JPH02303013A - 基板内蔵コンデンサの容量値調整方法 - Google Patents

基板内蔵コンデンサの容量値調整方法

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JPH02303013A
JPH02303013A JP1121601A JP12160189A JPH02303013A JP H02303013 A JPH02303013 A JP H02303013A JP 1121601 A JP1121601 A JP 1121601A JP 12160189 A JP12160189 A JP 12160189A JP H02303013 A JPH02303013 A JP H02303013A
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capacitor
trimming
capacitors
terminal electrodes
capacitance value
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JP1121601A
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English (en)
Inventor
Fumihiro Ichida
市田 史広
Akira Nakachi
中地 章
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NOF Corp
Original Assignee
Nippon Oil and Fats Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、各種電子回路の回路基体として用いられるセ
ラミック基板等、同一の絶縁基板に内蔵された複数個の
基板内蔵コンデンサに対し、その各々の容量値を精度良
く調整するための方法に関する。
[従来の技術] すでに従来からも、特にハイブリッド集積回路(HIC
)等においては、その上に各種電子回路要素を構築、支
持する回路基体としてのセラミック基板の一部分を、当
該回路に必要なコンデンサの端子電極間話電層としても
利用する技術が提案され、そうした基板は“コンデンサ
内蔵基板”と呼ばれている。
このようなコンデンサ内蔵基板の当該コンデンサ内蔵部
分は、簡単には第3図示のようになっており、セラミッ
ク基板等、絶縁基板lOの表裏両主面にそれぞれ一つづ
つ、所定面積の導体パターン11 、11が対向的に形
成され、これにより、仮想線でその一つが模式的に示さ
れているように、当該一対の導体パターン11 、11
を一対の端子電極11゜11とし、その間の基板部分を
端子間誘電層とするコンデンサCが形成される。
このような構造を採る場合、一般にはさらに、導体パタ
ーン11.11による電極面積が小さくても、コンデン
サCとしては十分な容量が得られるように、基板10に
おける端子間誘電層領域は、その周囲の他の領域に比す
と、相対的に高話電率にされる。ただ、この点は本発明
には直接の関係がないため、これ以上の説明は省略し、
図面中にあっても、特にこの高誘電率領域を区別的に示
すようなことはしない。
いずれにしても、このように基板10をその厚味方向に
有効利用し、コンデンサの一対の端子電極11 、11
が当該基板lOを挟み込むようにし、また、端子間誘電
層部分をかなり高誘電率に製作すると、十分な容量のコ
ンデンサが得られる割に、端子電極11 、11に必要
とされる平面的な占有面積は比較的小さくて済み、しか
も電極一つ分で良いので、実装効率が上がる。
そこで、昨今では、ユーザ側からはこの有意性を大いに
利用するため、このような内蔵コンデンサC・・・・・
・をさらに数多く、密に集積した基板の提供が要求され
てきており、したがってまた、製造者側にしてみれば、
より高度な技術が求められてきている。
例えば、一枚の基板に複数個の内蔵コンデンサがある場
合、その全てが各々の設計仕様値に精度良く合せ込まれ
ていなければ、コンデンサ内蔵基板としては合格しない
、極端な場合、一つでも規格値を満たし得ないコンデン
サが出れば、それでその基板は廃棄される。にもかかわ
らず、一枚の基板に内蔵させるコンデンサの数が増せば
増す程、当該基板としての歩留まりは低下し易い。内蔵
コンデンサがn個のとき、それらコンデンサ中の不良品
発生確率をpとすると、基板としての良品率は (1−
p)’で表されるからである。
そのため従来からも、各内蔵コンデンサに関しては、も
とより作りっ放しでは済まされず、容量値調整、すなわ
ちトリミングが必須の工程とされているが、それには専
ら、第3図に示され゛るような手法が採用されていた。
まず、絶縁基板lOの表裏面にパターン形成される各コ
ンデンサの端子電極11.11は、始め、これらを少し
太き目に作っておき、各コンデンサCの容量値としても
、規格値より少し太き目になるようにしておく。
次いで、そのようにして形成された各々のコンデンサ端
子電極11.11には、トリミング工程において導電性
のプローブ12 、12をオーミック接触させ、切替え
スイッチ14の操作によって、どの内蔵コンデンサCの
容量値をも、容量値測定器15により選択的に実測可能
なようにする。
この状態で、例えば第3図中、切替えスイッチ14の接
点群の状態にて分かるように、例えば左から二つ目のコ
ンデンサの各端子電極11 、11に接続している各プ
ローブ12.12がスイッチ14の閉成接点を介して測
定器15の人力に接続され、このコンデンサの容量値が
当該測定器15にて今まさに実測されているとすると、
そうした実測容量値が規格値にまで低減するように、こ
のコンデンサの一対の端子電極11 、11の中、一般
に片方の端子電極11をトリミング手段13により切削
加工して行く。
このように、太き目に作って置いた端子電極11をトリ
ミング手段13により切削し、電極面積を縮小化する方
向で規格値に合せ込むという単位のトリミング手順を一
つのコンデンサに関して終了したならば、切替えスイッ
チ14を切替えて他の未処理コンデンサ群の中から次に
トリミングすべきコンデンサ(一般には隣のコンデンサ
)を一つ選び、このコンデンサに対して上記と同様の単
位のトリミング手順を適用し、このコンデンサのトリミ
ングが済んだらさらに次にBるというようにして、全て
のコンデンサに対し、トリミングを行なう。
しかるに、トリミング手順としては上記の通りであって
も、具体的にトリミング手段13として用いられる装置
には従来からも種々あった。
その中には、コンデンサ端子電極を物理的ないし機械的
に切削するのではなく、例えばレーザ・ビームを利用す
るレーザ・トリマ等、電極材料物質の溶融除去ないし蒸
発除去という非機械的なメカニズムによるものもあるが
、これはこれで問題があり、例えばコンデンサ電極のパ
ターン形成等、コンデンサ形成に関する何等かの前工程
を経た結果、基板表面が酸化により黒化していると、レ
ーザ・ビームがトリミングすべき電極にではなく、基板
表面の方に吸収され、基板自体が変質してしまうことも
あるので、これを防ぐためにそれなりの特殊な対策が必
要となる。
このようなことが災いして、従来からも、どちらかと言
えば機械的なトリミング手段の方が好まれていたが、特
に、直径数十ミクロンのアルミナ微粒子等、適当な硬度
と化学的、物理的な安定性を持つ微粒子をノズルから圧
縮空気と共に吹ぎ出し、これをコンデンサ端子電極にぶ
つけることにより、物理的に導体材料を削り取るアブラ
シブル法に従うトリミング装置が良く使われていた。事
実、この装置ならば、装置自体の制御性も良く、トリミ
ング精度も結構高く採れる。
[発明が解決しようとする課題] しかるに、第3図に示した従来法に従い、上記の微粒子
噴射型のトリミング装置13を用いて、多数個のコンデ
ンサを集積、内蔵した基板の当該各内蔵コンデンサに対
し、本発明者においてトリミングを施していた所、集積
密度が低かったそれまでのコンデンサ内蔵基板では別に
問題にもならなかったのに、隣接コンデンサ間隔がかな
り詰まフてきた高集積密度のコンデンサ内蔵基板におい
ては、各コンデンサをトリミングするときに、第3図示
のように測定器15によりその容量値を実測しながら行
なったにもかかわらず、トリミング後、規格値通りの容
量値が得られていない場合が生じた。
しかも、同一基板に内蔵された複数個の内蔵コンデンサ
の中、最初にトリミングしたコンデンサだけは所望の規
格値を保っているのに、何故か、引き続きトリミングに
供した二番目以降のコンデンサにおいてこうした誤差が
生じた。
本発明は、まず、この原因の追及から始まったものであ
るが、結論から言うと、本発明者の検討の結果、分かっ
たことは、それが“静電気”の影響だったということで
ある。
すなわち、既述したアブラシブル法のように、微粒子を
高速で端子電極表面に衝突させてこれを切削するトリジ
“ング手法を採用すると、当該微粒子は端子電極のみな
らず、周囲のセラミック基板表面にも衝突する。
そのため、その部分において銹電体であるセラミック基
板に静電気が発生し、これが現在トリミング中のコンデ
ンサに極めて隣接しているコンデンサに対しても影響し
て、いわゆる直流電圧依存効果(直流バイアス効果)に
等価な状況を与えてしまっていたのである。
周知のように、コンデンサに直流電圧を印加すると、大
かれ少なかれ、その容量値に変動を生じ、当該直流電圧
を除去した後も、放電時定数の短い放電経路が存在しな
ければ、相当程度の間、蓄積電荷が残り、上記のように
容量値が変動を受けた状態が続く、これが直流電圧依存
効果と呼ばれているものである。
してみるに、ここで対象としているコンデンサ内蔵基板
においても、それが未だ集積密度の低かったときには、
当該隣接コンデンサ間隔も比較的広かりたため、上記の
ような静電気による直流電圧依存効果は、例え隣のコン
デンサにも顕著には表れず、気付くこともなかったので
ある。
ところが、既述のように、昨今の集積密度向上の要求に
従い、隣接コンデンサ間隔が極めて狭くなってくると、
あるコンデンサをトリミングしているときに発生した静
電荷が隣のコンデンサの端子電極間誘電層にまで拡散、
蓄積し、それがあたかも、そのコンデンサに直流電圧を
印加したときと同様の作用を及ぼし、容量値に変動を与
える原因となっていたのである。
この種のコンデンサ内蔵基板では、各コンデンサの端子
電極の上にさらに適当なる絶縁層が形成された後、その
上に種々の信号回路が形成され、各内蔵コンデンサがそ
うした信号回路の一構成要素として組まれるまで、各端
子電極は実質的に開放状態に置かれることが多く、した
がって、上記したトリミング工程では未だ低インピーダ
ンスの放電経路が存在しないし、トリミング時に測定器
15にての測定のため、各プローブ12 、12を介し
てそれら端子電極11 、11が測定器15の入力に接
続されても、当該測定器15の人力インピーダンスはや
はり、測定器として優れたもの程、相当に高いため、低
インピーダンスの放電経路が生成されるわけもなくて、
結局、内蔵コンデンサの誘電層に一旦蓄積した電荷は、
このコンデンサにトリミングの順番が回ってくるまでに
放電していることができず、その大部分が残ってしまう
のである。
逆にこのような理由であれば、先に述べたように、一番
最初にトリミングしたコンデンサだけが正確に規格値を
保ち得たという少し奇妙な事実も、むしろ当然のことと
して理解できる。そのコンデンサだけが、トリミング以
前、静電気の発生環境に一度も晒されていなかったから
である。
本発明は、このような知見に基づいてなされたもので、
上記アブラシブル型に代表されるように、トリミングの
結果、どうしてもその原理上、静電気を発生させ得るト
リミング手段により、内蔵コンデンサの少なくとも一方
の端子電極を切削することでその容量値を調整する場合
にも、周辺のコンデンサを直流電圧依存効果から守り得
るトリミング方法を提供せんとするものである。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため、本発明においては、それぞれ
が絶縁基板の一部分を一対の端子電極間誘電層として利
用する複数の基板内蔵コンデンサに対し、順次、各コン
デンサの実測容量値を測定しながら、切削加工中に静電
気の発生を伴うトリミング手段により、それら各コンデ
ンサの一対の端子電極の中、少なくとも一方の端子電極
を切削して行くことで、それら各コンデンサの容量値を
調整する方法を採用するに際して、トリミング手段によ
り、その端子電極が現に切削されているコンデンサ以外
のコンデンサであって、未だ切削加工を受けておらず、
かつ、現に行なわれている切削加工に伴って発生する静
電気の影響を受ける範囲内に位置するコンデンサに関し
ては、それらの一対の端子電極間を電気的に短絡してお
くという方法を提供する。
もっとも、上記のように、現に行なわれている切削加工
に伴って発生する静電気の影響を受ける範囲内に位置す
るコンデンサには限らず、当然にこれらのコンデンサを
含むが、未だ切削加工を受けていないコンデンサであれ
ば全て、それらの一対の端子電極間を電気的に短絡する
ようにしても良いし、さらには、切削加工を受けたか否
かにはかかわらず、とにがくも現在トリミング手段によ
り切削加工を受けていないコンデンサであれば全て、そ
れらの一対の端子電極間を一括的に短絡するようにして
も良い。
実際上、本発明の方法を実現するために用いる装置系に
おいては、上記の中、最後の場合が最もF、3fJlt
Lになる。現在トリミング中のコンデンサとそうでない
コンデンサとにしか分けて考える必要がないからである
。
なお、本発明の目的からしても明らかなように、上記に
おいての“短絡“とは、原則として、できるだけ低イン
ピーダンスの導電経路によることが望ましいが、一般に
電気導体として提供されているような通常の電気コード
類やプリント配線パターンに見込まれる程度の抵抗分は
もちろん、許容可能である。
[作  用] 本発明によると、トリミング手段により、その端子電極
が現に切削されているコンデンサ以外のコンデンサであ
って、未だ切削加工を受けておらず、かつ、現に行なわ
れている切削加工に伴って発生する静電気の影響を受け
る範囲内に位置するコンデンサに関しては、それらの一
対の端子電極間を電気的に短絡しておくので、トリミン
グ手段に上記した微粒子噴射型のように、その原理上、
静電気を発生してしまうトリミング手段を用いても、周
辺のコンデンサに対し、既述した直流電圧依存効果を与
えるおそれがない。
トリミングにより静電発生した電荷が、例え隣接するコ
ンデンサにまで拡散してきても、当該コンデンサの両端
子電極間は電気的に短絡されており、時定数の短い放電
経路が意図的に形成されているので、このコンデンサ内
に蓄積することはなく、速やかに放電することができる
。
したがって当然、このコンデンサにトリミングの順番が
回ってきたときにも、最初のコンデンサのトリミングと
全(同様に、測定器によりその容量値を実測しながら電
極切削を行なえば、それで正確に所望の規格値に合せ込
むことができ、以降、トリミングした容量値が変動する
ようなこともない。
なお、上記からして明らかなように、あるコンデンサを
トリミング中に一対の端子電極間を電気的に短絡してお
くべきコンデンサは、上記本発明の要旨構成中に述べら
ているように、少なくともトリミング中のコンデンサ近
傍において当該トリミングにより発生する静電気の影響
を受ける範囲内に位置するもののみであって良いが、本
発明方法を実現するためのトリミング装置においては、
トリミングしているコンデンサが異なる度に、それに伴
)て発生する静電気の影響を受ける範囲も異なるがため
に、短絡すべきコンデンサ群をそのたびごとに異ならせ
て行くのは却って面倒な場合がある。
したがって、未切削加工のコンデンサは全て、一括的に
短絡するようにして置けば、それら未切削加工の全ての
コンデンサの中には、現にトリミングを受けているコン
デンサに隣接し、トリミングにより発生する静電気の影
響を受ける範囲内の。
コンデンサ群も必すにして含まれるので、当然、本発明
の目的は遂行し得るし、それでいて、装置系の負担も軽
くなる。
これはさらに、切削加工を受けたか否かにかかわらず、
現在トリミング中以外のコンデンサに関しては全て、そ
れらの両端子電極間を短絡するように構成すると、先に
説明したように、現在トリミング中のコンデンサに関し
ては、切替えスイッチにより遭択的に選ばれるプローブ
を介し、測定器によりその容量値を実測しながらトリミ
ングする場合に、当該切替えスイッチの接点構成との関
係で、一番簡単な装置構成を採ることかできる。
[実 施 例] 第1図には本発明を適用してのトリミング装置の一構成
例が示されている。既述した第3図中におけると同一の
符号は当該従来例と同一ないし同様で良い構成要素を示
す。
絶縁基板lOには、この基板の一部分を厚味方向に挟む
一対の端子電極11 、11を持つコンデンサCが複数
個内蔵されており、それら一対の端子電極11.11の
中、少なくとも一方の端子電極11は、そのコンデンサ
に規格値を与えるときに予想される電極面積よりも少し
大き目に形成され、トリミング手段13によって切削加
工を受けることが予定されている。
トリミング手段13は、この実施例では先に説明した従
来例同様、直径数十ミクロンのアルミナ微粒子等、適当
な硬度と化学的、物理的な安定性を持つ微粒子をノズル
から圧縮空気と共に吹き出し、これをコンデンサ端子電
極にぶつけることにより、物理的に導体材料を削り取る
アブラシブル法に従うトリミング装置を用いている。
ただし、これは限定的ではなく、逆に、その外の公知の
トリミング手段として開発されているサンド・トリマと
か回転砥石等を用いる場合にも、本発明は有効に適用で
きる。このように、機械的な切削原理に従うものは、お
およそ、そのトリミング加工時に静電気を誘発し易いか
らである。
また、この実施例においても、既述した従来例同様に、
それぞれ少なくとも一方の端子電極11が少し太き目に
作られたコンデンサCを複数個内蔵するコンデンサ内蔵
基板は、当該各コンデンサCの容量値調整のため、これ
をトリミング装置の所定位置に配したとき、各コンデン
サの各端子電極11.11に各専用のプローブ12.1
2がオーミック接触するようになっている。
各プローブ12 、12はまた、切替えスイッチ14の
各対応する接点に接続し、切替えスイッチ14の操作に
より、その時々ではどれか一組のみが容量値測定器15
に接続可能になっており、他の全ての組のプローブ12
.12間は実質的に開放状態とされる。
図示の場合、黒丸で塗り潰して示した接点端子を有する
接点が測定器15に接続されるために閉成している接点
を示し、白抜きの接点端子で示されている接点は開放状
態にあることを表すようにしているので、特に第1図示
の場合には、基板に内蔵、集積され、全部で四つ示され
たコンデンサCの中、左から二番目のコンデンサCのみ
が、現在、測定器15にて容量値の測定を受ける状態に
なっており、けだし、このコンデンサが現在、トリミン
グ手段13によりトリミングを受けるべきコンデンサと
なっている。
しかるに、第3図示の従来装置との対比を採ると明らか
なように、この実施例では、特徴的なことに、現在トリ
ミングを受けるべきコンデンサ以外のコンデンサの一対
の端子電極11.11は、新たに設けられた低インピー
ダンスの導電線路17・・・・と、同様に黒塗りの接点
端子群で示されているように、このときには閉成してい
るスイッチ接点16・・・・を介し、電気的に短絡され
た状態になっており、逆に、そのプローブ12 、12
が測定器に接続されているトリミング対象のコンデンサ
に関しての導電線路17は、これに対応する接点16が
開いていることにより、その両端子電極11.11間を
短絡することはなく、上記のようにこれらを測定器15
に接続した状態を保ち得る。
換言すれば、新たに各コンデンサに対応させて設けたス
イッチ接点16・・・・・・は、既存の測定器への接続
用接点と閉成、開放状態が丁度逆の関係になるように連
動する接点として構成されていれば良く、このような構
成は、公知のこの種のスイッチ構成技術により、最も簡
単に組むことのできる多段構成ないし多回路構成の一種
となる。測定系を自動化するに際し、切替えスイッチ1
4もトリミング作業に同期して切替わる電子スイッチに
するべく、これら接点群を各々アナログ・スイッチで。
構成するような場合にもそれは言える。
そして結局、このような構成であると、第1図中に示さ
れている状態で左から二番目のコンデンサがトリミング
手段13によりトリミングを受けている場合、例えその
トリミング加工時にトリミング対象コンデンサの周囲に
静電気が発生し、これが例えば図面中で右隣り、左隣り
のコンデンサにまで拡散することがあっても、それら右
隣り、左隣りのコンデンサは閉成しているスイッチ接点
16を介し、導電線路17により、両端子電極間が低イ
ンピーダンスで短絡されているので、拡散してきた静電
荷は、このように意図的に形成されている放電経路16
 、17を介し、速やかに放電することができ、それら
コンデンサに対し、直流バイアスを印加したときのよう
な容量値変動を生む不具合な効果を生じさせることがな
い。
したがって当然、図示されている左から二番目のコンデ
ンサのトリミングが終了した後、引き続いて直ちにこの
左隣りないしは右隣りのコンデンサのトリミングに穆っ
でも、従来のように、直流電圧依存効果により、測定器
15によって容量値を実測しているにもかかわらず、ト
リミング後、その調整済み容量値に変動を生ずるような
おそれもなく、測定器15の指示値に従って合せ込んだ
容量値は、以降、正確なままに維持し得る。
してみるに、第1図示のスイッチ接点構成は、あるコン
デンサをトリミング中に発生する静電気の影雪を受ける
ことがない程、当該コンデンサから離れているコンデン
サに対しても、また、すでに切削加工を終わったコンデ
ンサに対しても、その両端子電極間を一括的に短絡する
切替えスイッチ接点構成となっている。
明らかに、本発明の最も基本的な要旨構成に従えば、こ
の実施例のように、静電気の影響を受けることがないコ
ンデンサの両端−子電極をまで、あらかじめ短絡して置
く必要はない。ましてや、すでにトリミングの終わった
コンデンサに対しては特にそうである。
しかし、これも上述のように、実際に本発明方法を適用
する装置系を構成しようとした場合には、このような構
成が最も簡単であることも、また明らかである。
もっとも、特に測定系をトリミング装置と同期を採って
自動化し、これに応じて切替えスイッチ14も電子スイ
ッチ化し、しかも、そのオン・オフ切替えを□マイクロ
・コンピュータの指令の下に行なうようにした場合等に
あっては、現在トリミングを受けているか、ないしは次
に受けるべきコンデンサと、これに対してその近傍にあ
り、当該トリミング作業により発生する静電気の影響を
受ける範囲内に位置するコンデンサというものは、簡単
に同定することができるので、当然、これらに対応した
スイッチ接点をオン・オフ操作し、本発明の最も基本的
な構成のまま、トリミングされるコンデンサの両端子電
極は測定系に接続し、その周辺にあって静電気の影響を
受ける範囲内に位置するコンデンサの両端子電極のみを
導電線路17により短絡するように、局所的、選択的な
切替え操作も比較的、簡単に行なえる。
もちろん、もう一つの場合として、トリミング中のコン
デンサ及び切削加工済みのコンデンサを除く他の全ての
コンデンサの両端子電極を短絡するようにスイッチ接点
を位置付けることも、同様に比較的簡単に行なえる。
さらに、上記からして、本発明は特に、内蔵コンデンサ
が密に集積されているコンデンサ内蔵基板に対し、その
効果が高いが、逆に、従来にあっては気付かなかったが
、比較的低集積密度のコンデンサ内蔵基板に対しても、
本発明を適用すると効果的な場合も当然に考えられる。
また、これまでのコンデンサ内蔵基板においては、第1
.3図に示したように、各内蔵コンデンサCは、いずれ
も、基板の厚味方向を完全に利用し、それらの一対の端
子電極は基板の表裏面に一つづつ設けられていたが、本
出願人においては、昨今、特に微小容量のコンデンサを
得るのに好適な構成として、第2図に示されているよう
に、基板lOの片面側にのみ、一対の端子電極11 、
11を形成し、したがって、これら一対の端子電極11
 、11の間にて形成されるコンデンサCは、図示仮想
線のように、基板主面と平行な方向になるかのような構
成も開示している。
当然、こうしたタイプの基板内蔵コンデンサのトリミン
グに関しても、本発明は有効に適用できること、明らか
である。なお、この”横型”構造のコンデンサでも、当
該一対の端子電極下の基板部分は周囲の他の領域に比す
と相対的に高い話電率に形成されることもあるが、これ
もまた、本発明には直接の関係が々いため、図示等は省
略しである。
さらに本出願人は、例えば第1.3図示の各コンデンサ
C部分において、少なくとも基板の一生面側の端子電極
11を並設された一対の端子電極で構成し、これら端子
電極間に所要の容量を得るべく改良した構造も提示して
いる。
すなわち、この構造では、並設的に基板−主面側に形成
された一対の端子電極の一方と基板裏面側に形成された
電極とでまず一つの部分コンデンサを形成し、基板−主
面側に形成された他方の電極と基板裏面側に形成された
電極とでもう一つの部分コンデンサを形成することで、
基板裏面側の電極を単に中間接続電極として利用し、基
板−主面側に並設的に形成されている一対の端子電極間
にはそれら二つの部分コンデンサの直列合成容量値を得
るものとなる。
このようにすると、単一の対向端子電極11.11のみ
で特定の容量値を得る従来構造に比し、各端子電極の面
積が大きくなるため、同一の切削幅でトリミングしても
、単一電極構成時よりも相対的にトリミング分解能を高
め得るのであるが、このような構造を採用する場合にも
、それら並設的に形成される一対の端子電極のトリミン
グ(一般には一方のみ)に関し、本発明は全く同様に適
用することができる。
なお、上記における短絡用の導電線路17は、もちろん
、それが低インピーダンスであればある程、電荷放電機
能が高くて望ましいが、通常、電気コード類や基板上の
印刷導体パターンに見込まれる程度の抵抗分は当然に許
容でき、むしろ、そ11で十分である。場合によっては
ミリ・オームとは言わず、数オーム程度で短絡しても、
そうした短絡線路がない従来例に比せばずっと良く、そ
れだけの効果は得られる。
と言うよりも、従来のように、あるコンデンサがトリミ
ングを受けているとき、他のコンデンサの一対の端子電
極間が実質的には開放ないしそれに極めて近い状態にな
っていたのに比せば、例え少々の抵抗分が残ろうが、本
発明の思想に従い、当該端子電極間を積極的に短絡する
ことの効果は遥かに大きいのである。
[効  果] 本発明によると、一般に機械的な切削原理を採るトリミ
ング手段を用い、したがって当該トリミング作業時に原
理的に静電気の発生を伴いがちであっても、そしてまた
、隣接コンデンサ間隔がかなり詰まっている高集積密度
のコンデンサ内蔵基板にあっても、個々のコンデンサを
トリミングしているときに他のコンデンサに直流電圧依
存効果を与えることがないため、この種のトリミング手
法の原理のままに、トリミング対象のコンデンサの容量
値を実測しながら端子電極を削り、所望の規格値に合せ
込んだ後は、その状態を安定に維持することができる。
したがって、各コンデンサの精度向上はもとより、コン
デンサ内蔵基板全体としての歩留まり、信頼性の向上に
つながり、また、高速での連続トリミングも静電気の強
制放電経路の存在により、不都合なく可能になるので、
トリミング工程の合理化、ひいてはこの稲の基板を用い
ての集積回路構築上の大いなる合理化を計ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は基板内蔵コンデンサに対しての容量値調整のた
め、本発明方法を適用する場合の説明図。 第2図は本発明によりトリミング可能な基板内蔵コンデ
ンサの他の構造例の説明図。 第3図は基板内蔵コンデンサの容量値調整に関する従来
からの基本方法の説明図。 である。 、図中、lOは絶縁基板、11は基板内蔵コンデンサの
端子電極、12は測定プローブ、13はトリミング手段
、14は切替えスイッチまたはその接点群、15は容量
値測定器、16は端子電極間を選択的に短絡するための
切替え接点、17は短絡用導電線路、Cは基板内蔵コン
デンサ、である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)それぞれが絶縁基板の一部分を一対の端子電極間
    誘電層として利用する複数の基板内蔵コンデンサに対し
    、順次、各コンデンサの実測容量値を測定しながら、切
    削加工中に静電気の発生を伴うトリミング手段により、
    それら各コンデンサの上記一対の端子電極の中、少なく
    とも一方の端子電極を切削して行くことで、該各コンデ
    ンサの容量値を調整する基板内蔵コンデンサの容量値調
    整方法であって; 上記トリミング手段により、その端子電極が現に切削さ
    れているコンデンサ以外のコンデンサであって、未だ該
    切削加工を受けておらず、かつ、上記現に行なわれてい
    る切削加工に伴って発生する上記静電気の影響を受ける
    範囲内に位置するコンデンサに関しては、それらの一対
    の端子電極間を電気的に短絡しておくこと;を特徴とす
    る基板内蔵コンデンサの容量値調整方法。
  2. (2)上記トリミング手段により、その端子電極が現に
    切削されているコンデンサ以外のコンデンサであって、
    未だ該切削加工を受けていないコンデンサに関しては全
    て、それらの一対の端子電極間を電気的に短絡しておく
    こと; を特徴とする請求項(1)に記載の方法。
  3. (3)上記トリミング手段により、その端子電極が現に
    切削されているコンデンサ以外のコンデンサに関しては
    全て、それらの一対の端子電極間を電気的に短絡してお
    くこと; を特徴とする請求項(1)に記載の方法。
JP1121601A 1989-05-17 1989-05-17 基板内蔵コンデンサの容量値調整方法 Pending JPH02303013A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100392579C (zh) * 2005-02-02 2008-06-04 阿尔卑斯电气株式会社 输入装置
JP2009246351A (ja) * 2008-03-14 2009-10-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 静電保護回路、当該静電保護回路を具備する光電変換装置、及び光電変換装置を具備する電子機器
JP2017143675A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 住友電気工業株式会社 半導体スイッチ駆動用絶縁カプラ、半導体スイッチ駆動回路、及び、変圧装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100392579C (zh) * 2005-02-02 2008-06-04 阿尔卑斯电气株式会社 输入装置
JP2009246351A (ja) * 2008-03-14 2009-10-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 静電保護回路、当該静電保護回路を具備する光電変換装置、及び光電変換装置を具備する電子機器
JP2017143675A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 住友電気工業株式会社 半導体スイッチ駆動用絶縁カプラ、半導体スイッチ駆動回路、及び、変圧装置

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