JPH02298071A - 密着型イメージセンサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ファクシミリなどに使用する密着型イメージ
センサに関する。

〔従来技術〕

特開昭５８−１２７４６３号には、透明絶縁基板とその
上に形成された遮光層と、遮光層に設けられた採光窓と
、その近傍の遮光１上に形成された複数の光電変換素子
よりなる光電変換素子列と、少なくとも前記採光窓と光
電変換素子列とを覆うように設けられた透明保護層から
なる密着型イメージセンサが記載されている。

これにより、原稿により密着型イメージセンサの表面が
傷つくのを防止できるものの摩擦により生ずる静電気の
ため正確な読取りができないという欠点があった。

特開昭６２−３６９６１号には、密着型イメージセンサ
の透明保護層として、透明絶縁層の上に透明導？！！暦
を設けたものが開示されている。これにより、当初は静
電気ノイズ防止効果を上げることができるが、透明導電
層が使用により摩耗してしまい耐久性、信頼性に乏しい
。

日経エレクトロニクス１９８７年１１月１６日号（＆４
３４）には、前記透明保護層の下面に透明導電層を設け
て静電気ノイズを防止する技術が記載されている。この
技術によれば、前述の欠点を解決することができるが、
（ｉ）この導電ｍをある電位（アースも含む）にする場
合電極の取出しが困難である。（ｉｆ）光電変換素子あ
るいは駆動用の薄膜１−ランジスタを光電変換素子と同
一の基板に設けた場合には薄膜トランジスタの配線との
距離が近いため浮遊容量が大きくなる。

このため信号のなまりが生じやすく読取り速度に制限を
受ける。

そこで本発明は、前述の静電気ノイズをなくし、高い信
頼性、読取り性を持つセンサを提供するものである。

〔構　　成〕

本発明の密着型イメージセンサは、透明絶縁基板と、そ
の上に形成された遮光層と、遮光層に設けられた採光窓
と、その近傍に形成された複数の光電変換素子よりなる
光な変換素子列と、少なくとも前記採光窓と光電変換素
子列とを覆うように設けられた透明保護層からなる密着
型イメージセンサにおいて、前記透明保護層が、透明絶
縁層、透明導電層、透明絶縁層よりなる積層体であるこ
とを特徴とするものである。

本発明を図面に基づいて説明する。

第１図は光電変換素子の一ヒ部に設けた透明絶縁層６上
に透明導電層７を設け、更に透明絶縁層８を設けたもの
である。このようにすることによって、透明１［暦８の
保護作用のため、多数回の使用に亘って静電気ノイズの
防止ができ机 また、第２図においては、透明絶ＤＭ６が薄板ガラスで
形成されている例を示すが、この場合も全く同様な効果
が得られると共に表面が平滑であるため第１図のものに
くらべて、ゴミなどの汚れがつまるおそれがない。

本発明で用いることのできる透明導電層としてはＳ　ｎ
　０２　＋　Ｉ　ｎ　２０：ｉおよびそれらの混合物で
あるＩＴＯなどがあり、作製法としては真空蒸着法、ス
パッタリング法などが使用できる。

また膜厚としては２００人〜１μｍが適当である。

これよりも薄いと静電気防止効果が実質的になくなり、
また余り厚いと光透過率が低試し充電変換素子の実動感
度を低下させる。

この上に設ける透明絶縁層としてはＳ　ｉ　Ｏ２゜、Ｓ
ｉＮ、５ｉＯＮ、ＡＱ、０３膜などが使用できる。作製
法としてはＣＶＤ、スパッタリング法などが好適に用い
ることができる。また膜厚としては０．３〜５μｍの範
囲が適当である。これよりも薄いとＭ粍に対する保護性
が失なわれ、またこれ以上厚い場合は、原稿と光電変換
素子との距離の影響が生じ、読み取り精度を低下させる
。

また本発明の別の例を第３図に示す。これは光電変換素
子の選択用の回路素子を同一基板に薄膜１〜ランジスタ
１２を形成したものである。この薄膜トランジスタ駆動
型においては本発明はとくに有効である。なお、１０は
層間絶縁層であり、６は薄板ガラスからなる透明保護層
である〔実施例〕 （１）石英基板上に減圧ＣＶＤ法でポリシリコン膜を形
成し、これをフォトリソエツチング法で加工する。

（２）ポリシリコンを１０２０℃で加熱し、ゲート酸化
膜を形成する。

（３）　　この表面にポリシリコンを減圧ＣＶＤ法でＩ
Ｉ摸する。

（４）　　ボロシリケートガラス溶液を塗布乾燥し、９
００℃で拡散することによりポリシリコンにボロンをド
ーピングする。

（５）　　フォトリソエツチングにより前記ボロンドー
プシリコン層を加工し、ゲート配線を形成する。

（６）　　レジス１へパターンを形成し、イオン注入法
でリンをドーピングし、ｎ型薄膜トランジスタ（ＴＰＴ
）のソース・ドレインを形成する。

（７）　　同じ（Ｉノジスｌ−パターンを形成し、ボロ
ンをドーピングし、Ｐ型ＴＦＴのソース・ドレインを形
成する。

（８）　　９００℃に加熱し、ソース・ドレインのドー
ピング剤の活性化を行う。

（９）減圧ＣＶＤ法で層間絶縁膜の５ｉｎ２を形成する
。

（１０）水素ガスのプラズマ放電にさらすことによりポ
リシリコンの欠陥を補償する。

このようにして’Ｉ’　Ｆ　ＴのシフトＩノジスタ及び
光電変換素子選択用のアナログスイッチを形成する。

（］Ｉ１　　その後Ｃｒ電極形成及びパターンニングを
行う。

（Ｉ２）プラズマＣＶＤ法によるａ−３ｉ膜形成パター
ンニングを行う。

（１３）　　プラズマＣＶＤ法による５ｉＯＮ膜の層間
絶縁膜形成及びコンタクトホール形成を行う。

（１４）　　ＡＱの上部電極形成及びパターンニングを
行う。

（１５）　　プラズマＣＶＤ法によるＳｉＮ膜の保護膜
を形成する。

（１６）別途５０μｍ厚のガラスにＩＴＯを００１μｍ
スパッタリング法で形成し、更にＳｉＮをプラズマＣＶ
Ｄ法で００５μｍ形成したものを、エポキシ接着剤で貼
りつけた。

このようにして光電変換素子密度８素子／ｍｎ＋、読み
取り［１１２１０ｍｍのイメージセンサ−を作製した。

このようにして得られたセンサーを蛍光灯を光源として
、完全密着型スキャナーユニットとして評価した。

その結果２．５ｍ５ｅｃ／　Ｑの速度まで良好なＳ／Ｎ
が得られた。また原稿をＩ２万枚まで通紙しても特性に
全く変化がなかった。これに比べて、前記（１６）で透
明導電体が基板側に向くように貼りつけたものでは５　
ｍ５ｅｃ／　１２の速度しか得られなかった。

また（１６）でＳｉＮの無いものは原稿通紙枚数が３万
枚以上ではノイズの上昇が顕著となった。

〔効　　果〕

本発明の構造により、静電気ノイズ防止効果が確実にか
つ長期間にわたって得られる。また光電変換素子ないし
は薄膜トランジスタで駆動するものにあってはそれを含
めた配線部と透明導電体との距離が大きいので、これら
の間に生じる浮遊容量が小さく、高速駆動が可能となる
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、本発明の密着型イメージセンサの具
体例を示す断面図である。 第３図は、密着型イメージセンサとその離動回路を同−
基体上に形成した場合の本発明の１例を示す。 ｌ・・・透明基体　　　　２・・・下部電極３・・・光
電変換素子　　４・・・透明絶ａＷＪ５・・・上部電極
　　　　６・・・透明＃＠縁層７・・・透明導電層　　
　８・・・透明絶縁層１０・・・層間絶縁層　　　１１
・・・接着層１２・・・薄膜トランジスタ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、透明絶縁基板と、その上に形成された遮光層と、遮
   光層に設けられた採光窓と、その近傍に形成された複数
   の光電変換素子よりなる光電変換素子列と、少なくとも
   前記採光窓と光電変換素子列とを覆うように設けられた
   透明保護層からなる密着型イメージセンサにおいて、前
   記透明保護層が、透明絶縁層、透明導電層、透明絶縁層
   よりなる積層体であることを特徴とする密着型イメージ
   センサ。