JPH02297845A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPH02297845A JPH02297845A JP11740789A JP11740789A JPH02297845A JP H02297845 A JPH02297845 A JP H02297845A JP 11740789 A JP11740789 A JP 11740789A JP 11740789 A JP11740789 A JP 11740789A JP H02297845 A JPH02297845 A JP H02297845A
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- JP
- Japan
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- electrode
- electron
- potential
- image forming
- emitting part
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子源を用いた画像形成装置に関するもので
ある。
ある。
［従来の技術］
従来、平板形画像形成装置は通常、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃ
ｅ ｖｏｌ ＥＤ−２’０． Ｎｏ１ｌ。
ｓａｃｔｉｏｎ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃ
ｅ ｖｏｌ ＥＤ−２’０． Ｎｏ１ｌ。
Ｎｏｖ、 １９７３に記載されるデジディスプレイ方式
、ＴＶ学会誌ｖｏ１４０． Ｎｏ１Ｏ，１９８６に記載
されるＭＤＳ（Ｍａｔｒｉｘ Ｄｒｉｖｅ ａｎｄ Ｄ
ｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）方式。
、ＴＶ学会誌ｖｏ１４０． Ｎｏ１Ｏ，１９８６に記載
されるＭＤＳ（Ｍａｔｒｉｘ Ｄｒｉｖｅ ａｎｄ Ｄ
ｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）方式。
Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ １９８６に記載されてい
るＨＡＶＤ（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ａｄｄｒｅｓｓ
Ｖｅｒｔｉｃａｌ ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）方式、 Ｓ
ＩＤ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕ
ｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅ
ｒｓ、 １９８６に記載されているプラズマ電子源方式
、 Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ １９８６に記載され
ている５ｐｉｎｄｔ方式、特開昭５６−３０２４１に記
載されているコイル状ヒータカソード方式等のように、
電子源と蛍光体が存するフェースプレートとの間に、１
枚以上の電極を配し、かかる電極に引出、変調、収束、
偏向等の機能を持たせている。第７図は、典型的な従来
例を示すＭＤＳ方式のディスプレイの斜視図である。同
第７図より分る通り、これらの方式においては、電子放
出部から発生した電子をフェースプレート方向に引き出
す為の、電子放出部に最も近接している電極（以後第１
電極と呼ぶ）は、第１電極の外部からの影響が電子放出
部に及ばないように外部電位を遮断するように開口の小
さな電極で構成されている。
るＨＡＶＤ（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ａｄｄｒｅｓｓ
Ｖｅｒｔｉｃａｌ ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）方式、 Ｓ
ＩＤ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕ
ｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅ
ｒｓ、 １９８６に記載されているプラズマ電子源方式
、 Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ １９８６に記載され
ている５ｐｉｎｄｔ方式、特開昭５６−３０２４１に記
載されているコイル状ヒータカソード方式等のように、
電子源と蛍光体が存するフェースプレートとの間に、１
枚以上の電極を配し、かかる電極に引出、変調、収束、
偏向等の機能を持たせている。第７図は、典型的な従来
例を示すＭＤＳ方式のディスプレイの斜視図である。同
第７図より分る通り、これらの方式においては、電子放
出部から発生した電子をフェースプレート方向に引き出
す為の、電子放出部に最も近接している電極（以後第１
電極と呼ぶ）は、第１電極の外部からの影響が電子放出
部に及ばないように外部電位を遮断するように開口の小
さな電極で構成されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来例では、第１電極の外部からの
影響が、電子放出部に及ばないようにする場合において
、次のような欠点があった。
影響が、電子放出部に及ばないようにする場合において
、次のような欠点があった。
（１）第１電極の開口を小さくする必要が生ずる為、電
子放出部にて発生した電子のうち、一部の電子しか利用
できず、フェースプレート上での輝度が低下する。
子放出部にて発生した電子のうち、一部の電子しか利用
できず、フェースプレート上での輝度が低下する。
（２）電子源部が存する基板（以後電子源基板と呼ぶ）
上、電子放出部近傍で引き回された配線の電位に起因す
る力により、電子ビームが本来の軌道からズしてしまう
。
上、電子放出部近傍で引き回された配線の電位に起因す
る力により、電子ビームが本来の軌道からズしてしまう
。
（３）このズレな防止する為には第１電極電圧（これを
ＶＥＸＴとする）を高（する必要が生じ、これにより第
１電極部の絶縁不良の可能性が増大し、装置の信頼性が
低下する。これは、装置に高解像度が要求される場合に
は特に顕著となる。
ＶＥＸＴとする）を高（する必要が生じ、これにより第
１電極部の絶縁不良の可能性が増大し、装置の信頼性が
低下する。これは、装置に高解像度が要求される場合に
は特に顕著となる。
この高解像度が要求される装置においては、各画素に対
応する電子放出部の寸法は小さくなり、数は増大する。
応する電子放出部の寸法は小さくなり、数は増大する。
しかしながら、電子源を動作するのに必要な、電子源基
板上の配線又は電極は、装置としての消費電力を抑え、
多数の電子源への印加電圧のばらつきを抑える為に、可
能な限り幅広（又は厚（して抵抗を小さくする必要があ
る。この為、電子放出部近傍における電子源基板上の配
線の引き回しに起因する、フェースプレート法線方向（
これをＹ方向とする）に垂直な方向（これをＸ方向とす
る）への力によって、電子軌道がＸ方向に逸脱するとい
う問題が、電子源サイズを小さくすればする程顕著にな
ってくる。この問題を解決するには、Ｘ方向への力に比
して、Ｙ方向への力を増大させる、つまりＶＥＸＴを太
き（する必要を生じる訳である。
板上の配線又は電極は、装置としての消費電力を抑え、
多数の電子源への印加電圧のばらつきを抑える為に、可
能な限り幅広（又は厚（して抵抗を小さくする必要があ
る。この為、電子放出部近傍における電子源基板上の配
線の引き回しに起因する、フェースプレート法線方向（
これをＹ方向とする）に垂直な方向（これをＸ方向とす
る）への力によって、電子軌道がＸ方向に逸脱するとい
う問題が、電子源サイズを小さくすればする程顕著にな
ってくる。この問題を解決するには、Ｘ方向への力に比
して、Ｙ方向への力を増大させる、つまりＶＥＸＴを太
き（する必要を生じる訳である。
そこで、この発明においては、以上の様な従来の問題点
を解消させ、電子源から発生した電子を有効に利用しフ
ェースプレート上での輝度を向上させると共に、電子放
出部近傍におけるＸ方向（フェースプレート法線方向に
垂直な方向）への電子ビームのズレを抑制し、低い第１
電極電圧で動作する信頼性の高い画像形成装置を提供す
ることを目的とする。
を解消させ、電子源から発生した電子を有効に利用しフ
ェースプレート上での輝度を向上させると共に、電子放
出部近傍におけるＸ方向（フェースプレート法線方向に
垂直な方向）への電子ビームのズレを抑制し、低い第１
電極電圧で動作する信頼性の高い画像形成装置を提供す
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段及び作用］この目的を達成
するために、この発明は次のような構成としている。即
ち、この発明に係る画像形成装置は、第１電極の電子通
過孔を通して、外部電位の影響が電子放出部近傍にまで
及ぶ様にし、これによって、電子がＹ方向に受ける力の
原因となるＹ方向の電場の大きさＥＹが、電子源基板上
の配線の電位によるＸ方向の力の原因となるＸ方向電場
の大きさＥｘよりも大きくとる構成とすることにより、
電子放出部から発生した電子を有効に利用すると共に、
電子軌道のＸ方向へのズレを小さく抑えられるようにし
たものである。
するために、この発明は次のような構成としている。即
ち、この発明に係る画像形成装置は、第１電極の電子通
過孔を通して、外部電位の影響が電子放出部近傍にまで
及ぶ様にし、これによって、電子がＹ方向に受ける力の
原因となるＹ方向の電場の大きさＥＹが、電子源基板上
の配線の電位によるＸ方向の力の原因となるＸ方向電場
の大きさＥｘよりも大きくとる構成とすることにより、
電子放出部から発生した電子を有効に利用すると共に、
電子軌道のＸ方向へのズレを小さく抑えられるようにし
たものである。
これらを実現する為の画像形成装置の構成例は、次の如
（なる。即ち、電子放出部と第１電極との間の距離なｄ
ｏ、第１電極の電子通過孔の最大開口径を！、第１電極
とターゲット電極との間の距離をｄ Ｍ Ｔ ｒ高電位
側配線と低電位側配線との間の距離をＷＳ、ターゲット
電位をＶア、第１電極電位なＶＥＸア、電子放出素子配
線間電位差（即ち、高電位側電極電位と低電位側電極電
位との電位差）をＶｒとした時、 を満たす構成としたものである。
（なる。即ち、電子放出部と第１電極との間の距離なｄ
ｏ、第１電極の電子通過孔の最大開口径を！、第１電極
とターゲット電極との間の距離をｄ Ｍ Ｔ ｒ高電位
側配線と低電位側配線との間の距離をＷＳ、ターゲット
電位をＶア、第１電極電位なＶＥＸア、電子放出素子配
線間電位差（即ち、高電位側電極電位と低電位側電極電
位との電位差）をＶｒとした時、 を満たす構成としたものである。
［実施例］
この発明の実施例を、図面に沿って詳細に説明する。
東」１糺１
この発明の第１の実施例を第１図、第２図及び第３図に
沿って説明する。第１図（ａ）は、本発明の実施例で用
いる画像形成装置を示す基本構成図である。本構成に当
たって電子源としては、特願昭６２−１７４８３７等で
技術開示されている表面伝導形電子放出素子を使用した
。第１図において、１はガラス基板、２は高電位側電圧
供給用配線、２ａは表面伝導形電子放出素子の高電位側
電極、３は低電位側電圧供給用配線、３ａは表面伝導形
電子放出素子の低電位側電極、４は電子放出部、５は電
子通過孔、６は第１電極である変調電極、７はガラス体
、８は透明電極、９は蛍光体、ｌＯはフェースプレート
、１１は蛍光体の輝点である。
沿って説明する。第１図（ａ）は、本発明の実施例で用
いる画像形成装置を示す基本構成図である。本構成に当
たって電子源としては、特願昭６２−１７４８３７等で
技術開示されている表面伝導形電子放出素子を使用した
。第１図において、１はガラス基板、２は高電位側電圧
供給用配線、２ａは表面伝導形電子放出素子の高電位側
電極、３は低電位側電圧供給用配線、３ａは表面伝導形
電子放出素子の低電位側電極、４は電子放出部、５は電
子通過孔、６は第１電極である変調電極、７はガラス体
、８は透明電極、９は蛍光体、ｌＯはフェースプレート
、１１は蛍光体の輝点である。
第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ断面図で、１２は
絶縁体であり、第１図（ｃ）は第１図（ａ）のＢ−Ｂ断
面図である。本実施例では、電子放出部４近傍において
、高電位側電圧供給用配線２から低電位側電圧供給用配
線３へ向かう（Ｘ方向）電場Ｅ工よりも、加速電位にあ
るフェースプレートｌＯから電子放出部４へ向かう電場
ＥＴを大きくし、電子放出部４より発生した電子がＸ方
向ヘズレることを抑える為、第１図（ａ） （ｃ）にお
ける各部の位置関係を次の通りとした。即ち、電子通過
孔５の長さ！ｌ ＝ ３００７ｚｍ 、幅ｗ ＝ １８
０ｐｍ 、配線２．３の厚さｈ ＝ １１００ｐ 、配
線２．３の上端と、変調電極６の下端との距離ｇ ＝
５０ｐｍ、配線２．３間の距離Ｗ、＝ ４２０ Ｊ’ｆ
ｌｌ＋変調電極６の厚さｔ ＝ ５０ｐ、ｍ、変調電極
６の電位＝ ｔＯＶ 、低電位側電圧供給用配線３の電
位＝ＯＶ、高電位側電圧供給用配線２の電位＝１４Ｖ、
電子放出部４からフェースプレートｌＯ迄の距離を１０
ｍｍ、フェースプレート１０の電位を１０ｋＶとした。
絶縁体であり、第１図（ｃ）は第１図（ａ）のＢ−Ｂ断
面図である。本実施例では、電子放出部４近傍において
、高電位側電圧供給用配線２から低電位側電圧供給用配
線３へ向かう（Ｘ方向）電場Ｅ工よりも、加速電位にあ
るフェースプレートｌＯから電子放出部４へ向かう電場
ＥＴを大きくし、電子放出部４より発生した電子がＸ方
向ヘズレることを抑える為、第１図（ａ） （ｃ）にお
ける各部の位置関係を次の通りとした。即ち、電子通過
孔５の長さ！ｌ ＝ ３００７ｚｍ 、幅ｗ ＝ １８
０ｐｍ 、配線２．３の厚さｈ ＝ １１００ｐ 、配
線２．３の上端と、変調電極６の下端との距離ｇ ＝
５０ｐｍ、配線２．３間の距離Ｗ、＝ ４２０ Ｊ’ｆ
ｌｌ＋変調電極６の厚さｔ ＝ ５０ｐ、ｍ、変調電極
６の電位＝ ｔＯＶ 、低電位側電圧供給用配線３の電
位＝ＯＶ、高電位側電圧供給用配線２の電位＝１４Ｖ、
電子放出部４からフェースプレートｌＯ迄の距離を１０
ｍｍ、フェースプレート１０の電位を１０ｋＶとした。
この場合
ｄｓ＆１＝１００＋５０＝１５０１ｔｍｌ、 １．２−
１１＝３６０［ｐｍｌとなる故 を満たす。
１１＝３６０［ｐｍｌとなる故 を満たす。
第２図は、本構成における、電子放出部近傍の等電位線
の計算結果を示している。本計算では電子放出部４の電
位を７■とし、等電位線は、Ｏ〜２０Ｖ迄を２■刻ミニ
、２０Ｖ以上１００ｖ以下をＩＯＶ刻みに描いている。
の計算結果を示している。本計算では電子放出部４の電
位を７■とし、等電位線は、Ｏ〜２０Ｖ迄を２■刻ミニ
、２０Ｖ以上１００ｖ以下をＩＯＶ刻みに描いている。
同第２図より分る如く、電子放出部４の近傍において配
線２．３の電位を起因する電場Ｅｘに比し、フェースプ
レートｌＯの電位に起因する電場Ｅアが支配的となり、
等電位線は電子放出部４にほぼ平行となっていることが
分る。
線２．３の電位を起因する電場Ｅｘに比し、フェースプ
レートｌＯの電位に起因する電場Ｅアが支配的となり、
等電位線は電子放出部４にほぼ平行となっていることが
分る。
次に本発明の画像形成装置による実験結果を述べる。
（１）第１電極６を取り除いた系におけるフェースプレ
ートに到達する電流を１１、本発明の構成系におけるフ
ェースプレートに到達する電流をＩ２とした時１．／１
． ＞０．９を得た。即ち、本発明の画像形成装置にお
いては、電子発生部４から発生した電子のうち、９０％
以上を利用できるという結果が得られた。
ートに到達する電流を１１、本発明の構成系におけるフ
ェースプレートに到達する電流をＩ２とした時１．／１
． ＞０．９を得た。即ち、本発明の画像形成装置にお
いては、電子発生部４から発生した電子のうち、９０％
以上を利用できるという結果が得られた。
（２）第３図は、フェースプレート上における電子ビー
ムによる輝点と、電子源基板１上の電子放出部４との位
置関係を示している。同第３図においの指標として採用
した場合、本発明の画像形成装置での実験においては、
ΔＸ＝０．０６を得た。この結果と比較する為、第１電
極６の開口５の長さＡ ＝ １１００ｐ 、 ｗ ＝
８０ｐｍとし、フェースプレート１０の電位の影響が、
電子放出部４近傍まで及ばない様にした系において同様
の実験をしたところΔＸ：０．６１を得た。これら２つ
の実験結果から、本発明の画像形成装置においては、配
線２，３による電子ビームのＸ方向へのズレが、極力抑
えられているという結果が得られた。次に本発明の画像
形成装置における電子源及び配線の製造方法の一例を、
第４図（ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。
ムによる輝点と、電子源基板１上の電子放出部４との位
置関係を示している。同第３図においの指標として採用
した場合、本発明の画像形成装置での実験においては、
ΔＸ＝０．０６を得た。この結果と比較する為、第１電
極６の開口５の長さＡ ＝ １１００ｐ 、 ｗ ＝
８０ｐｍとし、フェースプレート１０の電位の影響が、
電子放出部４近傍まで及ばない様にした系において同様
の実験をしたところΔＸ：０．６１を得た。これら２つ
の実験結果から、本発明の画像形成装置においては、配
線２，３による電子ビームのＸ方向へのズレが、極力抑
えられているという結果が得られた。次に本発明の画像
形成装置における電子源及び配線の製造方法の一例を、
第４図（ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。
先ず、ガラス基板１上に真空堆積法により絶縁層１２と
してＳｉＯ２を３０００人堆積する（第４図（ａ））。
してＳｉＯ２を３０００人堆積する（第４図（ａ））。
次・に、ホトリソエツチングプロセスにて不要部のＳｉ
Ｏ□を取り除く（第４図（ｂ））。それから、真空堆積
法により電極２ａ、 ３ａ用の金属膜としてＮｉを１５
００人堆積する（第４図（Ｃ））。その後、ホトリソエ
ツチングプロセスにて電極２ａ、 ３ａを形成する（第
４図（ｄ））。さらに、印刷法によりＡｇペーストをパ
ターリングし、焼成して配線２，３を形成する（第４図
（ｅ））。最後に有機パラジウム化合物の溶解液を塗布
・焼成後、通常のフォーミング処理を実施し、電子放出
部４を形成した（第４図（ｆ））。
Ｏ□を取り除く（第４図（ｂ））。それから、真空堆積
法により電極２ａ、 ３ａ用の金属膜としてＮｉを１５
００人堆積する（第４図（Ｃ））。その後、ホトリソエ
ツチングプロセスにて電極２ａ、 ３ａを形成する（第
４図（ｄ））。さらに、印刷法によりＡｇペーストをパ
ターリングし、焼成して配線２，３を形成する（第４図
（ｅ））。最後に有機パラジウム化合物の溶解液を塗布
・焼成後、通常のフォーミング処理を実施し、電子放出
部４を形成した（第４図（ｆ））。
第１図において、電子源として表面伝導形電子放出素子
を用いたが、一般には電子を放出する電子源であれば、
いかなる種類・形状のものでもよい。又、本実施例では
配線２，３を直線としたがこれに限る必要はない。配線
の厚さり、第１電極の厚さｔ、第１電極と配線との距離
ｇ、第１電極の電子通過孔５の長さβ１幅Ｗの値につい
ても、電子放出部４近傍での等電位線がほぼ平行となり
、Ｘ方向へのズレが系の許容範囲におさまる条件下で、
任意に変えることができる。又、本実施例では電子放出
部４近傍の電場ＥＹの形成に、フェースプレー１−ＩＯ
の加速電位を用いたが、外部電界としてはこれに限る訳
ではない。更に、本実施例では第１電極の開口形状を長
方形としたが、これに限る訳ではな（、正方形、多角形
９円形。
を用いたが、一般には電子を放出する電子源であれば、
いかなる種類・形状のものでもよい。又、本実施例では
配線２，３を直線としたがこれに限る必要はない。配線
の厚さり、第１電極の厚さｔ、第１電極と配線との距離
ｇ、第１電極の電子通過孔５の長さβ１幅Ｗの値につい
ても、電子放出部４近傍での等電位線がほぼ平行となり
、Ｘ方向へのズレが系の許容範囲におさまる条件下で、
任意に変えることができる。又、本実施例では電子放出
部４近傍の電場ＥＹの形成に、フェースプレー１−ＩＯ
の加速電位を用いたが、外部電界としてはこれに限る訳
ではない。更に、本実施例では第１電極の開口形状を長
方形としたが、これに限る訳ではな（、正方形、多角形
９円形。
楕円形においても同様の効果が得られた。
支施■ユ
この発明の第２の実施例を、第５図に沿って説明する。
第２実施例では、電子を放出する電子源として熱電子放
出電子源を使用した。第５図（ａ）は、熱電子放出電子
源が形成された電子源基板を示している。第５図（ｂ）
は第５図（ａ）のＤ−Ｄ断面図を示している。同第５図
（ｂ）において配線２゜３の厚さｈ ＝ ３０ｇｍ、配
線２．３の上端から第１電極６の下端までの距離ｇ＝５
０μｍ、配線２．３間の距離Ｗｓ＝ ４２０ ｔ’ｍ＋
第１電極の厚さｔ ＝ ５０ｇｍ。
出電子源を使用した。第５図（ａ）は、熱電子放出電子
源が形成された電子源基板を示している。第５図（ｂ）
は第５図（ａ）のＤ−Ｄ断面図を示している。同第５図
（ｂ）において配線２゜３の厚さｈ ＝ ３０ｇｍ、配
線２．３の上端から第１電極６の下端までの距離ｇ＝５
０μｍ、配線２．３間の距離Ｗｓ＝ ４２０ ｔ’ｍ＋
第１電極の厚さｔ ＝ ５０ｇｍ。
第１電極の電子通過孔５の長さβ＝ ４００ｐｍ、幅Ｗ
＝１８０ｐｍとした。電子放出部４は、厚さ１．Ｏｐｍ
、幅１５ｐｍ、長さ３００ｐｍで作成し、低電位側電
圧供給用配線３と高電位側電圧供給用配線２との間の、
電子源駆動電圧は約１．７Ｖ、第１電極電圧＝ ＩＯＶ
。
＝１８０ｐｍとした。電子放出部４は、厚さ１．Ｏｐｍ
、幅１５ｐｍ、長さ３００ｐｍで作成し、低電位側電
圧供給用配線３と高電位側電圧供給用配線２との間の、
電子源駆動電圧は約１．７Ｖ、第１電極電圧＝ ＩＯＶ
。
電子放出部４からフェースプレートｌＯ迄の距離を１０
ｍｎ＋、フェースプレートｌＯの電位を１ＯｋＶとして
、第１図と同様の実験を行った。
ｍｎ＋、フェースプレートｌＯの電位を１ＯｋＶとして
、第１図と同様の実験を行った。
この場合
ｄｓｖ＝ ３０＋５０ ＝ ８０ｂｍｌ、 １．２
”ｊ’ ＝ ４８０［ｐｍｌとなる故 を満たす。
”ｊ’ ＝ ４８０［ｐｍｌとなる故 を満たす。
次に実験結果を述べる。
（１）第１電極６を取り除いた系におけるフェースプレ
ートに到達する電流をり２本発明の構成系におけるフェ
ースプレートに到達する電流を■２とした時１．／Ｉ、
＞ ０．９５を得た。即ち、本発明の画像形成装置にお
いては、電子放出部４から発生した電子のうち、９５％
以上を利用できるという結果が得られた。
ートに到達する電流をり２本発明の構成系におけるフェ
ースプレートに到達する電流を■２とした時１．／Ｉ、
＞ ０．９５を得た。即ち、本発明の画像形成装置にお
いては、電子放出部４から発生した電子のうち、９５％
以上を利用できるという結果が得られた。
（２）第１実施例の説明で述べたＸ方向へのズレ指標Δ
Ｘは、実験結果よりΔＸ ＝ ０．０２となり、配線２
．３に起因するＸ方向への電子ビームのズレが抑えられ
ているという結果が得られた。
Ｘは、実験結果よりΔＸ ＝ ０．０２となり、配線２
．３に起因するＸ方向への電子ビームのズレが抑えられ
ているという結果が得られた。
次に、本実施例の画像形成装置における電子源及び配線
の製造方法の一例を、第６図（ａ）〜（ｅ）に基づいて
説明する。第６図は、第５図（ａ）のＣ−Ｃ断面図を示
している。先ずガラス基板上に、真空堆積法によりＣｕ
を７ｐｍ堆積させる（第６図（ａ））。次に、真空堆積
法によりＴａを１．０μｍ堆積させる（第６図（ｂ））
。それから、ホトリソエツチングプロセスによりＴａ層
を加工し、電子放出部４を形成する（第６図（Ｃ））。
の製造方法の一例を、第６図（ａ）〜（ｅ）に基づいて
説明する。第６図は、第５図（ａ）のＣ−Ｃ断面図を示
している。先ずガラス基板上に、真空堆積法によりＣｕ
を７ｐｍ堆積させる（第６図（ａ））。次に、真空堆積
法によりＴａを１．０μｍ堆積させる（第６図（ｂ））
。それから、ホトリソエツチングプロセスによりＴａ層
を加工し、電子放出部４を形成する（第６図（Ｃ））。
その後、印刷法によりＡｇペーストをバターニングし、
焼成して配線２．３を形成する（第６図（ｄ））。最後
にＣｕを選択的にエツチングさせＴａ電子放出部４の中
空構造を作成する。
焼成して配線２．３を形成する（第６図（ｄ））。最後
にＣｕを選択的にエツチングさせＴａ電子放出部４の中
空構造を作成する。
［発明の効果］
以上説明したように、第１電極の開口を通して、外部電
界の影響が電子放出部近傍にまで及ぶようにすることに
より次の効果がある。
界の影響が電子放出部近傍にまで及ぶようにすることに
より次の効果がある。
（１）電子放出部にて発生した電子を有効に利用でき、
フェースプレート上での輝度が向上する。
フェースプレート上での輝度が向上する。
（２）電子源基板上で、電子放出部近傍において引き回
された配線電位に起因する力による電子ビームのズレな
許容値以内に押えられる。
された配線電位に起因する力による電子ビームのズレな
許容値以内に押えられる。
（３）第１電極電圧を低（することができ、第１電極部
の絶縁不良に起因する装置の信頼性低下を防止できる。
の絶縁不良に起因する装置の信頼性低下を防止できる。
第１図は本発明の第１実施例を示す斜視図及びその断面
図、第２図は本発明の電子放出部近傍の等電位線の一例
を示す側面図、第３図は電子ビームによる蛍光体の輝点
と電子放出部の位置関係を表わした図、第４図は本発明
の第１実施例の電子源基板部の製造方法の一例を示す工
程図、第５図は本発明の第２実施例を示す斜視図及びそ
の断面図、第６図は本発明の第２実施例の、電子源基板
部の製造方法の一例を示す工程図、第７図は従来例を示
す構成図である。 １・・・ガラス基板 ２．２ｂ・・・高電位側電圧用配線 ２ａ・・・高電位側電極
図、第２図は本発明の電子放出部近傍の等電位線の一例
を示す側面図、第３図は電子ビームによる蛍光体の輝点
と電子放出部の位置関係を表わした図、第４図は本発明
の第１実施例の電子源基板部の製造方法の一例を示す工
程図、第５図は本発明の第２実施例を示す斜視図及びそ
の断面図、第６図は本発明の第２実施例の、電子源基板
部の製造方法の一例を示す工程図、第７図は従来例を示
す構成図である。 １・・・ガラス基板 ２．２ｂ・・・高電位側電圧用配線 ２ａ・・・高電位側電極
Claims (3)
- （１）少なくとも電子放出素子と、該電子放出素子から
放出される電子ビームの通過と遮断を制御する為の電子
通過孔を有した第１電極、及び電子ビームの照射により
画像を形成する為のターゲットを具備した系において、
前記第１電極に対して前記ターゲット側に設けた電極の
電位（外部電位）の影響が、電子放出部近傍に及ぶよう
な開口面積を有する第１電極の電子通過孔を特徴とする
画像形成装置。 - （２）前記外部電位として、ターゲットの電位を用い、
電子放出部と第１電極との間の距離をｄ＿Ｓ＿Ｍ、第１
電極の電子通過孔の最大開口径をｌ、第１電極とターゲ
ット電極との間の距離をｄ＿Ｍ＿Ｔ、高電位側配線と低
電位側配線との間の距離をＷ＿Ｓ、ターゲット電位をＶ
＿Ｔ、第１電極電位をＶ＿Ｅ＿Ｘ＿Ｔ、電子放出素子配
線間電位差（即ち、高電位側電極電位と低電位側電極電
位との電位差）をＶ＿ｆとした時、 ｛・（Ｖ＿Ｔ−Ｖ＿Ｅ＿Ｘ＿Ｔ）／（ｄ＿Ｍ＿Ｔ）＞１
０・（Ｖｆ／Ｗ＿Ｓ）かつ ・ｄ＿Ｓ＿Ｍ＜１．２・ｌ｝ を満たすことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置
。 - （３）前記変調電極の電子通過孔の形状が、長方形、正
方形、多角形、円形、又は楕円形をしていることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1117407A JP2769860B2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1117407A JP2769860B2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02297845A true JPH02297845A (ja) | 1990-12-10 |
| JP2769860B2 JP2769860B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=14710884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1117407A Expired - Fee Related JP2769860B2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2769860B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1164618A4 (en) * | 1999-03-17 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | ELECTRONIC EMITTING DEVICE AND DISPLAY USING THIS DEVICE |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5037344A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1117407A patent/JP2769860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5037344A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1164618A4 (en) * | 1999-03-17 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | ELECTRONIC EMITTING DEVICE AND DISPLAY USING THIS DEVICE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2769860B2 (ja) | 1998-06-25 |
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