JPH02288389A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH02288389A JPH02288389A JP11058489A JP11058489A JPH02288389A JP H02288389 A JPH02288389 A JP H02288389A JP 11058489 A JP11058489 A JP 11058489A JP 11058489 A JP11058489 A JP 11058489A JP H02288389 A JPH02288389 A JP H02288389A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser module
- fiber
- light
- piezoelectric
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信等に用いられる半導体レーザモジュー
ルに関する。
ルに関する。
従来は、第３図に示すごとく所定の位置に半導体レーザ
素子ｌをマウントした後、半導体レーザを発光した状態
で光を取り込む光学系の１つであるファイバ７からの光
出力が最大になる位置にファイバ７を調整した後、融着
剤８によりこのファイバ７を固定していた。これでは融
着剤８が溶けて固まるまでの間に融着剤の収縮によりフ
ァイバ７と半導体レーザ素子１との相対位置がずれると
いう欠点があり、その対策として特開昭６２−１１４２
８５号により、第４図に示すごと（、まずファイバ７を
融着剤８を用いて所定の位置に固定し、融着剤８が完全
に固った後、微調台１０にヒートシンク２を介してマウ
ントしである半導体レーザ素子ｌを発光させ微調合ｌＯ
に付いている微調整用ネジ１１を用いてファイバ７の出
力が最大になる位置に調節する機構が提案されている。
素子ｌをマウントした後、半導体レーザを発光した状態
で光を取り込む光学系の１つであるファイバ７からの光
出力が最大になる位置にファイバ７を調整した後、融着
剤８によりこのファイバ７を固定していた。これでは融
着剤８が溶けて固まるまでの間に融着剤の収縮によりフ
ァイバ７と半導体レーザ素子１との相対位置がずれると
いう欠点があり、その対策として特開昭６２−１１４２
８５号により、第４図に示すごと（、まずファイバ７を
融着剤８を用いて所定の位置に固定し、融着剤８が完全
に固った後、微調台１０にヒートシンク２を介してマウ
ントしである半導体レーザ素子ｌを発光させ微調合ｌＯ
に付いている微調整用ネジ１１を用いてファイバ７の出
力が最大になる位置に調節する機構が提案されている。
しかしながら、上記構造では融着剤の収縮による半導体
レーザ素子とファイバの位置ずれは調節出来るが、半導
体レーザモジュールを第４図に示すケース５で密閉した
後は微調整ネジ１１による調整は不可能であり、使用中
の熱膨張による位置ずれあるいは経時変化等による位置
ずれに対しては補正できない。本発明は上述した問題点
に着目してなされたもので、ケース密閉後も半導体レー
ザ素子と光を取り込む光学系の位置ずれをケースの外か
ら調整可能な半導体レーザモジュールを提供することを
目的としている。
レーザ素子とファイバの位置ずれは調節出来るが、半導
体レーザモジュールを第４図に示すケース５で密閉した
後は微調整ネジ１１による調整は不可能であり、使用中
の熱膨張による位置ずれあるいは経時変化等による位置
ずれに対しては補正できない。本発明は上述した問題点
に着目してなされたもので、ケース密閉後も半導体レー
ザ素子と光を取り込む光学系の位置ずれをケースの外か
ら調整可能な半導体レーザモジュールを提供することを
目的としている。
本発明は上記目的を達成するために、本発明の半導体レ
ーザモジュールの第１の発明では半導体素子又は光を取
り込む光学系の全部又は−部を、複数個の圧電素子で支
持した微調整台上に配設したことを特徴とし、第２の発
明では上記の圧電素子が磁歪素子であることを特徴とし
ている。
ーザモジュールの第１の発明では半導体素子又は光を取
り込む光学系の全部又は−部を、複数個の圧電素子で支
持した微調整台上に配設したことを特徴とし、第２の発
明では上記の圧電素子が磁歪素子であることを特徴とし
ている。
上記構成によれば半導体レーザ素子、又は光を取り込む
光学系の全部又は一部を、Ｘ、Ｙ。
光学系の全部又は一部を、Ｘ、Ｙ。
Ｚ軸上に、Ｘ、Ｙ軸上に、Ｘ、Ｚ軸上に又はＹ。
Ｚ軸上に配設された圧電素子で支持した微調整台上に配
設しであるため、ケースの外部に電圧発生器を設けて圧
電素子と接続し電圧を印加することによって生ずる圧電
素子の歪により微調整台上の半導体レーザ素子又は光を
取り込む光学系を前後、左右、上下、又は前後、左右に
微調整することができる。圧電素子を磁歪素子に置き換
えて磁界を印加することによっても同様の効果が得られ
る。
設しであるため、ケースの外部に電圧発生器を設けて圧
電素子と接続し電圧を印加することによって生ずる圧電
素子の歪により微調整台上の半導体レーザ素子又は光を
取り込む光学系を前後、左右、上下、又は前後、左右に
微調整することができる。圧電素子を磁歪素子に置き換
えて磁界を印加することによっても同様の効果が得られ
る。
以下に本発明に係る半導体レーザモジュールの実施例に
ついて図面を参照して詳述する。第１図は本発明の第１
実施例を示す斜視断面図である。半導体レーザ素子ｌは
ヒートシンク２にマウントされ、ヒートシンク２はＸ、
Ｙ、Ｚ軸上にそれぞれ配設された圧電素子３ａ、３ｂ。
ついて図面を参照して詳述する。第１図は本発明の第１
実施例を示す斜視断面図である。半導体レーザ素子ｌは
ヒートシンク２にマウントされ、ヒートシンク２はＸ、
Ｙ、Ｚ軸上にそれぞれ配設された圧電素子３ａ、３ｂ。
３Ｃによって位置基準台４上に支持されている。
光を取り込む光学系の１つであるファイバ７は台６上に
融着剤８により固定されている。位置基準台４と台６は
密閉されたケース５の中に固定され半導体レーザモジュ
ールを形成している。
融着剤８により固定されている。位置基準台４と台６は
密閉されたケース５の中に固定され半導体レーザモジュ
ールを形成している。
ケース５の外には電圧発生器１１，１２．１３が設けら
れそれぞれ圧電素子３ａ、３ｂ、３ｃと接続している。
れそれぞれ圧電素子３ａ、３ｂ、３ｃと接続している。
次に作動について説明する。
ファイバ７に対する半導体レーザ素子１の位置調整は電
圧発生器１１，１２．１３により圧電素子３ａ、３ｂ、
３ｃに直流電圧を印加し、圧電素子３ａ、３ｂ、３ｃに
歪みを発生させることにより達成される。すなわち、半
導体レーザを発光した状態で電圧発生器１１によって圧
電素子３ａに歪を発生させて半導体レーザ素子ｌのファ
イバ７に対する前後位置を微調整する。
圧発生器１１，１２．１３により圧電素子３ａ、３ｂ、
３ｃに直流電圧を印加し、圧電素子３ａ、３ｂ、３ｃに
歪みを発生させることにより達成される。すなわち、半
導体レーザを発光した状態で電圧発生器１１によって圧
電素子３ａに歪を発生させて半導体レーザ素子ｌのファ
イバ７に対する前後位置を微調整する。
電圧発生器１２と圧電素子３ｂによって左右位置を微調
整する。電圧発生器１３と圧電素子３Ｃによって上下位
置を微調整する。このようにしてファイバ７からの光出
力が最大になる位置に半導体レーザ素子ｌを調整する。
整する。電圧発生器１３と圧電素子３Ｃによって上下位
置を微調整する。このようにしてファイバ７からの光出
力が最大になる位置に半導体レーザ素子ｌを調整する。
ファイバ７を固定している台６をヒートシンク２のよう
に圧電素子により支持してファイバ７の位置を調整する
ことも可能である。また圧電素子３ａ。
に圧電素子により支持してファイバ７の位置を調整する
ことも可能である。また圧電素子３ａ。
３ｂ、３ｃを磁歪素子に置き換えてケ・−ス外部より磁
界を印加することによって歪を発生させても同様の効果
が得られる。第２図は本発明の第２実施例を示す斜視断
面図で、ヒートシンク２を位置基準台４上にＸ、Ｙ軸に
配設された圧電素子３ａ、３ｂで支持し、密閉されたケ
ース５の外部に設けた電圧発生器１１．１２と圧電素子
３＝、ａｂとを接続し、半導体レーザ素子のＸ、Ｙ方向
の位置を微調整するようにしたものであり、作動につい
ては前述と同様であるので省略する。
界を印加することによって歪を発生させても同様の効果
が得られる。第２図は本発明の第２実施例を示す斜視断
面図で、ヒートシンク２を位置基準台４上にＸ、Ｙ軸に
配設された圧電素子３ａ、３ｂで支持し、密閉されたケ
ース５の外部に設けた電圧発生器１１．１２と圧電素子
３＝、ａｂとを接続し、半導体レーザ素子のＸ、Ｙ方向
の位置を微調整するようにしたものであり、作動につい
ては前述と同様であるので省略する。
以上詳述したように、本発明は圧電素子又は磁歪素子の
歪をケースの外部より制御することによって半導体レー
ザ素子又は光を取り込む光学系の位置を調整するように
したため、ケースを密閉した後に熱膨張あるいは経時変
化等による位置ずれが発生しても調整可能な半導体レー
ザモジュールを得られる。
歪をケースの外部より制御することによって半導体レー
ザ素子又は光を取り込む光学系の位置を調整するように
したため、ケースを密閉した後に熱膨張あるいは経時変
化等による位置ずれが発生しても調整可能な半導体レー
ザモジュールを得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１実施例の斜視断面図、第２図は本
発明の第２実施例の斜視断面図、第３図、第４図は従来
の実施例を示す断面図である。 ｌ・・・半導体レーザ素子、２・・・ヒートシンク、３
ａ、３ｂ、３ｃ・・・圧電素子、４・・・位置基準台、
５・・・ケース、７・・・ファイバ、８・・・融着剤、
１１゜１２．１３・・・電圧発生器。
発明の第２実施例の斜視断面図、第３図、第４図は従来
の実施例を示す断面図である。 ｌ・・・半導体レーザ素子、２・・・ヒートシンク、３
ａ、３ｂ、３ｃ・・・圧電素子、４・・・位置基準台、
５・・・ケース、７・・・ファイバ、８・・・融着剤、
１１゜１２．１３・・・電圧発生器。
Claims (2)
- （１）半導体レーザ素子又は光を取り込む光学系の全部
又は一部を、複数個の圧電素子で支持した微調整台上に
配設したことを特徴とする、半導体レーザモジュール。 - （２）圧電素子が磁歪素子である、請求項１記載の半導
体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058489A JPH02288389A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058489A JPH02288389A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288389A true JPH02288389A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14539553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058489A Pending JPH02288389A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02288389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332377A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Fujitsu Ltd | 冷却構造 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60185231A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ光雑音低減方法 |
| JPS631368B2 (ja) * | 1983-05-27 | 1988-01-12 | Trinity Ind Corp | |
| JPS6334995A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | レ−ザ集光装置 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP11058489A patent/JPH02288389A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS631368B2 (ja) * | 1983-05-27 | 1988-01-12 | Trinity Ind Corp | |
| JPS60185231A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ光雑音低減方法 |
| JPS6334995A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | レ−ザ集光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332377A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Fujitsu Ltd | 冷却構造 |
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