JPH0230135B2 - Kairoshadanyososhi - Google Patents
KairoshadanyososhiInfo
- Publication number
- JPH0230135B2 JPH0230135B2 JP23436282A JP23436282A JPH0230135B2 JP H0230135 B2 JPH0230135 B2 JP H0230135B2 JP 23436282 A JP23436282 A JP 23436282A JP 23436282 A JP23436282 A JP 23436282A JP H0230135 B2 JPH0230135 B2 JP H0230135B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal resistance
- circuit
- insulating material
- resistance film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
本発明は、回路遮断用素子に関し、さらに詳し
くは、電気機器類の電気流路に配設されるヒユー
ズ可溶体、ヒユーズ抵抗器等に使用される超小型
の回路遮断用素子の改良に関する。 従来、この種の回路遮断用素子は、セラミツク
等の電気絶縁性基材の表面に、メツキ或は蒸着等
の手段により銅、銅合金、その他の金属抵抗皮膜
を直接層成して構成されているが、この場合、該
素子に過電流が流れて金属抵抗皮膜が溶融されて
も、回路の遮断は不完全であつて安全性に欠ける
重大な問題がある。 その理由は、メツキ或は蒸着等の手段により層
成された金属抵抗皮膜の膜厚は薄く、且つ電気絶
縁性基材の表面に直接に設けられているためであ
つて、このような条件下では、金属皮膜が過電流
により溶融してもその溶融間隔は極く僅かであつ
て、必ず残留抵抗があり（500Vメガーで測定し
た場合）、したがつて電流の遮断は不完全で、回
路遮断用素子の重要な機能である溶断による回路
の完全な遮断は不可能であり、この場合の溶断電
流値と溶断時間並びに絶縁抵抗との関係を溶断試
験に基いて示せば表−１の通りである。
くは、電気機器類の電気流路に配設されるヒユー
ズ可溶体、ヒユーズ抵抗器等に使用される超小型
の回路遮断用素子の改良に関する。 従来、この種の回路遮断用素子は、セラミツク
等の電気絶縁性基材の表面に、メツキ或は蒸着等
の手段により銅、銅合金、その他の金属抵抗皮膜
を直接層成して構成されているが、この場合、該
素子に過電流が流れて金属抵抗皮膜が溶融されて
も、回路の遮断は不完全であつて安全性に欠ける
重大な問題がある。 その理由は、メツキ或は蒸着等の手段により層
成された金属抵抗皮膜の膜厚は薄く、且つ電気絶
縁性基材の表面に直接に設けられているためであ
つて、このような条件下では、金属皮膜が過電流
により溶融してもその溶融間隔は極く僅かであつ
て、必ず残留抵抗があり（500Vメガーで測定し
た場合）、したがつて電流の遮断は不完全で、回
路遮断用素子の重要な機能である溶断による回路
の完全な遮断は不可能であり、この場合の溶断電
流値と溶断時間並びに絶縁抵抗との関係を溶断試
験に基いて示せば表−１の通りである。
【表】
【表】
上表より明かなように、基材の表面に直接に金
属抵抗皮膜を層成した回路遮断用素子の場合は、
金属皮膜の溶断時における絶縁抵抗が小さく、残
留抵抗が大であることが判る。 また、この種の回路遮断用素子として、例え
ば、(1)特開昭54−11463号公報、(2)特公昭47−
41132号公報、(3)実公昭45−4441号公報等に記載
されたものが知られているが、上記(1)の公報に記
載されたものは、絶縁基体上に形成された抵抗皮
膜の１部を他部より薄くすることによつて回路を
遮断し易く構成したヒユーズ抵抗器であり、上記
(2)及び(3)の公報に記載されたものは、いづれも絶
縁基体の熱による変形力により金属膜を変形切断
するものであるから、金属膜の切断が不完全であ
つて切断しない部分を生じ易く、したがつて回路
遮断上の高度の確実性、安全性がなお不十分であ
るという問題がある。 本発明は、上記の欠点を除去することを目的と
して種々研究の結果完成されたもので、電気絶縁
性基材の表面に低融点の有機絶縁材層が形成さ
れ、該絶縁材層の表面に金属抵抗皮膜層が形成さ
れた回路遮断用素子であつて、過電流による上記
金属抵抗皮膜層の発熱により上記低融点の有機絶
縁材層を溶断し、該溶断部を介してブリツジ状態
にある金属抵抗皮膜層を両側に溶断分離するよう
に構成したことを特徴とする回路遮断用素子に係
るものである。 以下に、本発明の一実施例を添付図面に基いて
説明すれば、第１図において、１はセラミツクか
ら成る超小型の円柱状の電気絶縁性基材であつ
て、その表面にウレタン樹脂より成る低融点の有
機絶縁材層２を被覆形成した後、さらに該層２の
表面に銅より成る薄い金属抵抗皮膜層３をメツキ
手段または蒸着手段により被覆形成して、超小型
の回路遮断用素子４を構成したものであり、この
素子４の両端にリード線５を夫々備えた電導性キ
ヤツプ６を夫々被嵌固着して超小型のヒユーズを
構成したものである。 而して、上記のように構成した回路遮断用素子
によれば、次の経過にしたがつて回路を完全に遮
断するものである（第２図のイ，ロ，ハ参照）。 (1) 先ず、過電流が流れることにより金属抵抗皮
膜層３が発熱し、次第に温度上昇する。 (2) 金属抵抗皮膜層３の上昇温度が、その下層に
ある低融点の有機絶縁材層２の溶融温度に達す
ると、第２図のイに示すように該層が溶融を開
始して溶融部ａを生じる。 (3) 有機絶縁材層２の溶融部ａの溶融が更に進行
して、第２図のロに示すように該部が完全な溶
断部ｂを形成すると、該部から金属抵抗皮膜３
が溶融し始めるが、その時点において金属抵抗
皮膜層３は該溶断部ｂの個所でブリツジｃの状
態になつている。 (4) さらに温度が上昇して金属抵抗皮膜層３の溶
融が進行すると、遂にはそのブリツジｃの部分
で該皮膜層は溶断されて完全に両側に分離さ
れ、第２図のハに示すように完全遮断部ｄを形
成する。 上記のように、過電流により回路を完全に遮断
できるように構成された本発明の実施例で示す素
子における、溶断電流値と溶断時間並びに絶縁抵
抗との関係を溶断試験に基いて示せば表−２の通
りである。
属抵抗皮膜を層成した回路遮断用素子の場合は、
金属皮膜の溶断時における絶縁抵抗が小さく、残
留抵抗が大であることが判る。 また、この種の回路遮断用素子として、例え
ば、(1)特開昭54−11463号公報、(2)特公昭47−
41132号公報、(3)実公昭45−4441号公報等に記載
されたものが知られているが、上記(1)の公報に記
載されたものは、絶縁基体上に形成された抵抗皮
膜の１部を他部より薄くすることによつて回路を
遮断し易く構成したヒユーズ抵抗器であり、上記
(2)及び(3)の公報に記載されたものは、いづれも絶
縁基体の熱による変形力により金属膜を変形切断
するものであるから、金属膜の切断が不完全であ
つて切断しない部分を生じ易く、したがつて回路
遮断上の高度の確実性、安全性がなお不十分であ
るという問題がある。 本発明は、上記の欠点を除去することを目的と
して種々研究の結果完成されたもので、電気絶縁
性基材の表面に低融点の有機絶縁材層が形成さ
れ、該絶縁材層の表面に金属抵抗皮膜層が形成さ
れた回路遮断用素子であつて、過電流による上記
金属抵抗皮膜層の発熱により上記低融点の有機絶
縁材層を溶断し、該溶断部を介してブリツジ状態
にある金属抵抗皮膜層を両側に溶断分離するよう
に構成したことを特徴とする回路遮断用素子に係
るものである。 以下に、本発明の一実施例を添付図面に基いて
説明すれば、第１図において、１はセラミツクか
ら成る超小型の円柱状の電気絶縁性基材であつ
て、その表面にウレタン樹脂より成る低融点の有
機絶縁材層２を被覆形成した後、さらに該層２の
表面に銅より成る薄い金属抵抗皮膜層３をメツキ
手段または蒸着手段により被覆形成して、超小型
の回路遮断用素子４を構成したものであり、この
素子４の両端にリード線５を夫々備えた電導性キ
ヤツプ６を夫々被嵌固着して超小型のヒユーズを
構成したものである。 而して、上記のように構成した回路遮断用素子
によれば、次の経過にしたがつて回路を完全に遮
断するものである（第２図のイ，ロ，ハ参照）。 (1) 先ず、過電流が流れることにより金属抵抗皮
膜層３が発熱し、次第に温度上昇する。 (2) 金属抵抗皮膜層３の上昇温度が、その下層に
ある低融点の有機絶縁材層２の溶融温度に達す
ると、第２図のイに示すように該層が溶融を開
始して溶融部ａを生じる。 (3) 有機絶縁材層２の溶融部ａの溶融が更に進行
して、第２図のロに示すように該部が完全な溶
断部ｂを形成すると、該部から金属抵抗皮膜３
が溶融し始めるが、その時点において金属抵抗
皮膜層３は該溶断部ｂの個所でブリツジｃの状
態になつている。 (4) さらに温度が上昇して金属抵抗皮膜層３の溶
融が進行すると、遂にはそのブリツジｃの部分
で該皮膜層は溶断されて完全に両側に分離さ
れ、第２図のハに示すように完全遮断部ｄを形
成する。 上記のように、過電流により回路を完全に遮断
できるように構成された本発明の実施例で示す素
子における、溶断電流値と溶断時間並びに絶縁抵
抗との関係を溶断試験に基いて示せば表−２の通
りである。
【表】
【表】
上表より明かなように、本発明の実施例で示し
た回路遮断用素子の場合は、金属皮膜の溶断時に
おける絶縁抵抗が大きくて残留抵抗が無く、回路
の遮断が完全に行われていることが判る。 なお、本発明で使用する電気絶縁性基材、低融
点の有機絶縁材及び金属抵抗皮膜材は上記実施例
に限定されるものではなく、それ以外に例えば次
のものを使用できる。 電気絶縁性基材；エポキシ樹脂、フエノール樹
脂、ポリアミド樹脂、琺瑯その他 低融点有機絶縁材；ポリエステル系樹脂、エポキ
シ樹脂その他 金属抵抗皮膜材；銅マンガン合金、銅ニツケル合
金等の各種銅合金、銀、金その他 さらにまた、金属抵抗皮膜及び低融点有機絶縁
材の被覆状態は、全面被覆、部分被覆の両被覆態
様が必要に応じて適宜に選択採用できるものであ
り、また、基材の形状としては、柱状、板状、チ
ツプ状、円筒状等が挙げられる。 以上詳述したように、本発明に係る回路遮断用
素子によれば、電気絶縁性基材と金属抵抗皮膜材
との間に低融点有機絶縁材を介在させた構成によ
り、前述したように、金属抵抗皮膜層をブリツジ
状態の部分で溶断できるので、溶断された皮膜層
を完全に両側に分離して回路の完全遮断を図り得
るものであり、既述した各種タイプの公知ヒユー
ズと比較して、回路遮断用素子としての確実性、
安全性、信頼性を著しく向上できるものである。
た回路遮断用素子の場合は、金属皮膜の溶断時に
おける絶縁抵抗が大きくて残留抵抗が無く、回路
の遮断が完全に行われていることが判る。 なお、本発明で使用する電気絶縁性基材、低融
点の有機絶縁材及び金属抵抗皮膜材は上記実施例
に限定されるものではなく、それ以外に例えば次
のものを使用できる。 電気絶縁性基材；エポキシ樹脂、フエノール樹
脂、ポリアミド樹脂、琺瑯その他 低融点有機絶縁材；ポリエステル系樹脂、エポキ
シ樹脂その他 金属抵抗皮膜材；銅マンガン合金、銅ニツケル合
金等の各種銅合金、銀、金その他 さらにまた、金属抵抗皮膜及び低融点有機絶縁
材の被覆状態は、全面被覆、部分被覆の両被覆態
様が必要に応じて適宜に選択採用できるものであ
り、また、基材の形状としては、柱状、板状、チ
ツプ状、円筒状等が挙げられる。 以上詳述したように、本発明に係る回路遮断用
素子によれば、電気絶縁性基材と金属抵抗皮膜材
との間に低融点有機絶縁材を介在させた構成によ
り、前述したように、金属抵抗皮膜層をブリツジ
状態の部分で溶断できるので、溶断された皮膜層
を完全に両側に分離して回路の完全遮断を図り得
るものであり、既述した各種タイプの公知ヒユー
ズと比較して、回路遮断用素子としての確実性、
安全性、信頼性を著しく向上できるものである。
図面は本発明の実施例を示すもので、第１図は
ヒユーズに適用した場合の要部縦断正面図、第２
図のイ，ロ，ハは溶断の経過状態の説明図であ
る。 １……電気絶縁性基材、２……低融点の有機絶
縁材層、３……金属抵抗皮膜層。
ヒユーズに適用した場合の要部縦断正面図、第２
図のイ，ロ，ハは溶断の経過状態の説明図であ
る。 １……電気絶縁性基材、２……低融点の有機絶
縁材層、３……金属抵抗皮膜層。
Claims (1)
- １ 電気絶縁性基材の表面に低融点の有機絶縁材
層が形成され、該絶縁材層の表面に金属抵抗皮膜
層が形成された回路遮断用素子であつて、過電流
による上記金属抵抗皮膜層の発熱により上記低融
点の有機絶縁材層を溶断し、該溶断部を介してブ
リツジ状態にある金属抵抗皮膜層を両側に溶断分
離するように構成したことを特徴とする回路遮断
用素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23436282A JPH0230135B2 (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | Kairoshadanyososhi |
| US06/584,934 US4540970A (en) | 1982-12-29 | 1984-02-29 | Circuit breaking element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23436282A JPH0230135B2 (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | Kairoshadanyososhi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127339A JPS59127339A (ja) | 1984-07-23 |
| JPH0230135B2 true JPH0230135B2 (ja) | 1990-07-04 |
Family
ID=16969811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23436282A Expired - Lifetime JPH0230135B2 (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | Kairoshadanyososhi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230135B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005069460A1 (ja) | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Daikin Industries, Ltd. | 放電装置及び空気浄化装置 |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP23436282A patent/JPH0230135B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59127339A (ja) | 1984-07-23 |
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