JPH02303535A - ガス供給装置 - Google Patents
ガス供給装置Info
- Publication number
- JPH02303535A JPH02303535A JP1123501A JP12350189A JPH02303535A JP H02303535 A JPH02303535 A JP H02303535A JP 1123501 A JP1123501 A JP 1123501A JP 12350189 A JP12350189 A JP 12350189A JP H02303535 A JPH02303535 A JP H02303535A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- gas
- branched
- gas supply
- supply source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガス供給装置に関し、特に半導体基板加工用
の反応ｌガスのガス供給装置に関する。
の反応ｌガスのガス供給装置に関する。
従来、半導体装置の製造工程において、供給されたガス
によって半導体基板上に薄膜被着反び加工処理を行う装
置は、連結されたガス供給源より真空反応室内部への反
応ガスの供給は単相ラインでガス供給が行われ、かつガ
ス流量の調整数構においてもその単相ラインに一つのガ
ス調整機構のみが配置された構造となっていた。
によって半導体基板上に薄膜被着反び加工処理を行う装
置は、連結されたガス供給源より真空反応室内部への反
応ガスの供給は単相ラインでガス供給が行われ、かつガ
ス流量の調整数構においてもその単相ラインに一つのガ
ス調整機構のみが配置された構造となっていた。
上述した従来のガス供給装置は、ガス供給源より真空反
応室内部へと反応ガスを導く導入管が単一の配管構造で
あり、かつ、反応ガス流量調整器を一つしか有していな
いため、例え（′！、金属被着、或いは加工処理を行う
種々のプログラムの中で多量のガス流量を必要とするプ
ログラムと少量の反応ガスしか必要としないプログラム
とを使用する場合、多くの流量を必要とするプログラム
に合わせた反応力゛入流量調整器を設置した場合には、
少量の流量を精度良く調整する（例えば、１０００ｃｃ
までガス流量を調整できる調整器をとりつけた場合、８
００ｃｃの大流量を調整するのは容易であるが、その中
で１Ｑｃｃ程度の流量を調整するには非常に無理が生じ
る。） ことが困難であり、ガス流量のばらつきを生じ
させ、薄膜成長時の膜厚ばらつき、或いは加工処理時の
でき上がり形状のばらつきを発生させ、半導体装置の信
頼性低下、歩留低下を招く欠点があった。
応室内部へと反応ガスを導く導入管が単一の配管構造で
あり、かつ、反応ガス流量調整器を一つしか有していな
いため、例え（′！、金属被着、或いは加工処理を行う
種々のプログラムの中で多量のガス流量を必要とするプ
ログラムと少量の反応ガスしか必要としないプログラム
とを使用する場合、多くの流量を必要とするプログラム
に合わせた反応力゛入流量調整器を設置した場合には、
少量の流量を精度良く調整する（例えば、１０００ｃｃ
までガス流量を調整できる調整器をとりつけた場合、８
００ｃｃの大流量を調整するのは容易であるが、その中
で１Ｑｃｃ程度の流量を調整するには非常に無理が生じ
る。） ことが困難であり、ガス流量のばらつきを生じ
させ、薄膜成長時の膜厚ばらつき、或いは加工処理時の
でき上がり形状のばらつきを発生させ、半導体装置の信
頼性低下、歩留低下を招く欠点があった。
本発明の目的は広い範囲のガス流量の調整と精度良く行
なえる装置を提供する事にある。
なえる装置を提供する事にある。
本発明のガス供給装置は、反応ガス供給源に連結して分
岐する第１のガス管と、分岐した各々のガス管に連絡し
た流量調整範囲の異なる流量調整器及び各流量調整器に
連結する電磁弁と、電磁弁のそれぞれに連絡し、かつ統
合する第２のガス管とを有している。
岐する第１のガス管と、分岐した各々のガス管に連絡し
た流量調整範囲の異なる流量調整器及び各流量調整器に
連結する電磁弁と、電磁弁のそれぞれに連絡し、かつ統
合する第２のガス管とを有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第１図に示すように、半導体基板１を真空反応室２内部
に指示した後、ガス排出管３に連結する高真空源により
真空反応室２内部を真空に保ち、ガス導入管４に連結す
るガス供給源５より反応ガスを真空反応室２内部に導入
し、高周波発振器に接続する電極６によりプラズマを発
生させ、エツチング処理台７にのせられた半導体基板１
表面にエツチング処理する装置において、ガス供給源５
に連結するガス管８が分岐点へで複数に分岐した各々の
端部に流量調整範囲の互いに異なる流量調整器９ａ、９
ｂ、９ｃ及び各流量調整器９ａ、９ｂ、９Ｃに連結する
電磁弁１０ａ、１０ｂ、ｌＯｃを直列に連結し、電磁弁
のそれぞれに連絡したガス管８ｂが統合点Ｂで統合され
ガス導入管４へ七連結されている。
に指示した後、ガス排出管３に連結する高真空源により
真空反応室２内部を真空に保ち、ガス導入管４に連結す
るガス供給源５より反応ガスを真空反応室２内部に導入
し、高周波発振器に接続する電極６によりプラズマを発
生させ、エツチング処理台７にのせられた半導体基板１
表面にエツチング処理する装置において、ガス供給源５
に連結するガス管８が分岐点へで複数に分岐した各々の
端部に流量調整範囲の互いに異なる流量調整器９ａ、９
ｂ、９ｃ及び各流量調整器９ａ、９ｂ、９Ｃに連結する
電磁弁１０ａ、１０ｂ、ｌＯｃを直列に連結し、電磁弁
のそれぞれに連絡したガス管８ｂが統合点Ｂで統合され
ガス導入管４へ七連結されている。
ここで、ガス供給源５より取り出される反応ガスが分岐
されたガス供給ラインを通過し、必要最大流量に応じ、
分岐された各流量調整器９ａ、９ｂ、９ｃを電磁弁１０
ａ、１０ｂ、ＩＯＣのいずれかを開くことにより選択で
きることで、例えば大流量のガスを必要とする場合には
、電磁弁１０ａを開き９ａの流量調整器を選択すること
によってガス流量の調節を行い、微量のガスを用い、精
度よくガス流量調整する時には電磁弁ＩＯＣを開き、流
量調整器９Ｃによって調整する機構を持つことでガス流
量のばらつきをいかなる流量値にも精度良く調整するこ
とが可能となる。従って、ガス流量のばらつきによって
生じていたエツチング加工処理時の出来上がり形状のば
らつきの改善、薄膜成長時の膜厚の改善ができ、半導体
装置の信頼性向上歩留向上に貢献できる。
されたガス供給ラインを通過し、必要最大流量に応じ、
分岐された各流量調整器９ａ、９ｂ、９ｃを電磁弁１０
ａ、１０ｂ、ＩＯＣのいずれかを開くことにより選択で
きることで、例えば大流量のガスを必要とする場合には
、電磁弁１０ａを開き９ａの流量調整器を選択すること
によってガス流量の調節を行い、微量のガスを用い、精
度よくガス流量調整する時には電磁弁ＩＯＣを開き、流
量調整器９Ｃによって調整する機構を持つことでガス流
量のばらつきをいかなる流量値にも精度良く調整するこ
とが可能となる。従って、ガス流量のばらつきによって
生じていたエツチング加工処理時の出来上がり形状のば
らつきの改善、薄膜成長時の膜厚の改善ができ、半導体
装置の信頼性向上歩留向上に貢献できる。
第２図は、本発明の第２の実施例を示す模式図である。
第２図に示すように、キャタピラ式に連結された複数個
のサセプター１１を定速で循環移動させて該サセプター
１１を反応部１２内へ順に送り込み、サセプター１１上
に載置された半導体基板１３の表面に薄膜を堆積する常
圧気相成長装置であり、第１の実施例と同様に、反応部
１２内に設けられた薄膜堆積部であるディフューザー１
４ａ、１４ｂ、１４ｃに接続されたガス管１５がガス供
給源１６より一つの供給ラインで取り出された後、分岐
点Ｃで分岐し、各々流量調整器１７ａ、１７ｂ及び電磁
弁１８ａ、Ｉ８ｂを介し、再度統合点りで統合されたガ
ス管を有している。
のサセプター１１を定速で循環移動させて該サセプター
１１を反応部１２内へ順に送り込み、サセプター１１上
に載置された半導体基板１３の表面に薄膜を堆積する常
圧気相成長装置であり、第１の実施例と同様に、反応部
１２内に設けられた薄膜堆積部であるディフューザー１
４ａ、１４ｂ、１４ｃに接続されたガス管１５がガス供
給源１６より一つの供給ラインで取り出された後、分岐
点Ｃで分岐し、各々流量調整器１７ａ、１７ｂ及び電磁
弁１８ａ、Ｉ８ｂを介し、再度統合点りで統合されたガ
ス管を有している。
以上説明したように本発明は、ガス供給源に連結して複
数に分岐したガス管のそれぞれに互いに流量調整量の異
なる流量調整器と電磁弁を連絡し、且つ、各電磁弁に連
結したガス管を統合することにより、流量調整器の選択
でガス流量を精度よく制御できるという効果を有する。
数に分岐したガス管のそれぞれに互いに流量調整量の異
なる流量調整器と電磁弁を連絡し、且つ、各電磁弁に連
結したガス管を統合することにより、流量調整器の選択
でガス流量を精度よく制御できるという効果を有する。
第１図は本発明の第１の実施例の模式図、第２図は本発
明の第２の実施例の模式図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・真空反応室
、３・・・・・・ガス排出管、４・・・・・・ガス導入
管、５・・・・・・ガス供給源、６・・・・・・電極、
７・・・・・・エツチング処理台、８ａ。 ８ｂ・・・・・・ガス管、９ａ、 ９ｂ、 ９ｃ・
・・・・・流量ｍ整器、１０ａ、 １０ｂ、 ＩＯＣ・
・・・・・電磁弁、ＩＩ・・・・・・サセプター、１２
・・・・・・反応部、１３・・・・・・半導体基板、１
４ａ。 １４ｂ、 １４Ｃ・・・・・・ディフューザー、１５・
・・・・・反応ガス供給ライン、１６・・・・・・ガス
供給源、１７ａ、１７ｂ・・・・・・流量調整器、１８
ａ、 １８ｂ・・・・・・電磁弁、Ａ、 Ｃ・・・・・
・分岐点、Ｂ、 Ｄ・・・統合点。 代理人 弁理士 内 原 置 方ｉ 牛
明の第２の実施例の模式図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・真空反応室
、３・・・・・・ガス排出管、４・・・・・・ガス導入
管、５・・・・・・ガス供給源、６・・・・・・電極、
７・・・・・・エツチング処理台、８ａ。 ８ｂ・・・・・・ガス管、９ａ、 ９ｂ、 ９ｃ・
・・・・・流量ｍ整器、１０ａ、 １０ｂ、 ＩＯＣ・
・・・・・電磁弁、ＩＩ・・・・・・サセプター、１２
・・・・・・反応部、１３・・・・・・半導体基板、１
４ａ。 １４ｂ、 １４Ｃ・・・・・・ディフューザー、１５・
・・・・・反応ガス供給ライン、１６・・・・・・ガス
供給源、１７ａ、１７ｂ・・・・・・流量調整器、１８
ａ、 １８ｂ・・・・・・電磁弁、Ａ、 Ｃ・・・・・
・分岐点、Ｂ、 Ｄ・・・統合点。 代理人 弁理士 内 原 置 方ｉ 牛
Claims (1)
- 反応ガス供給源に一端を連結して他端を複数に分岐する
第１のガス管と、分岐された前記第１のガス管の他端の
それぞれに連結した互いに流量調整量が異なる流量調整
器と、前記流量調整器のそれぞれに直列に連結された電
磁弁と、前記電磁弁に連結して一つに統合する第２のガ
ス管とを含むことを特徴とするガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123501A JPH02303535A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123501A JPH02303535A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ガス供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303535A true JPH02303535A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14862183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1123501A Pending JPH02303535A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02303535A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014136181A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Tooyoo Cs:Kk | 圧縮空気砲噴射機能を備えた清掃装置 |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP1123501A patent/JPH02303535A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014136181A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Tooyoo Cs:Kk | 圧縮空気砲噴射機能を備えた清掃装置 |
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