JPH02288373A - ＧｕＰ緑色発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
ＧｕＰ緑色発光ダイオードの製造方法Info
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- JPH02288373A JPH02288373A JP1109931A JP10993189A JPH02288373A JP H02288373 A JPH02288373 A JP H02288373A JP 1109931 A JP1109931 A JP 1109931A JP 10993189 A JP10993189 A JP 10993189A JP H02288373 A JPH02288373 A JP H02288373A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、例えば赤色発光するＧａＡｌＡｓ発光ダイ
オードと同時に使用されるＧａＰ緑色発光ダイオードの
製造方法に関する。
オードと同時に使用されるＧａＰ緑色発光ダイオードの
製造方法に関する。
〈従来の技術〉
ｐ型基板を使用したＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオードは
、第５図に示すように、ＧａＡｌＡｓから成るｐ型基板
３、ＧａＡｌＡｓから成るｐ型エピタキシャル層２、お
よびＧａＡｌＡｓから成るｎ型エピタキンヤル層ｌで構
成されている。
、第５図に示すように、ＧａＡｌＡｓから成るｐ型基板
３、ＧａＡｌＡｓから成るｐ型エピタキシャル層２、お
よびＧａＡｌＡｓから成るｎ型エピタキンヤル層ｌで構
成されている。
一方、二色発光の発光ダイオード等において使用するｎ
型基板を使用したＧａＰ緑色発光ダイオードは、第６図
に示すように、ＧａＰから成るｎ型基板４、ＧａＰから
成るｎ型エピタキシャル層５、およびＧａＰから成るｐ
型エピタキシャル層６で構成されているｄ 上記構造のＧａＰ緑色発光ダイオードにおけるｐｎ接合
の位置はＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオードのｐｎ接合の
位置より下にある。したがって、二色発光用発光ダイオ
ードとして両発光ダイオードを同時に使用する場合にお
いては、光の取り出し効果を上げ、かつ簡単に組み立て
ることができるように、ＧａＰ緑色発光ダイオードのｐ
ｎ接合の位置を可能な限り上方（すなわち、ＧａＡｌＡ
ｓ赤色発光ダイオードのｐｎ接合位置の近く）に形成す
る必要がある。そのために、ＧａＰ緑色発光ダイオード
のｐ型ＧａＰエピタキシャル層６の厚さを厚くする必要
がある。
型基板を使用したＧａＰ緑色発光ダイオードは、第６図
に示すように、ＧａＰから成るｎ型基板４、ＧａＰから
成るｎ型エピタキシャル層５、およびＧａＰから成るｐ
型エピタキシャル層６で構成されているｄ 上記構造のＧａＰ緑色発光ダイオードにおけるｐｎ接合
の位置はＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオードのｐｎ接合の
位置より下にある。したがって、二色発光用発光ダイオ
ードとして両発光ダイオードを同時に使用する場合にお
いては、光の取り出し効果を上げ、かつ簡単に組み立て
ることができるように、ＧａＰ緑色発光ダイオードのｐ
ｎ接合の位置を可能な限り上方（すなわち、ＧａＡｌＡ
ｓ赤色発光ダイオードのｐｎ接合位置の近く）に形成す
る必要がある。そのために、ＧａＰ緑色発光ダイオード
のｐ型ＧａＰエピタキシャル層６の厚さを厚くする必要
がある。
上述のように、ＧａＰ緑色発光ダイオードのｐ型ＧａＰ
エピタキシャル層６の厚さを厚くするためには、液相エ
ピタキシャル法においてエピタキシャル層を形成する際
に■液相エピタキシャルの成長温度を上昇させる。■成
長溶液の厚さを厚くする。
エピタキシャル層６の厚さを厚くするためには、液相エ
ピタキシャル法においてエピタキシャル層を形成する際
に■液相エピタキシャルの成長温度を上昇させる。■成
長溶液の厚さを厚くする。
■接合形成温度を上昇させる。■冷却温度を減少する等
の方法がある。
の方法がある。
〈発明が解決しようとする課題〉
上述のように、ＧａＰ緑色発光ダイオードにおいて、ｐ
型ＧａＰエピタキシャル層６の厚さを厚くするためには
、■液相エピタキシャルの成長温度を上昇させる。■成
長溶液の厚さを厚くする。■接合形成温度を上昇させる
。■冷却温度を減少する等の方法がある。しかしながら
、従来の液相エピタキシャル法においては、液相エピタ
キシャルの成長温度を上昇させると、成長と同時に気相
においてドープする窒素（Ｎ）の量が変化するという問
題がある。また、成長溶液の厚さを厚くすると、エピタ
キシャル層表面のフラットネスが悪くなるという問題が
ある。さらに、接合形成温度を上昇させる、あるいは冷
却温度を減少する等の方法では輝度の点で満足できる発
光ダイオードができないという問題がある。
型ＧａＰエピタキシャル層６の厚さを厚くするためには
、■液相エピタキシャルの成長温度を上昇させる。■成
長溶液の厚さを厚くする。■接合形成温度を上昇させる
。■冷却温度を減少する等の方法がある。しかしながら
、従来の液相エピタキシャル法においては、液相エピタ
キシャルの成長温度を上昇させると、成長と同時に気相
においてドープする窒素（Ｎ）の量が変化するという問
題がある。また、成長溶液の厚さを厚くすると、エピタ
キシャル層表面のフラットネスが悪くなるという問題が
ある。さらに、接合形成温度を上昇させる、あるいは冷
却温度を減少する等の方法では輝度の点で満足できる発
光ダイオードができないという問題がある。
そこで、この発明の目的は、エピタキシャル層の厚さを
厚くしてｐｎ接合の位置を高くした適正な特性を有する
発光ダイオードの製造方法を提供することにある。
厚くしてｐｎ接合の位置を高くした適正な特性を有する
発光ダイオードの製造方法を提供することにある。
く課題を一解決するための手段〉
上記目的を達成するため、この発明の発光ダイオードの
製造方法は、高温度でｐ型あるいはｎ型の半導体基板と
成長溶液とを接触させた後、上記温度を低下させて上記
半導体基板上に上記半導体基板と同型の単結晶のエピタ
キシャル層を形成させ、次に、上記温度をさらに低下さ
せて、上記エピタキシャル層上に上記エピタキシャル層
と逆型の単結晶の第１エピタキシャル層を形成させた後
、上記成長溶液を切り離してエピタキシャル・ウェハを
作成し、高温度で成長溶液と上記エピタキシャル・ウェ
ハの第１エピタキシャル層とを接触させた後、温度を低
下させて上記第１エピタキシャル層上にこの第１エピタ
キシャル層と同種同型の単結晶の第２エピタキシャル層
を形成させることを特徴としている。
製造方法は、高温度でｐ型あるいはｎ型の半導体基板と
成長溶液とを接触させた後、上記温度を低下させて上記
半導体基板上に上記半導体基板と同型の単結晶のエピタ
キシャル層を形成させ、次に、上記温度をさらに低下さ
せて、上記エピタキシャル層上に上記エピタキシャル層
と逆型の単結晶の第１エピタキシャル層を形成させた後
、上記成長溶液を切り離してエピタキシャル・ウェハを
作成し、高温度で成長溶液と上記エピタキシャル・ウェ
ハの第１エピタキシャル層とを接触させた後、温度を低
下させて上記第１エピタキシャル層上にこの第１エピタ
キシャル層と同種同型の単結晶の第２エピタキシャル層
を形成させることを特徴としている。
〈実施例〉
以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
この発明は、発光ダイオードの作成に際して、発光ダイ
オードの発光に関係するｐｎ接合近傍においては、従来
の液相エピタキシャル法によってエピタキシャル層を形
成して最適なエピタキシャル・ウェハを作成する。その
後、得られたエピタキシャル・ウェハのエピタキシャル
層の上に更に同種同型のエピタキシャル層を形成するこ
とによって、ｐｎ接合を形成するエピタキシャル層の膜
厚が厚い発光ダイオードを得るものである。
オードの発光に関係するｐｎ接合近傍においては、従来
の液相エピタキシャル法によってエピタキシャル層を形
成して最適なエピタキシャル・ウェハを作成する。その
後、得られたエピタキシャル・ウェハのエピタキシャル
層の上に更に同種同型のエピタキシャル層を形成するこ
とによって、ｐｎ接合を形成するエピタキシャル層の膜
厚が厚い発光ダイオードを得るものである。
第１図はこの発明に係るＧａＰ緑色発光ダイオードの概
略図であり、１１は硫黄ドープｎ型（１゜１．１）Ｇａ
Ｐ基板、１２はｎ型ＧａＰエピタキシャル層、および１
３は第１ｐ型ＧａＰエピタキシヤル層である。上記ｎ型
ＧａＰエピタキシャル層１２および第１ｐ型ＧａＰエピ
タキシヤル層１３は、従来の液相エピタキシャル法によ
って形成される。また、第２ｐ型ＧａＰエピタキシヤル
層１４は、本実施例によって第ｔｐ型ＧａＰエピタキシ
ャル層１３の上に形成される層である。
略図であり、１１は硫黄ドープｎ型（１゜１．１）Ｇａ
Ｐ基板、１２はｎ型ＧａＰエピタキシャル層、および１
３は第１ｐ型ＧａＰエピタキシヤル層である。上記ｎ型
ＧａＰエピタキシャル層１２および第１ｐ型ＧａＰエピ
タキシヤル層１３は、従来の液相エピタキシャル法によ
って形成される。また、第２ｐ型ＧａＰエピタキシヤル
層１４は、本実施例によって第ｔｐ型ＧａＰエピタキシ
ャル層１３の上に形成される層である。
上記構成のＧａＰ緑色発光ダイオードは次のようにして
作成される。すなわち、まず第２図に示す従来の液相エ
ピタキシャル法におけるタイムチャートに従って、後に
詳述するようにして第１図におけるｎ型ＧａＰ基板１１
上にｎ型ＧａＰエピタキシャル層１２および第ｔｐ型Ｇ
ａＰエピタキシャル層１３を連続して形成してＧａＰエ
ピタキシャル・ウェハを作成する。
作成される。すなわち、まず第２図に示す従来の液相エ
ピタキシャル法におけるタイムチャートに従って、後に
詳述するようにして第１図におけるｎ型ＧａＰ基板１１
上にｎ型ＧａＰエピタキシャル層１２および第ｔｐ型Ｇ
ａＰエピタキシャル層１３を連続して形成してＧａＰエ
ピタキシャル・ウェハを作成する。
上記ＧａＰエピタキシャル・ウェハの作成は次のように
して行なわれる。すなわち、液相成長用ボートを装填し
た炉の温度をプログラムに従って１０００℃に昇温し、
５〜ｌＯＯ分間保持後、成長溶液（Ｇａ融液）をｎ型Ｇ
ａＰ基板１１に接触させる。０．０５〜３．０℃／分の
一定の温度勾配で炉を冷却し、その後アンモニアガス（
ＮＨ３）を水素（Ｈ２）のキャリアガスに混合して炉内
に送り込み、窒素（Ｎ）のドーピングを行う。炉の温度
が９００℃に達した後、亜鉛（Ｚｎ）蒸気を添加してＰ
型のドーピングを行う。炉の温度を９００℃で５〜６０
分間保持し、その後アンモニアガス（ＮＨ３）の供給を
止める。再び炉の温度を０．１〜５．０℃／分の一定の
温度勾配で冷却し、炉の温度が８３０℃になった時点で
成長溶液の切り離しを行い、炉の温度をさらに冷却し続
ける。その際に、液相エピタキシャルの成長温度、成長
溶液の厚さ、接合形成温度および冷却温度等が適正に制
御できるので、ドープされる不純物量、ＧａＰエピタキ
シャル層表面のフラットネスおよび輝度の点において最
適なＧａＰエピタキシャル・ウェハが作成できるのであ
る。
して行なわれる。すなわち、液相成長用ボートを装填し
た炉の温度をプログラムに従って１０００℃に昇温し、
５〜ｌＯＯ分間保持後、成長溶液（Ｇａ融液）をｎ型Ｇ
ａＰ基板１１に接触させる。０．０５〜３．０℃／分の
一定の温度勾配で炉を冷却し、その後アンモニアガス（
ＮＨ３）を水素（Ｈ２）のキャリアガスに混合して炉内
に送り込み、窒素（Ｎ）のドーピングを行う。炉の温度
が９００℃に達した後、亜鉛（Ｚｎ）蒸気を添加してＰ
型のドーピングを行う。炉の温度を９００℃で５〜６０
分間保持し、その後アンモニアガス（ＮＨ３）の供給を
止める。再び炉の温度を０．１〜５．０℃／分の一定の
温度勾配で冷却し、炉の温度が８３０℃になった時点で
成長溶液の切り離しを行い、炉の温度をさらに冷却し続
ける。その際に、液相エピタキシャルの成長温度、成長
溶液の厚さ、接合形成温度および冷却温度等が適正に制
御できるので、ドープされる不純物量、ＧａＰエピタキ
シャル層表面のフラットネスおよび輝度の点において最
適なＧａＰエピタキシャル・ウェハが作成できるのであ
る。
その後、−旦ＧａＰエピタキシャル・ウェハを取り出し
て前処理を行った後、第３図に示すタイムチャートに従
って、スライド法によって第２ｐ型ＧａＰエピタキシヤ
ル層１４の成長を行う。第４図は第２ｐ型ＧａＰエピタ
キシヤル層１４の形成に用いた成長用ボートの構造を示
す。スライダ２２等から成る一浴槽を有するボート２Ｎ
の材質は高純度カーボンであり、浴槽２３はスライダ２
２によってスライド可能に構成されている。浴槽２３内
に入れる成長溶液は、重量比でＧａがｌに対してＺｎを
０．０００６溶解したものを用いる。
て前処理を行った後、第３図に示すタイムチャートに従
って、スライド法によって第２ｐ型ＧａＰエピタキシヤ
ル層１４の成長を行う。第４図は第２ｐ型ＧａＰエピタ
キシヤル層１４の形成に用いた成長用ボートの構造を示
す。スライダ２２等から成る一浴槽を有するボート２Ｎ
の材質は高純度カーボンであり、浴槽２３はスライダ２
２によってスライド可能に構成されている。浴槽２３内
に入れる成長溶液は、重量比でＧａがｌに対してＺｎを
０．０００６溶解したものを用いる。
第３図のタイムチャートにおける炉温度１０００℃〜１
０２０℃のＡ点において、スライダ２２をスライドさせ
てボート２１を第４図（ａ）の状態から第４図（ｂ）の
状態にして、浴槽２３内の成長溶液を基板ホルダ２５上
のＧａＰエピタキシャル・ウェハ２４に接触させる。そ
して、炉の温度を所定の温度勾配で低下させて第２ｐ型
ＧａＰエピタキシヤル層１４が成長した後、Ｂ点におい
て直ちにボート２１を第４図（ａ）の状態にスライドさ
せ、成長溶液をＧａＰエピタキシャル・ウェハ２４から
切り離す。
０２０℃のＡ点において、スライダ２２をスライドさせ
てボート２１を第４図（ａ）の状態から第４図（ｂ）の
状態にして、浴槽２３内の成長溶液を基板ホルダ２５上
のＧａＰエピタキシャル・ウェハ２４に接触させる。そ
して、炉の温度を所定の温度勾配で低下させて第２ｐ型
ＧａＰエピタキシヤル層１４が成長した後、Ｂ点におい
て直ちにボート２１を第４図（ａ）の状態にスライドさ
せ、成長溶液をＧａＰエピタキシャル・ウェハ２４から
切り離す。
このようにして、エピタキシャル成長が終了した直後の
各層の厚みは、ｎ型ＧａＰ基板１１は２５０μ−、ｎ型
ＧａＰエピタキシャル層１２は７０Ｂｔａ。
各層の厚みは、ｎ型ＧａＰ基板１１は２５０μ−、ｎ型
ＧａＰエピタキシャル層１２は７０Ｂｔａ。
第ｔｐ型ＧａＰエピタキシャル層１３は３０μｍ１第２
ｐ型ＧａＰ工ピタキシヤル層１４は１３０μｍ程度であ
る。その後、ラップによってｎ型ＧａＰ基板１１の厚み
が３０μｍになるまで削り、ｎ型ＧａＰ基板２の表面に
ＡｕＳｉ電極を形成すると共に、第２ｐ型ＧａＰエピタ
キシヤル層Ｉ４の表面にＡｕＢｅ電極を形成して緑色Ｇ
ａＰ発光ダイオード・チップを得る。
ｐ型ＧａＰ工ピタキシヤル層１４は１３０μｍ程度であ
る。その後、ラップによってｎ型ＧａＰ基板１１の厚み
が３０μｍになるまで削り、ｎ型ＧａＰ基板２の表面に
ＡｕＳｉ電極を形成すると共に、第２ｐ型ＧａＰエピタ
キシヤル層Ｉ４の表面にＡｕＢｅ電極を形成して緑色Ｇ
ａＰ発光ダイオード・チップを得る。
このように、本実施例における緑色ＧａＰ発光ダイオー
ドの製造方法は、まず通常の液相エピタキシャル法によ
って、高温度でｎ型ＧａＰ基板１１と成長溶液とを接触
させて冷却させながらｎ型ＧａＰエピタキシャル層１２
および第１ｐ型ＧａＰエピタキシヤル層１３を形成し、
ＧａＰエピタキシャル・ウェハ２４を作成する。次に、
上記ＧａＰエピタキシャル・ウェハ２４の第１ｐ型Ｇａ
Ｐエピタキシヤル層１３の上に、この第ｔｐ型ＧａＰエ
ピタキシャル層１３と同型の第２ｐ型ＧａＰエピタキシ
ヤル層１４を重ねて成長させるのである。したがって、
このようにして作成された緑色ＧａＰ発光ダイオードは
、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層の厚さを厚く作成するこ
とができ、ｐｎ接合の位置を可能な限り上方に形成する
ことができる。
ドの製造方法は、まず通常の液相エピタキシャル法によ
って、高温度でｎ型ＧａＰ基板１１と成長溶液とを接触
させて冷却させながらｎ型ＧａＰエピタキシャル層１２
および第１ｐ型ＧａＰエピタキシヤル層１３を形成し、
ＧａＰエピタキシャル・ウェハ２４を作成する。次に、
上記ＧａＰエピタキシャル・ウェハ２４の第１ｐ型Ｇａ
Ｐエピタキシヤル層１３の上に、この第ｔｐ型ＧａＰエ
ピタキシャル層１３と同型の第２ｐ型ＧａＰエピタキシ
ヤル層１４を重ねて成長させるのである。したがって、
このようにして作成された緑色ＧａＰ発光ダイオードは
、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層の厚さを厚く作成するこ
とができ、ｐｎ接合の位置を可能な限り上方に形成する
ことができる。
こうすることによって、本実施例によって得られたＧａ
Ｐ緑色発光ダイオードを、二色発光用発光ダイオードと
してｐ型基板を使用したＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオー
ドと同時に使用する際において、ＧａＡｌＡｓ赤色発光
ダイオードのｐｎ接合位置とＧａＰ緑色発光ダイオード
のｐｎ接合位置とを近付けることができ、光の取り出し
効果を上げることができると共に、簡単に組み立てるこ
とができるのである。
Ｐ緑色発光ダイオードを、二色発光用発光ダイオードと
してｐ型基板を使用したＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオー
ドと同時に使用する際において、ＧａＡｌＡｓ赤色発光
ダイオードのｐｎ接合位置とＧａＰ緑色発光ダイオード
のｐｎ接合位置とを近付けることができ、光の取り出し
効果を上げることができると共に、簡単に組み立てるこ
とができるのである。
その際に、上記緑色ＧａＰ発光ダイオードのｐｉ接合の
作成過程において、従来の液相エピタキシャル法に対し
て、液相エピタキシャルの成長温度を上昇させないので
、成長と同時に気相においてドープする気体の量が変化
しない。また、成長溶液の厚さを厚くしないので、エピ
タキシャル層表面のフラットネスが悪くなることがない
。さらに、接合形成温度を変化させないので輝度の点で
満足できる発光ダイオードが得られるのである。
作成過程において、従来の液相エピタキシャル法に対し
て、液相エピタキシャルの成長温度を上昇させないので
、成長と同時に気相においてドープする気体の量が変化
しない。また、成長溶液の厚さを厚くしないので、エピ
タキシャル層表面のフラットネスが悪くなることがない
。さらに、接合形成温度を変化させないので輝度の点で
満足できる発光ダイオードが得られるのである。
この発明における、従来の液相エピタキシャル法におけ
るタイムチャートおよび第２エピタキシャル層の成長法
におけるタイムチャートは、上記実施例に限るものでは
ないことは言うまでもない。
るタイムチャートおよび第２エピタキシャル層の成長法
におけるタイムチャートは、上記実施例に限るものでは
ないことは言うまでもない。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明の発光ダイオードの
製造方法は、高温度で成長溶液と半導体基板とを接触さ
せた後、上記温度を低下させて上記半導体基板上に上記
半導体基板と同型の単結晶のエピタキシャル層を形成さ
せ、次に、上記温度をさらに低下させて、上記エピタキ
シャル層上に上記エピタキシャル層と逆型の単結晶の第
１エピタキシャル層を形成させてエピタキシャル・ウェ
ハを作成し、高温度で成長溶液と上記エピタキシャル・
ウェハの第１エピタキシャル層とを接触させた後、この
温度を低下させて上記第１エピタキシャル層上にこの第
１エピタキシャル層と同種同型の単結晶の第２エピタキ
シャル層を形成させるようにしたので、上記半導体基板
と逆型であってｐｎ接合を形成するエピタキシャル層の
厚さを、第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層
とによって形成することによって厚く形成することがで
きる。
製造方法は、高温度で成長溶液と半導体基板とを接触さ
せた後、上記温度を低下させて上記半導体基板上に上記
半導体基板と同型の単結晶のエピタキシャル層を形成さ
せ、次に、上記温度をさらに低下させて、上記エピタキ
シャル層上に上記エピタキシャル層と逆型の単結晶の第
１エピタキシャル層を形成させてエピタキシャル・ウェ
ハを作成し、高温度で成長溶液と上記エピタキシャル・
ウェハの第１エピタキシャル層とを接触させた後、この
温度を低下させて上記第１エピタキシャル層上にこの第
１エピタキシャル層と同種同型の単結晶の第２エピタキ
シャル層を形成させるようにしたので、上記半導体基板
と逆型であってｐｎ接合を形成するエピタキシャル層の
厚さを、第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層
とによって形成することによって厚く形成することがで
きる。
したがって、例えばこの発明によって作成されたｎ型基
板を使用したＧａＰ緑色発光ダイオードのｐｎ接合の位
置を上方に位置させることができる。
板を使用したＧａＰ緑色発光ダイオードのｐｎ接合の位
置を上方に位置させることができる。
すなわち、二色発光用発光ダイオードとして、このＧａ
Ｐ緑色発光ダイオードをｐ型基板を使用したＧａＡｌＡ
ｓ赤色発光ダイオードと同時に使用する場合に、ＧａＡ
ｌＡｓ赤色発光ダイオードのｐｎ接合位置とＧａＰ緑色
発光ダイオードのｐｎ接合位置とを近付けることができ
、光の取り出し効果を上げることかできると共に簡単に
組み立てることかできるのである。
Ｐ緑色発光ダイオードをｐ型基板を使用したＧａＡｌＡ
ｓ赤色発光ダイオードと同時に使用する場合に、ＧａＡ
ｌＡｓ赤色発光ダイオードのｐｎ接合位置とＧａＰ緑色
発光ダイオードのｐｎ接合位置とを近付けることができ
、光の取り出し効果を上げることかできると共に簡単に
組み立てることかできるのである。
第１図はこの発明に係る発光ダイオードにおける一実施
例の断面図、第２図はｐｎ接合影形成おける液相エピタ
キシャル法におけるタイムチャートの一例を示す図、第
３図はこの発明に係るエピタキシャル層成長法における
タイムチャートの一例を示す図、第４図は第３図のエピ
タキシャル層成長法を実施する際に使用するボートの説
明図、第５図はＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオードの断面
図、第６図は従来のＧａＰ緑色発光ダイオードの断面図
である。 １１−ｎ型ＧａＰ基板、 １２・・・ｎ型ＧａＰエピタキシャル層、１３・・・第
１ｐ型ＧａＰエピタキシヤル層、１４・・・第２ｐ型Ｇ
ａＰエピタキシヤル層、１５−＝ＡｕＳｉ電極、１６・
−・ＡｕＢｅ電極、２１・・・ボート、 ２２・・
・スライダ。
例の断面図、第２図はｐｎ接合影形成おける液相エピタ
キシャル法におけるタイムチャートの一例を示す図、第
３図はこの発明に係るエピタキシャル層成長法における
タイムチャートの一例を示す図、第４図は第３図のエピ
タキシャル層成長法を実施する際に使用するボートの説
明図、第５図はＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオードの断面
図、第６図は従来のＧａＰ緑色発光ダイオードの断面図
である。 １１−ｎ型ＧａＰ基板、 １２・・・ｎ型ＧａＰエピタキシャル層、１３・・・第
１ｐ型ＧａＰエピタキシヤル層、１４・・・第２ｐ型Ｇ
ａＰエピタキシヤル層、１５−＝ＡｕＳｉ電極、１６・
−・ＡｕＢｅ電極、２１・・・ボート、 ２２・・
・スライダ。
Claims (1)
- （１）高温度でｐ型あるいはｎ型の半導体基板と成長溶
液とを接触させた後、上記温度を低下させて上記半導体
基板上に上記半導体基板と同型の単結晶のエピタキシャ
ル層を形成させ、 次に、上記温度をさらに低下させて、上記エピタキシャ
ル層上に上記エピタキシャル層と逆型の単結晶の第１エ
ピタキシャル層を形成させた後、上記成長溶液を切り離
してエピタキシャル・ウェハを作成し、 高温度で成長溶液と上記エピタキシャル・ウェハの第１
エピタキシャル層とを接触させた後、温度を低下させて
上記第１エピタキシャル層上にこの第１エピタキシャル
層と同種同型の単結晶の第２エピタキシャル層を形成さ
せることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10993189A JP2587493B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | ＧｕＰ緑色発光ダイオードの製造方法 |
| TW79103285A TW242704B (ja) | 1989-04-28 | 1990-04-23 | |
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