JPH02302035A - アルミニウム合金のエッチング方法 - Google Patents
アルミニウム合金のエッチング方法Info
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- JPH02302035A JPH02302035A JP12139189A JP12139189A JPH02302035A JP H02302035 A JPH02302035 A JP H02302035A JP 12139189 A JP12139189 A JP 12139189A JP 12139189 A JP12139189 A JP 12139189A JP H02302035 A JPH02302035 A JP H02302035A
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置にアルミニウム配線を形成するア
ルミニウム合金のエツチング方法に関するものである。
ルミニウム合金のエツチング方法に関するものである。
゛ （従来の技術）
近年、半導体装置にアルミニウム合金の多層配線が利用
されるようになってきた。
されるようになってきた。
従来のアルミニウム合金のエツチング方法について第２
図（ａ）ないしくｄ）により説明する。第２図（ａ）な
いしくｄ）は、従来のアルミニウム合金のエツチング方
法を工程順に示す要部拡大断面図である。
図（ａ）ないしくｄ）により説明する。第２図（ａ）な
いしくｄ）は、従来のアルミニウム合金のエツチング方
法を工程順に示す要部拡大断面図である。
まず、シリコンの半導体基板１の表面に、酸化シリコン
膜２および微量のシリコン鋼を含むアルミニラム合金膜
３を形成し、さらにその上面にホトレジスト４によるパ
ターンを形成する（第２図（ａ））、次に、上記のホト
レジスト４をマスクとして、塩素を含んだプラズマでド
ライエツチングを行い、アルミニウム配線５を形成する
（第２図（ｂ））。この際、適正エツチングの条件では
、第２図（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜２の表面
に残渣６が残るので、追加エツチングを行い残渣６を除
去する（第２図（Ｃ））。次に、酸素プラズマで、ホト
レジスト４を灰化し除去すると、第２図（ｄ）に示すよ
うなアルミニウム配線５が形成される。
膜２および微量のシリコン鋼を含むアルミニラム合金膜
３を形成し、さらにその上面にホトレジスト４によるパ
ターンを形成する（第２図（ａ））、次に、上記のホト
レジスト４をマスクとして、塩素を含んだプラズマでド
ライエツチングを行い、アルミニウム配線５を形成する
（第２図（ｂ））。この際、適正エツチングの条件では
、第２図（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜２の表面
に残渣６が残るので、追加エツチングを行い残渣６を除
去する（第２図（Ｃ））。次に、酸素プラズマで、ホト
レジスト４を灰化し除去すると、第２図（ｄ）に示すよ
うなアルミニウム配線５が形成される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記のエツチング方法では、残渣６を除
去する追加エツチングが必要となる。この工程において
、アルミニウム配ｌｌＡ３の側壁が塩素を含むプラズマ
に曝されるので、アルミニウム配線５の断面形状が逆テ
ーバになったり、側壁面が荒れたり、荒れた側壁面に付
着した塩素によりアルミニウム配線５が腐食するという
問題があった。
去する追加エツチングが必要となる。この工程において
、アルミニウム配ｌｌＡ３の側壁が塩素を含むプラズマ
に曝されるので、アルミニウム配線５の断面形状が逆テ
ーバになったり、側壁面が荒れたり、荒れた側壁面に付
着した塩素によりアルミニウム配線５が腐食するという
問題があった。
本発明は上記の問題を解決するもので、防食性に優れた
平滑な側壁面を有するアルミニウム配線が形成されるア
ルミニウム合金のエツチング方法を提供するものである
。
平滑な側壁面を有するアルミニウム配線が形成されるア
ルミニウム合金のエツチング方法を提供するものである
。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するため、本発明は、残渣を除去する
追加エツチングを行う前に、フッ素元素を含むガスプラ
ズマに１０〜６０秒間曝するものである。
追加エツチングを行う前に、フッ素元素を含むガスプラ
ズマに１０〜６０秒間曝するものである。
（作 用）
上記の構成によりアルミニウム配線の側壁面は、フッ素
元素を含んだポリマーからなる耐食性被膜で覆われてい
るので、追加エツチングの際に塩素を含んだプラズマに
曝されるのを防ぐことができる。
元素を含んだポリマーからなる耐食性被膜で覆われてい
るので、追加エツチングの際に塩素を含んだプラズマに
曝されるのを防ぐことができる。
（実施例）
本発明の一実施例について、第１図（ａ）ないしくｅ）
により説明する。同図は、本発明によるアルミニウム合
金のエツチング方法を工程順に示す要部拡大断面図であ
る。なお、第２図に示した従来例と同じ構成部品には同
一符号を付して、説明を進める。
により説明する。同図は、本発明によるアルミニウム合
金のエツチング方法を工程順に示す要部拡大断面図であ
る。なお、第２図に示した従来例と同じ構成部品には同
一符号を付して、説明を進める。
第１図（ａ）および第１図（ｂ）に示すホトレジスト４
によるパターンマスクの形成、および塩素を含むプラズ
マによるドライエツチングは、従来例と同じである。
によるパターンマスクの形成、および塩素を含むプラズ
マによるドライエツチングは、従来例と同じである。
次に、真空搬送により、エツチング室から、７ノ一ドカ
ツプリング方式で高周波電力を印加できるプラズマ反応
室に移し、０．５Ｔｏｒｒ、 １３．５６Ｍ Ｈｚ、１
００ＷのＣＨＦ３プラズマに３０秒間曝すと表面全面に
約３００人のフッ素元素を含んだポリマ被膜７が堆積す
る（第１図（ｃ））、ＣＨＦ、を用いると下地の材質に
かかわらず堆積速度が一定であるため、ホトレジスト４
や下地の酸化シリコン膜２をエツチングすることがない
、また、アノードカップリング方式が高周波電力を印加
するため、フッ素元素を含んだポリマ被膜７は、段差被
覆性に優れ、アルミニウム配線５の側壁面にも約３００
人の厚さで堆積する。さらに、追加エツチング中に側壁
面に付着した塩素をフッ素で置換するため、配線に高い
防食性を付与することができる。
ツプリング方式で高周波電力を印加できるプラズマ反応
室に移し、０．５Ｔｏｒｒ、 １３．５６Ｍ Ｈｚ、１
００ＷのＣＨＦ３プラズマに３０秒間曝すと表面全面に
約３００人のフッ素元素を含んだポリマ被膜７が堆積す
る（第１図（ｃ））、ＣＨＦ、を用いると下地の材質に
かかわらず堆積速度が一定であるため、ホトレジスト４
や下地の酸化シリコン膜２をエツチングすることがない
、また、アノードカップリング方式が高周波電力を印加
するため、フッ素元素を含んだポリマ被膜７は、段差被
覆性に優れ、アルミニウム配線５の側壁面にも約３００
人の厚さで堆積する。さらに、追加エツチング中に側壁
面に付着した塩素をフッ素で置換するため、配線に高い
防食性を付与することができる。
次に、再び真空搬送によりエツチング室に戻し、追加エ
ツチングを行うと残渣６が除去される（第１図（ｄ））
。なお、追加エツチング工程の初めの１５秒間に、高周
波電力を通常の２７０Ｗから４８５Ｗに上げることによ
り、残渣６の表面を覆うポリマ被膜７やフッ化アルミニ
ウムが除去される。また、エツチング室は、カソードカ
ップリング方式で異方性が強く、酸化シリコン膜２や残
渣６の表面ポリマ被膜７やフッ化アルミニウムは除去さ
れても、アルミニウム配線５の側壁面のポリマ被膜７は
残るので、側壁面が塩素を含んだプラズマに曝されるこ
とはない、従ってアルミニウム配線Ｓの側壁面が荒れた
り、断面形状が逆テーバになることはない。
ツチングを行うと残渣６が除去される（第１図（ｄ））
。なお、追加エツチング工程の初めの１５秒間に、高周
波電力を通常の２７０Ｗから４８５Ｗに上げることによ
り、残渣６の表面を覆うポリマ被膜７やフッ化アルミニ
ウムが除去される。また、エツチング室は、カソードカ
ップリング方式で異方性が強く、酸化シリコン膜２や残
渣６の表面ポリマ被膜７やフッ化アルミニウムは除去さ
れても、アルミニウム配線５の側壁面のポリマ被膜７は
残るので、側壁面が塩素を含んだプラズマに曝されるこ
とはない、従ってアルミニウム配線Ｓの側壁面が荒れた
り、断面形状が逆テーバになることはない。
次に、従来例と同じく酸素プラズマでホトレジスト４を
除去すると、側壁面のポリマ被膜７も同時に除去され、
第１図（ｅ）に示す矩形状のアルミニウム配線５が得ら
れる。
除去すると、側壁面のポリマ被膜７も同時に除去され、
第１図（ｅ）に示す矩形状のアルミニウム配線５が得ら
れる。
以上のように追加エツチング工程で、側壁面はフッ素を
含んだポリマ被膜７で覆われているため、塩素を含んだ
プラズマに曝されることを防止できるばかりでなく、側
壁面に付着した塩素をフッ素で置換するため、配線の形
状や防食性を改善することができる。特に、本実施例の
ように、フッ素を含んだガスとしてＣＨＦ、を用いれば
、下地の材質にかかわらずポリマ被膜７の堆積速度が一
定であるため、ホトレジスト４や下地の酸化シリコン膜
２がエツチングされることがない、また、アノードカッ
プリング方式であるプラズマ室を用いることによって、
側壁面を含む全表面のポリマ被膜７の膜厚を等しくでき
るため、異方性の強い追加エツチング工程で酸化シリコ
ン膜２のポリマ被膜７が除去されても、側壁面のポリマ
被膜７は残る。さらに、側壁面のポリマ被膜７はホトレ
ジス１−４の除去工程で同時に除去されるため、新たに
ポリマ被膜７の除去工程を追加する必要もない。
含んだポリマ被膜７で覆われているため、塩素を含んだ
プラズマに曝されることを防止できるばかりでなく、側
壁面に付着した塩素をフッ素で置換するため、配線の形
状や防食性を改善することができる。特に、本実施例の
ように、フッ素を含んだガスとしてＣＨＦ、を用いれば
、下地の材質にかかわらずポリマ被膜７の堆積速度が一
定であるため、ホトレジスト４や下地の酸化シリコン膜
２がエツチングされることがない、また、アノードカッ
プリング方式であるプラズマ室を用いることによって、
側壁面を含む全表面のポリマ被膜７の膜厚を等しくでき
るため、異方性の強い追加エツチング工程で酸化シリコ
ン膜２のポリマ被膜７が除去されても、側壁面のポリマ
被膜７は残る。さらに、側壁面のポリマ被膜７はホトレ
ジス１−４の除去工程で同時に除去されるため、新たに
ポリマ被膜７の除去工程を追加する必要もない。
なお、耐食性の効果を得るには、ポリマ被膜７の膜厚は
、最低１００人必要である。また、膜厚が厚過ぎるとホ
トレジスト４の除去工程で除去しきれないので、６００
Å以下が良い０本実施例ではポリマ被膜７の堆積速度が
約１２００人／ｗｉｎであることから、ＣＨＦ３プラズ
マの放電時間を１０〜６０秒とした。
、最低１００人必要である。また、膜厚が厚過ぎるとホ
トレジスト４の除去工程で除去しきれないので、６００
Å以下が良い０本実施例ではポリマ被膜７の堆積速度が
約１２００人／ｗｉｎであることから、ＣＨＦ３プラズ
マの放電時間を１０〜６０秒とした。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、追加エツチング
工程の前に、フッ素元素を含むガスのプラズマに１０〜
６０秒間曝す工程を設けることにより、矩形断面の防食
性の高いアルミニウム配線が形成されるアルミニウム合
金のエツチング方法が得られる。
工程の前に、フッ素元素を含むガスのプラズマに１０〜
６０秒間曝す工程を設けることにより、矩形断面の防食
性の高いアルミニウム配線が形成されるアルミニウム合
金のエツチング方法が得られる。
第１図（ａ）ないしくｅ）は本発明アルミニウム合金の
エツチング方法を工程順に示す要部拡大断面図、第２図
（ａ）ないしくｄ）は従来のアルミニウム合金のエツチ
ング方法を工程順に示す要部拡大断面図である。 １・・・半導体基板、 ２・・・酸化シリコン膜、３・
・・アルミニウム合金膜、 ４・・・ホトレジスト、
５・・・アルミニウム配線、 ６・・・残渣、 ７・・
・ポリマ被膜。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第１図 （ｅ） ４−ボトレシパスト ５・−ア）レミニウム西己腺 ６−・・ダ℃棗 ７・・−ポリマ府ｌ員
エツチング方法を工程順に示す要部拡大断面図、第２図
（ａ）ないしくｄ）は従来のアルミニウム合金のエツチ
ング方法を工程順に示す要部拡大断面図である。 １・・・半導体基板、 ２・・・酸化シリコン膜、３・
・・アルミニウム合金膜、 ４・・・ホトレジスト、
５・・・アルミニウム配線、 ６・・・残渣、 ７・・
・ポリマ被膜。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第１図 （ｅ） ４−ボトレシパスト ５・−ア）レミニウム西己腺 ６−・・ダ℃棗 ７・・−ポリマ府ｌ員
Claims (4)
- （１）アルミニウム合金膜又は他の金属膜を重積したア
ルミニウム合金膜の上面に形成したホトレジストをマス
クとして、適正条件のエッチングの後、追加エッチング
を行うアルミニウム合金のエッチング方法において、上
記の追加エッチングの前に、フッ素元素を含むガスのプ
ラズマに曝し、膜厚１００Å以上のフッ素元素を含むポ
リマ被膜を形成する工程を設けたことを特徴とするアル
ミニウム合金のエッチング方法。 - （２）フッ素元素を含むガスとしてＣＨＦ＿３を用いる
ことを特徴とする請求項（１）に記載のアルミニウム合
金のエッチング方法。 - （３）上記フッ素元素を含むガスのプラズマに曝す工程
を、高周波電力をアノードカップリング方式で印加する
プラズマ反応室で行うことを特徴とする請求項（１）に
記載のアルミニウム合金のエッチング方法。 - （４）追加エッチング工程で、最初の１０〜２０秒間の
み高周波電力を１００〜３００Ｗ高く設定することを特
徴とする請求項（１）に記載のアルミニウム合金のエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12139189A JPH02302035A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | アルミニウム合金のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12139189A JPH02302035A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | アルミニウム合金のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302035A true JPH02302035A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14810035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12139189A Pending JPH02302035A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | アルミニウム合金のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252050A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-10-16 | Ulvac Japan Ltd | エッチング方法 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP12139189A patent/JPH02302035A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252050A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-10-16 | Ulvac Japan Ltd | エッチング方法 |
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