JPH02294032A - ウエハー研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
ウエハー研磨方法及び研磨装置Info
- Publication number
- JPH02294032A JPH02294032A JP1114181A JP11418189A JPH02294032A JP H02294032 A JPH02294032 A JP H02294032A JP 1114181 A JP1114181 A JP 1114181A JP 11418189 A JP11418189 A JP 11418189A JP H02294032 A JPH02294032 A JP H02294032A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- cloth
- surface plate
- flatness
- Prior art date
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- Granted
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はウェハー研磨方法及びそれに用いる研磨装置に
関するものである． （従来の技術） 従来例えば半導体ウェハー等の鏡面研磨方法としては、
両面同時に鏡面にする両面研磨と片面のみ鏡面にする片
面研磨とがある． これら両面研磨、片面研磨は、主としてウェハー表面の
平坦度を良くしおおよその鏡面を得る目的で行われる一
次研磨と、その後さらに平坦度を増して鏡面に仕上げる
二次研磨とからなる．上記一次研磨用の研磨布としては
不織布タイプ硬質研磨布を用い、二次研磨用としては発
泡ウレタンのスエードタイプの研磨布を用いる．（発明
が解決しようとする課題） 以上の従来の技術においては，一次研磨用として硬質の
研磨布を用いることにより、平坦度を増している．しか
しながら単に硬質の研磨布を用いるだけで、この研磨布
自体に対する工夫はなされていなかった． したがって従来の方法により一次研磨を行ったもので両
面研磨あるいは片面研磨を施したものでは、ウェハー周
辺部が内面部に比較して外周方向によけいに研磨される
（周辺部が垂れる》傾向にあり、得られる平坦度には限
界があった．これを具体的に説明すると、例えば第３図
に従来の片面研磨の方法を示す。図中７はウェハー、８
はこのウェハーを接着した接着プレート、９は研磨定盤
、１０はこの研磨定盤上に取り付けられた研磨布である
．図示のようにウェハー７及び研磨布１０はそれぞれ稼
動軸１１．１２により回転させ研磨が行われるが、ウェ
ハー周辺部は外周部に向かうにつれて内面部に比較して
よけいに研磨され垂れてしまう。また両面研磨ではウェ
ハーがキャリャの中でフリーな状態であるので、ウェハ
ー上下の周辺部が上下内面部に比較してよけいにかつ均
等に研磨されてしまう。
関するものである． （従来の技術） 従来例えば半導体ウェハー等の鏡面研磨方法としては、
両面同時に鏡面にする両面研磨と片面のみ鏡面にする片
面研磨とがある． これら両面研磨、片面研磨は、主としてウェハー表面の
平坦度を良くしおおよその鏡面を得る目的で行われる一
次研磨と、その後さらに平坦度を増して鏡面に仕上げる
二次研磨とからなる．上記一次研磨用の研磨布としては
不織布タイプ硬質研磨布を用い、二次研磨用としては発
泡ウレタンのスエードタイプの研磨布を用いる．（発明
が解決しようとする課題） 以上の従来の技術においては，一次研磨用として硬質の
研磨布を用いることにより、平坦度を増している．しか
しながら単に硬質の研磨布を用いるだけで、この研磨布
自体に対する工夫はなされていなかった． したがって従来の方法により一次研磨を行ったもので両
面研磨あるいは片面研磨を施したものでは、ウェハー周
辺部が内面部に比較して外周方向によけいに研磨される
（周辺部が垂れる》傾向にあり、得られる平坦度には限
界があった．これを具体的に説明すると、例えば第３図
に従来の片面研磨の方法を示す。図中７はウェハー、８
はこのウェハーを接着した接着プレート、９は研磨定盤
、１０はこの研磨定盤上に取り付けられた研磨布である
．図示のようにウェハー７及び研磨布１０はそれぞれ稼
動軸１１．１２により回転させ研磨が行われるが、ウェ
ハー周辺部は外周部に向かうにつれて内面部に比較して
よけいに研磨され垂れてしまう。また両面研磨ではウェ
ハーがキャリャの中でフリーな状態であるので、ウェハ
ー上下の周辺部が上下内面部に比較してよけいにかつ均
等に研磨されてしまう。
本発明は一次研磨におけるウェハー周辺部の研磨量を減
らすことによりウェハーの平坦度を高めた研磨が行える
ウェハー研磨方法及びそれに用いる研磨装置を提供する
目的でなされたものである． （課題を解決するための手段） 本発明者等は研磨が研磨液を供給し、研磨布で擦り付け
ることで行われるメカノケミカルボリッシングであり、
機械的作用と化学的作用のバランスが重要である点に着
目して鋭意研究を重ねたところ、ウェハーの平坦度を向
上させるには研磨布の外周部の，ウェハーとの接触面積
を減少させることが有効であることを見出し、この知見
に基づき本発明を完成するに至った。
らすことによりウェハーの平坦度を高めた研磨が行える
ウェハー研磨方法及びそれに用いる研磨装置を提供する
目的でなされたものである． （課題を解決するための手段） 本発明者等は研磨が研磨液を供給し、研磨布で擦り付け
ることで行われるメカノケミカルボリッシングであり、
機械的作用と化学的作用のバランスが重要である点に着
目して鋭意研究を重ねたところ、ウェハーの平坦度を向
上させるには研磨布の外周部の，ウェハーとの接触面積
を減少させることが有効であることを見出し、この知見
に基づき本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、（１）回転定盤を用いた研磨機によ
りウェハーを研磨するに当り、研磨布として回転定盤に
取り付けた溝付周辺部を有する研磨布を用い、前記ウェ
ハーの外周部が前記研磨布の溝付周辺部に接触するよう
にすることを特徴とするウェハー研磨方法、及び （２）回転定盤を用いた研磨機において、回転定盤上に
、溝付周辺部を周辺部に有する研磨布を設けてなること
を特徴とするウェハー研磨装置、を提供するものである
。
りウェハーを研磨するに当り、研磨布として回転定盤に
取り付けた溝付周辺部を有する研磨布を用い、前記ウェ
ハーの外周部が前記研磨布の溝付周辺部に接触するよう
にすることを特徴とするウェハー研磨方法、及び （２）回転定盤を用いた研磨機において、回転定盤上に
、溝付周辺部を周辺部に有する研磨布を設けてなること
を特徴とするウェハー研磨装置、を提供するものである
。
（実施例）
次に本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明する．
第１図は本発明におけるウェハーの研磨状態を示す一例
の断面図である．■はウェハー、２はこのウェハーを接
着した接着プレート、３は稼動軸である。また４は研磨
布、５は研磨布を上面に取り付けた研磨定盤であり、６
は稼動軸である．なお、稼動軸３、６はそれぞれ稼動源
（図示せず）に連結されている．上記研磨布４の外周部
には溝ピッチ８ｍｍ．満幅３ｍｍの溝を設けてあり、こ
れを溝付周辺部４ａとしている．第２図に研磨布４の平
面図を示す。
の断面図である．■はウェハー、２はこのウェハーを接
着した接着プレート、３は稼動軸である。また４は研磨
布、５は研磨布を上面に取り付けた研磨定盤であり、６
は稼動軸である．なお、稼動軸３、６はそれぞれ稼動源
（図示せず）に連結されている．上記研磨布４の外周部
には溝ピッチ８ｍｍ．満幅３ｍｍの溝を設けてあり、こ
れを溝付周辺部４ａとしている．第２図に研磨布４の平
面図を示す。
次に研磨方法について説明すると、第１図に示すように
ウェハー１を矢印方向に回転させながら、矢印方向に回
転している研磨布４にその表面を接触させ研磨する．こ
のときウェハー１の外周部の一部はかならず研磨布４の
溝付周辺部４ａに接触するようにして研磨を行う．研磨
の際には研磨液を使用するが、本例ではＳｉｎｓ微細砥
粒を含むアルカリ溶液を使用した．この研磨液は上記に
限定するものではな《例えばＩｎｓｅｃ ＦＰ （商品
名、不二見研磨材工業■製） ， Ｎａｌｃｏ ２３６
０ （商品名、ロデール・ニッタ■ＷＩＪ）等を好まし
く使用することができる。また講付周辺部４ａの溝は本
例では溝ピッチ８ｍｍ、溝幅３ｍｍとして形成したが、
本発明において研磨布に形成する溝付周辺部の溝の形状
等は限定するものではない。溝は例えば溝ピッチ１〜１
０ｍｍ、満幅ｌ〜５ｍｍとするのが好ましく、この溝を
付けることで研磨後のウェハー平坦度は、２インチ径で
２μｍ以下、３インチ径で３μｍ以下に仕上げることが
可能である．これが第３図の従来法では２インチ径で５
μｍ、３インチ径で８μｍ程度の平坦度であった． なお、上記の研磨の後に仕上げ研磨を行うことにより、
研磨が完了する． 本例は片面研磨についての例であるが両面研磨について
も上定盤及び下定盤に同様の研磨布を使用することで適
用できる。
ウェハー１を矢印方向に回転させながら、矢印方向に回
転している研磨布４にその表面を接触させ研磨する．こ
のときウェハー１の外周部の一部はかならず研磨布４の
溝付周辺部４ａに接触するようにして研磨を行う．研磨
の際には研磨液を使用するが、本例ではＳｉｎｓ微細砥
粒を含むアルカリ溶液を使用した．この研磨液は上記に
限定するものではな《例えばＩｎｓｅｃ ＦＰ （商品
名、不二見研磨材工業■製） ， Ｎａｌｃｏ ２３６
０ （商品名、ロデール・ニッタ■ＷＩＪ）等を好まし
く使用することができる。また講付周辺部４ａの溝は本
例では溝ピッチ８ｍｍ、溝幅３ｍｍとして形成したが、
本発明において研磨布に形成する溝付周辺部の溝の形状
等は限定するものではない。溝は例えば溝ピッチ１〜１
０ｍｍ、満幅ｌ〜５ｍｍとするのが好ましく、この溝を
付けることで研磨後のウェハー平坦度は、２インチ径で
２μｍ以下、３インチ径で３μｍ以下に仕上げることが
可能である．これが第３図の従来法では２インチ径で５
μｍ、３インチ径で８μｍ程度の平坦度であった． なお、上記の研磨の後に仕上げ研磨を行うことにより、
研磨が完了する． 本例は片面研磨についての例であるが両面研磨について
も上定盤及び下定盤に同様の研磨布を使用することで適
用できる。
（作用）
本発明は研磨布の周辺に溝付周辺部を形成して、この溝
付周辺部を研磨時にウェハー外周部に接触するようにし
たために、ウェハー外周部の研＠量を内面部と同等とす
ることができ、ウェハー周辺部の垂れを抑制することが
できる．（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、ウェハー内面部と
外周部との研磨量を同等とすることができ、研磨完了後
のウェハー平坦度を従来にな《向上させ得る．これによ
り得られたウェハーへ微細パターンを形成する際にはビ
ントずれが少なくなる。
付周辺部を研磨時にウェハー外周部に接触するようにし
たために、ウェハー外周部の研＠量を内面部と同等とす
ることができ、ウェハー周辺部の垂れを抑制することが
できる．（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、ウェハー内面部と
外周部との研磨量を同等とすることができ、研磨完了後
のウェハー平坦度を従来にな《向上させ得る．これによ
り得られたウェハーへ微細パターンを形成する際にはビ
ントずれが少なくなる。
第１図は本発明の一実施態様を示す断面図、第２図はそ
れに用いた研磨布の平面図、第３図は従来の研磨態様を
示す断面図である． 符号の説明 １．７・・・ウェハー，２，８・・・接着プレート、３
，６，１１．１２・・・稼動軸、４，ＩＯ・・・研磨布
、４ａ・・・溝付周辺部、５．９・・・研磨定盤．第１
図 ６稼動軸 第２図
れに用いた研磨布の平面図、第３図は従来の研磨態様を
示す断面図である． 符号の説明 １．７・・・ウェハー，２，８・・・接着プレート、３
，６，１１．１２・・・稼動軸、４，ＩＯ・・・研磨布
、４ａ・・・溝付周辺部、５．９・・・研磨定盤．第１
図 ６稼動軸 第２図
Claims (2)
- （１）回転定盤を用いた研磨機によりウェハーを研磨す
るに当り、回転定盤に取り付けた、溝付周辺部を有する
研磨布を用い、前記ウェハーの外周部が前記研磨布の溝
付周辺部に接触するようにすることを特徴とするウェハ
ー研磨方法。 - （２）回転定盤を用いた研磨機において、回転定盤上に
、溝付周辺部を周辺部に有する研磨布を設けてなること
を特徴とするウェハー研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1114181A JP2575489B2 (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | ウエハー研磨方法及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1114181A JP2575489B2 (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | ウエハー研磨方法及び研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294032A true JPH02294032A (ja) | 1990-12-05 |
| JP2575489B2 JP2575489B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=14631223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1114181A Expired - Lifetime JP2575489B2 (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | ウエハー研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2575489B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4317750A1 (de) * | 1992-05-27 | 1993-12-02 | Micron Technology Inc | Vorrichtung zum Planarisieren von Halbleiterplättchen |
| US5873772A (en) * | 1997-04-10 | 1999-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method for polishing the top and bottom of a semiconductor wafer simultaneously |
| JP2007111852A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び研磨布 |
| JP2008221368A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 積層研磨パッド |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP1114181A patent/JP2575489B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4317750A1 (de) * | 1992-05-27 | 1993-12-02 | Micron Technology Inc | Vorrichtung zum Planarisieren von Halbleiterplättchen |
| US5873772A (en) * | 1997-04-10 | 1999-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method for polishing the top and bottom of a semiconductor wafer simultaneously |
| JP2007111852A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び研磨布 |
| JP2008221368A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 積層研磨パッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2575489B2 (ja) | 1997-01-22 |
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