JPH02296375A - 半導体デバイスの構成方法 - Google Patents
半導体デバイスの構成方法Info
- Publication number
- JPH02296375A JPH02296375A JP1116999A JP11699989A JPH02296375A JP H02296375 A JPH02296375 A JP H02296375A JP 1116999 A JP1116999 A JP 1116999A JP 11699989 A JP11699989 A JP 11699989A JP H02296375 A JPH02296375 A JP H02296375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystalline semiconductor
- amorphous silicon
- thin film
- carrier
- layer formed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 11
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体デバイスに関し、特に結晶半導体表面
にアモルファスシリコン系薄膜が積層さ１れた構造を有
する半導体デバイスの構成方法に関する。本発明におい
て、結晶半導体とはＳｌ。
にアモルファスシリコン系薄膜が積層さ１れた構造を有
する半導体デバイスの構成方法に関する。本発明におい
て、結晶半導体とはＳｌ。
ｑｅ等の単原子結晶、またはＩＶ族化合物、 ＩＩＶ
Ｉ族化合物等の化合物半導体を言い アモルファスシリ
コン系薄膜とは、ａ−！−３ｉ：Ｈａ−８ｉ：Ｈ：Ｆ、
ａ−ｓｌＸｃｅｌ−Ｘ ：Ｈ，ａＳ ｉＸＣ，−ｘ：
Ｈ，ａ−３ｉＮ、： ＨなどのＳｉを含んだアモルファ
ス（マイクロクリスタル）も含む薄膜を言う。
Ｉ族化合物等の化合物半導体を言い アモルファスシリ
コン系薄膜とは、ａ−！−３ｉ：Ｈａ−８ｉ：Ｈ：Ｆ、
ａ−ｓｌＸｃｅｌ−Ｘ ：Ｈ，ａＳ ｉＸＣ，−ｘ：
Ｈ，ａ−３ｉＮ、： ＨなどのＳｉを含んだアモルファ
ス（マイクロクリスタル）も含む薄膜を言う。
〈従来の技術〉
従来、ｎ型アモルファスシリコン系薄膜をｐ型結晶シリ
コン基板上に積層し、光電変換素子等を形成することは
行われていたが、アモルファスシリコンの堆積層が１０
０ＭΩ／。以上のシート抵抗を有するため、電流取出し
の層には使えないという観点から、アモ・ルファスシリ
コン全面に透明導電膜を更に積層して素子を構成してい
た。この素子の構成方法は、結晶に不純物を導入するた
めの高温プロセスが不要であり、しかも不純物導入によ
る結晶欠陥の発生もないので、高性能な素子＋’ −，
２゜ 力）実現されるボテ″″ヤルを有、し７い“・く、発明
が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記の構成方法ではアモルファスシリコ
ンの光吸収係数が大きいため、次のような問題があった
。
コン基板上に積層し、光電変換素子等を形成することは
行われていたが、アモルファスシリコンの堆積層が１０
０ＭΩ／。以上のシート抵抗を有するため、電流取出し
の層には使えないという観点から、アモ・ルファスシリ
コン全面に透明導電膜を更に積層して素子を構成してい
た。この素子の構成方法は、結晶に不純物を導入するた
めの高温プロセスが不要であり、しかも不純物導入によ
る結晶欠陥の発生もないので、高性能な素子＋’ −，
２゜ 力）実現されるボテ″″ヤルを有、し７い“・く、発明
が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記の構成方法ではアモルファスシリコ
ンの光吸収係数が大きいため、次のような問題があった
。
即ち、光電変換素子の電流感度を上げるためには、膜厚
をできるだけ小さくする必要があるか、膜厚を小さくす
ると透明導電膜との界面がら空間電荷層が拡がり、出力
電圧を低下させてしまっていた。
をできるだけ小さくする必要があるか、膜厚を小さくす
ると透明導電膜との界面がら空間電荷層が拡がり、出力
電圧を低下させてしまっていた。
く問題を解決するための手段〉
本発明ではこの従来の素子の構成の問題点を解決するた
めに、アモルファスシリコン系薄膜と結晶半導体との積
層構造の電気特性を詳細に調べたところ、上記積層構造
の界面の結晶半導体側にキャリア誘起層が形成されてい
ることを見ました。
めに、アモルファスシリコン系薄膜と結晶半導体との積
層構造の電気特性を詳細に調べたところ、上記積層構造
の界面の結晶半導体側にキャリア誘起層が形成されてい
ることを見ました。
このキャリア誘起層は結晶半導体とアモルファスシリコ
ン系薄膜か同−導電形であれば蓄積層となり、結晶半導
体とアモルファスシリコン系薄膜か相異なる導電形であ
れば反転層となることが多いが、結晶半導体とアモルフ
ァスシリコン系薄膜の仕事関数差によっては、同−導電
形でも反転層、逆導電形でも蓄積層となる。このキャリ
ア誘起層を用いて半導体デバイスの動作を構成すること
により、従来の問題点を解決し、また従来得られなかっ
た新しい効果を生み出すことを見出した。
ン系薄膜か同−導電形であれば蓄積層となり、結晶半導
体とアモルファスシリコン系薄膜か相異なる導電形であ
れば反転層となることが多いが、結晶半導体とアモルフ
ァスシリコン系薄膜の仕事関数差によっては、同−導電
形でも反転層、逆導電形でも蓄積層となる。このキャリ
ア誘起層を用いて半導体デバイスの動作を構成すること
により、従来の問題点を解決し、また従来得られなかっ
た新しい効果を生み出すことを見出した。
く作用〉
本発明において、上記キャリア誘起層はアモルファスシ
リコン系薄膜の１万分の１−以下のシート抵抗を有して
いるので、この層を通して電流を流すことによって、従
来の問題点であった透明導電膜を直接アモルファスシリ
コン系薄膜に接触させなくてすむようになる。このため
、光吸収にょる電流損失を最小に留めるまで、８カ電圧
の低下なしにアモルファスシリコン系薄膜を薄くするこ
とが可能となる。
リコン系薄膜の１万分の１−以下のシート抵抗を有して
いるので、この層を通して電流を流すことによって、従
来の問題点であった透明導電膜を直接アモルファスシリ
コン系薄膜に接触させなくてすむようになる。このため
、光吸収にょる電流損失を最小に留めるまで、８カ電圧
の低下なしにアモルファスシリコン系薄膜を薄くするこ
とが可能となる。
即ち、従来得われていたように、電流取出し電極をアモ
ルファスシリコン系薄膜全面に付着する必要がなくなっ
たので、電極は部分的に設ければよく、更に−アモルフ
ァスシリコン系薄膜の表面に、汚染等による空間電荷層
が発生しないように、窒化シリコン膜のような保護層を
アモルファスシリコン系薄膜の表面にコーティングする
ことも可能着させることは、酸素か結晶界面に供給され
る原因を作り、界面の電子状態を劣化（界面準位の発生
）させる原因にもなっていたが、この問題も解決するこ
とができた。
ルファスシリコン系薄膜全面に付着する必要がなくなっ
たので、電極は部分的に設ければよく、更に−アモルフ
ァスシリコン系薄膜の表面に、汚染等による空間電荷層
が発生しないように、窒化シリコン膜のような保護層を
アモルファスシリコン系薄膜の表面にコーティングする
ことも可能着させることは、酸素か結晶界面に供給され
る原因を作り、界面の電子状態を劣化（界面準位の発生
）させる原因にもなっていたが、この問題も解決するこ
とができた。
キャリア誘起層か蓄積層である場合は、蓄積層の存在に
伴って、アモルファスシリコン系薄膜との積層面から少
数キャリアを追い返す電界が結晶半導体表面に存在して
いることになり、これを用いて光電変換素子等のキャリ
ア閉じ込めによる■力電圧の向上及びキャリア収集効率
の向上を実現することができる。
伴って、アモルファスシリコン系薄膜との積層面から少
数キャリアを追い返す電界が結晶半導体表面に存在して
いることになり、これを用いて光電変換素子等のキャリ
ア閉じ込めによる■力電圧の向上及びキャリア収集効率
の向上を実現することができる。
一方、アモルファスシリコン系薄膜はバンド内にテイル
準位、ギャップ準位か多量に存在し、ギヤツブ内伝導が
行われる。従って、キャリア誘起付着することにより、
キャリア誘起層が蓄積層の場合はオーム性接触が可能と
なる。
準位、ギャップ準位か多量に存在し、ギヤツブ内伝導が
行われる。従って、キャリア誘起付着することにより、
キャリア誘起層が蓄積層の場合はオーム性接触が可能と
なる。
）ｉ
ニー、・ 以上の手段及び作用をまとめて、本発明の半
導体デバイスの構成方法の要旨をまとめると以下のよう
になる。
導体デバイスの構成方法の要旨をまとめると以下のよう
になる。
結晶半導体表面にアモルファスシリコン系薄膜が積層さ
れた構造において （１）結晶半導体側に形成されたキャリア誘起層の電気
伝導を用いること。
れた構造において （１）結晶半導体側に形成されたキャリア誘起層の電気
伝導を用いること。
（２）結晶半導体側に形成されたキャリア蓄積層の電界
を、少数キャリアを積層面から追い返す電界として用い
ること。
を、少数キャリアを積層面から追い返す電界として用い
ること。
（３）結晶半導体側に形成されたキャリア蓄積層と、該
アモルファスシリコン系薄膜とを該結晶半導体へのオー
ム性接触の１部として用いること。
アモルファスシリコン系薄膜とを該結晶半導体へのオー
ム性接触の１部として用いること。
上記構成方法において、結晶半導体とアモルファスシリ
コン系薄膜の間に結晶半導体の酸化膜窒化膜など第三の
薄膜が介在する場合も、キャリア誘導層が存在する場合
は本発明の特徴を生かしシリコン膜等から構成される保
護層、３０は結晶半導体１０の第２の表面に積層された
第２のアモルファスシリコン系薄膜、］３は第２のアモ
ルファスシリコン系薄膜３０によって結晶半導体］０の
第２の表面に誘起された蓄積層、３１は結晶半導体１０
の第２の表面に接着された導電電極てあ晶半導体（薄膜
、厚膜、バルク状の結晶５ｉＩｎＰ等）、２０は結晶半
導体１０の第１の表面に積層された第１の逆導電形のア
モルファスシリコン系薄膜、１２はアモルファスシリコ
ン系薄膜２０によって結晶半導体１０の第１の表面に誘
起された反転層、２１はアモルファスシリコン系薄膜２
０に接着された第１の導電電極、２２は窒化蓄積層を誘
起することができる。
コン系薄膜の間に結晶半導体の酸化膜窒化膜など第三の
薄膜が介在する場合も、キャリア誘導層が存在する場合
は本発明の特徴を生かしシリコン膜等から構成される保
護層、３０は結晶半導体１０の第２の表面に積層された
第２のアモルファスシリコン系薄膜、］３は第２のアモ
ルファスシリコン系薄膜３０によって結晶半導体］０の
第２の表面に誘起された蓄積層、３１は結晶半導体１０
の第２の表面に接着された導電電極てあ晶半導体（薄膜
、厚膜、バルク状の結晶５ｉＩｎＰ等）、２０は結晶半
導体１０の第１の表面に積層された第１の逆導電形のア
モルファスシリコン系薄膜、１２はアモルファスシリコ
ン系薄膜２０によって結晶半導体１０の第１の表面に誘
起された反転層、２１はアモルファスシリコン系薄膜２
０に接着された第１の導電電極、２２は窒化蓄積層を誘
起することができる。
本発明の実施例としては、第１の表面側の構成と第２の
表面側の構成か同一の半導体デバイス中で同時に実現さ
れていればそれたけ発明の効果は大きいか、必ずしも同
時に実現されている必要はなく、どちらかの表面か従来
の構成方法で構成されていても本発明の実施例となり得
る。
表面側の構成か同一の半導体デバイス中で同時に実現さ
れていればそれたけ発明の効果は大きいか、必ずしも同
時に実現されている必要はなく、どちらかの表面か従来
の構成方法で構成されていても本発明の実施例となり得
る。
さて、第１図の実施例では光は矢印して示されたように
、第１の表面から入射する場合を仮定する（勿論、第２
の表面から入射した場合も光電変換素子として動作する
）。入射した光によって発生した少数キャリアは、第２
の表面近傍で発生したものについては蓄積層の電界によ
って矢印Ｃ１で示されるように、第１−の表面側に押し
戻される。
、第１の表面から入射する場合を仮定する（勿論、第２
の表面から入射した場合も光電変換素子として動作する
）。入射した光によって発生した少数キャリアは、第２
の表面近傍で発生したものについては蓄積層の電界によ
って矢印Ｃ１で示されるように、第１−の表面側に押し
戻される。
押し戻された少数キャリアは第１の表面近傍で発生した
少数キャリアと共に反転層１２に入り、矢印Ｃ２で示さ
れるように第１の表面に平行な方向に反転層１２を電気
伝導し、第１のアモルファスシリコン系薄膜２０を通っ
て第１の導電電極２極３１は、この実施例では結晶半導
体１０に接着しているが、これは第２のアモルファスシ
リコン系薄膜３０の厚み方向の抵抗がデバイス特性を阻
害する程大きいか、または結晶半導体１０と第２のアモ
ルファスシリコン系薄膜３０の間に第三の絶縁性の薄膜
が介在している場合に必要であり、極に集められる。こ
の発明の第１の実施例では出力電圧を減少させることな
く第１のアモルファスシリコン系薄膜２０の膜厚を従来
例よりも薄く構成することができるので、短波長光の感
度が改善され、更に第１の結晶半導体の表面の電子状態
が良好である（界面準位密度か小さい）ので、短波長感
度及び出力電圧に優れている。第２の導電型と異なる点
は第１のアモルファスシリコン系薄膜２０に第１の導電
電極２１を直接接着させた時に第１のアモルファスシリ
コン系薄膜２０の膜厚方向の抵抗か大きいか、または第
三の絶縁性薄膜の介在のため、反転層１２と電極間の抵
抗が大きい場合にとられる構成を示す。領域１４は第１
の導電形を有する結晶半導体１０の第１の表面に形成さ
れた逆導電形のキャリア収集領域で、反転層のキャリア
はまずこの領域に集められ、次いでこのキャリア収集領
域１４に接着された第１の導電電極２１Ｇによって取り
川される。結晶半導体１０の第２の表面で少数キャリア
が押し戻され、反転層１２を電導して取り川される動作
は第１図の実れる。このため、長波長感度の改善か行わ
れる。
少数キャリアと共に反転層１２に入り、矢印Ｃ２で示さ
れるように第１の表面に平行な方向に反転層１２を電気
伝導し、第１のアモルファスシリコン系薄膜２０を通っ
て第１の導電電極２極３１は、この実施例では結晶半導
体１０に接着しているが、これは第２のアモルファスシ
リコン系薄膜３０の厚み方向の抵抗がデバイス特性を阻
害する程大きいか、または結晶半導体１０と第２のアモ
ルファスシリコン系薄膜３０の間に第三の絶縁性の薄膜
が介在している場合に必要であり、極に集められる。こ
の発明の第１の実施例では出力電圧を減少させることな
く第１のアモルファスシリコン系薄膜２０の膜厚を従来
例よりも薄く構成することができるので、短波長光の感
度が改善され、更に第１の結晶半導体の表面の電子状態
が良好である（界面準位密度か小さい）ので、短波長感
度及び出力電圧に優れている。第２の導電型と異なる点
は第１のアモルファスシリコン系薄膜２０に第１の導電
電極２１を直接接着させた時に第１のアモルファスシリ
コン系薄膜２０の膜厚方向の抵抗か大きいか、または第
三の絶縁性薄膜の介在のため、反転層１２と電極間の抵
抗が大きい場合にとられる構成を示す。領域１４は第１
の導電形を有する結晶半導体１０の第１の表面に形成さ
れた逆導電形のキャリア収集領域で、反転層のキャリア
はまずこの領域に集められ、次いでこのキャリア収集領
域１４に接着された第１の導電電極２１Ｇによって取り
川される。結晶半導体１０の第２の表面で少数キャリア
が押し戻され、反転層１２を電導して取り川される動作
は第１図の実れる。このため、長波長感度の改善か行わ
れる。
第３図は本発明の第３の実施例を示し、］は絶縁性基板
、１０は結晶半導体薄膜、４０は結晶半導体薄膜に付着
されたアモルファスシリコン系薄膜、４１はアモルファ
スシリコン系薄膜４０の表面の一部に接着された導電電
極、４２は結晶半導箱２のアモルファスシリコン系薄膜
３０の表面には透明導電膜３２．導電電極３１． ｂか
順次積層されている。この構造は第２のアモルファスシ
リコン系薄膜３０の膜厚方向の抵抗が小さい場合に有効
で、第１の表面から矢印Ｌ１に示されるように入射した
光は第２の表面の積層構造で有効に反射され、再度結晶
半導体１０中に戻り有効に吸収さ］１ 、′ゲーＩ−電極４３に対して左右に４０ａ、４０ｂ４
１ａ、４１ｂと離間されており、そのためキャリア誘起
層１４も４０ａ、４０ｂに対応して１４ａ、１４ｂと離
間されている。誘起層１４ａ１４ｂは電界効果トランジ
スタのソース及びドレインとなり、４１ａ、４１ｂはソ
ース、トレイン電極となる。ゲート電極４３によって結
晶半導体表面に誘起されたチャネルキャリアは、キャリ
ア誘起層１４と同−導電形である場合はキャリア誘起層
を通ってソース電極４１．ａ、トレイン電極］２ ４１ｂ間を流れる。
、１０は結晶半導体薄膜、４０は結晶半導体薄膜に付着
されたアモルファスシリコン系薄膜、４１はアモルファ
スシリコン系薄膜４０の表面の一部に接着された導電電
極、４２は結晶半導箱２のアモルファスシリコン系薄膜
３０の表面には透明導電膜３２．導電電極３１． ｂか
順次積層されている。この構造は第２のアモルファスシ
リコン系薄膜３０の膜厚方向の抵抗が小さい場合に有効
で、第１の表面から矢印Ｌ１に示されるように入射した
光は第２の表面の積層構造で有効に反射され、再度結晶
半導体１０中に戻り有効に吸収さ］１ 、′ゲーＩ−電極４３に対して左右に４０ａ、４０ｂ４
１ａ、４１ｂと離間されており、そのためキャリア誘起
層１４も４０ａ、４０ｂに対応して１４ａ、１４ｂと離
間されている。誘起層１４ａ１４ｂは電界効果トランジ
スタのソース及びドレインとなり、４１ａ、４１ｂはソ
ース、トレイン電極となる。ゲート電極４３によって結
晶半導体表面に誘起されたチャネルキャリアは、キャリ
ア誘起層１４と同−導電形である場合はキャリア誘起層
を通ってソース電極４１．ａ、トレイン電極］２ ４１ｂ間を流れる。
この場合、ゲート電極４３とソース及びドレインとのオ
ーバーラツプが必要となるが、本発明の構成によればア
モルファスシリコン系薄膜上の絶縁膜を介してオーバー
ラツプさせることができるので、絶縁耐圧の高い素子か
得られる。これはアモルファスシリコン系薄膜上の絶縁
膜（シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜）は金属薄膜
上の絶縁膜に較べて絶縁耐圧の高い絶縁膜が得られるか
ることかできるという格別の効果を有する。
ーバーラツプが必要となるが、本発明の構成によればア
モルファスシリコン系薄膜上の絶縁膜を介してオーバー
ラツプさせることができるので、絶縁耐圧の高い素子か
得られる。これはアモルファスシリコン系薄膜上の絶縁
膜（シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜）は金属薄膜
上の絶縁膜に較べて絶縁耐圧の高い絶縁膜が得られるか
ることかできるという格別の効果を有する。
第１図、第２図１第３図はそれぞれ本発明の第１、第２
．第３の実施例の構成図。第４図は従来の構成図である
。
．第３の実施例の構成図。第４図は従来の構成図である
。
Claims (4)
- （１）結晶半導体表面にアモルファスシリコン系薄膜が
積層された構造において、結晶半導体側に形成されたキ
ャリア誘起層の電気伝導を用いることを、特徴とする半
導体デバイスの構成方法。 - （２）結晶半導体表面にアモルファスシリコン系薄膜が
積層された構造において、結晶半導体側に形成されたキ
ャリア蓄積層の電界を、少数キャリアを積層面から追い
返す電界として用いられることを特徴とする半導体デバ
イスの構成方法。 - （３）結晶半導体表面にアモルファスシリコン系薄膜が
積層された構造において、結晶半導体側に形成されたキ
ャリア蓄積層と、該アモルファスシリコン系薄膜とを該
結晶半導体へのオーム性接触の１部として用いることを
特徴とする半導体デバイスの構成方法。 - （４）結晶半導体表面とアモルファスシリコン系薄膜と
の間に第三の薄膜が介在したことを特徴とする特許請求
の範囲１ないし３記載の半導体デバイスの構成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116999A JP2813712B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116999A JP2813712B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 光電変換素子 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13190498A Division JP3371130B2 (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 電界効果型トランジスタ |
| JP13199198A Division JP3295725B2 (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296375A true JPH02296375A (ja) | 1990-12-06 |
| JP2813712B2 JP2813712B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=14700961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1116999A Expired - Lifetime JP2813712B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813712B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143876A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Photoelectric transducer |
| JPS5898987A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽光電池 |
| JPS62224089A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
| JPS6319872A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP1116999A patent/JP2813712B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143876A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Photoelectric transducer |
| JPS5898987A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽光電池 |
| JPS62224089A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
| JPS6319872A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2813712B2 (ja) | 1998-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3203078B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2011507246A (ja) | 広いうら側エミッタ領域を有する裏面電極型太陽電池およびその製造方法 | |
| TW201145534A (en) | Solar panel module and method for manufacturing such a solar panel module | |
| JP2008294080A (ja) | 太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法 | |
| WO2018023940A1 (zh) | 一种背接触太阳能电池串及其制备方法和组件、系统 | |
| JP6388707B2 (ja) | ハイブリッド全バックコンタクト太陽電池及びその製造方法 | |
| WO2018001188A1 (zh) | 电池片组件、电池片矩阵和太阳能电池组件 | |
| CN118213428A (zh) | 一种背接触电池及其制造方法、光伏组件 | |
| JP2890441B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR20230033814A (ko) | 다층 게이트 절연막내의 반 강유전 커플된 분극현상을 사용한 터널링 전계 효과 트랜지스터 | |
| JPH02296375A (ja) | 半導体デバイスの構成方法 | |
| CN114843334B (zh) | 一种平面式功率mosfet器件的闸汲端夹止结构 | |
| JP3295725B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| CN115775840A (zh) | 光电传感器件和显示面板 | |
| JP3371130B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| TW201133884A (en) | Silicon solar cell | |
| JPH09148600A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| WO2016027530A1 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2001036069A (ja) | ダイオード | |
| JPH10256579A (ja) | 光電変換素子 | |
| CN108461569A (zh) | 一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构 | |
| CN108305910A (zh) | 一种同质结晶体硅双面太阳电池结构 | |
| JPS633471A (ja) | タンデム構造太陽電池 | |
| CN120659396A (zh) | 一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件 | |
| JPH05175238A (ja) | 接合型電界効果トランジスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |