これは、露光によって発生したラジ
カルを利用し、熱によってさらにそツマ−の重合を進め
、耐現像性を高めるために行うものである。すなわち、
現像時、未露光の非画像部のレジストは、感光性モノマ
ーの重合が行われていないため、現像液に溶解する。ま
た、露光した部分は現像液に溶解せずに残る。しかし、
着色フォトレジストは顔料が高い濃度で分散されている
ため、露光時に光が吸収され、・ レジスト内部の露光
量はきわめて少なくなっており 光だけでは充分な重合
が行われない。従って、露光後に重合促進加熱によって
、レジスト内部の重合反応を促進するわけであるが、こ
の重合促進加熱が充分に行われないと、現像時にレジス
ト下部が溶解する、いわゆる”サイドエッチ”が起こり
、レジスト膜の欠け、剥離などの原因となるからである
。
以後現像、リンス、ポストベークを行う（２５，２Ｂ、
２７）。
２７）。
発明が解決しようとする課題
しかし、レジストの重合反応率は、レジストの種類や、
重合促進加熱に至るまでのプロセス条件、すなわち、レ
ジスト塗布後の硬化条件（方式、温度、時間）、露光量
などによって影響を受ける。
重合促進加熱に至るまでのプロセス条件、すなわち、レ
ジスト塗布後の硬化条件（方式、温度、時間）、露光量
などによって影響を受ける。
従って、従来は、重合促進加熱プロセス以前のプロセス
条件が変わる度に、重合促進加熱の温度、加熱時間の最
適化を図り、重合反応率を規定の値に高めてやる必要が
あった。
条件が変わる度に、重合促進加熱の温度、加熱時間の最
適化を図り、重合反応率を規定の値に高めてやる必要が
あった。
本発明は、このような従来技術の課題を解決することを
目的とする。
目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、レジストを基板上に塗布の硬化した後、露光
を行い、再び前記基板の裏面から接触伝導加熱を行う際
に、レジストに含まれているモノマーの重合反応率に応
じて加熱温度、加熱時間を制御するものである。
を行い、再び前記基板の裏面から接触伝導加熱を行う際
に、レジストに含まれているモノマーの重合反応率に応
じて加熱温度、加熱時間を制御するものである。
作用
本発明は上記した方法により、レジストに含まれでいる
七ツマ−の重合反応率の値に応じて重合促進加熱の温度
、時間を制御するものであるから、重合促進加熱以前の
プロセスが変わっても、重合促進加熱終了時の重合反応
率を常に一定の高い値にコントロールできる。
七ツマ−の重合反応率の値に応じて重合促進加熱の温度
、時間を制御するものであるから、重合促進加熱以前の
プロセスが変わっても、重合促進加熱終了時の重合反応
率を常に一定の高い値にコントロールできる。
実施例
以下に、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例にかかるレジスト重合促進加
熱方法に使用される装置を示した一例である。
熱方法に使用される装置を示した一例である。
図において、１はアルミニウム、銅、鉄等の熱の良導体
よりなる加熱温度可変のレジスト重合促進加熱用ホット
プレートであり、この中にはヒータ２が埋め込まれてお
り、コントローラ３によって温度制御されている。通常
は、ホッ゛ドブレート表面の温度を１００℃に設定して
いる。同図は、着色フォトレジスト４（富士ハントエレ
クトロニクステクノロジー（株）製のカラーモザイクＣ
ＢＶ）をガラス基板５上にスピンナにより均一に塗布し
、乾燥硬化し、マスクを介して露光した後、重合促進加
熱用ホットプレート１に載せられた状態を示している。
よりなる加熱温度可変のレジスト重合促進加熱用ホット
プレートであり、この中にはヒータ２が埋め込まれてお
り、コントローラ３によって温度制御されている。通常
は、ホッ゛ドブレート表面の温度を１００℃に設定して
いる。同図は、着色フォトレジスト４（富士ハントエレ
クトロニクステクノロジー（株）製のカラーモザイクＣ
ＢＶ）をガラス基板５上にスピンナにより均一に塗布し
、乾燥硬化し、マスクを介して露光した後、重合促進加
熱用ホットプレート１に載せられた状態を示している。
すなわち着色フォトレジスト４はガラス基板５を介して
ホットプレート１から加熱されている。感光性モノマー
の重合反応率を検出する方法として、モノマーに含まれ
ている炭素原子間二重結合の赤外線（８１０ｃｍ−１）
に対する吸収特性を利用するＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換
赤外吸収分析法）を用いている。６はＦＴ−ＩＲ光学系
である。赤外線７を露光部のレジスト膜に照射し反射光
７゛を受光し、８のＦＴ−Ｉ Ｒ演算処理部でモノマー
の二重結合による赤外線吸収度合から重合反応率を計測
する。重合反応率の値は３のコントローラに入力され、
重合反応率が７０％まで向上したとき、ホットプレート
１に埋め込まれたヒータ２に供給する電力を変化させホ
ットプレート１による加熱を停止する。従って、重合反
応は停止し、重合反応率７０％で一定のレジスト膜が得
られる。重合反応率の７０％という値は、現像方式、現
像条件等によって変化する値であるが、ここで用いたデ
イツプ現像方式においては、優れたパターン精度を得る
ための最適値である。この重合反応率は現像後のボスト
ベーク熱処理によってさらに向上し約１００％になる。
ホットプレート１から加熱されている。感光性モノマー
の重合反応率を検出する方法として、モノマーに含まれ
ている炭素原子間二重結合の赤外線（８１０ｃｍ−１）
に対する吸収特性を利用するＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換
赤外吸収分析法）を用いている。６はＦＴ−ＩＲ光学系
である。赤外線７を露光部のレジスト膜に照射し反射光
７゛を受光し、８のＦＴ−Ｉ Ｒ演算処理部でモノマー
の二重結合による赤外線吸収度合から重合反応率を計測
する。重合反応率の値は３のコントローラに入力され、
重合反応率が７０％まで向上したとき、ホットプレート
１に埋め込まれたヒータ２に供給する電力を変化させホ
ットプレート１による加熱を停止する。従って、重合反
応は停止し、重合反応率７０％で一定のレジスト膜が得
られる。重合反応率の７０％という値は、現像方式、現
像条件等によって変化する値であるが、ここで用いたデ
イツプ現像方式においては、優れたパターン精度を得る
ための最適値である。この重合反応率は現像後のボスト
ベーク熱処理によってさらに向上し約１００％になる。
以上、ホットプレート１の温度を一定に保ったまま、加
熱時間を制御する実施例を示した。赤色あるいは緑色の
着色フォトレジストでは、透過率が高く、レジスト内部
で露光だけでも重合が進み、重合促進加熱を行う前にす
でに重合反応率が６０％近くまで達する場合がある。こ
のとき、１００℃程度の高温で重合促進加熱を行うと、
急激に重合がすすみ、重合反応率が７０％を越えてしま
う危険がある。このような場合は、初期の重合反応率の
値によりホットプレートの設定温度を変化させる。すな
わち、初期の重合反応率が高い場合は、コントローラ３
によりホットプレー１・１の温度設定を低くする。反対
に、初期の重合反応率が低い場合は設定温度を高くして
、加熱に要する時間を短縮する。
熱時間を制御する実施例を示した。赤色あるいは緑色の
着色フォトレジストでは、透過率が高く、レジスト内部
で露光だけでも重合が進み、重合促進加熱を行う前にす
でに重合反応率が６０％近くまで達する場合がある。こ
のとき、１００℃程度の高温で重合促進加熱を行うと、
急激に重合がすすみ、重合反応率が７０％を越えてしま
う危険がある。このような場合は、初期の重合反応率の
値によりホットプレートの設定温度を変化させる。すな
わち、初期の重合反応率が高い場合は、コントローラ３
によりホットプレー１・１の温度設定を低くする。反対
に、初期の重合反応率が低い場合は設定温度を高くして
、加熱に要する時間を短縮する。
発明の効果
本発明は、レジストを基板上に塗布・硬化した後、露光
を行い、再び前記基板の裏面から接触伝導加熱を行う際
に、レジストに含まれているモノマーの重合反応率に応
じて加熱温度、加熱時間を制御するものであり、レジス
ト種類や重合促進加熱プロセス以前のプロセス条件等に
影響されず、常に一定の高い重合反応率を確保すること
が出来る。この結果、同一の現像条件で、レジスト膜下
部のサイドエッチがなく、欠は争剥離のないパターンが
安定して形成出来る。以上のように、加熱温度及び／又
は加熱時間を制御することが出来る。
を行い、再び前記基板の裏面から接触伝導加熱を行う際
に、レジストに含まれているモノマーの重合反応率に応
じて加熱温度、加熱時間を制御するものであり、レジス
ト種類や重合促進加熱プロセス以前のプロセス条件等に
影響されず、常に一定の高い重合反応率を確保すること
が出来る。この結果、同一の現像条件で、レジスト膜下
部のサイドエッチがなく、欠は争剥離のないパターンが
安定して形成出来る。以上のように、加熱温度及び／又
は加熱時間を制御することが出来る。
第１図は本発明の一実施例のレジスト重合促進加熱方法
に使用される装置を示す略示構成図、第２図は従来の着
色フォトレジスト膜をパターニングするためのプロセス
フローの一例を示スブロック図である。 ｌ・・・ホットプレート、３・・・コントローラ、４・
・・着色フォトレジスト膜、５・・・ガラス基板、６・
、・・ＦＴ−ＩＲ光学系、８・・・ＦＴ−Ｉ Ｒ演算処
理部。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第２図 第 図
に使用される装置を示す略示構成図、第２図は従来の着
色フォトレジスト膜をパターニングするためのプロセス
フローの一例を示スブロック図である。 ｌ・・・ホットプレート、３・・・コントローラ、４・
・・着色フォトレジスト膜、５・・・ガラス基板、６・
、・・ＦＴ−ＩＲ光学系、８・・・ＦＴ−Ｉ Ｒ演算処
理部。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第２図 第 図
Claims (2)
- （１）レジストを基板上に塗布、硬化した後、露光を行
い、再び前記基板の裏面から接触伝導加熱を行う際に、
レジストに含まれているモノマーの重合反応率に応じて
加熱温度及び／又は加熱時間を制御することを特徴とす
るレジスト重合促進加熱方法。 - （２）レジストを塗布された基板の裏面に接触して伝導
加熱する加熱温度及び／又は時間調整可能な加熱手段と
、レジストに含まれているモノマーの重合反応率を検出
する検出手段と、その検出手段の検出結果に応じて前記
加熱手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とす
るレジスト重合促進加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1109343A JP2538052B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | レジスト重合促進加熱方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1109343A JP2538052B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | レジスト重合促進加熱方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02287456A true JPH02287456A (ja) | 1990-11-27 |
| JP2538052B2 JP2538052B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=14507819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1109343A Expired - Lifetime JP2538052B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | レジスト重合促進加熱方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2538052B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57142637A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Fujitsu Ltd | Treatment of negative type resist |
| JPS60115222A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1109343A patent/JP2538052B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57142637A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Fujitsu Ltd | Treatment of negative type resist |
| JPS60115222A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2538052B2 (ja) | 1996-09-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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