JPH02295025A - シヤドウマスク - Google Patents
シヤドウマスクInfo
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- JPH02295025A JPH02295025A JP11450589A JP11450589A JPH02295025A JP H02295025 A JPH02295025 A JP H02295025A JP 11450589 A JP11450589 A JP 11450589A JP 11450589 A JP11450589 A JP 11450589A JP H02295025 A JPH02295025 A JP H02295025A
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- Japan
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- electron beam
- shadow mask
- film
- metal deposition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業十の利川分野〕
この発明はカラー陰極線管のシャドウマスクに関し、x
’r. L <は、ドーミング量の低減を図ったシャド
ウマスクに関する。
’r. L <は、ドーミング量の低減を図ったシャド
ウマスクに関する。
第2図はたとえば、特開昭5 5−7 6 5 5 3
リ公報に開示された従来のカラー陰極線管の断面図で
ある。図において (1)は内部を高真空に保つための
外囲器、(2)は3本の電子ビームを放出するための電
了銃、(3)は色選択電極を構成するシャトウマスクで
あり、電子ビームが衝突する面トに電子ビームに対して
反射率の大きな物質よりなる電rビーム反射被膜(7)
が設けられている.(4)は外囲器(1)の一部を構成
ずる透光・V1のガラス1j;1而扱、(5)は蛍光ス
クリーンで、赤、緑、青に発光する:3秤の蛍光体スト
ラーrブがガラス1);1面板(4)の内面に順次塗布
されており、これらストライブ群のそれぞれは、シャド
ウマスク(3)のスリット群のそれぞれに電子光学的に
正確に対応ずるような位置関係に設けられている.(6
)は内部磁気シールト板,(8)は偏向ヨークで3本の
電子ビーl1を水下および垂直に偏向させるためのもの
である,(9)はゲツタで陰極線管内を高真空に保つた
めのものである。
リ公報に開示された従来のカラー陰極線管の断面図で
ある。図において (1)は内部を高真空に保つための
外囲器、(2)は3本の電子ビームを放出するための電
了銃、(3)は色選択電極を構成するシャトウマスクで
あり、電子ビームが衝突する面トに電子ビームに対して
反射率の大きな物質よりなる電rビーム反射被膜(7)
が設けられている.(4)は外囲器(1)の一部を構成
ずる透光・V1のガラス1j;1而扱、(5)は蛍光ス
クリーンで、赤、緑、青に発光する:3秤の蛍光体スト
ラーrブがガラス1);1面板(4)の内面に順次塗布
されており、これらストライブ群のそれぞれは、シャド
ウマスク(3)のスリット群のそれぞれに電子光学的に
正確に対応ずるような位置関係に設けられている.(6
)は内部磁気シールト板,(8)は偏向ヨークで3本の
電子ビーl1を水下および垂直に偏向させるためのもの
である,(9)はゲツタで陰極線管内を高真空に保つた
めのものである。
つぎに,カラー陰極線管の動作について説明する。電子
銃(2)から放出された:3本の電子ビームは、偏向ヨ
ーク(8)によって蛍光スクリーン(5)の全面を走査
するように偏向されてシA7トウマスク(3)に達ずる
。このシA7ドウマスク(3)には3木の電子ビームが
、それぞれに対応する色の蛍光体ストライブだGづを叩
くようにさせる色選別機能があり、シャドウマスク(3
)のスリットを通った3本の電子ビームに対して、その
スリット群と蛍光体ストライブ群の位置はそれぞれ電子
光学的に正確に設定されている。したがって、シャトウ
マスク(3)のスリットを通った電子ビームにそれぞれ
に対応ずる色の蛍光体ストライブだけを叩き、それらを
発光させる。このとき、3木の電了ビームの強さを電子
銃(2)の制御電極に加える電気信ひで変化させれば、
各蛍光体ストライブの発光輝度が変えられ、任意の色か
えられるので、蛍光スクリーン(5)−1―にカラー画
像が映出される。
銃(2)から放出された:3本の電子ビームは、偏向ヨ
ーク(8)によって蛍光スクリーン(5)の全面を走査
するように偏向されてシA7トウマスク(3)に達ずる
。このシA7ドウマスク(3)には3木の電子ビームが
、それぞれに対応する色の蛍光体ストライブだGづを叩
くようにさせる色選別機能があり、シャドウマスク(3
)のスリットを通った3本の電子ビームに対して、その
スリット群と蛍光体ストライブ群の位置はそれぞれ電子
光学的に正確に設定されている。したがって、シャトウ
マスク(3)のスリットを通った電子ビームにそれぞれ
に対応ずる色の蛍光体ストライブだけを叩き、それらを
発光させる。このとき、3木の電了ビームの強さを電子
銃(2)の制御電極に加える電気信ひで変化させれば、
各蛍光体ストライブの発光輝度が変えられ、任意の色か
えられるので、蛍光スクリーン(5)−1―にカラー画
像が映出される。
しかしながら、このぱあい、電子銃(2)から放出され
た電子ビームのうち約80%がシャ1〜ウマスク(3)
に1千i突してさえぎられ、シャトウマスク(3)に熱
エネルギをhえて¥11温させる。その結果、シャドウ
マスク(3)は熱膨張により変形し、正確に対応してい
たシャトウマスク(3)と蛍光休ス1〜ライブの位置関
係がずれて色ずれの大きな要囚となる。
た電子ビームのうち約80%がシャ1〜ウマスク(3)
に1千i突してさえぎられ、シャトウマスク(3)に熱
エネルギをhえて¥11温させる。その結果、シャドウ
マスク(3)は熱膨張により変形し、正確に対応してい
たシャトウマスク(3)と蛍光休ス1〜ライブの位置関
係がずれて色ずれの大きな要囚となる。
これらの問題点の解決手段として、特開昭55−765
53シじ公報では、シA7トウマスク(3)の電rビー
ム照射面に、シャトウマスク(3)を構成する物質より
も電丁ピーム反射甲の人きな物質からなる電rビーム反
射被膜(7)を設りることや、また特公昭60 − 1
4 4 5 9 吟公報では70をこえた原子番りを
有する重金属の材料を含む溶液を吹イ−1り塗布して、
電rビーム反射被膜(7)を設りることか提案されてお
り、ir+金属材料として鉛、タングスデンおJ:びビ
スマスがえらばれ、またこれらの炭化物、硫化物および
酸化物についてもその有用性が述へられている,,特公
昭6 0 − ] 4 4. 5 9 7,+公報に開
示された、電子ビーム反射被膜(7)が設けられたシャ
1〜ウマスクを用いた陰極線管を製造するぱあい、いず
れの重金属材料を用いるぱあいもその微粒了の士、均粒
径を1μm以下にするのが好適とされており、たとえば
被膜材料として酸化ビスマスをえらんだぱあいは、通常
数μm〜数10μm程度の大粒径?粒了を粉砕して用い
る。粉砕方法として通常ボールミル法を用いており、ボ
ールミル時に酸化ビスマス粉末と水ガラスおよび適量の
水を同時に加え、2〜7[1間程度のボールミルを行な
い、再度適ηkの水ガラスおよび水を加えてシャドウマ
スク上に塗布し、乾燥したのち陰極線管の通常の製造工
程を粁てえられている。
53シじ公報では、シA7トウマスク(3)の電rビー
ム照射面に、シャトウマスク(3)を構成する物質より
も電丁ピーム反射甲の人きな物質からなる電rビーム反
射被膜(7)を設りることや、また特公昭60 − 1
4 4 5 9 吟公報では70をこえた原子番りを
有する重金属の材料を含む溶液を吹イ−1り塗布して、
電rビーム反射被膜(7)を設りることか提案されてお
り、ir+金属材料として鉛、タングスデンおJ:びビ
スマスがえらばれ、またこれらの炭化物、硫化物および
酸化物についてもその有用性が述へられている,,特公
昭6 0 − ] 4 4. 5 9 7,+公報に開
示された、電子ビーム反射被膜(7)が設けられたシャ
1〜ウマスクを用いた陰極線管を製造するぱあい、いず
れの重金属材料を用いるぱあいもその微粒了の士、均粒
径を1μm以下にするのが好適とされており、たとえば
被膜材料として酸化ビスマスをえらんだぱあいは、通常
数μm〜数10μm程度の大粒径?粒了を粉砕して用い
る。粉砕方法として通常ボールミル法を用いており、ボ
ールミル時に酸化ビスマス粉末と水ガラスおよび適量の
水を同時に加え、2〜7[1間程度のボールミルを行な
い、再度適ηkの水ガラスおよび水を加えてシャドウマ
スク上に塗布し、乾燥したのち陰極線管の通常の製造工
程を粁てえられている。
〔発明が解決しようとする課題]
従来の電子ビーム反射被膜(7)は、重金属物あるいは
重金属酸化物の粉末と水ガラスとの混合物を、吹き付け
法にJ;って形成しているため、加熱および電子照射等
による電子ビーム反射被膜(7)からのガス放出量(例
,H■O,COおよびCO2ガスなど)が多くなり、カ
ラー陰極線管のカソードを強く被毒し、そのカソードの
エミツションライフ特性を低下させてカラー陰極線管の
寿命を短くさせるという問題点があった。
重金属酸化物の粉末と水ガラスとの混合物を、吹き付け
法にJ;って形成しているため、加熱および電子照射等
による電子ビーム反射被膜(7)からのガス放出量(例
,H■O,COおよびCO2ガスなど)が多くなり、カ
ラー陰極線管のカソードを強く被毒し、そのカソードの
エミツションライフ特性を低下させてカラー陰極線管の
寿命を短くさせるという問題点があった。
また、高解像度用シャドウマスク(3)の穴は非常に小
さく、例えばドット径130μm、ドットピッチ280
μmの高精細であるため、吹き付け法ては塗液の二.次
凝集によって穴を′)1(ぐI1詰まり不良が生じ易い
という問題点があった。
さく、例えばドット径130μm、ドットピッチ280
μmの高精細であるため、吹き付け法ては塗液の二.次
凝集によって穴を′)1(ぐI1詰まり不良が生じ易い
という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、電丁ビーム反ロ・j被膜(7)の密イ“l力
を損うことなく加熱および1−u子照射等による被膜か
らのガス放出量を低減し、かつ「1詰まり不良が生じる
ことの少ないシャトウマスクをtl−Iることを目的と
する。
たもので、電丁ビーム反ロ・j被膜(7)の密イ“l力
を損うことなく加熱および1−u子照射等による被膜か
らのガス放出量を低減し、かつ「1詰まり不良が生じる
ことの少ないシャトウマスクをtl−Iることを目的と
する。
〔課題を解決するだめの千段〕
この発明に係るシャトウマスクは、電rビームが入射ず
る側の面上に、アルミニウム.チタニウム,クロム,コ
バルトまたニッケルのいずれかを蒸着した金属蒸着膜と
、さらにその金属蒸着膜の面上に電子ビーム反射ヰの人
きい市金属またはこれらの酸化物を蒸着した電子ビーム
反射被膜とを備えた点を特徴とする。
る側の面上に、アルミニウム.チタニウム,クロム,コ
バルトまたニッケルのいずれかを蒸着した金属蒸着膜と
、さらにその金属蒸着膜の面上に電子ビーム反射ヰの人
きい市金属またはこれらの酸化物を蒸着した電子ビーム
反射被膜とを備えた点を特徴とする。
[作用]
シャトウマスク面」二にアルミニウム等の金属蒸着膜を
形成し、この上に重金属物あるいは屯金属酸化物を蒸着
して電子ビーム反射被膜を形成したので、金属蒸着膜と
シャトウマスク面のト゛c,04膜との間、および電子
ビーム反射被膜との間で化学反応を起こしてそれぞれの
界面で中間層が形成されるため、電子ビーム反!J;1
被膜とシャトウマスクとの密イ1力を強く紹持できる。
形成し、この上に重金属物あるいは屯金属酸化物を蒸着
して電子ビーム反射被膜を形成したので、金属蒸着膜と
シャトウマスク面のト゛c,04膜との間、および電子
ビーム反射被膜との間で化学反応を起こしてそれぞれの
界面で中間層が形成されるため、電子ビーム反!J;1
被膜とシャトウマスクとの密イ1力を強く紹持できる。
また、電子ビーム反射被膜への不純物混入おJ:びガス
吸着量(例,II20,CO2.CO等)がかなり軽減
されるから、熱的および電了線照射などによる被膜から
のガス放出量が大幅に少なくなる。
吸着量(例,II20,CO2.CO等)がかなり軽減
されるから、熱的および電了線照射などによる被膜から
のガス放出量が大幅に少なくなる。
さらに、金属蒸着膜および電了ビーム反射被膜は、いず
れも蒸着法によって形成しているので蒸イ11粒子が超
微拉γでかつ−次凝集の発生がないから、シャドウマス
クの穴が非常に小さくても、Lj詰まりが住じることは
少なくなる。
れも蒸着法によって形成しているので蒸イ11粒子が超
微拉γでかつ−次凝集の発生がないから、シャドウマス
クの穴が非常に小さくても、Lj詰まりが住じることは
少なくなる。
〔実施例]
以士、この発明の−実施例を図に基づいて説明する。第
1図はこの実施例のシャトウマスクを備えたカラー陰極
線管の断面図で、第2図と同一部分には同−・符吋を{
=Jして説明は省略する。図において、(10)は金属
蒸着膜で、アルミニウム.チタニウム,クロム,=コバ
ルト,ニッケルのうちいずれかを蒸着法によってシャト
ウマスク(3)の電子ビーム入射側の面上に形成したも
のである。(7a)は電rビーム反射被膜で、金属蒸着
膜(10)の面上に、重金属物あるいは重金属酸化物を
蒸着d、にょって形成された被膜で、金属蒸IJ膜(1
o)は、電rビーム反射被膜(72旬の密着力を強く紺
持する為に設けたもので、それぞれの界面において化学
反応を起して中間層を形成し、強い密着力を生じる。
1図はこの実施例のシャトウマスクを備えたカラー陰極
線管の断面図で、第2図と同一部分には同−・符吋を{
=Jして説明は省略する。図において、(10)は金属
蒸着膜で、アルミニウム.チタニウム,クロム,=コバ
ルト,ニッケルのうちいずれかを蒸着法によってシャト
ウマスク(3)の電子ビーム入射側の面上に形成したも
のである。(7a)は電rビーム反射被膜で、金属蒸着
膜(10)の面上に、重金属物あるいは重金属酸化物を
蒸着d、にょって形成された被膜で、金属蒸IJ膜(1
o)は、電rビーム反射被膜(72旬の密着力を強く紺
持する為に設けたもので、それぞれの界面において化学
反応を起して中間層を形成し、強い密着力を生じる。
以−1二の図の説明から明かなように、この実施例は、
シャトウマスク(3)の面−1−にアルミニウム等の金
属蒸♀7膜(10)を形成したのち、小金属物あるいは
重金属酸化物を蒸着して電子ビーム反射被膜(7a)を
形成しているために、電子ビーム反射被膜(7a)への
不純物の混入およびガス吸着搦(例II20.Co2.
Co等)がかなり軽減されるから、熱的および電子線照
射などによる被膜からのガス放出1骨が大幅に少なくな
り、カソードへの被毒が軽減されてエミツションライフ
特性を良好に維持することができ、陰極線管の寿命を長
くずることができる。また、金属蒸着膜(io)および
電子ビーム反射膜(7a)はともに蒸着法によって形成
されているので、蒸着源の二次凝集が発生しないからシ
ャトウマスクの小さな穴を塞ぐことがなくなり目詰まり
の発生が防止される。
シャトウマスク(3)の面−1−にアルミニウム等の金
属蒸♀7膜(10)を形成したのち、小金属物あるいは
重金属酸化物を蒸着して電子ビーム反射被膜(7a)を
形成しているために、電子ビーム反射被膜(7a)への
不純物の混入およびガス吸着搦(例II20.Co2.
Co等)がかなり軽減されるから、熱的および電子線照
射などによる被膜からのガス放出1骨が大幅に少なくな
り、カソードへの被毒が軽減されてエミツションライフ
特性を良好に維持することができ、陰極線管の寿命を長
くずることができる。また、金属蒸着膜(io)および
電子ビーム反射膜(7a)はともに蒸着法によって形成
されているので、蒸着源の二次凝集が発生しないからシ
ャトウマスクの小さな穴を塞ぐことがなくなり目詰まり
の発生が防止される。
電子ビーム反射被膜(7a)に用いられる重金属物ある
いは重金属酸化物は、電子ビーム反射率の大きな物質で
、一般にシャドゥマスク(3)の構成材料である鉄板よ
りも高密度または原子番号の大きな重金属物あるいはそ
れを含有する重金属酸化物であり、例えば、モリブデン
,鉛,ビスマス,タングスデン,金.白金などの元素、
あるいはこれらの元素を有する重金属酸化物を電子ビー
ムが透過できない厚さ、例えば約3μm形成すればよい
。
いは重金属酸化物は、電子ビーム反射率の大きな物質で
、一般にシャドゥマスク(3)の構成材料である鉄板よ
りも高密度または原子番号の大きな重金属物あるいはそ
れを含有する重金属酸化物であり、例えば、モリブデン
,鉛,ビスマス,タングスデン,金.白金などの元素、
あるいはこれらの元素を有する重金属酸化物を電子ビー
ムが透過できない厚さ、例えば約3μm形成すればよい
。
蒸着法としては、抵抗加熱方式,スパッタ一方式,電子
ビーム方式およびイオン・クラスタビーム(ICB)方
式等が適用できる。
ビーム方式およびイオン・クラスタビーム(ICB)方
式等が適用できる。
以下に、カラーデレビジョン受像機用の陰極線管に用い
るシャドウマスクの抵抗加熱蒸着法な用いた製造工程の
−例について説明する。アルミニウム等の金属と、重金
属あるいは重金属酸化物と、シャトウマスク(3)とを
真空容器内のそれぞれの所定位置に設置し、この容器内
をロータリボンブおよび油拡散ポンプ等のυI気装置を
用いて真空度が10−’Torr以下になるまで排気す
る。
るシャドウマスクの抵抗加熱蒸着法な用いた製造工程の
−例について説明する。アルミニウム等の金属と、重金
属あるいは重金属酸化物と、シャトウマスク(3)とを
真空容器内のそれぞれの所定位置に設置し、この容器内
をロータリボンブおよび油拡散ポンプ等のυI気装置を
用いて真空度が10−’Torr以下になるまで排気す
る。
到達真空度が10−’Torr以下になると蒸着源であ
るアルミニウム等の金属の7fllt度がそれらの融点
になるまで通電パワーを−1−げてからシA・ツタを開
き、アルミニウム等のj模jワがシャドウマスク(3)
の電子ビーム照射面−1.に500〜5.000オンダ
スト口−l\になるまで蒸盾した後シャツタを閉じて通
電パワーを切る。引き続き真空を破らないで、蒸着源で
ある重金属物あるいは重金属酸化物の温度が融点になる
まで通電パワを」こげてからシャツタを開き、シャドウ
マスク(3)の電子ビーム照射面]二に形成されたアル
ミニウム等の金属蒸着膜(IO)の」一に重金属物ある
いは重金属酸化物の膜厚が5,000〜50.000オ
ングストロームになるまで蒸着した後シャツタ?閉じて
通電パワーを切る。次に、油拡散ボンブと真空容器間の
真空バルブを閉じてから真空容器にエアーを入れ、シャ
ドウマスク(3)を真空容器から取り出す。
るアルミニウム等の金属の7fllt度がそれらの融点
になるまで通電パワーを−1−げてからシA・ツタを開
き、アルミニウム等のj模jワがシャドウマスク(3)
の電子ビーム照射面−1.に500〜5.000オンダ
スト口−l\になるまで蒸盾した後シャツタを閉じて通
電パワーを切る。引き続き真空を破らないで、蒸着源で
ある重金属物あるいは重金属酸化物の温度が融点になる
まで通電パワを」こげてからシャツタを開き、シャドウ
マスク(3)の電子ビーム照射面]二に形成されたアル
ミニウム等の金属蒸着膜(IO)の」一に重金属物ある
いは重金属酸化物の膜厚が5,000〜50.000オ
ングストロームになるまで蒸着した後シャツタ?閉じて
通電パワーを切る。次に、油拡散ボンブと真空容器間の
真空バルブを閉じてから真空容器にエアーを入れ、シャ
ドウマスク(3)を真空容器から取り出す。
つぎに、ドット径およびドットピッチが非常に小さい高
解像度ディスプレイ管用、例えば、ドット径130μm
、ドットビツヂ280μmのシャドウマスクを、金属蒸
着膜(10)をアルミニウムで、電子ビーム反射被膜(
7a)を13 i■o,lでそれぞれ抵抗加熱蒸着法で
形成する例について以下に説明する。
解像度ディスプレイ管用、例えば、ドット径130μm
、ドットビツヂ280μmのシャドウマスクを、金属蒸
着膜(10)をアルミニウムで、電子ビーム反射被膜(
7a)を13 i■o,lでそれぞれ抵抗加熱蒸着法で
形成する例について以下に説明する。
蒸着源であるアルミニウム、B l 2 0 3および
高解像度用20インヂシャトウマスク(3)を真空容器
内のそれぞれの所定位置に設置し、この容器をロータリ
ボンブおよび油拡散ボンブで真空度が10−6Torr
以下になるまで排気する。到達真空度が10−61’o
rr以下になると蒸着源であるアルミニウムの温度が融
点になるまで通電パワをトげてからシャツタを開き、ア
ルミニウム蒸着膜(10)の膜厚がシャドウマスク(3
)の電子ビーム1l ?射面」二に約2,000オングストロームになるまで
蒸着して(蒸着時間、例えば約30秒)シA・ツタを閉
じて通電パワーを切る。引き続き真空を破らないで蒸着
源である13i■O,の温度が融点になるまで通電パワ
ーを+げてからシャツタを開き、BizO3がアルミニ
ウム蒸着膜(10)の−1−に約20.000オングス
トロームになるまで蒸着して(蒸着時間、例えば約20
分)からシA・ツタを閉じて通電パワーを切る。次に、
油拡散ボンブと真空容器間の真空バルブを閉じてから真
空容器にエアーを入れ、シャドウマスク(3)を真空容
器から取り出す。つぎに、このシャトウマスク(3)を
用いた90度偏向20インチ形ディスプレイ陰極線管の
カソードのエミツションライフ特性およびシャドウマス
ク(3)の1]詰まり発生状況を検討した結果について
述べる。
高解像度用20インヂシャトウマスク(3)を真空容器
内のそれぞれの所定位置に設置し、この容器をロータリ
ボンブおよび油拡散ボンブで真空度が10−6Torr
以下になるまで排気する。到達真空度が10−61’o
rr以下になると蒸着源であるアルミニウムの温度が融
点になるまで通電パワをトげてからシャツタを開き、ア
ルミニウム蒸着膜(10)の膜厚がシャドウマスク(3
)の電子ビーム1l ?射面」二に約2,000オングストロームになるまで
蒸着して(蒸着時間、例えば約30秒)シA・ツタを閉
じて通電パワーを切る。引き続き真空を破らないで蒸着
源である13i■O,の温度が融点になるまで通電パワ
ーを+げてからシャツタを開き、BizO3がアルミニ
ウム蒸着膜(10)の−1−に約20.000オングス
トロームになるまで蒸着して(蒸着時間、例えば約20
分)からシA・ツタを閉じて通電パワーを切る。次に、
油拡散ボンブと真空容器間の真空バルブを閉じてから真
空容器にエアーを入れ、シャドウマスク(3)を真空容
器から取り出す。つぎに、このシャトウマスク(3)を
用いた90度偏向20インチ形ディスプレイ陰極線管の
カソードのエミツションライフ特性およびシャドウマス
ク(3)の1]詰まり発生状況を検討した結果について
述べる。
全電子ビーム電流(3カソード)0.9mA、電子ビー
ム加速電圧27KV、ヒータ電圧6.3■、標準のラス
ターサイズでカソートのエミツションライフ特性を測定
したところ、最人工ミッション電流のライフ特性が同形
の従来の陰極線管のそれに比へて約20%増の良好な結
果かえられた。
ム加速電圧27KV、ヒータ電圧6.3■、標準のラス
ターサイズでカソートのエミツションライフ特性を測定
したところ、最人工ミッション電流のライフ特性が同形
の従来の陰極線管のそれに比へて約20%増の良好な結
果かえられた。
一方、1」詰まり評価法には非発光と発光の2つある。
非発光の場合は3色無信″−じ、全電子ビーム電流(3
カソート)0.45mA、電子ビーム加速電圧27KV
、ヒータ電圧6.3■、標準のラスターサイズで、発光
の場合は単色無信号、電子ビーム電流(1カソート)0
.l5mA、電子ビーム加速電圧27KV、ヒータ電圧
6.3v、標準のラスターサイズで行う。この目詰まり
評価法で非発光および発光目詰まりを観測した場合、こ
の実施例のドット径130μm、トットピツチ280μ
mの高精細用20インチシャトウマスク(3)を用いた
陰極線管においても非発光おJ:び発光とも目詰まり発
光状況は殆ど皆無である良好な結果かえられた。
カソート)0.45mA、電子ビーム加速電圧27KV
、ヒータ電圧6.3■、標準のラスターサイズで、発光
の場合は単色無信号、電子ビーム電流(1カソート)0
.l5mA、電子ビーム加速電圧27KV、ヒータ電圧
6.3v、標準のラスターサイズで行う。この目詰まり
評価法で非発光および発光目詰まりを観測した場合、こ
の実施例のドット径130μm、トットピツチ280μ
mの高精細用20インチシャトウマスク(3)を用いた
陰極線管においても非発光おJ:び発光とも目詰まり発
光状況は殆ど皆無である良好な結果かえられた。
なお、−11記実施例では、アルミニウムを用いて金属
蒸着膜(IO)を形成したがチタニウム.クロl\.コ
バル]〜,ニッケル等の金属が同様に適用でき、同様の
効果が得られる。
蒸着膜(IO)を形成したがチタニウム.クロl\.コ
バル]〜,ニッケル等の金属が同様に適用でき、同様の
効果が得られる。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によるシャドウマスクは、電子ビ
ーム入射側の面上にアルミニウム等の金属蒸着膜を形成
し、この金属蒸着膜の血十に電子ビーム反射被膜を蒸着
法によって形成したものであるから、電子ビーム反射被
膜の密着力を強く維持したままで、目詰まりの発生を防
1トすることができ、かつ電子ビーム反射被膜からのガ
ス放出量が軽減されるため陰極線管の長寿命化が図れる
という効果を有するシャドウマスクが得られる。
ーム入射側の面上にアルミニウム等の金属蒸着膜を形成
し、この金属蒸着膜の血十に電子ビーム反射被膜を蒸着
法によって形成したものであるから、電子ビーム反射被
膜の密着力を強く維持したままで、目詰まりの発生を防
1トすることができ、かつ電子ビーム反射被膜からのガ
ス放出量が軽減されるため陰極線管の長寿命化が図れる
という効果を有するシャドウマスクが得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるシA・1・ウマスク
を備えたカラー陰極線管の断面図、第2図は従来のシャ
トウマスクを備えたカラー陰極線管の断面図である。 (3)・・・シャドウマスク、(7a)・・・電子ビー
ム反射被膜、(10)・・・金属蒸着膜。 なお、各図中、同一符号は同−または相当部分を7ドず
。 1:3
を備えたカラー陰極線管の断面図、第2図は従来のシャ
トウマスクを備えたカラー陰極線管の断面図である。 (3)・・・シャドウマスク、(7a)・・・電子ビー
ム反射被膜、(10)・・・金属蒸着膜。 なお、各図中、同一符号は同−または相当部分を7ドず
。 1:3
Claims (1)
- (1)電子ビームが入射する側の面上に蒸着されたアル
ミニウム、チタニウム、クロム、コバルトまたはニッケ
ルよりなる金属蒸着膜と、この金属蒸着膜の面上に蒸着
された大きな電子ビーム反射率を有する重金属あるいは
重金属酸化物よりなる電子ビーム反射被膜とを備えたシ
ヤドウマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11450589A JPH02295025A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | シヤドウマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11450589A JPH02295025A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | シヤドウマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02295025A true JPH02295025A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14639435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11450589A Pending JPH02295025A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | シヤドウマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02295025A (ja) |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP11450589A patent/JPH02295025A/ja active Pending
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