JPH02297730A - 光メモリ装置 - Google Patents
光メモリ装置Info
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- JPH02297730A JPH02297730A JP1119717A JP11971789A JPH02297730A JP H02297730 A JPH02297730 A JP H02297730A JP 1119717 A JP1119717 A JP 1119717A JP 11971789 A JP11971789 A JP 11971789A JP H02297730 A JPH02297730 A JP H02297730A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- memory device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 2
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光メモリ装置に関する。
［従来の技術］
従来の光メモリ装置の情報の再生、記録および消去を行
なう光学ヘッドの光源である半導体レーザの駆動回路に
は、例えば特許公報昭６３−３１８６０や公開実用新案
公報昭６２−１９８１１８がある。 ゛ ［発明が解決しようとする課ｕＥ しかし、前述のような半導体レーザ駆動回路を用いた書
き換え可能型の光メモリ装置においては、半導体レーザ
の発光出力が、情報の再生、記録および消去の各モード
で異なる。半導体レーザの波長はそれに流れる電流量が
変化すると波長が変化するから、前述の各モード間では
波長がシフトする。この波長シフトに伴う焦点シフトが
大きいと、データの初めの部分の記録不良、消去不良が
生じる。そのため、高速のモード切り替えができないと
いう問題点があった。
なう光学ヘッドの光源である半導体レーザの駆動回路に
は、例えば特許公報昭６３−３１８６０や公開実用新案
公報昭６２−１９８１１８がある。 ゛ ［発明が解決しようとする課ｕＥ しかし、前述のような半導体レーザ駆動回路を用いた書
き換え可能型の光メモリ装置においては、半導体レーザ
の発光出力が、情報の再生、記録および消去の各モード
で異なる。半導体レーザの波長はそれに流れる電流量が
変化すると波長が変化するから、前述の各モード間では
波長がシフトする。この波長シフトに伴う焦点シフトが
大きいと、データの初めの部分の記録不良、消去不良が
生じる。そのため、高速のモード切り替えができないと
いう問題点があった。
そこで本発明はこのような問題点を解決するためのもの
で、その目的とするところは半導体レーザの光周波数の
ゆらぎを小さくしてデータの高速記録、高速再生のでき
る光メモリ装置を提供するところにある。
で、その目的とするところは半導体レーザの光周波数の
ゆらぎを小さくしてデータの高速記録、高速再生のでき
る光メモリ装置を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の光メモリ装置は、
ａ）半導体レーザと、
ｂ）該半導体レーザからの出射光の進行方向に設置され
た光アイソレータと、 ｃ）ｂ）項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたビーム・スプリッタと、ｄ）ｃ）項記載
のビーム・スプリッタで進行方向の９０度変化した光の
進行方向に設置されたファブリ・ペロー共振器と、 ｅ）該ファブリ・ペロー共振器とＣ）項記載のビーム・
スプリッタを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタを該フ
ァブリ・ペロー共振器との間に挟むように設けられた光
検出器と、 ｆ）ｅ）項記載の光検出器の出力を入力とし、前記半導
体レーザの発振波長を制御する電流を前記半導体レーザ
に出力する制御回路と、 ｇ）前記半導体レーザの温度変動を抑制するための温度
コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を電気光学素子で行なうＡＬ
ＰＣ（Δｕｔｏｍａｔｉｃ Ｌａ５ｅｒ Ｐｏｗｅｒ
Ｃｏｎ−ｔｒｏｌ ｌｅｒ ）を有する光学ヘッド搭載
したことを特徴とする。
た光アイソレータと、 ｃ）ｂ）項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたビーム・スプリッタと、ｄ）ｃ）項記載
のビーム・スプリッタで進行方向の９０度変化した光の
進行方向に設置されたファブリ・ペロー共振器と、 ｅ）該ファブリ・ペロー共振器とＣ）項記載のビーム・
スプリッタを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタを該フ
ァブリ・ペロー共振器との間に挟むように設けられた光
検出器と、 ｆ）ｅ）項記載の光検出器の出力を入力とし、前記半導
体レーザの発振波長を制御する電流を前記半導体レーザ
に出力する制御回路と、 ｇ）前記半導体レーザの温度変動を抑制するための温度
コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を電気光学素子で行なうＡＬ
ＰＣ（Δｕｔｏｍａｔｉｃ Ｌａ５ｅｒ Ｐｏｗｅｒ
Ｃｏｎ−ｔｒｏｌ ｌｅｒ ）を有する光学ヘッド搭載
したことを特徴とする。
［実施例］
第１図に本発明の実施例を示す光メモリ装置用の光学ヘ
ッドの簡単な説明図である。以下、この図に基づいて説
明をする。半導体レーザ１は、チップの前方と後方に光
を出射するが、一方を光メモリのデータの記録、再生お
よび消去に用い、もう一方を波長のサーボに使用する。
ッドの簡単な説明図である。以下、この図に基づいて説
明をする。半導体レーザ１は、チップの前方と後方に光
を出射するが、一方を光メモリのデータの記録、再生お
よび消去に用い、もう一方を波長のサーボに使用する。
アイソレータ２．１１は、外部の反射によってレーザ本
体に光が戻るのを防ぐために設置されている。半導体レ
ーザに付加されている温度コントローラでは温度のゆら
ぎを０．００１度にした。ファブリ・ペロー共振器４は
ミラーの反射率が９９．９％以上と高い。また、ミラー
の間隔は熱ｌ！張率の小さい特殊なガラス材料を使った
。このファブリ・ペロー共振器の共振器の温度ゆらぎは
０．００１度に抑えられている。半導体レーザの注入電
流を制御すると光周波数が変化する。それで、注入電流
を制御することによって光周波数のゆらぎを抑制するわ
けであるが、どれだけ電流を変化させるかは半導体レー
ザの光周波数のゆらぎに対応する。その半導体レーザの
光周波数のゆらぎを検出するのが、ファブリ・ペロー共
振器である。半導体レーザの光周波数が、共振器のミラ
ー間隔で決まる共鳴周波数に一致するときビーム・スプ
リッタ４からの光のファブリ・ペロー共振器での反射光
強度は最小となり、後は共振器の共鳴周波数と半導体レ
ーザの光周波数の差に比例した反射光強度が得られる。
体に光が戻るのを防ぐために設置されている。半導体レ
ーザに付加されている温度コントローラでは温度のゆら
ぎを０．００１度にした。ファブリ・ペロー共振器４は
ミラーの反射率が９９．９％以上と高い。また、ミラー
の間隔は熱ｌ！張率の小さい特殊なガラス材料を使った
。このファブリ・ペロー共振器の共振器の温度ゆらぎは
０．００１度に抑えられている。半導体レーザの注入電
流を制御すると光周波数が変化する。それで、注入電流
を制御することによって光周波数のゆらぎを抑制するわ
けであるが、どれだけ電流を変化させるかは半導体レー
ザの光周波数のゆらぎに対応する。その半導体レーザの
光周波数のゆらぎを検出するのが、ファブリ・ペロー共
振器である。半導体レーザの光周波数が、共振器のミラ
ー間隔で決まる共鳴周波数に一致するときビーム・スプ
リッタ４からの光のファブリ・ペロー共振器での反射光
強度は最小となり、後は共振器の共鳴周波数と半導体レ
ーザの光周波数の差に比例した反射光強度が得られる。
したがって、ファブリ・ペロー共振器を反射してくる光
の強度ゆらぎを光検出器５で測定することが、とりもな
おさず半導体レーザの光周波数のゆらぎを測定・検出す
ることになるのである。
の強度ゆらぎを光検出器５で測定することが、とりもな
おさず半導体レーザの光周波数のゆらぎを測定・検出す
ることになるのである。
以下、この光周波数のゆらぎをエラー信号として半導体
レーザの注入電流をフィードバックする。
レーザの注入電流をフィードバックする。
注入電流の基準値は光メモリ装置のデータの記録、再生
あるいは消去の半導体レーザの発光出力モードのなかで
一番出力の大きいモードに対応する。
あるいは消去の半導体レーザの発光出力モードのなかで
一番出力の大きいモードに対応する。
一方、 Ａ Ｌ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｌａ５
ｅｒ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎ−ｔｏｒｏｌｌｅｒ）である
が、これは現在の光メモリが熱記録、熱消去であること
から、検出される信号品質が光学ヘッドの出射光量に敏
感でために必要となっている。本発明では半導体レーザ
の光周波数を一定にし°たいから、半導体レーザの強度
とバルスの変調は電気光学素子で行う。第１図は、光磁
気メモリ装置に応用する例であるので、永久磁石２１が
設置されている。また、アイソレータ１１があるので、
半導体レーザ本体への戻り光はなく、高周波重畳の必要
もない。ビームスブリヅタ１４でデータの記録、消去お
よび再生に使われる光とＡＬＰＣのモニタ用に使われる
光に分ける。後者の光量を光検出器１５で検出し、電気
光学素子を用いた変調器１０にフィードバックする。
ｅｒ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎ−ｔｏｒｏｌｌｅｒ）である
が、これは現在の光メモリが熱記録、熱消去であること
から、検出される信号品質が光学ヘッドの出射光量に敏
感でために必要となっている。本発明では半導体レーザ
の光周波数を一定にし°たいから、半導体レーザの強度
とバルスの変調は電気光学素子で行う。第１図は、光磁
気メモリ装置に応用する例であるので、永久磁石２１が
設置されている。また、アイソレータ１１があるので、
半導体レーザ本体への戻り光はなく、高周波重畳の必要
もない。ビームスブリヅタ１４でデータの記録、消去お
よび再生に使われる光とＡＬＰＣのモニタ用に使われる
光に分ける。後者の光量を光検出器１５で検出し、電気
光学素子を用いた変調器１０にフィードバックする。
この光学ヘッドを使った光メモリ装置は、光周波数のゆ
らぎが小さいので波長シフトによる焦点シフトが生じな
いので、高速の記録、再生ができる。また、光周波数の
ゆらぎが小さいので雑音が減り、信号の品質が良くなる
。
らぎが小さいので波長シフトによる焦点シフトが生じな
いので、高速の記録、再生ができる。また、光周波数の
ゆらぎが小さいので雑音が減り、信号の品質が良くなる
。
［発明の効果］
以上、述べたように本発明によれば、半導体レーザの光
周波数のゆらぎを小さくしてデータの高速記録、高速再
生のできろ光メモリ装置を提供することが可能となった
。
周波数のゆらぎを小さくしてデータの高速記録、高速再
生のできろ光メモリ装置を提供することが可能となった
。
第１図は、本発明による光メモリ装置に使用されている
光学ヘッドの実施例を示す図。 １・・・半導体レーザ ２．１１・・・アイソレータ ３、 １４． １７・・・ビーム・スプリッタ４・・・
ファブリ・ペロー共振器 ５．１５・・・光検出器 ６．１６・・・半導体レーザ注入電流制御回路７・・・
温度コントローラ ８・・・コリメータレンズ ９・・・アナモルフィックプリズム １０・・・電気光学素子を用いた変調器１２・・・空間
フィルタ・ビームエクスパンダ−１３・・・ミラー １８・・・対物レンズ １９・・・アクチュエータ ２０・・・ディスクメモリ ２１・・・永久磁石 ２２・・・レンズ ２３・・・サーボ系およびＲＦ信号検出系以上
光学ヘッドの実施例を示す図。 １・・・半導体レーザ ２．１１・・・アイソレータ ３、 １４． １７・・・ビーム・スプリッタ４・・・
ファブリ・ペロー共振器 ５．１５・・・光検出器 ６．１６・・・半導体レーザ注入電流制御回路７・・・
温度コントローラ ８・・・コリメータレンズ ９・・・アナモルフィックプリズム １０・・・電気光学素子を用いた変調器１２・・・空間
フィルタ・ビームエクスパンダ−１３・・・ミラー １８・・・対物レンズ １９・・・アクチュエータ ２０・・・ディスクメモリ ２１・・・永久磁石 ２２・・・レンズ ２３・・・サーボ系およびＲＦ信号検出系以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ）半導体レーザと、 ｂ）該半導体レーザからの出射光の進行方向に設置され
た光アイソレータと、 ｃ）ｂ）項記載の光アイソレータからの出射光の進行方
向に設置されたビーム・スプリッタと、 ｄ）ｃ）項記載のビーム・スプリッタで進行方向の９０
度変化した光の進行方向に設置されたファブリ・ペロー
共振器と、 ｅ）該ファブリ・ペロー共振器とｃ）項記載のビーム・
スプリッタを結ぶ光路上に該ビーム・スプリッタを該フ
ァブリ・ペロー共振器との間に挟むように設けられた光
検出器と、ｆ）ｅ）項記載の光検出器の出力を入力とし
、前記半導体レーザの発振波長を制御する電流を前記半
導体レーザに出力する制御回路と、 ｇ）前記半導体レーザの温度変動を抑制するための温度
コントローラ、 とからなる半導体レーザ波長サーボ回路と、半導体レー
ザの強度とパルス幅の変調を電気光学素子で行なうＡＬ
ＰＣ（ＡｕｔｏｍａｔｉｃＬａｓｅｒＰｏｗｅｒＣｏｎ
−ｔｒｏｌｌｅｒ）を有する光学ヘッド搭載したことを
特徴とする光メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1119717A JPH02297730A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 光メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1119717A JPH02297730A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 光メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02297730A true JPH02297730A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14768370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1119717A Pending JPH02297730A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 光メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02297730A (ja) |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1119717A patent/JPH02297730A/ja active Pending
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