JPH02304092A - 有機金属化合物 - Google Patents
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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- C07F5/06—Aluminium compounds
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属としてアルミニウム、カリウムまたはイ
ンジウムを含有する有機金属化合物、および該有機金属
化合物を使用して気相からうずいフィルムまたはエピタ
クシー被膜を沈着させる方法に関するものである。
ンジウムを含有する有機金属化合物、および該有機金属
化合物を使用して気相からうずいフィルムまたはエピタ
クシー被膜を沈着させる方法に関するものである。
例えば、砒化カリウム、燐化インジＴ゛７ムまたは燐化
カリウムのような第■族または第１ＩＩ 、／ Ｖ族の
組み合わせの純粋な元素からこのような被膜を沈着させ
ることは、電気的、電子的、光学的あるいは光電子的な
スイッチング素子、化合物半導体およびレーザーを製造
するために使用することができる。これらの被膜の沈着
は、気相から行われる。
カリウムのような第■族または第１ＩＩ 、／ Ｖ族の
組み合わせの純粋な元素からこのような被膜を沈着させ
ることは、電気的、電子的、光学的あるいは光電子的な
スイッチング素子、化合物半導体およびレーザーを製造
するために使用することができる。これらの被膜の沈着
は、気相から行われる。
これらのフィルムの性質は、沈着条件および沈着フィル
ムの化学的組成に依存する。
ムの化学的組成に依存する。
＝ ４ −
気相から沈着させる適当な方法としては、金属−有機化
学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法、物質をＩＩＶ照射によって分
解する光−金属−有機気相（光−ＨｏＶＰ）法、レーザ
ー化学蒸着（レーザーＣＶＤ ）法または金属−有機磁
子スパッターリンク（１４０８３）法のような多くの方
法が、知られている。その他の方法に対する利点は、標
準条件下または低圧条件下で被膜の成長をコントロール
し得ることドーピングを正確に調節し得ることおよび操
作が部平であることおよび製造性に富むことである。
学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法、物質をＩＩＶ照射によって分
解する光−金属−有機気相（光−ＨｏＶＰ）法、レーザ
ー化学蒸着（レーザーＣＶＤ ）法または金属−有機磁
子スパッターリンク（１４０８３）法のような多くの方
法が、知られている。その他の方法に対する利点は、標
準条件下または低圧条件下で被膜の成長をコントロール
し得ることドーピングを正確に調節し得ることおよび操
作が部平であることおよび製造性に富むことである。
ＨＯＣＶ Ｄ法においては、１１００℃以下の温度で分
解する有機金属化合物を使用して、金属を沈着させる。
解する有機金属化合物を使用して、金属を沈着させる。
現在ＭＯＣＶＤ法に使用されている典型的な装置は、有
機金属化合物に対する供給管路を具備した゛バブラー′
″、被覆される基質を含有する反応室および有機金属化
合物に対して不活性でなければならないキャリヤーガス
源からなる。バブラーは、好ましくは、有機金属化合物
の融点以下であるか分解温度以下の一定の比較−、−５
−＝ 的低温度に保持される。反応または分解室は、好ましく
は、有機金属化合物が完全に分解されそして金属が沈着
されるようなより高い温度、しかし１１００″Ｃ以下の
温度を有している。有機金属化合物は、ギヤリヤーカス
により蒸気状態に変換されそしてキャリヤーカスと一緒
に分解室にフラッシュされる。蒸気の流れは、容易に調
節することができそしてその結果、うすい被膜の成長を
調節することもまた可能である。
機金属化合物に対する供給管路を具備した゛バブラー′
″、被覆される基質を含有する反応室および有機金属化
合物に対して不活性でなければならないキャリヤーガス
源からなる。バブラーは、好ましくは、有機金属化合物
の融点以下であるか分解温度以下の一定の比較−、−５
−＝ 的低温度に保持される。反応または分解室は、好ましく
は、有機金属化合物が完全に分解されそして金属が沈着
されるようなより高い温度、しかし１１００″Ｃ以下の
温度を有している。有機金属化合物は、ギヤリヤーカス
により蒸気状態に変換されそしてキャリヤーカスと一緒
に分解室にフラッシュされる。蒸気の流れは、容易に調
節することができそしてその結果、うすい被膜の成長を
調節することもまた可能である。
これまで、主として、例えばトリメチルカリウム、トリ
メチルアルミニウムまたはＩ・リメチルインジウムのよ
うな金属アルキルが、気相沈着に使用されていた。しか
しながら、これらの化合物は非常に空気−感受性であり
、自己可燃性でありそして場合によっては室温において
さえも分解する。それ故に、これらの化合物の製造、輸
送、貯蔵および使用に対して、１ｔｊ２雑な予防手段が
必要である。例えばトリメチルアミンおよび１〜リフエ
ニルポスフインのようなルイス塩基と金属アルキルとの
やや安定な付加物も、また、知られている（例えば、Ｇ
Ｂ ２，１２３，４２２、［Ｐ−八１０８，４６９まな
は「Ｐ−八１７６．５３７に記載されている）が、これ
らの化合物は、蒸気圧が低いことにより気相沈着に対し
ては、適合性が極めて制限されている。蒸気圧が低いこ
との原因は、しばしば、二量体、二量体または重合体が
存在することによる。
メチルアルミニウムまたはＩ・リメチルインジウムのよ
うな金属アルキルが、気相沈着に使用されていた。しか
しながら、これらの化合物は非常に空気−感受性であり
、自己可燃性でありそして場合によっては室温において
さえも分解する。それ故に、これらの化合物の製造、輸
送、貯蔵および使用に対して、１ｔｊ２雑な予防手段が
必要である。例えばトリメチルアミンおよび１〜リフエ
ニルポスフインのようなルイス塩基と金属アルキルとの
やや安定な付加物も、また、知られている（例えば、Ｇ
Ｂ ２，１２３，４２２、［Ｐ−八１０８，４６９まな
は「Ｐ−八１７６．５３７に記載されている）が、これ
らの化合物は、蒸気圧が低いことにより気相沈着に対し
ては、適合性が極めて制限されている。蒸気圧が低いこ
との原因は、しばしば、二量体、二量体または重合体が
存在することによる。
本発明の目的は、取扱いが簡単であり、室温で安定であ
りそして種々の気相沈着法に適した十分に高い蒸気圧を
有する有機金属化合物を見出すことにある。
りそして種々の気相沈着法に適した十分に高い蒸気圧を
有する有機金属化合物を見出すことにある。
本発明者は、分子内的に安定化されたアルミニウム、カ
リウムおよびインジウムの有機金属化合物力釈気相沈着
に非常に適しているということを見出した。
リウムおよびインジウムの有機金属化合物力釈気相沈着
に非常に適しているということを見出した。
類似の化合物は、西独公開特許３，６３１，４６９（特
開昭６３−８３０９２号公報参照）により知られている
が、該公開特許に記載されている化合物は、すべて、分
子中に１個の１くナー原子を有しているにすぎない。こ
れに対して、本発明の化合物は、すべて、分子中に少な
くとも２個のドナー原子を有している。
開昭６３−８３０９２号公報参照）により知られている
が、該公開特許に記載されている化合物は、すべて、分
子中に１個の１くナー原子を有しているにすぎない。こ
れに対して、本発明の化合物は、すべて、分子中に少な
くとも２個のドナー原子を有している。
すなわち、本発明は、次式■の存＃１金属化合物、およ
び、基質」二に気相から、第１ （Ｍ）族の典型元素ま
たは第１ＩＩ ／ Ｖ族の典型元素の絹み合わぜの金属
を沈着させるためにこれらの物質を使用することに関す
るものである。
び、基質」二に気相から、第１ （Ｍ）族の典型元素ま
たは第１ＩＩ ／ Ｖ族の典型元素の絹み合わぜの金属
を沈着させるためにこれらの物質を使用することに関す
るものである。
（ＲユＬ＋−ｎ＋Ｍ（Ｘ−Ｙ）ｍ
Ｉ」１記式にお
いて、 ｍは、２または３であり、 Ｍは、アルミニウム、ガリウムまたはインジウムてあり
、 Ｙは、（ａ）π種原子が第Ｖ成典型元素に由来する５員
または６員の複素環、 −ＮＲ”Ｉｔ’、−ＰＲ３Ｒ４、−ＡＳＲ３Ｒ４、−８
ｂＲ３Ｒ’であるか、または （ｂ） −Ｆまなは１〜７個のＣ原子を有するパーフル
オロアルキル基であり、 Ｘは、ｏ−（ＣＩ□）ｐ −Ｃ６Ｈａ−（ＣＨ２）ｑ−
２１、２−（Ｃ１１２）ｐ −Ｃｓｌｌ １ａ −（Ｃ
Ｉ＋２）Ｑ−１１、２−（Ｃｔ］２）ｐ −Ｃ６ＨＢ−
（Ｃｔ１□）ｑ−，１、２−ｆｃＨ２）ｐ −ＣｓＨａ
−（ＣＨ２）ｑ −，１，２−（Ｃト１２ ）Ｉ）
−ＣｓＨｓ−（Ｃｌ−１２）ｑ −，１，２−（ＣＨ２
）ｐ−Ｃ５Ｈａ−（Ｃ１ｌ□）ｑ−，１、２−（Ｃｌ−
１２）ｐ −Ｃ５１１４−（ＣＨ２）ｑ −、または、
１ 、２− ｆｃＨ２）ｐ −Ｃ４Ｈｅ−（ＣＨ２）ｑ
−、であるが、または、Ｙが（ａ）に定義した通りで
ある場合は、Ｘはまたー（ＣＨＲ２）ｎ−であり、ｎは
、］、２．３．４または５であり、［イ２は、それぞれ
の場合において、Ｈであるが、または、１〜７個のＣ原
子を有するアルキル基であり、そして該アルキル基は部
分的にまたは完全にフッ素化されていてもよく、 ｐおよびｑは、それぞれ相互に独立して、０、Ｉ、２ま
なは３であり、そして、 Ｒ１、）（３およびＲ４は、それぞれ相互に独立して、
１−１であるか、８個まてのＣ原子を有するアルキル基
またはアルケニル基（これらの基は、部分的にまたは完
全にフッ素化されていてもよい）、３〜８個のＣ原子を
有するシクロアルキル基よ−Ｑ −−− たはシクロアルケニル基またはアリール基である。
Ｉ」１記式にお
いて、 ｍは、２または３であり、 Ｍは、アルミニウム、ガリウムまたはインジウムてあり
、 Ｙは、（ａ）π種原子が第Ｖ成典型元素に由来する５員
または６員の複素環、 −ＮＲ”Ｉｔ’、−ＰＲ３Ｒ４、−ＡＳＲ３Ｒ４、−８
ｂＲ３Ｒ’であるか、または （ｂ） −Ｆまなは１〜７個のＣ原子を有するパーフル
オロアルキル基であり、 Ｘは、ｏ−（ＣＩ□）ｐ −Ｃ６Ｈａ−（ＣＨ２）ｑ−
２１、２−（Ｃ１１２）ｐ −Ｃｓｌｌ １ａ −（Ｃ
Ｉ＋２）Ｑ−１１、２−（Ｃｔ］２）ｐ −Ｃ６ＨＢ−
（Ｃｔ１□）ｑ−，１、２−ｆｃＨ２）ｐ −ＣｓＨａ
−（ＣＨ２）ｑ −，１，２−（Ｃト１２ ）Ｉ）
−ＣｓＨｓ−（Ｃｌ−１２）ｑ −，１，２−（ＣＨ２
）ｐ−Ｃ５Ｈａ−（Ｃ１ｌ□）ｑ−，１、２−（Ｃｌ−
１２）ｐ −Ｃ５１１４−（ＣＨ２）ｑ −、または、
１ 、２− ｆｃＨ２）ｐ −Ｃ４Ｈｅ−（ＣＨ２）ｑ
−、であるが、または、Ｙが（ａ）に定義した通りで
ある場合は、Ｘはまたー（ＣＨＲ２）ｎ−であり、ｎは
、］、２．３．４または５であり、［イ２は、それぞれ
の場合において、Ｈであるが、または、１〜７個のＣ原
子を有するアルキル基であり、そして該アルキル基は部
分的にまたは完全にフッ素化されていてもよく、 ｐおよびｑは、それぞれ相互に独立して、０、Ｉ、２ま
なは３であり、そして、 Ｒ１、）（３およびＲ４は、それぞれ相互に独立して、
１−１であるか、８個まてのＣ原子を有するアルキル基
またはアルケニル基（これらの基は、部分的にまたは完
全にフッ素化されていてもよい）、３〜８個のＣ原子を
有するシクロアルキル基よ−Ｑ −−− たはシクロアルケニル基またはアリール基である。
さらに、本発明は、使用した有機金属物質か式■の化合
物である有機金属化合物から、第１Ｂ族または第１／Ｖ
族の組み合わせの金属を気相沈着せしめることによって
、うずいフィルムおよびエピタクシー被膜を製造する方
法に関するものである。さらに、本発明は、例えは、使
用される反応条件下においてカス状である砒素、アンチ
モンまたは燐の化合物の１種または２種以上を沈着方法
中に添加する化合物半導体の製造方法に関するものであ
る。
物である有機金属化合物から、第１Ｂ族または第１／Ｖ
族の組み合わせの金属を気相沈着せしめることによって
、うずいフィルムおよびエピタクシー被膜を製造する方
法に関するものである。さらに、本発明は、例えは、使
用される反応条件下においてカス状である砒素、アンチ
モンまたは燐の化合物の１種または２種以上を沈着方法
中に添加する化合物半導体の製造方法に関するものであ
る。
式■の化合物は、窒素、燐、砒素、フ・ソ素またはアン
チモン原子（ドナー原−ｉ′−）から電子−不足第１１
１Ｂ族元素ｌ＼の電子杼打によって分子内的に安定化さ
れる。それ故に、これらの化合物は、空気および酸素に
対して安定であり、もはや自己可燃性でなくそしてその
結果取扱いが簡単である。弐Ｔの化合物は、２個または
３ ＩＩＩのドナー原子を含有する。
チモン原子（ドナー原−ｉ′−）から電子−不足第１１
１Ｂ族元素ｌ＼の電子杼打によって分子内的に安定化さ
れる。それ故に、これらの化合物は、空気および酸素に
対して安定であり、もはや自己可燃性でなくそしてその
結果取扱いが簡単である。弐Ｔの化合物は、２個または
３ ＩＩＩのドナー原子を含有する。
−１０＝
しかしながら、本発明の化合物は、気相中において容易
に分解して金属を沈着することができる。式■の化合物
は安定なそして容易に除去できる除去基を含有するので
、結果として低い割合の炭素の導入を生し′、、最終製
品の品質に対して犬なる利点を存ず。
に分解して金属を沈着することができる。式■の化合物
は安定なそして容易に除去できる除去基を含有するので
、結果として低い割合の炭素の導入を生し′、、最終製
品の品質に対して犬なる利点を存ず。
上記の沈着フィルムは、純粋な第１１１Ｂ族元素または
第Ｖ族の元素との組み合わせから、何れの好ましい基質
上にも形成することができる。
第Ｖ族の元素との組み合わせから、何れの好ましい基質
上にも形成することができる。
この沈着フィルムは、基質および沈着技術によって、エ
ピタクシー性を有するものにすることができる。
ピタクシー性を有するものにすることができる。
式１において、Ｍは、アルミニウム（Ａρ）、カリ→ム
（Ｇａ）またはインジウム（Ｉｎ）、好ましくはＧａま
たはＩｎである。
（Ｇａ）またはインジウム（Ｉｎ）、好ましくはＧａま
たはＩｎである。
ｍは、好ましくは２である６
Ｙは、第一に好ましくは−ＮＩ１３Ｒ４でありそして第
二に好ましくは−ＰＲ３Ｒ４または−ＡｓＲ３Ｒ４であ
る。
二に好ましくは−ＰＲ３Ｒ４または−ＡｓＲ３Ｒ４であ
る。
さらに、Ｙは、好ましくは、フッ素であるか、または１
〜４個のＣ原子を有するパーフルオロ−１，，１，− アルキル基、好ましくはｈリフルオ＋７メチル、ペンタ
フルオロエチル、ヘプタフルオロブ１Ｖピル、ノナフル
オロブチル、ウンテカフルオＩＶペンチル、１〜リテカ
フルオ＋７ヘキシルまたはペンタデカフルオロヘプチル
である。
〜４個のＣ原子を有するパーフルオロ−１，，１，− アルキル基、好ましくはｈリフルオ＋７メチル、ペンタ
フルオロエチル、ヘプタフルオロブ１Ｖピル、ノナフル
オロブチル、ウンテカフルオＩＶペンチル、１〜リテカ
フルオ＋７ヘキシルまたはペンタデカフルオロヘプチル
である。
さらに、Ｙは、Ｎ、Ｐまたは＾Ｓのような第Ｖ成典型元
素の１種または２種以上の原子を含有する５員または６
員の複素環であってもよい。
素の１種または２種以上の原子を含有する５員または６
員の複素環であってもよい。
特に、以下の（１）〜・（５）の環は、好ましいもので
ある。
ある。
ｆｌ） （２） （３）−
に記式において、Ｒ５は、トＩであるか、または、１〜
８個のＣ原子を有するアルキル基である。
に記式において、Ｒ５は、トＩであるか、または、１〜
８個のＣ原子を有するアルキル基である。
式１において、Ｘは、好ましくは畳ＣＨＲ２）ｎ −（
式中、Ｄは、］、２．３．４まなは５、好ましくは２．
３または４でありそしてＲ２は、１（原子であるか、ま
たは、部分的に、または、完全に、フッ素化されていて
もよい７個までのＣ原子を有するアルキル基、好ましく
はメチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメ
チル、テトラフルオロエチル、ペンタフルオロエチルま
たはへブタフルオロプロピルである）である。Ｒ２がア
ルキル基または部分的にまたは完全にフッ素化されたア
ルキル基である場合は、−（ＣｌｌｔＦ ）ｎ−中の１
個のＲ２のみがアルキル基でありそして存在し得る他の
Ｒ２がＨであることが好ましい。
式中、Ｄは、］、２．３．４まなは５、好ましくは２．
３または４でありそしてＲ２は、１（原子であるか、ま
たは、部分的に、または、完全に、フッ素化されていて
もよい７個までのＣ原子を有するアルキル基、好ましく
はメチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメ
チル、テトラフルオロエチル、ペンタフルオロエチルま
たはへブタフルオロプロピルである）である。Ｒ２がア
ルキル基または部分的にまたは完全にフッ素化されたア
ルキル基である場合は、−（ＣｌｌｔＦ ）ｎ−中の１
個のＲ２のみがアルキル基でありそして存在し得る他の
Ｒ２がＨであることが好ましい。
さらに、式■の好ましい化合物は、Ｘがｏ−（ＣＨ□）
ｐ−Ｃｓｌ１４− （ＣＨ２）（＋ −，１、２−（Ｃ
Ｈ２）ｐ −Ｃ６１１１０−（Ｃ１１２）ｑ−または１
．２−（ＣＨ□）ｐ −Ｃ５Ｈ’ａ−（Ｃｌｌ。）ｑ−
（式中、ｐおよびｑは、それぞれ相〃に独立して、０．
１．２または３、好ましくは０．１まなは２である）で
ある化合物である。
ｐ−Ｃｓｌ１４− （ＣＨ２）（＋ −，１、２−（Ｃ
Ｈ２）ｐ −Ｃ６１１１０−（Ｃ１１２）ｑ−または１
．２−（ＣＨ□）ｐ −Ｃ５Ｈ’ａ−（Ｃｌｌ。）ｑ−
（式中、ｐおよびｑは、それぞれ相〃に独立して、０．
１．２または３、好ましくは０．１まなは２である）で
ある化合物である。
さらに、Ｘの好ましい例をＸ−Ｙとして表わすと以下の
基（１）〜（８）があげられる。
基（１）〜（８）があげられる。
ｆ３） （４）
−１４，、、、、−、、−
式（１） 、（２） 、 （４）および（５）において
、二重結合は、また、他の可能な位置のいずれにあって
もよい。
、二重結合は、また、他の可能な位置のいずれにあって
もよい。
式■におけるρおよびｑは、好ましくは、■または２で
ある。ｐおよびｑの１つか０でありそして他の１つが、
１または２である化合物か好ましい。
ある。ｐおよびｑの１つか０でありそして他の１つが、
１または２である化合物か好ましい。
弐■における基Ｒ１、［（３およびＲ４は、それぞれ、
好ましくは、１〜８個のＣ原子、好ましくは１〜５個の
Ｃ原子を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基であ
る。アルキル基は、好ましくは直鎖状てありそしてした
がって好ましくは、メチル、エチル、プロピル、ブチル
、ペンチル、さらにまた、ヘキシル、ヘプチル、オクチ
ル、イソプロピル、第２ブチル、第３ブチル、２−メチ
ルペンチル、３−メチルペンチルまたは２一オクヂルで
ある。アルキル基は、部分的にまたは完全に、フッ素化
されていてもよくそして例えばモノフルオＴＴ？メチル
、ジフルオロエチル、トリフルオロメチル、ジフルオロ
エチル、１〜リフルオロエチル、ペンタフル第１コニチ
ルまたはｌ・リフルオロプロピルである。
好ましくは、１〜８個のＣ原子、好ましくは１〜５個の
Ｃ原子を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基であ
る。アルキル基は、好ましくは直鎖状てありそしてした
がって好ましくは、メチル、エチル、プロピル、ブチル
、ペンチル、さらにまた、ヘキシル、ヘプチル、オクチ
ル、イソプロピル、第２ブチル、第３ブチル、２−メチ
ルペンチル、３−メチルペンチルまたは２一オクヂルで
ある。アルキル基は、部分的にまたは完全に、フッ素化
されていてもよくそして例えばモノフルオＴＴ？メチル
、ジフルオロエチル、トリフルオロメチル、ジフルオロ
エチル、１〜リフルオロエチル、ペンタフル第１コニチ
ルまたはｌ・リフルオロプロピルである。
Ｒ１、Ｒ３および（または）１（４が３〜８個のＣ原子
を有するシクロアルキル基またはシフ１フアルケニル基
である場合は、これらは、好ましくはシクロプロピル、
シクロブチル、シクロペンチル、シフ１コペンテニル、
シクロヘキシル、シクロヘキセニル、ツクＶ７ヘキ′リ
ージエニル、シクロヘプチル、シクロへブテニル、シク
ロヘプタジェニル、シクロブチル、シクロヘキセニル、
シクロオクタジェニル、シクロオクタ１〜リエニルまた
はシフ１コオクタデ１−ラエニルである。
を有するシクロアルキル基またはシフ１フアルケニル基
である場合は、これらは、好ましくはシクロプロピル、
シクロブチル、シクロペンチル、シフ１コペンテニル、
シクロヘキシル、シクロヘキセニル、ツクＶ７ヘキ′リ
ージエニル、シクロヘプチル、シクロへブテニル、シク
ロヘプタジェニル、シクロブチル、シクロヘキセニル、
シクロオクタジェニル、シクロオクタ１〜リエニルまた
はシフ１コオクタデ１−ラエニルである。
Ｒ１、Ｒ３および（または） Ｒ４は、また、好ましく
は、３〜８個のＣ原子、好ましくは３・〜５個のＣ原子
を有するアルケニル基である。したがって、これらは、
好ましくは、プロペニル、ブー１．６ −− テニル、ペンテニル、さらにヘキセニル、ヘプテニルま
たはオクテニルである。
は、３〜８個のＣ原子、好ましくは３・〜５個のＣ原子
を有するアルケニル基である。したがって、これらは、
好ましくは、プロペニル、ブー１．６ −− テニル、ペンテニル、さらにヘキセニル、ヘプテニルま
たはオクテニルである。
さらに、式Ｉの好ましい化合物は、Ｒ１、Ｒ３および（
または） １１４がアリール基である化合物である。ア
リール基は、好ましくはフェニル基である。このフェニ
ル基は、また、置換分を有する形態にあってもよい。こ
れらの置換分は、企図された１」的に対して有意な効果
を有していないので、分解反応に対して不利な作用を有
していないすべての置換分が可能である。
または） １１４がアリール基である化合物である。ア
リール基は、好ましくはフェニル基である。このフェニ
ル基は、また、置換分を有する形態にあってもよい。こ
れらの置換分は、企図された１」的に対して有意な効果
を有していないので、分解反応に対して不利な作用を有
していないすべての置換分が可能である。
上記の基（Ｘ−Ｙ）は、２つまたは３つの数で存在する
ことができ、そして、それらは、異なる定義を有してい
てもよく、または同じ定義を有していてもよい。同じ定
義を有するものは好ましい。
ことができ、そして、それらは、異なる定義を有してい
てもよく、または同じ定義を有していてもよい。同じ定
義を有するものは好ましい。
次式９〜３１の化合物は、式■の特に好ましい化合物の
グループを形成する。
グループを形成する。
Ｒ１−Ａρ［−（Ｃ１ｈ）ｎ−ＮＲ”Ｉｔ’］２ｇｆｔ
’−Ｇａｆ−（Ｃ１１２）ｎ−ＮＲ”Ｒ４］２１０１ｉ
’−Ｉｎ ｊ−（Ｃｌｈ）ｎ−ＮＲ”Ｒ４１２１１−、
−１，７− Ａｆｆ［−（Ｃｌ１２）ｎ−ＮＲ”ｌｔ’ｌａ
１２Ｇａ ｒ−（Ｃ１ｌ□＞ｎ
−ＮＲ３１ｔ４ ］３１３Ｉｎ［−（ＣＩＩ２）ｙ＋−
ＮＲ３１ｔ’１３ １４Ｉｆ
１−ＨＪ−（ＣＨ２）ｎ−ＰＲ” Ｉｔ’ ］２
１５Ｒ１−旧一（Ｃ
ｌ１２）ｎ−ＡｓＲ］Ｒ’ｌ］、、 １
Ｇ１４［−（Ｃｌ１２）ｎ−ＰＲ”Ｒ４］：＋１７＋［
−（ＣＨ２）ｎ−八５ｉｔ３ＩＩ’ ］：（１８Ｒ’Ｈ
［０−Ｃ６Ｎ４−１１Ｒ”Ｒ’］２
１９Ｒ】−＾β［
０−Ｃ６ｔ−１４−Ｆ］２
２０Ｒ１−Ｇａ［ｏ−Ｃ，，１（４−Ｆ］。２１Ｒ１
−Ｉｎ［ｏ−Ｃｓ１−１．４−Ｆ］２２２Ａｊ！−［０
−Ｃ６Ｈ４−Ｆ］３
２３Ｇａ−［ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｆ］３
２４Ｉｎ−［０−Ｃ６Ｈ４−Ｆ］３
２５Ｒ’−Ａβ［ｏ−Ｃ６１（４−Ｃ
２Ｆ ５］２ ２６Ｒ１−Ｇ
ａＪｏ−Ｃ６ｔ（４−ＣＪ５］２
２７Ｒ１−Ｉｎ［ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｃ２［５］２２８
Ｒ１−Ａ４［０−Ｃ６ｌＬ＋ −ＣＦ３ ］２
２９Ｒ１−Ｇａ ［０−Ｃ６Ｒ１
４−ＣＩ−３］２ ３０ｉ
ｔ１−１ｎ［０−Ｃ６Ｈ１０−ＣＦ３］２
３１− １８ ＝ 弐Ｉの化合物の本発明による使用に対して、金属原子と
２．３．４まなは５個のＣ原子により金属と分離されて
いる基Ｙ中のそれぞれの異種原子との間の結合に基づく
分子内安定化が、本質的に必要である。この分子内結合
は、式■の化合物に対して、Ｍ離金属アルキルと比較し
て空気および酸素に対する有意なより高度な安定性をυ
−える。これらの化合物は、もはや自己可燃性でなくそ
してそれ故に簡単にかつ、過度な予防手段なしに取扱う
ことかできる。
’−Ｇａｆ−（Ｃ１１２）ｎ−ＮＲ”Ｒ４］２１０１ｉ
’−Ｉｎ ｊ−（Ｃｌｈ）ｎ−ＮＲ”Ｒ４１２１１−、
−１，７− Ａｆｆ［−（Ｃｌ１２）ｎ−ＮＲ”ｌｔ’ｌａ
１２Ｇａ ｒ−（Ｃ１ｌ□＞ｎ
−ＮＲ３１ｔ４ ］３１３Ｉｎ［−（ＣＩＩ２）ｙ＋−
ＮＲ３１ｔ’１３ １４Ｉｆ
１−ＨＪ−（ＣＨ２）ｎ−ＰＲ” Ｉｔ’ ］２
１５Ｒ１−旧一（Ｃ
ｌ１２）ｎ−ＡｓＲ］Ｒ’ｌ］、、 １
Ｇ１４［−（Ｃｌ１２）ｎ−ＰＲ”Ｒ４］：＋１７＋［
−（ＣＨ２）ｎ−八５ｉｔ３ＩＩ’ ］：（１８Ｒ’Ｈ
［０−Ｃ６Ｎ４−１１Ｒ”Ｒ’］２
１９Ｒ】−＾β［
０−Ｃ６ｔ−１４−Ｆ］２
２０Ｒ１−Ｇａ［ｏ−Ｃ，，１（４−Ｆ］。２１Ｒ１
−Ｉｎ［ｏ−Ｃｓ１−１．４−Ｆ］２２２Ａｊ！−［０
−Ｃ６Ｈ４−Ｆ］３
２３Ｇａ−［ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｆ］３
２４Ｉｎ−［０−Ｃ６Ｈ４−Ｆ］３
２５Ｒ’−Ａβ［ｏ−Ｃ６１（４−Ｃ
２Ｆ ５］２ ２６Ｒ１−Ｇ
ａＪｏ−Ｃ６ｔ（４−ＣＪ５］２
２７Ｒ１−Ｉｎ［ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｃ２［５］２２８
Ｒ１−Ａ４［０−Ｃ６ｌＬ＋ −ＣＦ３ ］２
２９Ｒ１−Ｇａ ［０−Ｃ６Ｒ１
４−ＣＩ−３］２ ３０ｉ
ｔ１−１ｎ［０−Ｃ６Ｈ１０−ＣＦ３］２
３１− １８ ＝ 弐Ｉの化合物の本発明による使用に対して、金属原子と
２．３．４まなは５個のＣ原子により金属と分離されて
いる基Ｙ中のそれぞれの異種原子との間の結合に基づく
分子内安定化が、本質的に必要である。この分子内結合
は、式■の化合物に対して、Ｍ離金属アルキルと比較し
て空気および酸素に対する有意なより高度な安定性をυ
−える。これらの化合物は、もはや自己可燃性でなくそ
してそれ故に簡単にかつ、過度な予防手段なしに取扱う
ことかできる。
式１の化合物は、上昇し７な温度で分解して相当する金
属を遊離するので、ＨＯＣＶＤエピタクシ−およびＨＯ
ＣＶＤ法に非常に適している。これらの化合物は、同様
に、光−ＨｏＶＰ、レーザーＣＶＤまたはＮ ＯＭ Ｓ
のような他の気相沈着法に適している。
属を遊離するので、ＨＯＣＶＤエピタクシ−およびＨＯ
ＣＶＤ法に非常に適している。これらの化合物は、同様
に、光−ＨｏＶＰ、レーザーＣＶＤまたはＮ ＯＭ Ｓ
のような他の気相沈着法に適している。
式■の化合物は、それ自体既知のそして文献［例えば、
Ｇ、Ｂａｈｒ、 Ｐ、Ｂｕｒｂａ 、 Ｈｅ１ｈｏｄｅ
ｎ ｄｅｒＯｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ、
ＶｏｌｕｎｅＸ Ｉ［／ ４ 、ＧｅｏｒｇＴｈｉｅｍ
ｅ Ｖｃｒｌａｇ 、 Ｓｔｕｔｌｇａｒｔ
（１９７０） ］ に精確に記載されている方法に
よって、ｉＬ！！Ｉ！さノートている反応に対して知ら
れそして適当である反応条件下て製造される。また、３
子細には、記載されていないけれどもそれ自体既知の変
法も使用することができる。
Ｇ、Ｂａｈｒ、 Ｐ、Ｂｕｒｂａ 、 Ｈｅ１ｈｏｄｅ
ｎ ｄｅｒＯｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ、
ＶｏｌｕｎｅＸ Ｉ［／ ４ 、ＧｅｏｒｇＴｈｉｅｍ
ｅ Ｖｃｒｌａｇ 、 Ｓｔｕｔｌｇａｒｔ
（１９７０） ］ に精確に記載されている方法に
よって、ｉＬ！！Ｉ！さノートている反応に対して知ら
れそして適当である反応条件下て製造される。また、３
子細には、記載されていないけれどもそれ自体既知の変
法も使用することができる。
ずなわち、式Ｔの化合物は、例えば、不活性溶剤中で金
属アルキルン１フライドを適当なルイス塩基のアルカリ
金属オルカニルまたはクリ二ヤール化合物と反応させる
ことにより製造する、二とかてきる。
属アルキルン１フライドを適当なルイス塩基のアルカリ
金属オルカニルまたはクリ二ヤール化合物と反応させる
ことにより製造する、二とかてきる。
この反応は、好ましくは、不活性溶剤中て行われる。適
当な溶剤としては、この反応を１ＩＪＪ害し７ないそし
て反応の進行に係わらない溶剤はいずれもあげられる。
当な溶剤としては、この反応を１ＩＪＪ害し７ないそし
て反応の進行に係わらない溶剤はいずれもあげられる。
反応温度は、木質的に、類似の化合物の製造について文
献により知られている？温度に相当する。
献により知られている？温度に相当する。
何れかの望ましい基質ト、にうすいフィルムまたはエピ
タクシー被膜を製造する本発明による方法においては、
式■の安定化された有機金属化合物は、それ自体既知の
有機金属化合物の気相沈着法におｉｆる出発化合物とし
て使用される。
タクシー被膜を製造する本発明による方法においては、
式■の安定化された有機金属化合物は、それ自体既知の
有機金属化合物の気相沈着法におｉｆる出発化合物とし
て使用される。
この反応条件は、文献から知られそして当業者に知られ
ている条件と同じように選択することができる。
ている条件と同じように選択することができる。
化合物半導体および電子成分および光電子成分の製造に
対しては、使用される反応条件下においてカス状である
砒素、アンチモンまたは燐の化合物、例えば八５）１３
、Ａｓ （Ｃ１＋３ ）３、Ｐ）１３まなはＳ ｂ １
１３の１種または２種以上を、分解室における沈着プロ
セス中の、本発明による方法において追加的に加える。
対しては、使用される反応条件下においてカス状である
砒素、アンチモンまたは燐の化合物、例えば八５）１３
、Ａｓ （Ｃ１＋３ ）３、Ｐ）１３まなはＳ ｂ １
１３の１種または２種以上を、分解室における沈着プロ
セス中の、本発明による方法において追加的に加える。
本発明による方法の他の変法は、沈着プロセス中に本発
明の式Ｊの有機金属化合物に追加的にドープを添加する
ことである。
明の式Ｊの有機金属化合物に追加的にドープを添加する
ことである。
使用されるドープは、鉄、マグネシウム、亜鉛またはり
Ｘコムの揮発性の有機金属化合物である。
Ｘコムの揮発性の有機金属化合物である。
好ましい化合物の例は、７ｎ（ＣＩＩ３）２．１イｇ（
Ｃｈ ）２または［ｅ（０５Ｈ５）２である。
Ｃｈ ）２または［ｅ（０５Ｈ５）２である。
さらに、沈着プロセス中に、他の有機金属化合物に対し
て、ドープとして式］の化合物を加えることができる。
て、ドープとして式］の化合物を加えることができる。
＝ ２１一
本発明の方法によって製造された被膜は、′屯気的、光
学的、電子的および光電子的スイッヂンク素子、化合物
半導体またはレーザーの製造に対して使用することがて
きる。
学的、電子的および光電子的スイッヂンク素子、化合物
半導体またはレーザーの製造に対して使用することがて
きる。
熱力学的理由のために、現在使用されているエピタクシ
ー装置におりる基質上にエピタクシー被膜として沈着す
ることがてきるのは、使用した遊離金属アルキルのわず
かに約１〜１０％にずき′ないので、非常な感受性のた
めに回収できない過剰の金属アルキルの分解は、相当な
問題であるにれに反して、本発明の式■の化合物は、そ
の高度な安定性のために、危険のない分解または価値あ
る第１［Ｂ族の化合物の＋１１収に対する新しい可能性
をり〜える。
ー装置におりる基質上にエピタクシー被膜として沈着す
ることがてきるのは、使用した遊離金属アルキルのわず
かに約１〜１０％にずき′ないので、非常な感受性のた
めに回収できない過剰の金属アルキルの分解は、相当な
問題であるにれに反して、本発明の式■の化合物は、そ
の高度な安定性のために、危険のない分解または価値あ
る第１［Ｂ族の化合物の＋１１収に対する新しい可能性
をり〜える。
以下の例は、本発明の詳細な説明しようとするものであ
る′。温度は、いずれも、°Ｃて示されており、ｍ、ｐ
、は融点を示しそしてす、ｐ、は沸点を示す。
る′。温度は、いずれも、°Ｃて示されており、ｍ、ｐ
、は融点を示しそしてす、ｐ、は沸点を示す。
例 １
３−ジメチルアミツブ冒ビルリヂウノ＼５ｇ（！ｉ３．
７ミリモル）を、ペンタン＜ｏｍＱに懸濁しそしてベン
ゼン２０ｍ１！中のメチルカリウムジクロライド４ｇ（
２５，７ミリモル）の溶液をこれに滴加する。この混合
物を、はじめに室温で１時間撹拌し７そしてそれから６
時間還流する。冷却後、塩化リヂウムおよび過剰のリチ
ウム塩をフリットをとおして２戸去し、そして、溶剤を
真空除去する。残留物を６０’Ｃの油浴温度て真、空中
で昇華する。ヒス（３−ジメチルアミノプロピル）メチ
ルカリウムが、１１．１）、５２°の白色の１Ｍ体とし
て得られた。
７ミリモル）を、ペンタン＜ｏｍＱに懸濁しそしてベン
ゼン２０ｍ１！中のメチルカリウムジクロライド４ｇ（
２５，７ミリモル）の溶液をこれに滴加する。この混合
物を、はじめに室温で１時間撹拌し７そしてそれから６
時間還流する。冷却後、塩化リヂウムおよび過剰のリチ
ウム塩をフリットをとおして２戸去し、そして、溶剤を
真空除去する。残留物を６０’Ｃの油浴温度て真、空中
で昇華する。ヒス（３−ジメチルアミノプロピル）メチ
ルカリウムが、１１．１）、５２°の白色の１Ｍ体とし
て得られた。
同様にして、次の化合物を製造した。
ヒス（３−ジメチルアミノプロピル）メチルインジウム
ヒス（３−ジメチルアミツブ＋７ピル）メチルアルミニ
ウム ヒス（３−ジメチルアミノプロピル）エチルカリウム ヒス（３−ジメチルアミノプロピル）エチルインジウム −２３＝ ビス（３−ジエチルアミノプロピル）エチルアルミニウ
ム ビス（３−ジメチルアミノプロピル）プロピルカリウム ヒス（３−ジメチルアミノプロピル）プロピルインジウ
ム ヒス（３−ジメチルアミツブ＋７ピル）プロピルインジ
ウム ビス（３−ジエヂルアミノプＩＴ？ビル）メチルカリウ
ム ビス（３〜ジエチルアミツブ インジウム ビス（３−ジエチル、アミツブＩ７ピル）メチルアルミ
ニウム ヒス（２−ジメチルアミノエチル）メチルカリウム ヒス（２−ジメチルアミノエチル）メチルインジウム ビス（２−ジメチルアミノエチル）メチルアルミニウム ＝ ２４ − ビス（２−ジメチルアミノエチル）エチルカリウム ヒス（２−ジメチルアミノエチル）エチルインジウム ビス（２−ジメチルアミノエチル）エチルアルミニウム ビス（１１−ジメチルアミノブチル）メチルカリウム ヒス（４−ジメチルアミノブチル）メチルインジウム ヒス（４−ジメチルアミノブチル）メチルアルミニウム ビス（４−ジメチルアミノブチル）エチルカリウム ヒス（７１−ジメチルアミノブチル）エチルインジウム ヒス（４−ジメチルアミノブチル）エチルアルミニウム １〜リス（３−ジメチルアミノプロピル）カリＴン ム −．− ２５ −一 １〜リス（３−ジメチルアミノプロピル）インジウム １〜リス（３−ジメチルアミツブ１１ピル）アルミニウ
ム １〜リス（２−ジエチルアミノエチル）カリウム １へリス（３−ジエチルアミノプロピル）インジウム １へリス（２−ジメチルアミノエチル）アルミニウム １〜リス（４−ジメチルアミノブチル）カリウム １〜リス（４＝ジエチルアミノブヂル）カリウム １〜リス（４−ジエチルアミノブチル）インジウム
・ トリス（４−ジメチルアミノブチル）アルミニウム
ウム ヒス（３−ジメチルアミノプロピル）エチルカリウム ヒス（３−ジメチルアミノプロピル）エチルインジウム −２３＝ ビス（３−ジエチルアミノプロピル）エチルアルミニウ
ム ビス（３−ジメチルアミノプロピル）プロピルカリウム ヒス（３−ジメチルアミノプロピル）プロピルインジウ
ム ヒス（３−ジメチルアミツブ＋７ピル）プロピルインジ
ウム ビス（３−ジエヂルアミノプＩＴ？ビル）メチルカリウ
ム ビス（３〜ジエチルアミツブ インジウム ビス（３−ジエチル、アミツブＩ７ピル）メチルアルミ
ニウム ヒス（２−ジメチルアミノエチル）メチルカリウム ヒス（２−ジメチルアミノエチル）メチルインジウム ビス（２−ジメチルアミノエチル）メチルアルミニウム ＝ ２４ − ビス（２−ジメチルアミノエチル）エチルカリウム ヒス（２−ジメチルアミノエチル）エチルインジウム ビス（２−ジメチルアミノエチル）エチルアルミニウム ビス（１１−ジメチルアミノブチル）メチルカリウム ヒス（４−ジメチルアミノブチル）メチルインジウム ヒス（４−ジメチルアミノブチル）メチルアルミニウム ビス（４−ジメチルアミノブチル）エチルカリウム ヒス（７１−ジメチルアミノブチル）エチルインジウム ヒス（４−ジメチルアミノブチル）エチルアルミニウム １〜リス（３−ジメチルアミノプロピル）カリＴン ム −．− ２５ −一 １〜リス（３−ジメチルアミノプロピル）インジウム １〜リス（３−ジメチルアミツブ１１ピル）アルミニウ
ム １〜リス（２−ジエチルアミノエチル）カリウム １へリス（３−ジエチルアミノプロピル）インジウム １へリス（２−ジメチルアミノエチル）アルミニウム １〜リス（４−ジメチルアミノブチル）カリウム １〜リス（４＝ジエチルアミノブヂル）カリウム １〜リス（４−ジエチルアミノブチル）インジウム
・ トリス（４−ジメチルアミノブチル）アルミニウム
Claims (7)
- （１）式 I （Ｒ＾１）＿３＿−＿ｍＭ（Ｘ−Ｙ）＿ｍ I ［式中、
ｍは、２または３であり、 Ｍは、アルミニウム、ガリウムまたはイン ジウムであり、 Ｙは、（ａ）異種原子が第Ｖ族典型元素に由来する５員
または６員の複素環、 −ＮＲ＾３Ｒ＾４、−ＰＲ＾３Ｒ＾４、−ＡｓＲ＾３Ｒ
＾４、−ＳｂＲ＾３Ｒ＾４であるか、または （ｂ）−Ｆまたは１〜７個のＣ原子を有 するパーフルオロアルキル基であり、 Ｘは、Ｏ−（ＣＨ＿２）＿ｐ−Ｃ＿６Ｈ＿４−（ＣＨ＿
２）＿ｑ−、１，２−（ＣＨ＿２）＿ｐ−Ｃ＿６Ｈ＿１
＿０−（ＣＨ＿２）＿ｑ−、１，２−（ＣＨ＿２）＿ｐ
−Ｃ＿６Ｈ＿８−（ＣＨ＿２）＿ｑ−、１，２−（ＣＨ
＿２）＿ｐ−Ｃ＿６Ｈ＿６−（ＣＨ＿２）＿ｑ−、１，
２−（ＣＨ＿２）＿ｐ−Ｃ＿６Ｈ＿８−（ＣＨ＿２）＿
ｑ−、１，２−（ＣＨ＿２）＿ｐ−Ｃ＿５Ｈ＿６−（Ｃ
Ｈ＿２）＿ｑ−、１，２−（ＣＨ＿２）＿ｐ−Ｃ＿５Ｈ
＿４−（ＣＨ＿２）＿ｑ−、または、１，２−（ＣＨ＿
２）＿ｐ−Ｃ＿４Ｈ＿６−（ＣＨ＿２）＿ｑ−、である
か、または、Ｙが（ａ）に定義した通りである場合は、
Ｘは、また、−（ＣＨＲ＾２）＿ｎ−であり、 ｎは、１、２、３、４または５であり、 Ｒ＾２は、それぞれの場合において、Ｈであるかまたは
１〜７個のＣ原子を有するアルキル基であり、そして該
アルキル基は部分的にまたは完全にフッ素化されていて
もよく、 ｐおよびｑは、それぞれ相互に独立して、 ０、１、２または３であり、そして、 Ｒ＾１、Ｒ＾３およびＲ＾４は、それぞれ相互に独立し
て、Ｈであるか、または、８個までのＣ原子を有するア
ルキル基またはアルケニル基であり、これらの基は、部
分的にまたは完全にフッ素化されていてもよく、あるい
は、また、３〜８個のＣ原子を有するシクロアルキル基
またはシクロアルケニル基またはアリール基である］の
有機金属化合物。 - （２）基質上に気相から、第III（Ｍ）族の典型元素ま
たは第III／Ｖ族の典型元素の組み合せの金属を沈着さ
せるために使用する請求項１記載の式 I の有機金属化
合物。 - （３）エピタクシー被膜を沈着させるために使用する請
求項１記載の式 I の有機金属化合物。 - （４）有機金属化合物からの気相沈着によつて基質上に
うすいフィルムを製造する方法であつて、その有機金属
化合物が請求項１記載の式 I の化合物であることを特
徴とする方法。 - （５）使用される反応条件下でガス状である砒素、アン
チモンまたは燐化合物の１種または２種以上を沈着プロ
セス中に供給し、化合物半導体、電気的、電子的、光学
的および光電子的成分を製造することを特徴とする請求
項４記載の方法。 - （６）式 I の有機金属化合物のほかに、ドープを沈着
プロセス中に添加することを特徴とする請求項４記載の
方法。 - （７）請求項１記載の式 I の化合物を、他の有機金属
化合物の沈着プロセス中にドープとして添加することを
特徴とする請求項４記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3913165A DE3913165C2 (de) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Metallorganische Verbindungen sowie deren Verwendung zur Herstellung dünner Schichten |
| DE3913165.3 | 1989-04-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304092A true JPH02304092A (ja) | 1990-12-17 |
| JP2977857B2 JP2977857B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=6379167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2103232A Expired - Fee Related JP2977857B2 (ja) | 1989-04-21 | 1990-04-20 | 有機金属化合物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0399190A1 (ja) |
| JP (1) | JP2977857B2 (ja) |
| KR (1) | KR0152658B1 (ja) |
| DE (1) | DE3913165C2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4109723A1 (de) * | 1991-03-25 | 1992-10-01 | Merck Patent Gmbh | Metallorganische verbindungen |
| GB9919071D0 (en) * | 1999-08-12 | 1999-10-13 | Isis Innovation | Deposition compounds |
| US8941013B2 (en) | 2012-05-30 | 2015-01-27 | Shawn X. ARNOLD | Multilayer laminated structure for plug and connector with spring finger interconnecting feature |
| EP3116883B1 (de) | 2014-03-14 | 2019-08-14 | Umicore AG & Co. KG | Verfahren zur herstellung von trialkylgallium-verbindungen und deren verwendung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2123422B (en) * | 1982-07-19 | 1985-11-06 | British Telecomm | Production of compounds for use in semiconductor preparation |
| EP0108469B1 (en) * | 1982-08-13 | 1986-10-15 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Preparation of organometallic indium and gallium compounds |
| DE3631469A1 (de) * | 1986-09-16 | 1988-03-17 | Merck Patent Gmbh | Metallorganische verbindungen |
-
1989
- 1989-04-21 DE DE3913165A patent/DE3913165C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-04-06 EP EP90106669A patent/EP0399190A1/de not_active Withdrawn
- 1990-04-18 KR KR1019900005418A patent/KR0152658B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-20 JP JP2103232A patent/JP2977857B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900016230A (ko) | 1990-11-13 |
| DE3913165C2 (de) | 2000-05-18 |
| DE3913165A1 (de) | 1990-10-25 |
| JP2977857B2 (ja) | 1999-11-15 |
| EP0399190A1 (de) | 1990-11-28 |
| KR0152658B1 (ko) | 1998-10-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |