JPH02302015A - 厚膜電子部品の製造方法 - Google Patents

厚膜電子部品の製造方法

Info

Publication number
JPH02302015A
JPH02302015A JP1122602A JP12260289A JPH02302015A JP H02302015 A JPH02302015 A JP H02302015A JP 1122602 A JP1122602 A JP 1122602A JP 12260289 A JP12260289 A JP 12260289A JP H02302015 A JPH02302015 A JP H02302015A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flame
laser beam
thick
insulating substrate
sprayed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1122602A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Suzuki
隆夫 鈴木
Masayuki Ito
伊藤 昌行
Masako Nakabashi
中橋 昌子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1122602A priority Critical patent/JPH02302015A/ja
Publication of JPH02302015A publication Critical patent/JPH02302015A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野〉 本発明は厚膜抵抗体や厚膜コンデンサ等の厚膜電子部品
の製造方法に関する。
(従来の技術) 従来、ハイブリッド回路、即ち、チップトランジスタ、
チップ抵抗体、厚膜抵抗体、チップコンデンサ、厚膜コ
ンデンサ、ダイオード、ミニフラットIC等の小型化さ
れた電子部品を搭載した電気回路を絶縁基板上に形成す
る際に、特に、厚膜電子部品を形成するのは復雑な工程
を経ねばならない。例えば、厚膜コンデンサの場合、ま
ず、原材料試薬を目的組成となる様に湿式混合した後乾
燥して、原材料粉を1qる。次いで、この原材料粉を8
00℃程度の温度で電気炉中で仮焼した後、粉砕して粉
末化する。この様にして得られたコンデンサ材料粉末に
バインダ、ビヒクル等を加えてコンデンサペーストとす
る。このペーストをスクリーン印刷法等により所定の形
状となる様に配置印刷した後、基板全体を約900 ’
Cで、大気中あるいは雰囲気中で焼成して、厚膜コンデ
ンサが形成される。
この様に、厚膜コンデンサ等の厚膜電子部品を形成する
のは、複雑な工程を必要とし、さらに、バインダやビヒ
クル等の有機物を材料粉末と混合するため、焼成後にカ
ーボン等の不純物が残留して、所定の特性が得られなか
ったり、特性に経時変化が現れる等の信頼性にも問題が
ある。
この様なペーストを用いた厚膜電子部品の形成方法に代
わるものとして、溶射により厚膜抵抗体を形成する方法
が、例えば、特開昭53−52995@公報や特開昭5
5−146906号公報に提案されている。
この方法は、熱プラズマの発生した炎の中に抵抗体の材
料である粉末を導入して溶かし、溶けたままの状態で抵
抗体の形成材料を基板上の所定領域に付着さゼるもので
ある。この方法は、上述のペーストをスクリーン印刷に
より塗布した侵に焼結する方法と異なり、工程が簡略化
され、しかも、バインダ等の有機物を使用しないので、
不純物の残留による電子部品の信頼性の低下が防止でき
る。
しかしながら、この溶射法により形成された厚膜抵抗体
は、抵抗値が環境温度により変化する等の抵抗特性が安
定せず、電子部品として信頼性に欠ける問題がある。こ
の抵抗特性の不安定性の原因は、この形成方法では大気
中で金属、合金、セラミック等を単独または混合粉末を
溶融状態で絶縁基板上に溶射するために、形成された抵
抗体の膜中に溶射特有の空孔が存在するためと、考えら
れている。
この様な問題を解決するために、減圧した不活性雰囲気
下で溶射を行うことが特開昭59−119701号公報
に提案されている。この公報によれば、この溶射法は、
膜中に溶剤特有の空孔を実質的に含まない抵抗体を形成
できる。しかしながら、減圧した不活性雰囲気下で溶剤
を行うことは、バッチ処理の必要性並びに製)貴設備の
増大等の量産性の観点から不利となる問題がある。
(発明が解決しようとする課題) 前述した様に、これまでの厚膜電子部品の製造方法は、
安定した電気特性を有する電子部品を形成できず、更に
、量産に適さない問題がある。
本発明の目的は、十分な基板への付着力を有し、また、
安定した特性を有する厚膜電子部品を形成でき、しかも
、量産性に富む厚Ill電子部品の製造方法を提供する
ことにある。
[発明の構成] (v!題を解決するための手段および作用)本発明は、
絶縁基板上に原材料を溶射して原材料の溶射被膜を形成
し、この溶射被膜にレーザ光を照射して溶剤被膜を焼結
することを特徴とする厚膜電子部品の製造方法でおる。
本発明の溶射工程では、厚膜部品の原材料を所定の面積
および厚さに溶射する。この際、形成された厚膜部品の
付着力を向上する目的から、絶縁基板の表面はある程度
の粗面であることが好ましいが、厚膜部品の厚さの精度
向上の観点から、絶縁基板の表面は平滑面であっても良
い。また、溶射する原料は厚膜部品を構成する材料と同
じ組成あるいは構造であることは、必ずしも必要ない。
溶射時めるいはレーザ光の照射時に起きる反応や蒸発に
よる組成および構造の変化を考慮して、混合粉末おるい
は単一化合物粉末のいずれでも良い。
この溶射は、形成づる電子部品の形状に合わせて、マス
キングを施して行うと、より有効である。
また、溶射の回数は部品の種類数に合わせて、適宜選択
できる。
本発明のシー1ア光の照射工程は、形成された溶射被膜
を焼成するばかりでなく、レーザ光の出カヤ掃引速度等
のレーザ光の照射条件を調整することにより、焼結時よ
りも強いエネルギー密度のレーザ光を照射して、不必要
な溶射被膜を分解、蒸発して除去するトリミングも行え
る。
溶射被膜を焼結する場合は、溶射被膜の電子部品として
必要な部分だけにレーザ光を照射して焼成すると効率的
である。また、レーザ光を照射することにより溶射被膜
を焼結することは、電気炉で焼成することに比較して、
短時間にしかも局部的に行えるので、他の部品への熱的
影響を抑えることができるばかりでなく、より緻密な厚
膜が得られる。
本発明の製造方法では、溶射により形成された溶剤被膜
が絶縁基板と十分な接着力を有するので、溶射被膜を焼
成する際に、形成する厚膜部品の基板との接着力を確保
する目的で基板の表面をも同時に溶解させる必要はない
。従って、溶射被膜を焼成するためのシ光1F光の照射
条件は、溶射被膜の焼成条件のみを考慮して決定すれば
良いので、容易に決定でき、しかも、決定された条件は
、窒化物基板や酸化物基板等の使用する絶縁基板の材料
に左右されることなく、汎用性がおり、極めて効率的で
ある。
本発明は、厚膜コンデンサや厚膜抵抗体を形成するのに
、特に適している。
本発明の製造方法では、絶縁基板上に原材料を溶射して
溶射被膜を形成することにより、厚膜電子部品の基板へ
の何着力は十分であるばかりでなく、有機バインダ等の
不純物の残留がなく、また、この溶射被膜にレーザ光を
照射して焼成することにより、緻密でしかも空孔が存在
しない厚膜電子部品を形成することができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。最初に、第1図に示す様に、50MX50/IIII
X 1 Mの大きさを有するA、l! 203絶縁基板
(1)上に、既存のプラズマ溶射装置により、34V、
850Aの動作条件で、BaTiO3かうなる矩形状の
溶剤液Ill (2a)、(2b)をマスキングを施し
て形成した。この溶射の際に、10〜40μmの粒径を
有するBaTiO3粉末を用いた。この溶射被膜(2a
)、(2b)の厚さは、夫々、約50μmであった。
次いで、この溶射被膜(2a)、(2b)を第2図に示
したレーザ光照射装置(3)により、焼結した。この時
のレーザ光の照射条件は、レーザ光の出力がオシ1ノー
ジヨンモード’l kW、レーザ光の移動速度が0.1
m/分であった。
このレーザ光照射装置(3)は、CO2レーザ装置から
なり、オシレーションモードおよびシングルモードのレ
ーザ光のいずれかを切り替えて放出するレーザ光源(4
)および絶縁基板(1)が載置される基台(5)を有す
る。このレーザ光源(4)は、レーザ光(6)が基台(
5)上に載置された絶縁基板(1)の溶射被膜(2a)
、(2b)の所定領域を走査する様に、駆動装置(図示
せず)により、制りlされて移動する。
このレーザ光の照射の結果、BaTiO3の緻密な焼結
層が絶縁基板上に形成できた。
さらに、同様な1ノーザ光照射装置(3)を用いて、レ
ーザ光の照射条件をシングルモード150Wの出力、1
0m/分の移動速度で、この焼結層の端部をトリミング
した。その結果、寸法精度の高い焼結層が得られた。こ
の焼結層は厚膜コンデンサとして利用できる。
尚、トリミングにおけるレーザ光は、焼結の際のオシレ
ーションモードのレーザ光に比較して強いエネルギー密
度を有する。
上述の溶射、焼結およびトリミングの所要時間は約1時
間と従来のペーストを用いる製造工程に比較して1/1
0以下に短縮されている。
上記実施例において、レーザ光照射装置において、絶縁
基板を保持する基台は固定されていたが、単一の絶縁基
板上にある程度離れた複数の溶射被膜を焼成もしくはト
リミングを施す場合、溶射被膜をレーザ光の照射位置に
移動できる様に基台も移動自在に構成したレーデ光照射
装置を用いると、さらに能率的である。
[発明の効果] 以上の様に、本発明によれば、十分な基板への付着力を
有し、また、安定した特性を有する厚膜電子部品を形成
でき、しかも、量産性に富む厚膜電子部品の製造方法を
提供、することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例に基づいてアルミナ絶縁基板上に形成さ
れた溶射被膜を示す斜視図、第2図は実施例に用いられ
るレーザ光照射装置を示す斜視図である。 1・・・アルミナ絶縁基板、2a、2b・・・溶剤被膜
、3・・・レーザ光照射装置、 4・・・レーザ光源、   5・・・基台。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基板上に原材料を溶射して原材料の溶射被膜を形成
    し、この溶射被膜にレーザ光を照射して溶射被膜を焼結
    することを特徴とする厚膜電子部品の製造方法。
JP1122602A 1989-05-16 1989-05-16 厚膜電子部品の製造方法 Pending JPH02302015A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1122602A JPH02302015A (ja) 1989-05-16 1989-05-16 厚膜電子部品の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1122602A JPH02302015A (ja) 1989-05-16 1989-05-16 厚膜電子部品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02302015A true JPH02302015A (ja) 1990-12-14

Family

ID=14840000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1122602A Pending JPH02302015A (ja) 1989-05-16 1989-05-16 厚膜電子部品の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02302015A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Piqué et al. A novel laser transfer process for direct writing of electronic and sensor materials
US4931323A (en) Thick film copper conductor patterning by laser
US6805918B2 (en) Laser forward transfer of rheological systems
JP5615401B1 (ja) 銅微粒子分散液、導電膜形成方法及び回路基板
US7280028B2 (en) Temperature sensor and method of making the same
US3520054A (en) Method of making multilevel metallized ceramic bodies for semiconductor packages
US20070105395A1 (en) Laser functionalization and patterning of thick-film inks
US3210214A (en) Electrical conductive patterns
US3486221A (en) High energy beam trimming of electrical components
US20040123896A1 (en) Selective heating and sintering of components of photovoltaic cells with microwaves
US5036167A (en) Board for hybrid integrated circuit
US20040126502A1 (en) Method of fabricating an aluminum nitride (A1N) substrate
US8134083B2 (en) Circuit carrier
US20160324010A1 (en) Method for forming an electrically conducting structure on a synthetic material substrate
JPH02164093A (ja) 回路基板の製造方法
WO2002092674A1 (en) Laser forward transfer of rheological systems
Fitz-Gerald et al. Matrix assisted pulsed laser evaporation direct write (MAPLE DW): a new method to rapidly prototype active and passive electronic circuit elements
CA2007199A1 (en) Single atmosphere for firing copper compatible thick film materials
JPS61248588A (ja) 導体回路形成方法
JPS5952804A (ja) 膜抵抗体の製造方法
GB2098807A (en) Method of making circuit elements in a film
Auyeung et al. Matrix-assisted laser transfer of electronic materials for direct-write applications
JPH0770378B2 (ja) 回路基板
Modi et al. Ferroelectric capacitors made by a laser forward transfer technique
JPS58173882A (ja) 回路用基体および印刷回路体