JPH02293344A - 電子的用途に使用するのに好適な低軟化点金属酸化物ガラス - Google Patents
電子的用途に使用するのに好適な低軟化点金属酸化物ガラスInfo
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
属酸化物ガラスに関するものである。
ダイ付着用接着剤(die attachadhes
ive)に特に有効である。かかる接着剤は、半導体チ
ップ(ダイ)を基板に付着させるのに使用され、そして
代表的にはガラスの軟化点を越えて系を加熱することに
よって適用される。ボンドは、冷却の間に形成する。
スパッタリングされた装置が温度感受性であるので、系
が被るピーク温度を最小限に保持することが好ましい。
して「鉛/ボレート」に基づく一連の接着剤(PbO/
Bz03/SiOzまたはPbO/BzOi/BizO
:+)が利用されている。これらの接着剤は、375℃
の領域に軟化点を有しており、そして325℃の領域に
ガラス転移温度(Tg)を有しており、そして425
〜450℃ (約100〜125℃各ガラス転移温度よ
り高い)における銀ガラスダイ付着用接着剤として元々
加工されている。
ほとんどが低い結晶温度を有し、かつ耐水性が少ないの
で、ダイ付着用接着剤に有効でなく、更にこれらのガラ
スはしばしば半導体装置に有害な化合物、例えばアルカ
リ金属または弗化物を含有しており、従ってこれらの電
子的用途における利用性を制限している。機能する接着
剤に関して、ガラスは、冷却すると直ちに再形成なけれ
ばならない。即ち、再結晶は一般に、極限接着強度を弱
める。従って、ダイ付着用接着剤に有効であるガラスは
、低軟化点を有することに加えて、操作温度範囲におい
て再結晶に対して耐性でなければならない。低軟化点を
有するガラスが低温で結晶する傾向があるので、このこ
とは、独特な性質の組合せである。
する高い耐性、良好な耐水性および半導体装置に有害な
化合物の不存在を併せもったダイ付着用接着剤に使用す
るのに好適な一連のガラスを提供することである。
物によって達成される。これらのガラスは、低軟化点(
325℃またはそれ以下)を有し、低ガラス転移温度(
260″C未満)を有し、再結晶に対する著しい耐性を
有しそして細粉末に粉砕された後でも水分の存在下にお
いて良好な耐久性を有することを特徴とする。また、上
記ガラスは、電子的要素の性能に悪影響を及ぼすアルカ
リ金属類および弗化物類を含まず、よってこれを電子的
用途に使用することが可能である。
12〜40重量%の酸化バナジウム(ν205)および
35〜?5重量%の酸化テルル(TeOz)、2〜30
重量%のPbO(但し、全ての合計パーセントは100
である)からなる。
、各化合物の正確な量は、もちろん所望とされる最終的
な性質並びにガラス組成物への溶解度によって決定され
る)の1種類またはそれ以上の以下の酸化物化合物、即
ち酸化燐(PZOS)、酸化アルミニウム(Alt(h
) 、酸化ビスマス(BizO,)、酸化亜鉛(SnO
■)、酸化亜鉛(ZnO) 、酸化チタン(TiOz)
、酸化モリブデン(MOO3)、酸化タングステン(W
O.) 、酸化珪素(Si(h)、酸化銅(Cub)
、酸化タリウム(Tl!O)、酸化砒素(Act’s)
および酸化アンチモン(SbzOi)を含んでもよい。
転移温度の若干の変化を引起し、従って、本発明のガラ
スの所望とされる性質を維持しながら特別の適用のため
の組成物あつらえることができる。
有効な金属性ダイ付着用接着剤として利用することがで
きる.,簡単に言うと、粉末状、フレーク状または粉末
状および/またはフレーク状の混合金属銀、金または白
金(好ましくは銀)を粉末状ガラスと4:1〜100:
1 、好ましくは5:1〜25:1の比で混合する。こ
の結果、非常に低い温度(一般には400℃またはそれ
以下)で燃成することができるダイ付着用接着剤となり
、更に多くの用途に好適な強力な結合となる。ダイ付着
用接着剤は、本明細書の参考文献として取り込まれてい
るDietz等による米国特許第4,401,767号
明細書に詳細に開示されている。
あり、かつ低軟化温度のガラスを必要とする封止用ガラ
スまたはサーメットにも使用することができる。封止ガ
ラス用途は、本発明のガラスがかかる用途に元々使用さ
れているガラスと同一の範囲の熱膨張係数を有している
ので特に興味深い。従って、これらのガラスを充填剤な
して14〜20の熱膨張係数を必要とする用途に使用す
ることができ、より低い熱膨張係数が必要とされる場合
は、これらのガラス組成物を膨張改質剤、例えばアモル
ファスシリカまたはベーターユークリプタイト(euc
ryp t i te)と併用することができる。かか
る充填剤は、低い熱膨張係数を有しており、そしてガラ
スより低い熱膨張係数を有している複合体となるであろ
う。熱膨張係数は、上記充填剤の量が上昇するに従って
減少する(本明細書の参考文献として取り込まれている
Malmeindier等による米国特許第3,873
,866号明細書に記載のごとく)従って、低軟化点ガ
ラスを容易に得ることができる。。
,、Tea.およびPbOからなる。これらの成分は、
以下の組成で存在する。
0. 1/1〜0.5/1の範囲である (しかしなが
ら、VzOs/TeOzが約0.28/1の場合には0
.8/1より高い範囲であってもよい)。これらの組成
のガラスは、低いTg (260″C以下)であること
を特徴とし、従って軟化点が一般にTgより50〜70
℃以上は高《ないので、低い軟化点(325℃またはそ
れ以下)であることを特徴とする。これらは、微細粉末
に粉砕されても著しい耐再結晶性を示す。
物ガラスと区別するこの再結晶に対する耐性並びに水分
に対する良好な耐久性である。理論に結び付けるつもり
はないが、この再結晶に対する耐性並びに水分に対する
耐久性が系におけるPbOの存在と密接に関連している
ことを注目すべきである。即ち、pboをその他の金属
酸化物により置き換えると、Tgの上昇なしで上記の性
質を与えない。PbOが系におけるその他の酸化物と内
部反応し、ガラス形態をより安定なものとすることを確
信する。
販ガラスに見出される1種類またはそれ以上のその他の
酸化組成物を含むことができる。
θ〜6%) 、SiOz(好ましくは0〜2%、より好
ましくは0〜1%) 、Cub(好ましくは0〜7%、
より好ましくはO〜5%) 、A1203 、BizO
i、Sn02、ZnO 、T1zO(好まし《は0〜5
%、より好ましくはO〜2%) 、As203およびS
b203が挙げられる。ガラス配合における各化合物の
正確な量は、もちろんガラス組成物に対する溶解度に依
存するものであろう。かかる組成物は、ガラスの性質に
対してほんのわずかの影響しか与す、そしてこれらの組
成物の存在が望ましい場合に使用することができる。
ける成分としても使用することができる。
に有効である。本来の使用において、上記接着剤を半導
体要素の間に配置し、そしてこの系をガラスの軟化点以
上の温度に加熱(燃成)する.ポンドが接着剤を冷却し
た際に形成する。
粉末状の金属およびフレーク状および/または粉末状の
金属、即ち銀、金および白金および4成分(AgzO/
VzOs/TCIOz/PbO)ガラスを4:1〜10
0: 1、好ましくは5:1〜25:lの比で高沸点有
機溶剤およびボリマー性バインダーと一緒に混合した混
合物である。使用するのにに好ましい金属は、銀である
。かかる接着剤は、ガラスの低軟化点のゆえに従来のダ
イ付着用接着剤よりも良好なポンドを達成するためによ
り低い燃成温度しか必要としない。一般に、燃成温度は
、400 ’C以下、好ましくは375℃またはそれ以
下である。このために、400℃を越えた温度に感受性
である半導体成分を、本発明の接着剤によって基板の付
着させることができる。
明するが、以下の実施例は、全ての実施態様を説明する
つもりでない。
zCOi並びにPbO (必要により)をブレンドし、
650℃(またはそれ以上)に加熱することによって製
造し、次いで周囲温度でプレート上で焼入れした。
加え、これを高温で八gzoに分解した。その他の化合
物を利用して同様に金属酸化物を得ることことができる
ことが認められる。組成物(金属酸化物として計算)を
第I表に要約する。
た。
450℃のピーク温度にまでlO℃/分の速度で加熱す
る示差熱装置(differntial scanni
ngcalorimeter) (DSC)で熱分析を
行った。ガラス転移点(Tg)およびある場合には、結
晶温度(Te,.ys&)を、記載した。結果を第■表
に示す。
ており、そしてこれら組成物(PbOを含有する)がp
boがない同様の組成物よりも低いTgを有しており、
しかも再結晶に対してより耐性であることを表している
。更に、DSCにおいて結晶化を示さなかったPbOな
しで形成されたガラスのみがVzOs/TeOz比(重
量/重量)が約0.57/1とした際に観察された。従
ってPbOが結晶耐性ガラス領域を著しく広げる。
果を評価するために、ガラス配合19に基づいて一連の
組成物を製造した。添加した金属酸化物の量は、Te”
当り0.1カチオンとし、従ってガスにおける添加した
金属酸化物の重量を変えた。
して検査した。結果を第■表に示す。
しなかった。
は保持し、そして結晶化する傾向(rc,,.t )を
減少しつつ、完全に溶融してガラスを形成する唯一の酸
化物であるということが見出される。
ラスの耐久性を評価するために、実施例Iのいくつかの
ガラスを1.5〜2mm直径ビーズに形成した。秤量し
たガラスビーズを15111fの脱イオン水を含有する
密閉された容器に配置して、そして1時間100″Cで
保持した。水から除去した後、ビーズを乾燥し、次いで
再び秤量し、視覚的に検査した。比較のために、硼酸鉛
ガラスも検査した。結果を第■表に要約する。
量または外観上の)変化を示さず全く耐久性があり、一
方PbOなしのガラスが著しい重量変化および外観の変
化を示したということが見出せる。硼酸鉛ガラスは、本
発明のガラス(サンプル9および19)の50倍以上の
重量変化を示した。
ガラスの利用性を評価するために、1部のガラスサンプ
ル14と7部の金属銀、高沸点有機溶剤およびボリマー
性バインダーと混合することによって接着剤のサンプル
を作成した。次いで、これを使用して上記接着剤を基質
に適用し、そしてダイを表面に配置し、系を80℃で1
時間加熱し、30℃/分の速度でピーク温度のまで加熱
し、そしてピーク温度で10分間保持し、続いて100
’C/分の速度で周囲温度にまで冷却することによって
0.4寥ゝ×0.4¥裸シリコンダイを裸92%アルミ
ナ基板に付着させた。
張試験分析機で評価し、そして破壊のモードを記録した
。これを、同様の方法で処理した JM4720(Johnson Mattey Inc
.から販売されるダイ付着用接着剤)およびQMI24
12(QuantumMaterials Inc.か
ら販売されるダイ付着用接着剤)の性能と比較した。結
果を第V表に示す。
件下に強力なボンドを形成したということが見出せる。
ために、25〜150℃の範囲に渡る熱膨張係数をいく
つかの代表的な本発明のガラスについて熱一機械的分析
機(TMA)で測定した。結果を℃当りの百万部当りの
部数(ppm/ ’C ) としてこの温範囲に渡って
報告し、第■表に要約する。
14〜20ppm/”Cの熱膨張係数を示すということ
を示している。
するために、ガラス14のセラミック充填剤とのブレン
ドをT?IAで検査した。結果を第■表に示す。
することによって著しく減少することができるというこ
とを示している。
の精神および範囲から逸脱することなしになされること
が明らかである.特定の実施態様は、単に例示のつもり
で記載したものであり、そして本発明は、特許請求の範
囲によってのみ限定される.
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、2〜40重量%の酸化銀、12〜40重量%の酸化
バナジウムおよび35〜75重量%の酸化テルルおよび
2〜30重量%の酸化鉛(但し、全ての合計パーセント
は100である)からなる低軟化点ガラス組成物。 2、更に全量の10重量%までの酸化燐、酸化タングス
テン、酸化珪素、酸化銅、酸化アルミニウム、酸化ビス
マス、酸化錫、酸化亜鉛、酸化タリウム、酸化砒素、酸
化モリブデン、酸化チタンおよび酸化アンチモンからな
る群から選ばれた1種類またはそれ以上の酸化物化合物
からなる請求項1に記載の低軟化点ガラス組成物。 3、(a)銀、金および白金からなる群から選ばれた金
属および (b)2〜40重量%の酸化銀、12〜40重量%の酸
化バナジウム、35〜75重量%の酸化テルルおよび2
〜30重量%の酸化鉛(但し、全ての合計パーセントは
100である)からなる粉末状の低軟化点ガラス組成物
の混合物からなり、 400℃またはそれ以下のピーク燃焼温度を有しており
、(a)/(b)の比率が4:1〜100:1であるダ
イ付着用接着組成物。 4、上記金属酸化物がフレーク状の金属、粉末状の金属
およびフレーク状および/または粉末状の金属の混合物
から選ばれる請求項3に記載のダイ付着用接着組成物。 5、更に全量の10重量%までの五酸化燐、酸化タング
ステン、酸化珪素、酸化銅、酸化アルミニウム、酸化ビ
スマス、酸化錫、酸化亜鉛、酸化タリウム、酸化砒素、
酸化モリブデン、酸化チタンおよび酸化アンチモンから
なる群から選ばれた1種類またはそれ以上の酸化物化合
物からなる請求項3に記載のダイ付着用接着組成物。 6、請求項1に記載の低軟化点組成物からなる封止用ガ
ラス。 7、更に膨張−改質充填剤からなり、もって上記ガラス
の熱膨張係数が低減された請求項6に記載の封止用ガラ
ス。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US340,183 | 1989-04-19 | ||
| US07/340,183 US4945071A (en) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | Low softening point metallic oxide glasses suitable for use in electronic applications |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02293344A true JPH02293344A (ja) | 1990-12-04 |
| JP2703385B2 JP2703385B2 (ja) | 1998-01-26 |
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ID=23332249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2100557A Expired - Lifetime JP2703385B2 (ja) | 1989-04-19 | 1990-04-18 | 電子的用途に使用するのに好適な低軟化点金属酸化物ガラス |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4945071A (ja) |
| EP (1) | EP0393416B1 (ja) |
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| HK (1) | HK123293A (ja) |
| PH (1) | PH27455A (ja) |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011096748A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子及びその製造方法 |
| JP2011096747A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
| WO2012046719A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| JP2012525312A (ja) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 第1及び第2の基板を有する素子並びにその製造方法 |
| WO2012144335A1 (ja) | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
| WO2013005600A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 株式会社日立製作所 | ガラス組成物、それを含むガラスフリット、それを含むガラスペースト、およびそれを利用した電気電子部品 |
| WO2013111434A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | 株式会社 日立製作所 | 接合体および半導体モジュール |
| WO2013111456A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | 株式会社 日立産機システム | インク、被印字基材、印字装置、印字方法、被印字基材の製造方法 |
| JP2013533188A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛およびテルル酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
| JP2014038829A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-27 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペースト |
| WO2014102915A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社 日立製作所 | 低融点ガラス樹脂複合材料と、それを用いた電子・電気機器 |
| JP2014187251A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Hitachi Ltd | 接合材、接合構造体 |
| JP2014187252A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Hitachi Power Semiconductor Device Ltd | 接合材、接合構造体およびその製造方法、並びに半導体モジュール |
| JP2015163587A (ja) * | 2015-04-23 | 2015-09-10 | 旭硝子株式会社 | 封着用無鉛ガラス、封着材料、封着材料ペースト |
| JP2015171993A (ja) * | 2011-07-04 | 2015-10-01 | 株式会社日立製作所 | ガラス組成物、それを含むガラスフリット、それを含むガラスペースト、およびそれを利用した電気電子部品 |
| JP2016050136A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 日立化成株式会社 | 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む低温封止用ガラスフリット、低温封止用ガラスペースト、導電性材料及び導電性ガラスペースト並びにこれらを利用したガラス封止部品及び電気電子部品 |
| JPWO2014073085A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-09-08 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法 |
| JP2016532278A (ja) * | 2013-09-13 | 2016-10-13 | サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. | 太陽電池電極形成用組成物及びこれによって製造された電極 |
| JP2016203237A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 日立化成株式会社 | 導電性接合体および該接合体の製造方法 |
| JPWO2014115252A1 (ja) * | 2013-01-23 | 2017-01-19 | 株式会社日立製作所 | 回路基板及び回路基板の製造方法 |
| JPWO2014128899A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2017-02-02 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型電子制御装置 |
| JP2017128466A (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | クラレノリタケデンタル株式会社 | ジルコニア焼結体及び歯科用製品、並びにそれらの製造方法 |
| JP2017533164A (ja) * | 2014-10-01 | 2017-11-09 | フェロ ゲーエムベーハー | 420℃以下の加工温度を有するテルル酸塩接合ガラス |
| US10658528B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-05-19 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| WO2023026771A1 (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス組成物及び封着材料 |
| JP2023033083A (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-09 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス組成物及び封着材料 |
| WO2024057823A1 (ja) * | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 日本電気硝子株式会社 | 封着材料層付きガラス基板及び気密パッケージの製造方法 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04270140A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-09-25 | Johnson Matthey Inc | シーリングガラス組成物および導電性成分を含む同組成物 |
| US5013697A (en) * | 1990-06-21 | 1991-05-07 | Johnson Matthey Inc. | Sealing glass compositions |
| GB9015072D0 (en) * | 1990-07-09 | 1990-08-29 | Cookson Group Plc | Glass composition |
| JPH04202710A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-23 | Daido Steel Co Ltd | 真空精錬方法 |
| WO1993002980A1 (en) * | 1991-08-07 | 1993-02-18 | Vlsi Packaging Materials, Inc. | Low temperature lead vanadium sealing glass compositions |
| DE4128804A1 (de) * | 1991-08-30 | 1993-03-04 | Demetron | Bleifreies, niedrigschmelzendes glas |
| US5188990A (en) * | 1991-11-21 | 1993-02-23 | Vlsi Packaging Materials | Low temperature sealing glass compositions |
| US5663109A (en) * | 1992-10-19 | 1997-09-02 | Quantum Materials, Inc. | Low temperature glass paste with high metal to glass ratio |
| US5334558A (en) * | 1992-10-19 | 1994-08-02 | Diemat, Inc. | Low temperature glass with improved thermal stress properties and method of use |
| US5693580A (en) * | 1996-09-13 | 1997-12-02 | Sandia Corporation | Titanium sealing glasses and seals formed therefrom |
| US5648302A (en) * | 1996-09-13 | 1997-07-15 | Sandia Corporation | Sealing glasses for titanium and titanium alloys |
| US6376399B1 (en) * | 2000-01-24 | 2002-04-23 | Corning Incorporated | Tungstate, molybdate, vanadate base glasses |
| US6664567B2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-12-16 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device, glass composition for coating silicon, and insulating coating in contact with silicon |
| AU2002324943A1 (en) * | 2001-09-07 | 2003-03-24 | Shipley Company, Llc | Glass bonded fiber array and method for the fabrication thereof |
| US7009213B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-03-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting devices with improved light extraction efficiency |
| TWI251455B (en) * | 2004-07-06 | 2006-03-11 | Advanced Semiconductor Eng | A manufacturing method of a multi-layer circuit board with embedded passive components |
| US7419839B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
| KR100772501B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2007-11-01 | 한국전자통신연구원 | 텔루라이트 유리 조성물, 이를 이용한 광도파로 및광증폭기 |
| DE102010006072A1 (de) * | 2010-01-28 | 2011-08-18 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verwendung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils in einem Kfz-Schweinwerfer |
| TWI448444B (zh) * | 2010-08-11 | 2014-08-11 | Hitachi Ltd | A glass composition for an electrode, a paste for an electrode for use, and an electronic component to which the electrode is used |
| JP5947238B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2016-07-06 | 株式会社日立製作所 | ペースト、アルミニウム電線体、アルミニウム電線体の製造方法、モータ及びモータの製造方法 |
| JP6350126B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2018-07-04 | 日立化成株式会社 | 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む低温封止用ガラスフリット、低温封止用ガラスペースト、導電性材料及び導電性ガラスペースト並びにこれらを利用したガラス封止部品及び電気電子部品 |
| FR3036396B1 (fr) | 2015-05-22 | 2020-02-28 | Axon Cable | Composition de verre pour le scellement de connecteur micro-d |
| FR3083794B1 (fr) | 2018-07-10 | 2020-07-10 | Axon Cable | Verres pour connecteur hermetique |
| CN111847889A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-10-30 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种玻璃粉及含该玻璃粉的银浆 |
| FR3141693A1 (fr) | 2022-11-08 | 2024-05-10 | Axon Cable | Verres pour connecteur hermetique miniature |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3798114A (en) * | 1971-05-11 | 1974-03-19 | Owens Illinois Inc | Glasses with high content of silver oxide |
| US3885975A (en) * | 1972-04-24 | 1975-05-27 | Corning Glass Works | Low melting vanadate glasses |
| US4401767A (en) * | 1981-08-03 | 1983-08-30 | Johnson Matthey Inc. | Silver-filled glass |
| US4459166A (en) * | 1982-03-08 | 1984-07-10 | Johnson Matthey Inc. | Method of bonding an electronic device to a ceramic substrate |
| DE3434190C1 (de) * | 1984-09-18 | 1985-10-24 | Kali Und Salz Ag, 3500 Kassel | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung der elektrostatischen Trennung von Kalirohsalzen in elektrostatischen Freifallscheidern |
| US4743302A (en) * | 1986-06-06 | 1988-05-10 | Vlsi Packaging Materials, Inc. | Low melting glass composition |
| WO1987005006A1 (en) * | 1986-02-19 | 1987-08-27 | Dumesnil Maurice E | A LOW MELTING GLASS COMPOSITION CONTAINING PbO AND V2O5 |
-
1989
- 1989-04-19 US US07/340,183 patent/US4945071A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-04-03 EP EP90106384A patent/EP0393416B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-03 DE DE90106384T patent/DE69002078T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-04 PH PH40325A patent/PH27455A/en unknown
- 1990-04-14 KR KR1019900005179A patent/KR920010092B1/ko not_active Expired
- 1990-04-18 JP JP2100557A patent/JP2703385B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-11-11 HK HK1232/93A patent/HK123293A/en not_active IP Right Cessation
Cited By (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012525312A (ja) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 第1及び第2の基板を有する素子並びにその製造方法 |
| JP2011096748A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子及びその製造方法 |
| JP2011096747A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
| US8551368B2 (en) | 2009-10-28 | 2013-10-08 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste for forming a solar cell electrode |
| US10347787B2 (en) | 2009-10-28 | 2019-07-09 | Shoei Chemical Inc. | Method for forming a solar cell electrode with conductive paste |
| US8962981B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-02-24 | Shoei Chemical Inc. | Solar cell device and manufacturing method therefor |
| US10468542B2 (en) | 2010-05-04 | 2019-11-05 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10559703B2 (en) | 2010-05-04 | 2020-02-11 | Dupont Electronics, Inc. | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US11043605B2 (en) | 2010-05-04 | 2021-06-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8895843B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-25 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-boron-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US8889979B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—titanium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| JP2013533188A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛およびテルル酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| JP2013533187A (ja) * | 2010-05-04 | 2013-08-22 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−リチウム−チタン−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
| US8889980B2 (en) | 2010-05-04 | 2014-11-18 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead—tellurium—lithium—oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10069020B2 (en) | 2010-05-04 | 2018-09-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US9722100B2 (en) | 2010-05-04 | 2017-08-01 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick-film pastes containing lead-tellurium-lithium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices |
| US10084100B2 (en) | 2010-10-07 | 2018-09-25 | Shoei Chemical Inc. | Solar cell element and method for manufacturing same |
| KR101396037B1 (ko) * | 2010-10-07 | 2014-05-19 | 교세라 가부시키가이샤 | 태양전지소자 및 그의 제조방법 |
| JP2012084585A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子並びにその製造方法 |
| WO2012046719A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| US9064616B2 (en) | 2011-04-21 | 2015-06-23 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste |
| WO2012144335A1 (ja) | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
| JP2015171993A (ja) * | 2011-07-04 | 2015-10-01 | 株式会社日立製作所 | ガラス組成物、それを含むガラスフリット、それを含むガラスペースト、およびそれを利用した電気電子部品 |
| JP2016210681A (ja) * | 2011-07-04 | 2016-12-15 | 株式会社日立製作所 | ガラス組成物、該ガラス組成物を含むガラスフリット、および該ガラス組成物を含むガラスペースト |
| WO2013005600A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 株式会社日立製作所 | ガラス組成物、それを含むガラスフリット、それを含むガラスペースト、およびそれを利用した電気電子部品 |
| JP2013032255A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-02-14 | Hitachi Ltd | ガラス組成物、それを含むガラスフリット、それを含むガラスペースト、およびそれを利用した電気電子部品 |
| US10252938B2 (en) | 2011-07-04 | 2019-04-09 | Hitachi, Ltd. | Glass composition, glass frit containing same, glass paste containing same, and electrical/electronic component obtained using same |
| WO2013111456A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | 株式会社 日立産機システム | インク、被印字基材、印字装置、印字方法、被印字基材の製造方法 |
| US9196563B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-11-24 | Hitachi, Ltd. | Bonded body and semiconductor module |
| WO2013111434A1 (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | 株式会社 日立製作所 | 接合体および半導体モジュール |
| US9334415B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-05-10 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co., Ltd. | Ink, base to be printed, printing device, printing method, and method for producing base to be printed |
| JP2013151396A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-08 | Hitachi Ltd | 接合体および半導体モジュール |
| CN104080862B (zh) * | 2012-01-26 | 2016-09-21 | 株式会社日立产机系统 | 墨水、被印刷基材、印刷装置、印刷方法、被印刷基材的制造方法 |
| CN104080862A (zh) * | 2012-01-26 | 2014-10-01 | 株式会社日立产机系统 | 墨水、被印刷基材、印刷装置、印刷方法、被印刷基材的制造方法 |
| JP2014038829A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-27 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペースト |
| JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
| JPWO2014073085A1 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-09-08 | 株式会社日立製作所 | 配線基板とその製造方法 |
| WO2014102915A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 株式会社 日立製作所 | 低融点ガラス樹脂複合材料と、それを用いた電子・電気機器 |
| JPWO2014115252A1 (ja) * | 2013-01-23 | 2017-01-19 | 株式会社日立製作所 | 回路基板及び回路基板の製造方法 |
| JPWO2014128899A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2017-02-02 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型電子制御装置 |
| JP2014187251A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Hitachi Ltd | 接合材、接合構造体 |
| JP2014187252A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Hitachi Power Semiconductor Device Ltd | 接合材、接合構造体およびその製造方法、並びに半導体モジュール |
| JP2016532278A (ja) * | 2013-09-13 | 2016-10-13 | サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. | 太陽電池電極形成用組成物及びこれによって製造された電極 |
| US10388803B2 (en) | 2013-09-13 | 2019-08-20 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming solar cell electrode and electrode manufactured therefrom |
| JP2016050136A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 日立化成株式会社 | 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む低温封止用ガラスフリット、低温封止用ガラスペースト、導電性材料及び導電性ガラスペースト並びにこれらを利用したガラス封止部品及び電気電子部品 |
| JP2017533164A (ja) * | 2014-10-01 | 2017-11-09 | フェロ ゲーエムベーハー | 420℃以下の加工温度を有するテルル酸塩接合ガラス |
| JP2015163587A (ja) * | 2015-04-23 | 2015-09-10 | 旭硝子株式会社 | 封着用無鉛ガラス、封着材料、封着材料ペースト |
| JP2016203237A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | 日立化成株式会社 | 導電性接合体および該接合体の製造方法 |
| JP2017128466A (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | クラレノリタケデンタル株式会社 | ジルコニア焼結体及び歯科用製品、並びにそれらの製造方法 |
| US10658528B2 (en) | 2017-04-18 | 2020-05-19 | Dupont Electronics, Inc. | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| WO2023026771A1 (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス組成物及び封着材料 |
| JP2023033083A (ja) * | 2021-08-26 | 2023-03-09 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス組成物及び封着材料 |
| WO2024057823A1 (ja) * | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 日本電気硝子株式会社 | 封着材料層付きガラス基板及び気密パッケージの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK123293A (en) | 1993-11-19 |
| KR920010092B1 (ko) | 1992-11-14 |
| PH27455A (en) | 1993-07-02 |
| KR900016060A (ko) | 1990-11-12 |
| EP0393416A1 (en) | 1990-10-24 |
| EP0393416B1 (en) | 1993-06-30 |
| DE69002078D1 (de) | 1993-08-05 |
| JP2703385B2 (ja) | 1998-01-26 |
| DE69002078T2 (de) | 1993-10-21 |
| US4945071A (en) | 1990-07-31 |
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