JPH02288033A - 真空バルブ用接点材料 - Google Patents
真空バルブ用接点材料Info
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- JPH02288033A JPH02288033A JP10874289A JP10874289A JPH02288033A JP H02288033 A JPH02288033 A JP H02288033A JP 10874289 A JP10874289 A JP 10874289A JP 10874289 A JP10874289 A JP 10874289A JP H02288033 A JPH02288033 A JP H02288033A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
この発明は、真空バルブの接点材料に用いられる焼結合
金に関し、より詳細には、電流さい所持性および高周波
消弧特性を改良した真空バルブ用接点材料に関する。
金に関し、より詳細には、電流さい所持性および高周波
消弧特性を改良した真空バルブ用接点材料に関する。
(従来の技術)
真空中でのアーク拡散性を利用して高真空中で電流しゃ
断を行なわせる真空バルブの接点は、対向する固定、可
動の2つの接点から構成されている。この真空バルブを
用いて、電動機負荷などの誘導性回路の電流をしゃ断す
るとき、過度の異常サージ電圧が発生し、負荷機器を破
壊させる恐れがある。
断を行なわせる真空バルブの接点は、対向する固定、可
動の2つの接点から構成されている。この真空バルブを
用いて、電動機負荷などの誘導性回路の電流をしゃ断す
るとき、過度の異常サージ電圧が発生し、負荷機器を破
壊させる恐れがある。
この異常サージ電圧の発生原因は、例えば、真空中にお
ける小電流しゃ断時に発生するさい新現象(交流電流波
形の自然ゼロ点を待たずに強制的に電流しゃ断が行われ
ること)、或いは高周波消弧現象などによるものである
。
ける小電流しゃ断時に発生するさい新現象(交流電流波
形の自然ゼロ点を待たずに強制的に電流しゃ断が行われ
ること)、或いは高周波消弧現象などによるものである
。
さい新現象による異常サージ電圧の値Vsは、回路のサ
ージインピーダンスZoと、電流さい断値1cの積、す
なわちVs−Zo−1cで表される。従って、異常サー
ジ電圧Vsを低くするためには電流さい断値1cを小さ
くしなくてはならない。
ージインピーダンスZoと、電流さい断値1cの積、す
なわちVs−Zo−1cで表される。従って、異常サー
ジ電圧Vsを低くするためには電流さい断値1cを小さ
くしなくてはならない。
上記の要求に対して、炭化タングステン(WC)と銀(
Ag)とを複合化した合金の接点を用いた真空開閉器が
開発され(特願昭42−68447号、米国特許第36
83138号)、これが実用化されている。
Ag)とを複合化した合金の接点を用いた真空開閉器が
開発され(特願昭42−68447号、米国特許第36
83138号)、これが実用化されている。
このA g −WC系合金の接点は、
(1)WCの介在が電子放射を容易にさせ、(2)電界
放射電子の衝突による電極面の加熱に基づく接点材料の
蒸発を促進させ、更に、(3)接点材料の炭化物がアー
クにより分解し、荷電体を生成してアークを接続する等
の点で優れた低さい断電流特性を発揮する。
放射電子の衝突による電極面の加熱に基づく接点材料の
蒸発を促進させ、更に、(3)接点材料の炭化物がアー
クにより分解し、荷電体を生成してアークを接続する等
の点で優れた低さい断電流特性を発揮する。
また、低さい断電流特性を発揮する他の接点材料として
、ビスマス(Bi)と同(Cu)とを複合化した合金が
製造され、この材料が真空バルブに実用化されている(
特公昭35−14974号、米国特許第2975256
号、特公昭41−12131号、米国特許第32469
79号)。
、ビスマス(Bi)と同(Cu)とを複合化した合金が
製造され、この材料が真空バルブに実用化されている(
特公昭35−14974号、米国特許第2975256
号、特公昭41−12131号、米国特許第32469
79号)。
この合金のうち、Biを10重量%(以下wt%)とし
たもの(特公昭35−14974号)は、その適度な蒸
気圧特性を有するので、低いさい断電流特性を発揮し、
また、Biを0,5wt%としたもの(特公昭41−1
2131号)は、結晶粒界に偏析して存在する結果、合
金自体を脆化し、低い溶着用外力を実現し大電流しゃ断
性に優れている。
たもの(特公昭35−14974号)は、その適度な蒸
気圧特性を有するので、低いさい断電流特性を発揮し、
また、Biを0,5wt%としたもの(特公昭41−1
2131号)は、結晶粒界に偏析して存在する結果、合
金自体を脆化し、低い溶着用外力を実現し大電流しゃ断
性に優れている。
低さい断電流特性を得る他の接点材料として、AgとC
uとの比率をほぼ7:3としたAg−Cu−WC合金が
提案されている(特開昭58−157015号)。この
合金において、従来にない限定をしたAgとCuとの比
率を選択するので、安定したさい断電流特性を発揮する
と記載されている。
uとの比率をほぼ7:3としたAg−Cu−WC合金が
提案されている(特開昭58−157015号)。この
合金において、従来にない限定をしたAgとCuとの比
率を選択するので、安定したさい断電流特性を発揮する
と記載されている。
更に、特開昭62−77439号公報には、耐弧性材料
の粒径(例えば、WCの粒径)を0. 2〜1μmとす
ることにより、低さい断電流特性の改善に有効であるこ
とが示唆されている。
の粒径(例えば、WCの粒径)を0. 2〜1μmとす
ることにより、低さい断電流特性の改善に有効であるこ
とが示唆されている。
(発明が解決しようとする課題)
真空しゃ断器には、低サージ性が要求され、そのために
、従来では、上述のように低さい断電流特性(低チョッ
ピング特性)が要求されていた。
、従来では、上述のように低さい断電流特性(低チョッ
ピング特性)が要求されていた。
しかしながら、真空バルブは、近年、電動機等の誘導性
回路に適用されることが一層増えると共に、高サージイ
ンピーダンス負荷も出現したため、真空バルブは一層安
定した低さい断電流特性を持つことが望まれるのは勿論
のこと、高周波消弧特性(高周波電流しゃ断能力)につ
いても兼備し満足しなくてはならない。これは、電流さ
い断によるサージ以外に繰返し高周波再発弧によるサー
ジが負荷の絶縁にとって脅威となることが判明したから
である。
回路に適用されることが一層増えると共に、高サージイ
ンピーダンス負荷も出現したため、真空バルブは一層安
定した低さい断電流特性を持つことが望まれるのは勿論
のこと、高周波消弧特性(高周波電流しゃ断能力)につ
いても兼備し満足しなくてはならない。これは、電流さ
い断によるサージ以外に繰返し高周波再発弧によるサー
ジが負荷の絶縁にとって脅威となることが判明したから
である。
従来、これらの両特性を同時に満足させる接点材料はな
かった。
かった。
すなわち、前記電流さい断によるサージ(過電圧)は、
電流さい断値を小さくすることにより改善できるが、一
方の繰返し高周波再発弧によるサージは、電流さい断器
、電極間で絶縁破壊が発生した時に回路条件により流れ
る高周波電流をしゃ断することで、回復電圧値が増大し
、更に、電極間での絶縁破壊が発生する過程の繰返しに
よって回復電圧値が増大し、過大なサージ電圧を発生さ
せるものである。この場合では、高周波電流を消弧する
ために発生するものであり、高周波消弧特性をサージ電
圧が小さくなるように改善させることにより、発生サー
ジを低減させることができるため、高周波数電流放電の
続弧特性の改良・安定化を計る必要がある。
電流さい断値を小さくすることにより改善できるが、一
方の繰返し高周波再発弧によるサージは、電流さい断器
、電極間で絶縁破壊が発生した時に回路条件により流れ
る高周波電流をしゃ断することで、回復電圧値が増大し
、更に、電極間での絶縁破壊が発生する過程の繰返しに
よって回復電圧値が増大し、過大なサージ電圧を発生さ
せるものである。この場合では、高周波電流を消弧する
ために発生するものであり、高周波消弧特性をサージ電
圧が小さくなるように改善させることにより、発生サー
ジを低減させることができるため、高周波数電流放電の
続弧特性の改良・安定化を計る必要がある。
WCとAgとを複合化した合金の接点(特願昭42−6
8447号、米国特許第3683138号)では、さい
断電流値自体が不十分であるのみならず、高周波消弧特
性の改善に対して何等の配慮がなされていない。
8447号、米国特許第3683138号)では、さい
断電流値自体が不十分であるのみならず、高周波消弧特
性の改善に対して何等の配慮がなされていない。
10wt%のBiとCuとを複合化した合金(特公昭3
5−14974号、米国特許第2975256号)では
、開閉回数の増大と共に電極間空間への金属供給量が減
少し、低さい断電流特性の劣化が現れ、高蒸気圧元素量
に依存して耐電圧特性の劣化も指摘されている。しかも
、高周波消弧特性を十分に満足していない。
5−14974号、米国特許第2975256号)では
、開閉回数の増大と共に電極間空間への金属供給量が減
少し、低さい断電流特性の劣化が現れ、高蒸気圧元素量
に依存して耐電圧特性の劣化も指摘されている。しかも
、高周波消弧特性を十分に満足していない。
Q、5wt%のBiとCuとを複合化した合金(特公昭
41−12131号、米国特許第3246979号)で
は、低さい断電流特性が不十分である。
41−12131号、米国特許第3246979号)で
は、低さい断電流特性が不十分である。
また、AgとCuとの重量比率をほぼ7:3としたAg
−Cu−WC合金(特開昭58−157015号)およ
び耐弧性材料の粒径を0.2〜1μmとする合金(特開
昭62−77439号)では、高周波消弧特性を十分に
満足していない。
−Cu−WC合金(特開昭58−157015号)およ
び耐弧性材料の粒径を0.2〜1μmとする合金(特開
昭62−77439号)では、高周波消弧特性を十分に
満足していない。
この発明は上述の背景に基づきなされたものであり、そ
の目的とするところは、優れた低さい断電流特性と高周
波消弧特性を兼備し、苛酷化する真空しゃ断器への要求
に応える接点材料を提供することである。
の目的とするところは、優れた低さい断電流特性と高周
波消弧特性を兼備し、苛酷化する真空しゃ断器への要求
に応える接点材料を提供することである。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段)
この発明者は、上記の課題解決のために研究開発を進め
た結果、Ag−Cu−金属硼化物系接点材料において、
AgとCuとの含有量、その比率および存在状態を最適
化すると共に、耐弧性成分の金属硼化物の粒径及び量を
最適化すれば、この発明の目的達成に有効であるとの知
見を得て、この発明を完成するに至った。
た結果、Ag−Cu−金属硼化物系接点材料において、
AgとCuとの含有量、その比率および存在状態を最適
化すると共に、耐弧性成分の金属硼化物の粒径及び量を
最適化すれば、この発明の目的達成に有効であるとの知
見を得て、この発明を完成するに至った。
すなわち、この発明の真空バルブ用接点材料は、Agお
よびCuの高導電性成分と金属硼化物の耐弧性成分とを
含むAg−Cu−金属硼化物系真空バルブ用接点材料で
あって、 (i) 高導電性成分の含a量は、AgとCuとの総
計ffi(Ag+Cu)が20〜65wt%であり、A
gとCuとの総計量中に占めるAgの比率(Ag/ (
Ag+Cu)〕が40〜80wt%であり、 (il) 耐弧性成分の含有量は、35〜80w t
%であり、 (iii) この接点材料の組織は、高導電性成分の
マトリックスおよび厚さまたは幅5μm以下の不連続相
と、10μm以下の好ましくは3μm以下の耐弧性成分
の不連続粒とからなり、高導電性成分の不連続相が、マ
トリックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分
散されていることを特徴とするものである。
よびCuの高導電性成分と金属硼化物の耐弧性成分とを
含むAg−Cu−金属硼化物系真空バルブ用接点材料で
あって、 (i) 高導電性成分の含a量は、AgとCuとの総
計ffi(Ag+Cu)が20〜65wt%であり、A
gとCuとの総計量中に占めるAgの比率(Ag/ (
Ag+Cu)〕が40〜80wt%であり、 (il) 耐弧性成分の含有量は、35〜80w t
%であり、 (iii) この接点材料の組織は、高導電性成分の
マトリックスおよび厚さまたは幅5μm以下の不連続相
と、10μm以下の好ましくは3μm以下の耐弧性成分
の不連続粒とからなり、高導電性成分の不連続相が、マ
トリックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分
散されていることを特徴とするものである。
尚、ここで示した金属硼化物とは、Ti、V。
Cr SZ r % N b SM o ST a S
W SL aからなる群から選ばれた金属の硼化物、例
えばTiBっ、V B 、 V B 2、CrB5Cr
B2、Cr5B3、Cr B1zrB2、NB、NB2
、M O2B −MoB5MoB2、Mo2B5、Ta
B。
W SL aからなる群から選ばれた金属の硼化物、例
えばTiBっ、V B 、 V B 2、CrB5Cr
B2、Cr5B3、Cr B1zrB2、NB、NB2
、M O2B −MoB5MoB2、Mo2B5、Ta
B。
T a B 2、WBSW2B1W2B5、L a B
6などである。
6などである。
また、上記高導電性成分であるAgとCuとの総計量(
Ag+Cu)は、金属硼化物が硼化チタンの場合では1
0〜45%、ジルコニウム硼化物では10〜55%、バ
ナジウム硼化物では10〜50%、ニオブ硼化物では、
10〜60%、タンタル硼化物では、20〜70%、ク
ロム硼化物では、10〜55%、モリブデン棚化物では
15〜60%、ランタン硼化物では10〜50%、タン
グステン硼化物では20〜65%の範囲にあることが好
ましい。
Ag+Cu)は、金属硼化物が硼化チタンの場合では1
0〜45%、ジルコニウム硼化物では10〜55%、バ
ナジウム硼化物では10〜50%、ニオブ硼化物では、
10〜60%、タンタル硼化物では、20〜70%、ク
ロム硼化物では、10〜55%、モリブデン棚化物では
15〜60%、ランタン硼化物では10〜50%、タン
グステン硼化物では20〜65%の範囲にあることが好
ましい。
この発明の一態様では、高導電性成分の厚さまたは幅5
μm以下の不連続相がマトリックス中で5μm以下の間
隔で微細にかつ均一に分散されている存在状態を示す部
分において、高導電性成分のマトリックスおよび不連続
相が、各々、Agを溶解したCu固溶体およびCuを溶
解したAg固溶体もしくは、Cuを溶解したAg固溶体
およびAgを溶解したCu固溶体である。
μm以下の不連続相がマトリックス中で5μm以下の間
隔で微細にかつ均一に分散されている存在状態を示す部
分において、高導電性成分のマトリックスおよび不連続
相が、各々、Agを溶解したCu固溶体およびCuを溶
解したAg固溶体もしくは、Cuを溶解したAg固溶体
およびAgを溶解したCu固溶体である。
この発明の望ましい更に別の態様において、高導電性成
分について、厚さまたは幅5μm以下の不連続相がマト
リックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散
されている存在状態は、高導電性成分総計量のうちの少
なくとも50而積%占める。
分について、厚さまたは幅5μm以下の不連続相がマト
リックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散
されている存在状態は、高導電性成分総計量のうちの少
なくとも50而積%占める。
(作 用)
電流さい断時性の改善には、電流さい断値自体をより低
い値に維持すること以外に、そのばらつき幅を縮めるこ
とも極めて重要である。前述の電流さい新現象は、接点
間の蒸気量(材料物性としては蒸気圧、熱伝導)、接点
材料からの放出電子などと関係が深いとされ、発明者ら
の実験によれば、前者の方が寄与が大きいことが判明し
た。従って、蒸気を供給し易くするか、あるいは供給し
晶い材料で接点を作成すれば電流さい新現象が緩和でき
ることが判明した。上述のCu−B1系合金はこうした
観点に立つもので、低いさい断値を有する。しかしなが
ら、致命的な欠点として、Biが持ち低融点(271℃
)のために通常真空バルブで行われる600℃近傍のベ
ーキング或いは800℃の銀ろう付は作業時に、Biの
溶融による移動・凝集の結果、電流さい断時性を維持す
べきBiの存在が不均一になってしまう。このため、電
流さい断値のばらつき幅が増大する現象が見られる。
い値に維持すること以外に、そのばらつき幅を縮めるこ
とも極めて重要である。前述の電流さい新現象は、接点
間の蒸気量(材料物性としては蒸気圧、熱伝導)、接点
材料からの放出電子などと関係が深いとされ、発明者ら
の実験によれば、前者の方が寄与が大きいことが判明し
た。従って、蒸気を供給し易くするか、あるいは供給し
晶い材料で接点を作成すれば電流さい新現象が緩和でき
ることが判明した。上述のCu−B1系合金はこうした
観点に立つもので、低いさい断値を有する。しかしなが
ら、致命的な欠点として、Biが持ち低融点(271℃
)のために通常真空バルブで行われる600℃近傍のベ
ーキング或いは800℃の銀ろう付は作業時に、Biの
溶融による移動・凝集の結果、電流さい断時性を維持す
べきBiの存在が不均一になってしまう。このため、電
流さい断値のばらつき幅が増大する現象が見られる。
一方、A g−WBで代表されるAg−耐弧性材料合金
では、耐弧性材料(この場合金属硼化物)の沸点におけ
るAgの蒸気量に左右されるものの他方、前記Cu−B
1系におけるBiの蒸気圧よりAgの蒸気圧は著しく低
いために接点のどの位置に(Agか耐弧性材料か)アー
クの足が固着するかによって、温度不足すなわち蒸気不
足を招くことがある。結果的には、電流さい断値のばら
つき幅が現れることが確認された。
では、耐弧性材料(この場合金属硼化物)の沸点におけ
るAgの蒸気量に左右されるものの他方、前記Cu−B
1系におけるBiの蒸気圧よりAgの蒸気圧は著しく低
いために接点のどの位置に(Agか耐弧性材料か)アー
クの足が固着するかによって、温度不足すなわち蒸気不
足を招くことがある。結果的には、電流さい断値のばら
つき幅が現れることが確認された。
このように電流さい断終期の接点面の急激な温度低下を
Agと耐弧性材料との組合わせのみによる合金によって
阻止しアークを維持させることは限界であると考えられ
た。更に、高性能化するためには、何等かの補助技術を
付与する必要があるとの結論に至った。この改良の1つ
の考えとして前記特開昭58−157015号明細書で
は、高導電性成分をAgとCuとの合金にすることによ
って結晶粒を細かく分布させる技術を提案している。そ
して、この技術により飛躍的に特性の安定化が図られた
。この場合、アークが主として固着する位置が、耐弧性
成分の場合とAg−Cu系合金との場合があり、いずれ
の場合もAg−Cu蒸気の供給による電流さい新現象の
緩和(改良)が行われるが、耐弧性成分に固着した場合
には、若千のばらつきが発生した。
Agと耐弧性材料との組合わせのみによる合金によって
阻止しアークを維持させることは限界であると考えられ
た。更に、高性能化するためには、何等かの補助技術を
付与する必要があるとの結論に至った。この改良の1つ
の考えとして前記特開昭58−157015号明細書で
は、高導電性成分をAgとCuとの合金にすることによ
って結晶粒を細かく分布させる技術を提案している。そ
して、この技術により飛躍的に特性の安定化が図られた
。この場合、アークが主として固着する位置が、耐弧性
成分の場合とAg−Cu系合金との場合があり、いずれ
の場合もAg−Cu蒸気の供給による電流さい新現象の
緩和(改良)が行われるが、耐弧性成分に固着した場合
には、若千のばらつきが発生した。
一方、耐弧性成分をより微細化することで、ばらつき幅
の改善が見られる。従って、耐弧性成分の粒径が電流さ
い新現象に重要な役割を果たすことを示唆すると共に、
耐弧性成分が初期粒径のほぼ10〜20倍程の大きさに
偏析が見られた接点材料では著しいばらつきを示した観
察結果を併せて考慮すると、粒径に特定の範囲があるこ
とを示唆している。
の改善が見られる。従って、耐弧性成分の粒径が電流さ
い新現象に重要な役割を果たすことを示唆すると共に、
耐弧性成分が初期粒径のほぼ10〜20倍程の大きさに
偏析が見られた接点材料では著しいばらつきを示した観
察結果を併せて考慮すると、粒径に特定の範囲があるこ
とを示唆している。
しかしながら、特開昭58−157015号明細書のよ
うに、AgとCuとの量およびWCの粒径を所定の値に
制御して、さい断電流特性の改tに対しては、重要な技
術的進展が見られたものの、これらの技術から、より一
層の低さい断電流特性の向上および高周波消弧特性の確
保、特に高周波消弧特性の改善は得られなかった。
うに、AgとCuとの量およびWCの粒径を所定の値に
制御して、さい断電流特性の改tに対しては、重要な技
術的進展が見られたものの、これらの技術から、より一
層の低さい断電流特性の向上および高周波消弧特性の確
保、特に高周波消弧特性の改善は得られなかった。
前述の様に、繰返し高周波再発弧によるサージは、電流
さい断器、電極間で絶縁破壊が発生した時に回路条件に
より流れる高周波電流をしゃ断することで、回復電圧値
が増大し、更に、電極間での絶縁破壊が発生する過程の
繰返しによって回復電圧値が増大し、過大なサージ電圧
を発生させるものである。過大なサージ電圧を抑制する
ためには、微小電極間ギャップでの絶縁破壊時に流れる
高周波電流放電を消弧させることなく、商用周波数の負
荷電流が立ち上がってくるまで、続弧させるのが望まし
い。
さい断器、電極間で絶縁破壊が発生した時に回路条件に
より流れる高周波電流をしゃ断することで、回復電圧値
が増大し、更に、電極間での絶縁破壊が発生する過程の
繰返しによって回復電圧値が増大し、過大なサージ電圧
を発生させるものである。過大なサージ電圧を抑制する
ためには、微小電極間ギャップでの絶縁破壊時に流れる
高周波電流放電を消弧させることなく、商用周波数の負
荷電流が立ち上がってくるまで、続弧させるのが望まし
い。
この商用周波数の負荷電流が立ち上がれば、次の電流ゼ
ロ点を向える時までには、しゃ断器は充分な電極間ギ丁
ツブ長に開離しているため、この電流ゼロ点後に電極間
で絶縁破壊を生じることなくまた繰返すことなくしゃ断
が完了する。このために前述したような過大なサージ電
圧の発生はない。
ロ点を向える時までには、しゃ断器は充分な電極間ギ丁
ツブ長に開離しているため、この電流ゼロ点後に電極間
で絶縁破壊を生じることなくまた繰返すことなくしゃ断
が完了する。このために前述したような過大なサージ電
圧の発生はない。
また、続弧には至らなくとも、高周波消弧能力を小さく
すれば、高周波再発弧によるサージが小さくなる。すな
わち、本発明者らは、微小電極間ギャップでの高周波電
流放電の続弧特性を改善すればよいとの着眼を得た。
すれば、高周波再発弧によるサージが小さくなる。すな
わち、本発明者らは、微小電極間ギャップでの高周波電
流放電の続弧特性を改善すればよいとの着眼を得た。
この続弧特性の改善の為に、本発明では、まず第1に、
高導電性成分のAgとCuとを共存させることを特徴と
している。しかも、■Cuを溶解したAg固溶体および
■Agを溶解したCu固溶体の、マトリックスおよび不
連続相(層状組織、または棒状組織)を形成し、この不
連続相の幅または厚みを5μm以下とし、かつこの不連
続相をマトリックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ
均一に分散させることによって、アークスポット径の大
きさに比べて同等若しくは好ましくはそれ以下となるよ
うに設計される。その結果、アークを維持・持続させる
機能を主として分担しているAgとCu成分(以下、ア
ーク維持材)の融点を低下させると同時に蒸気圧を上昇
させることができる。
高導電性成分のAgとCuとを共存させることを特徴と
している。しかも、■Cuを溶解したAg固溶体および
■Agを溶解したCu固溶体の、マトリックスおよび不
連続相(層状組織、または棒状組織)を形成し、この不
連続相の幅または厚みを5μm以下とし、かつこの不連
続相をマトリックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ
均一に分散させることによって、アークスポット径の大
きさに比べて同等若しくは好ましくはそれ以下となるよ
うに設計される。その結果、アークを維持・持続させる
機能を主として分担しているAgとCu成分(以下、ア
ーク維持材)の融点を低下させると同時に蒸気圧を上昇
させることができる。
次いで、第2に、本発明においては、金属硼化物粒(た
とえばWB粒)の平均粒径は、10μm以下、好ましく
は、3.0μm1より好ましくは1.0μm以下に設定
する。この要件により、アーク維持材の分散を、より一
層高度微細分散状態にするのが促進される。すなわち、
本発明者らの知見によれば、単に、アーク維持材(Ag
とCu)の含有量およびその比率を所定の範囲に選択し
ても、後述する実施例・比較例に示すように、低さい所
持性と高周波消弧特性との両立が得られない。
とえばWB粒)の平均粒径は、10μm以下、好ましく
は、3.0μm1より好ましくは1.0μm以下に設定
する。この要件により、アーク維持材の分散を、より一
層高度微細分散状態にするのが促進される。すなわち、
本発明者らの知見によれば、単に、アーク維持材(Ag
とCu)の含有量およびその比率を所定の範囲に選択し
ても、後述する実施例・比較例に示すように、低さい所
持性と高周波消弧特性との両立が得られない。
本発明により、WB粒の平均粒径を所定の値と組合わせ
て初めてアーク維持材(AgとCu)の組織を高度に微
細化した効果を一層引出し、かつ安定化させることが可
能となる。
て初めてアーク維持材(AgとCu)の組織を高度に微
細化した効果を一層引出し、かつ安定化させることが可
能となる。
ところで、一般に、蒸気圧の高い材料の真空アーク中で
のイオンの電荷は低くなる傾向にある(参照、C,W、
Kia+blln著rErrosion and 1
oniza−tion in the Cathode
5pot Region of Vacuu*Arc
sJ 、Journal ol’ Applied P
hysics、 Vol、 44゜No、 7. p8
074.1973) 、すなわち、蒸発量が増加するだ
けでなく、イオン価数の低いイオンがアーク中に多く存
在することとなる。従って、微小電極間ギャップでの高
周波電流放電の際、電流ゼロ点を迎えるとき、微小電極
間ギャップ中に存在する残留プラズマ量は、アーク維持
材がAgのみ、或いはCuのみの場合よりも、AgとC
uとが所定の条件で存在する場合の方が多いことになる
。
のイオンの電荷は低くなる傾向にある(参照、C,W、
Kia+blln著rErrosion and 1
oniza−tion in the Cathode
5pot Region of Vacuu*Arc
sJ 、Journal ol’ Applied P
hysics、 Vol、 44゜No、 7. p8
074.1973) 、すなわち、蒸発量が増加するだ
けでなく、イオン価数の低いイオンがアーク中に多く存
在することとなる。従って、微小電極間ギャップでの高
周波電流放電の際、電流ゼロ点を迎えるとき、微小電極
間ギャップ中に存在する残留プラズマ量は、アーク維持
材がAgのみ、或いはCuのみの場合よりも、AgとC
uとが所定の条件で存在する場合の方が多いことになる
。
これは、この発明の目的である低さい所持性と高周波消
弧特性との同時確保において好ましい。
弧特性との同時確保において好ましい。
更に、AgよりもCuのイオンの方が質量が軽いが電流
ゼロ点時のイオンドリフト速度(Cuでは930m/s
ee SAgでは630 m/see )が多きい為に
(前記文献)、電極の衝突する時のエネルギーでは、C
uのエネルギーの方が大きくなる。このイオンインパク
トにより電極が局部的に加熱され、先に述べた残留プラ
ズマ量の効果と相乗して高周波小電流放電時に、電流ゼ
ロ点時を迎えても、新たにカソードとなる電極表面では
、新たにカソードスポットを生成し易くなり、高周波小
電流放電時での続弧特性は改善される。
ゼロ点時のイオンドリフト速度(Cuでは930m/s
ee SAgでは630 m/see )が多きい為に
(前記文献)、電極の衝突する時のエネルギーでは、C
uのエネルギーの方が大きくなる。このイオンインパク
トにより電極が局部的に加熱され、先に述べた残留プラ
ズマ量の効果と相乗して高周波小電流放電時に、電流ゼ
ロ点時を迎えても、新たにカソードとなる電極表面では
、新たにカソードスポットを生成し易くなり、高周波小
電流放電時での続弧特性は改善される。
この様な改善された続弧特性を有するために、微小電極
間ギャップ時、絶縁破壊が発生しても商用周波数の負荷
電流が立ち上がり易くなり、結果的に0.5サイクルア
一ク時間を延長することになって、電極が充分に開極し
た後に電流ゼロ点時を迎えるために、過大なサージ電圧
の発生を迎えることかできるのである。この様に、本願
発明のAgとCuとの含有量、その比率および存在状態
、更に、耐弧性成分のWBの粒径を一層微細化すること
により、低さい所持性と高周波特性とを同時に改良する
ことができるのである。
間ギャップ時、絶縁破壊が発生しても商用周波数の負荷
電流が立ち上がり易くなり、結果的に0.5サイクルア
一ク時間を延長することになって、電極が充分に開極し
た後に電流ゼロ点時を迎えるために、過大なサージ電圧
の発生を迎えることかできるのである。この様に、本願
発明のAgとCuとの含有量、その比率および存在状態
、更に、耐弧性成分のWBの粒径を一層微細化すること
により、低さい所持性と高周波特性とを同時に改良する
ことができるのである。
次に、図面を参照しつつ、この発明をより具体的に説明
する。
する。
第1図は真空バルブの断面図、第2図は真空バルブの電
極部の拡大断面図である。
極部の拡大断面図である。
第1図に於いて、しゃ新字1は、絶縁材料によりほぼ円
筒状に形成された絶縁容器2と、この両端に封止金具3
a、3bを介して設けた金属性の蓋体4a、4bとで真
空密に構成されている。
筒状に形成された絶縁容器2と、この両端に封止金具3
a、3bを介して設けた金属性の蓋体4a、4bとで真
空密に構成されている。
前記しゃ断室1内には、導電棒5,6の対向する端部に
取付けられた1対の電極7,8が配設され、上部の電極
7を固定電極、下部の電極8を可動電極としている。ま
たこの電極8の電極棒6には、ベローズ9が取付けられ
しゃ断室1内を真空密に保持しながら電極8の軸方向の
移動を可能にしている。またこのベローズ9上部には金
属性のアークシールド10が設けられ、ベローズ9がア
ーク蒸気で覆われることを防止している。また、前記電
極7.8を覆うようにしゃ断室1内に金属性のアークシ
ールド11が設けられ、これにより絶縁容器2がアーク
蒸気で覆われることを防止している。更に電極8は、第
2図に拡大して示す如く導電棒6にろう何部12によっ
て固定されるか、又はかしめによって圧着接続されてい
る。接点13aは電極8にろう付14によってろう付で
取付けられる。なお、接点13bは電極7にろう付によ
り取付けられる。
取付けられた1対の電極7,8が配設され、上部の電極
7を固定電極、下部の電極8を可動電極としている。ま
たこの電極8の電極棒6には、ベローズ9が取付けられ
しゃ断室1内を真空密に保持しながら電極8の軸方向の
移動を可能にしている。またこのベローズ9上部には金
属性のアークシールド10が設けられ、ベローズ9がア
ーク蒸気で覆われることを防止している。また、前記電
極7.8を覆うようにしゃ断室1内に金属性のアークシ
ールド11が設けられ、これにより絶縁容器2がアーク
蒸気で覆われることを防止している。更に電極8は、第
2図に拡大して示す如く導電棒6にろう何部12によっ
て固定されるか、又はかしめによって圧着接続されてい
る。接点13aは電極8にろう付14によってろう付で
取付けられる。なお、接点13bは電極7にろう付によ
り取付けられる。
次に、この接点材料の製造方法の一例につき説明する。
製造に先立って、必要粒径別に耐弧性成分および補助成
分を分類する。分類作業は例えば篩分けと沈降法とを併
用して行うことで容易に所定粒径の粉末を得る。まず所
定粒径の金属硼化物(以下代表的にWBの場合について
述べる)を所定量、および所定粒径のAgを所定量の一
部用意し、これらを混合し、その後加圧成型して粉末成
形体を得る。
分を分類する。分類作業は例えば篩分けと沈降法とを併
用して行うことで容易に所定粒径の粉末を得る。まず所
定粒径の金属硼化物(以下代表的にWBの場合について
述べる)を所定量、および所定粒径のAgを所定量の一
部用意し、これらを混合し、その後加圧成型して粉末成
形体を得る。
ついで、この粉末成形体を露点が一50℃以−ドの水素
雰囲気或いは真空度が、1.3X10’Pa以下で、所
定温度、例えば1150℃×1時間にて仮焼結し、仮焼
結体を得る。
雰囲気或いは真空度が、1.3X10’Pa以下で、所
定温度、例えば1150℃×1時間にて仮焼結し、仮焼
結体を得る。
ついで、この仮焼結体の残存空孔中に所定量および所定
比率のAg−Cuを1150℃×1時間で溶浸しAg−
Cu−WB合金を得る。溶浸は主として真空中で行うが
、水素中でも可能である。
比率のAg−Cuを1150℃×1時間で溶浸しAg−
Cu−WB合金を得る。溶浸は主として真空中で行うが
、水素中でも可能である。
尚、合金中の導電成分の比率Ag/(Ag十Cu)の制
御は、次の様にして行った。例えばあらかじめ所定比率
Ag/ (Ag+Cu)を有するインゴットを、温度1
200℃、真空度1.3×10’Paで真空溶解を行な
い、切断し溶浸用素材として用いた。導電成分の比率A
g/(Ag+Cu)の制御の他の方法は仮焼結体を作る
際、あらかじめ、所定量の一部をWB中に混合させてお
き後から残余のAgまたはAg+Cuを溶浸させること
でも、所望組成の接点合金を得ることが出来る。
御は、次の様にして行った。例えばあらかじめ所定比率
Ag/ (Ag+Cu)を有するインゴットを、温度1
200℃、真空度1.3×10’Paで真空溶解を行な
い、切断し溶浸用素材として用いた。導電成分の比率A
g/(Ag+Cu)の制御の他の方法は仮焼結体を作る
際、あらかじめ、所定量の一部をWB中に混合させてお
き後から残余のAgまたはAg+Cuを溶浸させること
でも、所望組成の接点合金を得ることが出来る。
(実施例)
次に、本発明実施例データを得た評価方法、および評価
条件につき述べる。
条件につき述べる。
(1)電流さい所持性
各接点を取付けて1O−3Pa以下に排気したX■立て
式真空バルブを製作し、この装置を0,8m/秒の開極
速度で開極させ遅れ小電流をしゃ断した時のさい断電流
を731定した。しゃ断電流は20A(実効値) 、5
0Hzとした。開極位相はランダムに行い500回しゃ
断されたときのさい断電流を接点数3個につきΔ−j定
しその平均値および最大値を第1〜6表に示した。尚、
数値は、実施例2のさい断電流値の平均値を1. 0と
した場合の相対値で示した。
式真空バルブを製作し、この装置を0,8m/秒の開極
速度で開極させ遅れ小電流をしゃ断した時のさい断電流
を731定した。しゃ断電流は20A(実効値) 、5
0Hzとした。開極位相はランダムに行い500回しゃ
断されたときのさい断電流を接点数3個につきΔ−j定
しその平均値および最大値を第1〜6表に示した。尚、
数値は、実施例2のさい断電流値の平均値を1. 0と
した場合の相対値で示した。
(2)高周波消弧特性
遅れ力率の小電流を開閉したとき、電流さい断によって
負荷側に過電圧が発生すると、真空バルブの極間にはそ
の過電圧と電源電圧の差が加わる。
負荷側に過電圧が発生すると、真空バルブの極間にはそ
の過電圧と電源電圧の差が加わる。
もし極間の電圧が接点間隙の耐電圧値を超えると絶縁破
壊して放電し、接点には過渡的な高周波電流が流れる。
壊して放電し、接点には過渡的な高周波電流が流れる。
この高周波電流がしゃ断されると再び最初の段階に戻っ
て過電圧が現われ、それがまた接点間隙を放電を起こさ
せるというくり返しになる。このようなくり返しの現象
は多重再発弧現象としてよく知られている。真空しゃ断
器のように高周波消弧能力の高いしゃ断器では、回路条
件によっては多重再発弧により大きなサージ電圧が発生
し、負荷機器(電動機や変圧器)の絶縁をおびやかすこ
とがある。一般に高周波消弧能力が小さいほど、再発弧
をくり返し難く、発生するサージは小さくなると言われ
ている。
て過電圧が現われ、それがまた接点間隙を放電を起こさ
せるというくり返しになる。このようなくり返しの現象
は多重再発弧現象としてよく知られている。真空しゃ断
器のように高周波消弧能力の高いしゃ断器では、回路条
件によっては多重再発弧により大きなサージ電圧が発生
し、負荷機器(電動機や変圧器)の絶縁をおびやかすこ
とがある。一般に高周波消弧能力が小さいほど、再発弧
をくり返し難く、発生するサージは小さくなると言われ
ている。
この高周波消弧特性を各接点について調べるために、各
接点を取付けて1O−3Pa以下に排気した真空バルブ
を製作し、この真空バルブを組込んだしゃ断器で6.
6kV、 150kVAの単相変圧器の負荷電流しゃ断
試験を行った。しゃ断器と変圧器間は長さ100mの6
.6kV単心CVケーブル(導体断面積200m1I)
で接続した。負荷電流は10A(実効値)、シゃ断器の
開極速度は0.8m/秒(平均)とし、しゃ断器の開極
位相を制御し、多重再発弧が発生する位相でしゃ断させ
た。
接点を取付けて1O−3Pa以下に排気した真空バルブ
を製作し、この真空バルブを組込んだしゃ断器で6.
6kV、 150kVAの単相変圧器の負荷電流しゃ断
試験を行った。しゃ断器と変圧器間は長さ100mの6
.6kV単心CVケーブル(導体断面積200m1I)
で接続した。負荷電流は10A(実効値)、シゃ断器の
開極速度は0.8m/秒(平均)とし、しゃ断器の開極
位相を制御し、多重再発弧が発生する位相でしゃ断させ
た。
多重再発弧時に接点に流れる過渡的な高周波電流はしゃ
断器廻りのインダクタンスと電源側、負荷側の浮遊キャ
パシタンスにより決まる周波数をもち、今回の試験では
過渡的な高周波電流の周波数は約100 kHzであっ
た。高周波消弧能力の測定は各接点につき20回のしゃ
断試験を行い、開極後1ms経過時の高周波消弧能力の
平均値を求めた。
断器廻りのインダクタンスと電源側、負荷側の浮遊キャ
パシタンスにより決まる周波数をもち、今回の試験では
過渡的な高周波電流の周波数は約100 kHzであっ
た。高周波消弧能力の測定は各接点につき20回のしゃ
断試験を行い、開極後1ms経過時の高周波消弧能力の
平均値を求めた。
表中の値は、実施例2の高周波消弧能力(上記条件で電
流しゃ断した電流零点時の電流減少率di/dt[A/
μ秒])を100とした場合の相対値を示す。
流しゃ断した電流零点時の電流減少率di/dt[A/
μ秒])を100とした場合の相対値を示す。
(3)供試接点の内容
表1〜3に供試接点の材料内容とその対応する特性デー
タを示す。
タを示す。
表のように、Ag−Cu−WB合金中のAg+Cu量を
13.2wt%〜88.6wt%、AgとCuとの比率
Ag/(Ag+Cu)を0〜100 w t%の範囲に
変化させ、かつAgとCuとの存在状態が、すなわち、
高導電性成分の厚さまたは幅5μm以下の不連続相(層
状または/および棒状組織)がマトリックス中で5μm
以下の間隔で微細にかつ均一に分散されている存在状態
の領域の占める割合を、例えば75〜100面積%、5
0面積%、25面積%、10面積%以下に区別けした。
13.2wt%〜88.6wt%、AgとCuとの比率
Ag/(Ag+Cu)を0〜100 w t%の範囲に
変化させ、かつAgとCuとの存在状態が、すなわち、
高導電性成分の厚さまたは幅5μm以下の不連続相(層
状または/および棒状組織)がマトリックス中で5μm
以下の間隔で微細にかつ均一に分散されている存在状態
の領域の占める割合を、例えば75〜100面積%、5
0面積%、25面積%、10面積%以下に区別けした。
これらは各接点の冷却過程に於ける冷却速度、すなわち
1000℃又はそれより高い温度より770℃までの間
の温度区域のうちの、任意の温度での温度差100℃間
の平均冷却速度を上記面積%となるよう調整しながら得
る。例えば好ましくは6℃/分より早い速度で冷却しな
がら凝固させることによって得る。0.6℃/分より遅
い速度ではAgとCuの分散に不利となる。
1000℃又はそれより高い温度より770℃までの間
の温度区域のうちの、任意の温度での温度差100℃間
の平均冷却速度を上記面積%となるよう調整しながら得
る。例えば好ましくは6℃/分より早い速度で冷却しな
がら凝固させることによって得る。0.6℃/分より遅
い速度ではAgとCuの分散に不利となる。
更に、使用する金属硼化物(例えばWBで代表)の粒径
を0. 1μm 〜170.czm (80n+csh
)の接点につき評価し、その効果を検討した。
を0. 1μm 〜170.czm (80n+csh
)の接点につき評価し、その効果を検討した。
これらの条件と対応する結果を表1〜表3に示した。
実施例1〜3、比較例1〜2
平均粒径3μmのWB粉末を用意する。必要によりこれ
らを所定比率混合後、焼結後の残存空隙量を調整するよ
う成形圧をゼロ−8トン/cdの範囲で適宜選択しなが
ら成形する。この場合、合金中のA g+ Cu量の多
い実施例3(Ag+Cu−65wt%)、比較例2 (
Ag十Cu−88,6wt%)では、成形圧を特に、低
くするか、若しくはあらかじめAg+Cuの一部をWB
と共に混合した混合粉を得て、これを成形する方法を採
する。これらの混合粉を成形後、実施例1、比較例1で
は、例えば1100〜1300℃で焼結し、WB又はW
B −A g −Cu焼結体を得る。実施例2〜3、
比較例2ではこれより低い焼結温度で焼結し焼結体を得
る。このようにして空隙量の異なる焼結体の空隙中に、
Ag+Cuを溶浸しく又は必要によりAgのみを溶浸す
ることもある)最終的にAg−Cu−WB合金中の(A
g+Cu)mが、13〜88wt%(比較例1〜2、実
施例1〜3)の合金を得る。これらの接点素材を所定の
形状に加工後、前述した評価方法、条件にて、さい断時
性および高周波消弧特性を評価した。
らを所定比率混合後、焼結後の残存空隙量を調整するよ
う成形圧をゼロ−8トン/cdの範囲で適宜選択しなが
ら成形する。この場合、合金中のA g+ Cu量の多
い実施例3(Ag+Cu−65wt%)、比較例2 (
Ag十Cu−88,6wt%)では、成形圧を特に、低
くするか、若しくはあらかじめAg+Cuの一部をWB
と共に混合した混合粉を得て、これを成形する方法を採
する。これらの混合粉を成形後、実施例1、比較例1で
は、例えば1100〜1300℃で焼結し、WB又はW
B −A g −Cu焼結体を得る。実施例2〜3、
比較例2ではこれより低い焼結温度で焼結し焼結体を得
る。このようにして空隙量の異なる焼結体の空隙中に、
Ag+Cuを溶浸しく又は必要によりAgのみを溶浸す
ることもある)最終的にAg−Cu−WB合金中の(A
g+Cu)mが、13〜88wt%(比較例1〜2、実
施例1〜3)の合金を得る。これらの接点素材を所定の
形状に加工後、前述した評価方法、条件にて、さい断時
性および高周波消弧特性を評価した。
前記したように、さい断時性の評価は、500回しゃ断
させたときの特性で比較した。第1表の比較例1〜2、
実施例1〜3に示すように合金中の(Ag+Cu)ff
iでのさい断値の平均値は実施例2 (Ag+Cu−4
4,4wt96、Ag/(Ag+Cu)=71.6%)
を1.0とした相対値で比較した場合、2.0倍以下の
上昇(特性の劣化)になっているが、Ag+Cu=13
.2wt%(比較例1)およびAg十Cu−88,6w
t%(比較例2)では、最大値が、上昇しているのに対
しAg+Cuが20〜65wt%(実施例1〜3)では
、比較値が2.0倍以下に安定(特性良好)している。
させたときの特性で比較した。第1表の比較例1〜2、
実施例1〜3に示すように合金中の(Ag+Cu)ff
iでのさい断値の平均値は実施例2 (Ag+Cu−4
4,4wt96、Ag/(Ag+Cu)=71.6%)
を1.0とした相対値で比較した場合、2.0倍以下の
上昇(特性の劣化)になっているが、Ag+Cu=13
.2wt%(比較例1)およびAg十Cu−88,6w
t%(比較例2)では、最大値が、上昇しているのに対
しAg+Cuが20〜65wt%(実施例1〜3)では
、比較値が2.0倍以下に安定(特性良好)している。
特にAg+Cu−13,2wt%(比較例1)のように
Ag+Cu量が少ない接点のさい断時性は、更に多数回
のしゃ断を行うと約2000回開閉前後より、さい断時
性が劣化するのが見られる。
Ag+Cu量が少ない接点のさい断時性は、更に多数回
のしゃ断を行うと約2000回開閉前後より、さい断時
性が劣化するのが見られる。
一方、高周波消弧特性の評価を行うと、同様に実施例2
の特性を標準とした相対値で検討すると、A g+ C
、jiが20〜65wt%(実施例1〜3)では安定し
た特性を示すが、Ag+Cut1が13.2wt%(比
較例1)および88.6wt%(比較例2)では、前記
相対値が増加(特性の劣化)の傾向にあり、相対値が2
00を越すことが認められる。従ってAg−Cu−WB
合金中のAg+Cu1iは、さい断時性および高周波消
弧特性の両親点から20〜65wt%の範囲が好ましい
。尚、実施例2の特性は、従来のAg−Cu−WBと同
等又はそれ以上の特性を示した。
の特性を標準とした相対値で検討すると、A g+ C
、jiが20〜65wt%(実施例1〜3)では安定し
た特性を示すが、Ag+Cut1が13.2wt%(比
較例1)および88.6wt%(比較例2)では、前記
相対値が増加(特性の劣化)の傾向にあり、相対値が2
00を越すことが認められる。従ってAg−Cu−WB
合金中のAg+Cu1iは、さい断時性および高周波消
弧特性の両親点から20〜65wt%の範囲が好ましい
。尚、実施例2の特性は、従来のAg−Cu−WBと同
等又はそれ以上の特性を示した。
実施例4〜8、比較例3〜6
前述したようにAg+Cumが好ましい範囲、すなわち
20〜65wt%の範囲であってもAg−Cu−WB合
金中のAgとCuとの比率が適切でないとさい断時性、
および高周波民家特性が劣化することが判った。すなわ
ち、Ag/ (Ag+Cu)の値が40%〜80wt9
6(実施例4〜8)では、好ましいさい断時性(相対値
が2.0以下)と高周波消弧特性(相対値が200以下
)が得られた。
20〜65wt%の範囲であってもAg−Cu−WB合
金中のAgとCuとの比率が適切でないとさい断時性、
および高周波民家特性が劣化することが判った。すなわ
ち、Ag/ (Ag+Cu)の値が40%〜80wt9
6(実施例4〜8)では、好ましいさい断時性(相対値
が2.0以下)と高周波消弧特性(相対値が200以下
)が得られた。
尚、Ag/(Ag+Cu)の値が97.2wt%および
100wt%(比較値3〜4)では高い熱伝導性が、ま
たAg/(Ag+Cu)の値が20.7wt%〜ゼロ(
比較例5〜6)では、主として蒸気源となるAgの量的
不足によってさい断時性の低下が見られている。
100wt%(比較値3〜4)では高い熱伝導性が、ま
たAg/(Ag+Cu)の値が20.7wt%〜ゼロ(
比較例5〜6)では、主として蒸気源となるAgの量的
不足によってさい断時性の低下が見られている。
実施例1〜8、比較例1〜6に於いては、さい断時性お
よび高周波消弧特性共にAg+CuW、Ag/ (Ag
+Cu)比に対し、同じ傾向を示している。
よび高周波消弧特性共にAg+CuW、Ag/ (Ag
+Cu)比に対し、同じ傾向を示している。
実施例9〜10、比較例7〜8
Ag−Cu−WB合金中のAg−Cu部分の存在状態す
なわち、高導電性成分の厚さまたは幅5μm以下の不連
続相(層状又は/および棒状組織)がマトリックス中で
5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散されている存
在状態の領域の占める割合を、前記通常の方法でAg十
Cuを45wt%近傍、Ag/ (Ag十Cu)を70
wt%近傍に作成した接点に対し、溶浸後の冷却速度お
よび800℃〜1000℃に約1時間、再加熱保持の熱
処理を与えることによって各面積割合(%)を有する接
点とした。この面積割合が50%以上(実施例9.10
)では、低いさい断時性の範囲にある上に、高周波消弧
特性も良好な値を示しているのに対し、この面積割合が
少ない比較例7〜8では、さい断時性の劣化特に最大値
の大幅な上昇(劣化)が見られると共に、高周波消弧特
性も上昇(劣化)した。従って、AgとCuとの存在状
態の前記面積割合は、Ag+Cu相中に50%以上とす
ることが好ましい。
なわち、高導電性成分の厚さまたは幅5μm以下の不連
続相(層状又は/および棒状組織)がマトリックス中で
5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散されている存
在状態の領域の占める割合を、前記通常の方法でAg十
Cuを45wt%近傍、Ag/ (Ag十Cu)を70
wt%近傍に作成した接点に対し、溶浸後の冷却速度お
よび800℃〜1000℃に約1時間、再加熱保持の熱
処理を与えることによって各面積割合(%)を有する接
点とした。この面積割合が50%以上(実施例9.10
)では、低いさい断時性の範囲にある上に、高周波消弧
特性も良好な値を示しているのに対し、この面積割合が
少ない比較例7〜8では、さい断時性の劣化特に最大値
の大幅な上昇(劣化)が見られると共に、高周波消弧特
性も上昇(劣化)した。従って、AgとCuとの存在状
態の前記面積割合は、Ag+Cu相中に50%以上とす
ることが好ましい。
実施例11〜13、比較例9〜10
WBの粒径は、Ag−Cu−WB合金のさい断時性、高
周波消弧特性に重要な関係を示す。WB粒径がIOC)
czm、170μm (比較例9.10)では、さい断
値の観点からは相対値が平均値、最大値共に2.0以上
、高周波消弧特性に於いても(相対値が200以上)劣
化が見られた。
周波消弧特性に重要な関係を示す。WB粒径がIOC)
czm、170μm (比較例9.10)では、さい断
値の観点からは相対値が平均値、最大値共に2.0以上
、高周波消弧特性に於いても(相対値が200以上)劣
化が見られた。
一方、WBの粒径が10μm以下(実施例11〜13)
では、さい断値の平均値、最大値とも著しく安定しかつ
高周波消弧特性も極めて好ましい相対値を示した。従っ
てWBの粒径は10〜0.1μm(実施例1〜13)の
範囲が好ましい。
では、さい断値の平均値、最大値とも著しく安定しかつ
高周波消弧特性も極めて好ましい相対値を示した。従っ
てWBの粒径は10〜0.1μm(実施例1〜13)の
範囲が好ましい。
WBの粒径が0.1μm以下では取扱いの而で工業的で
ないのみならず、焼結性も過度に進行し素材特性が安定
しない。
ないのみならず、焼結性も過度に進行し素材特性が安定
しない。
実施例14〜22
上述した実施例1〜13、比較例1〜10は、総てタン
グステン硼化物を金属硼化物として使用したが、チタン
、デルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロ
ム、モリブデン、ランタンの各金属硼化物に於ても所定
のAg+Cu量、Ag/ (Ag+Cu)a及び所定の
存在形態を有するAgとCuの割合の夫々が、好ましい
所定範囲にあるときには、前記WBと同様の効果が得ら
れる(表−3、実施例14〜21)。
グステン硼化物を金属硼化物として使用したが、チタン
、デルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロ
ム、モリブデン、ランタンの各金属硼化物に於ても所定
のAg+Cu量、Ag/ (Ag+Cu)a及び所定の
存在形態を有するAgとCuの割合の夫々が、好ましい
所定範囲にあるときには、前記WBと同様の効果が得ら
れる(表−3、実施例14〜21)。
尚、Ag−Cu−金属硼化物中の(Ag+Cu)の量は
、金属硼化物の種類によってその最適値は若干変動した
。すなわち(Ag+Cu)Eikは、タングステン硼化
物は20〜65 w t%であったか、電流裁断特性と
高周波消弧特性の両者を満足するには、 チタン硼化物(例えばT iB 2 )では 10
〜55wt%デルコニウム硼化物(例えばZ r B
2 )では15〜60wt%バナジウム硼化物(例えば
VB2)では 15〜55wt%ニオブ硼化物(例え
ばNbB2)では 20〜65wt%タンタル硼化
物(例えばT a B 2 )では 30〜75wt
%クロム硼化物(例えばCrB)では 15〜6
0wt%モリブデン硼化物(例えばMoB)では 2
0〜70wt%ランタン硼化物(例えばL a B 6
)では 15〜55wt%であった。
、金属硼化物の種類によってその最適値は若干変動した
。すなわち(Ag+Cu)Eikは、タングステン硼化
物は20〜65 w t%であったか、電流裁断特性と
高周波消弧特性の両者を満足するには、 チタン硼化物(例えばT iB 2 )では 10
〜55wt%デルコニウム硼化物(例えばZ r B
2 )では15〜60wt%バナジウム硼化物(例えば
VB2)では 15〜55wt%ニオブ硼化物(例え
ばNbB2)では 20〜65wt%タンタル硼化
物(例えばT a B 2 )では 30〜75wt
%クロム硼化物(例えばCrB)では 15〜6
0wt%モリブデン硼化物(例えばMoB)では 2
0〜70wt%ランタン硼化物(例えばL a B 6
)では 15〜55wt%であった。
更に、この効果は、複合硼化物でも同様に得られた(実
施例22) 以上述べた実施例のようにAgとCuとからなる高導電
材料の総計jl(Ag+Cu)と、AgとCuとの比率
A g / (A g 十Cu )比とを所定値に制御
し、かつ金属硼化物の平均粒径を10μm以下、好まし
くは1μm以下としAgとCuとの存在形態を、高度均
一分布させることによって、電流さい断時性を低く維持
出来かつばらつきも少なく管理することが出来、さらに
高周波消弧特性も同時に充分低く維持することができる
。
施例22) 以上述べた実施例のようにAgとCuとからなる高導電
材料の総計jl(Ag+Cu)と、AgとCuとの比率
A g / (A g 十Cu )比とを所定値に制御
し、かつ金属硼化物の平均粒径を10μm以下、好まし
くは1μm以下としAgとCuとの存在形態を、高度均
一分布させることによって、電流さい断時性を低く維持
出来かつばらつきも少なく管理することが出来、さらに
高周波消弧特性も同時に充分低く維持することができる
。
以上詳記したように本発明によれば、次のような効果を
奏する。すなわち、電流さい断時性を低く維持出来かつ
ばらつきも少なく管理することが出来る。さらに高周波
消弧特性も同時に充分低く維持することができる。した
がって、本発明の接点材料を真空バルブ接点に用いれば
、電流さい断時性およびしゃ断時性の良い真空バルブが
得られ、電流さい断時性の安定性をより一層向上した真
空バルブ用接点合金を提供できる。
奏する。すなわち、電流さい断時性を低く維持出来かつ
ばらつきも少なく管理することが出来る。さらに高周波
消弧特性も同時に充分低く維持することができる。した
がって、本発明の接点材料を真空バルブ接点に用いれば
、電流さい断時性およびしゃ断時性の良い真空バルブが
得られ、電流さい断時性の安定性をより一層向上した真
空バルブ用接点合金を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による真空バルブ用の接点材料が適用さ
れる真空バルブの断面図、第2図は第1図に示す真空バ
ルブの電極部分の拡大断面図である。 1・・・しゃ断電、2・・・絶縁容器、3a、3b・・
・封止金具、4a、4b・・・蓋体、5.6・・・導電
棒、7.8・・・電極、9・・・ベローズ、10.11
・・・アークシールド、12・・・ろう何部、13a、
13b・・・接点。
れる真空バルブの断面図、第2図は第1図に示す真空バ
ルブの電極部分の拡大断面図である。 1・・・しゃ断電、2・・・絶縁容器、3a、3b・・
・封止金具、4a、4b・・・蓋体、5.6・・・導電
棒、7.8・・・電極、9・・・ベローズ、10.11
・・・アークシールド、12・・・ろう何部、13a、
13b・・・接点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、AgおよびCuからなる高導電性成分と金属硼化物
からなる耐弧性成分とを含んでなるAg−Cu−金属硼
化物系真空バルブ用接点材料であって、 前記高導電性成分の含有量は、AgとCuとの総計量(
Ag+Cu)が10〜70重量%であり、AgとCuと
の総計量中に占めるAgの比率〔Ag/(Ag+Cu)
〕が40〜80重量%であり、 前記耐弧性成分の含有量は、35〜80重量%であり、 該接点材料の組織は、高導電性成分のマトリックスおよ
び厚さまたは幅5μm以下の不連続相と、10μm以下
の耐弧性成分の不連続粒とからなり、高導電性成分の該
不連続相が、該マトリックス中で5μm以下の間隔で微
細にかつ均一に分散されていることを特徴とする、真空
バルブ用接点材料。 2、前記金属硼化物が、WBである、請求項1の真空バ
ルブ用接点材料。 3、前記高導電性成分の厚さまたは幅5μm以下の不連
続相がマトリックス中で5μm以下の間隔で微細にかつ
均一に分散されている存在状態を示す部分において、前
記高導電性成分のマトリックスおよび不連続相が、各々
、Agを融解したCu固溶体およびCuを溶解したAg
固溶体、もしくは、Cuを溶解したAg固溶体およびA
gを溶解したCu固溶体であることを特徴とする、請求
項1または2の真空バルブ用接点材料。 4、前記接点材料の組織において、前記高導電性成分の
厚さまたは幅5μm以下の不連続相がマトリックス中で
5μm以下の間隔で微細にかつ均一に分散されている存
在状態を、高導電性成分総計量のうちの少なくとも50
面積%占めることを特徴とする、請求項1乃至3のいず
れか1項の真空バルブ用接点材料。 5、前記金属硼化物が、Ti、Zr、V、 Nb、Ta、Cr、MoおよびLaからなる群から選ば
れた金属の硼化物の少なくとも1種よりなる、請求項1
の真空バルブ用接点合金。 6、前記高導電性成分であるAgとCuとの総計量(A
g+Cu)は、重量比で、金属硼化物が硼化チタンの場
合では10〜45%、ジルコニウム硼化物では10〜5
5%、バナジウム硼化物では10〜50%、ニオブ硼化
物では、10〜60%、タンタル硼化物では、20〜7
0%、クロム硼化物では、10〜55%、モリブデン硼
化物では15〜60%、ランタン硼化物では10〜50
%、タングステン硼化物では20〜65%の範囲にある
請求項1の真空バルブ用接点合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10874289A JPH02288033A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 真空バルブ用接点材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10874289A JPH02288033A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 真空バルブ用接点材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288033A true JPH02288033A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14492368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10874289A Pending JPH02288033A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 真空バルブ用接点材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02288033A (ja) |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP10874289A patent/JPH02288033A/ja active Pending
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