JPH02304328A - 光ファイバ障害点探索方法および装置 - Google Patents
光ファイバ障害点探索方法および装置Info
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- JPH02304328A JPH02304328A JP12291489A JP12291489A JPH02304328A JP H02304328 A JPH02304328 A JP H02304328A JP 12291489 A JP12291489 A JP 12291489A JP 12291489 A JP12291489 A JP 12291489A JP H02304328 A JPH02304328 A JP H02304328A
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Landscapes
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ファイバの障害点を光学的に探索する光ファ
イバ障害点探索方法と、これを用いた装置 (OTDR
:0ptical Tiff1e Domain
Rcf’lectometer)に関する。
イバ障害点探索方法と、これを用いた装置 (OTDR
:0ptical Tiff1e Domain
Rcf’lectometer)に関する。
光ファイバアナライザと呼ばれる光ファイバ障害点探索
装置は、披l1−1定光ファイバに測定用のパルス光を
入射し、レーリー散乱光(後方散乱光)あるいはフレネ
ル反射光等に起因する戻り光強度の時間的変化を検出し
、これによって障害点を検出するようになっている。こ
のような0TDRにおいては、従来から光検出器として
アバランシェフォトダイオード(A P D)や高速フ
ォトダイオード等が用いられている。
装置は、披l1−1定光ファイバに測定用のパルス光を
入射し、レーリー散乱光(後方散乱光)あるいはフレネ
ル反射光等に起因する戻り光強度の時間的変化を検出し
、これによって障害点を検出するようになっている。こ
のような0TDRにおいては、従来から光検出器として
アバランシェフォトダイオード(A P D)や高速フ
ォトダイオード等が用いられている。
一方、被111定光ファイバに障害があると障害点で強
いフレネル反射光を生じ、これが戻り光とI7て光検出
器に入射されることになる。このため、光検出器や後段
の増幅器の応答波形にいわゆる「すそひき」が生じ、障
害点のより後方(特に直後)の時間域で観測不能域が現
れていた。そこで、この、欠点を除去するため、従来か
ら光偏向器などを用いたマスク機能を付加することがな
されている。
いフレネル反射光を生じ、これが戻り光とI7て光検出
器に入射されることになる。このため、光検出器や後段
の増幅器の応答波形にいわゆる「すそひき」が生じ、障
害点のより後方(特に直後)の時間域で観測不能域が現
れていた。そこで、この、欠点を除去するため、従来か
ら光偏向器などを用いたマスク機能を付加することがな
されている。
しかしながら、従来の赤外光の検出にはGsやIn S
b PのAPDやフォトダイオードが用いられるが、こ
れら光検出素子のノイズは可視充用のStフォトダイオ
ードに比べて高レベルであり、また電流増幅率も低く、
長距離の光ファイバ障害 、点探索には使えなかった
。一方、光検出器としての光電子増倍管やSi −AP
Dは極めて低ノイズ、高感度ではあるが、長波長帯では
感度が著しく低い。特に、光ファイバ通信に用いられる
波長1.3〜1.55μmの赤外光に対しては極めて低
感度であるので、はとんど実用化されていない。
b PのAPDやフォトダイオードが用いられるが、こ
れら光検出素子のノイズは可視充用のStフォトダイオ
ードに比べて高レベルであり、また電流増幅率も低く、
長距離の光ファイバ障害 、点探索には使えなかった
。一方、光検出器としての光電子増倍管やSi −AP
Dは極めて低ノイズ、高感度ではあるが、長波長帯では
感度が著しく低い。特に、光ファイバ通信に用いられる
波長1.3〜1.55μmの赤外光に対しては極めて低
感度であるので、はとんど実用化されていない。
一方、光−内器を用いることで「すそひき」の除去を行
なおうとしても、光偏向器自体の応答速度やドライブ回
路の帯域などの制限のため、上記の観a−1不能域は3
0m程度以下とすることができなかった。また、光偏向
器を用いると、3〜6dBの損失が生じてしまう。
なおうとしても、光偏向器自体の応答速度やドライブ回
路の帯域などの制限のため、上記の観a−1不能域は3
0m程度以下とすることができなかった。また、光偏向
器を用いると、3〜6dBの損失が生じてしまう。
そこで本発明は、ダイナミックレンジを拡げると共に時
間分解能を向上させるを可能とし、望ましくは障害点直
後の観ΔP1不能域を生じなくすることが可能な先ファ
イバ障害点探索方法と、これを用いた装置を提供するこ
とを目的とする。
間分解能を向上させるを可能とし、望ましくは障害点直
後の観ΔP1不能域を生じなくすることが可能な先ファ
イバ障害点探索方法と、これを用いた装置を提供するこ
とを目的とする。
本発明に係る光ファイバ障害点探索方法および装置は、
被測定光ファイバにδか1定パルス光を入射したときの
戻り光の強度の時間的変化から、被11$1定光ファイ
バの障害点を探索するものに適用され、披7il定光フ
ァイバからの戻り光をポンプ光との間で和または差周波
混合させることより、観測波形を求めることを特徴とす
る。
被測定光ファイバにδか1定パルス光を入射したときの
戻り光の強度の時間的変化から、被11$1定光ファイ
バの障害点を探索するものに適用され、披7il定光フ
ァイバからの戻り光をポンプ光との間で和または差周波
混合させることより、観測波形を求めることを特徴とす
る。
すなわち、本発明方法は、被測定光ファイバからの戻り
光と波長が異なるポンプ光を当該戻り光に結合させて和
または差周波混合による和または差周波光を生成させ、
この和または差周波光強度の時間的変化を観l−1する
ことにより、戻り光強度の時間的変化に相似の観測波形
を得ることを特徴とする。
光と波長が異なるポンプ光を当該戻り光に結合させて和
または差周波混合による和または差周波光を生成させ、
この和または差周波光強度の時間的変化を観l−1する
ことにより、戻り光強度の時間的変化に相似の観測波形
を得ることを特徴とする。
また、本発明の装置は、被測定光ファイバからの戻り光
と波長が異なるポンプ光を出射するポンプ光源と、戻り
光とポンプ光を入射して和または差周波混合による和ま
たは差周波光を生成する非線形光学素子と、和または差
周波光の強度の時間的変化を観測する観測手段とを備え
ることを特徴とする。
と波長が異なるポンプ光を出射するポンプ光源と、戻り
光とポンプ光を入射して和または差周波混合による和ま
たは差周波光を生成する非線形光学素子と、和または差
周波光の強度の時間的変化を観測する観測手段とを備え
ることを特徴とする。
ここで、戻り光の強度がフレネル反射などによって急に
高くなる時間間隔でポンプ光強度が零または十分に低レ
ベルとなるようにポンプ光源(例えば半導体レーザ)を
制御するようにしてもよく、観測手段を光電子増倍管と
、その出力を計数するカウンタと、光電子増倍管の出力
のうちの所定レベル以下のものをノイズとして除去する
ノイズ除去回路を用いて構成してもよい。
高くなる時間間隔でポンプ光強度が零または十分に低レ
ベルとなるようにポンプ光源(例えば半導体レーザ)を
制御するようにしてもよく、観測手段を光電子増倍管と
、その出力を計数するカウンタと、光電子増倍管の出力
のうちの所定レベル以下のものをノイズとして除去する
ノイズ除去回路を用いて構成してもよい。
本発明の光ファイバ障害点探索方法によれば、戻り光が
周波数の異なるポンプ光との間で和または差周波混合さ
れることにより、和または差周波光の波長に適した分光
感度特性の光検出器を用いて戻り強度の時間的変化に相
似の観測波形を得ることができる。
周波数の異なるポンプ光との間で和または差周波混合さ
れることにより、和または差周波光の波長に適した分光
感度特性の光検出器を用いて戻り強度の時間的変化に相
似の観測波形を得ることができる。
また、本発明の装置によれば、ポンプ光を出力するポン
プ光源や、和または差周波混合を生成させる非線形光学
素子や、あるいは従来の0TDR等で用いられている光
検出手段などを組み合せるだけで、上記の観測波形を得
ることができる。また、戻り光強度のピーク部分でポン
プ光を変調すれば、「すそ引き」の除去もなし得る。ま
た、光電子増倍管を用いて光子計数法を採用することに
より、ダイナミックレンジを飛躍的に向上させることが
できる。更に、CRTなどの表示手段を設ければ、観1
lp1波形を画像上で表示することもできる。
プ光源や、和または差周波混合を生成させる非線形光学
素子や、あるいは従来の0TDR等で用いられている光
検出手段などを組み合せるだけで、上記の観測波形を得
ることができる。また、戻り光強度のピーク部分でポン
プ光を変調すれば、「すそ引き」の除去もなし得る。ま
た、光電子増倍管を用いて光子計数法を採用することに
より、ダイナミックレンジを飛躍的に向上させることが
できる。更に、CRTなどの表示手段を設ければ、観1
lp1波形を画像上で表示することもできる。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の実施例に係る光ファイバ障害点探索方
法を適用した装置の構成図であり、第2図は7I−1定
の様子を示すタイミング図である。第1図に示す如く、
例えば半導体レーザで構成されるalll定パルス光F
7.1からの測定パルス光PIN(波長λ1)は、第1
の光結合器2を介して被測定光ファイバ3に入射される
。測定パルス光PINは被測定光ファイバ3を伝播する
過程でレーリー散乱やフレネル反射により減衰し、図中
に実線のパルス波形で示すようになる。一方、戻り光P
は点UT 線のパルス波形で示すようになる。従って、第2図のタ
イミングチャートのように、同図(a)の如き測定パル
ス光PINが被側定光ファイバ3に入射されたときは、
戻り光P の強度Iλ1の時UT 量的変化は同図(b)のようになる。ここで、戻り光P
の強度が急激に変化する点は、被測定UT 光ファイバ3の著しい障害点や光コネクタ等による接続
点を示し、ゆるやかな変化はファイバ中のレーリー散乱
等を示している。
法を適用した装置の構成図であり、第2図は7I−1定
の様子を示すタイミング図である。第1図に示す如く、
例えば半導体レーザで構成されるalll定パルス光F
7.1からの測定パルス光PIN(波長λ1)は、第1
の光結合器2を介して被測定光ファイバ3に入射される
。測定パルス光PINは被測定光ファイバ3を伝播する
過程でレーリー散乱やフレネル反射により減衰し、図中
に実線のパルス波形で示すようになる。一方、戻り光P
は点UT 線のパルス波形で示すようになる。従って、第2図のタ
イミングチャートのように、同図(a)の如き測定パル
ス光PINが被側定光ファイバ3に入射されたときは、
戻り光P の強度Iλ1の時UT 量的変化は同図(b)のようになる。ここで、戻り光P
の強度が急激に変化する点は、被測定UT 光ファイバ3の著しい障害点や光コネクタ等による接続
点を示し、ゆるやかな変化はファイバ中のレーリー散乱
等を示している。
戻り光P は第1の光結合器2を介して第2UT
の光結合器4に入射され、ここでポンプ光源5から出射
されたポンプ光と合成(光結合)される。
されたポンプ光と合成(光結合)される。
ここで、ポンプ光源5は例えば半導体レーザで構成され
るが、出力されるポンプ光の波長λ2は戻り光P の
波長λ1と異なるものでなければなUT らない。なぜなら、非線形光学素子からはポンプ光と戻
り光の第2高調波(λ 、λ )が発生するので、
ポンプ光と戻り光が同一波長のときは和周波光と同一波
長になってノイズ成分となるからである。
るが、出力されるポンプ光の波長λ2は戻り光P の
波長λ1と異なるものでなければなUT らない。なぜなら、非線形光学素子からはポンプ光と戻
り光の第2高調波(λ 、λ )が発生するので、
ポンプ光と戻り光が同一波長のときは和周波光と同一波
長になってノイズ成分となるからである。
このような戻り光P とポンプ光が第2の光tlT
結合器4で合成されて非線形光学素子6に入射されると
、和または差周波混合によって波長がλ3の和または差
周波光が生成される。、ここで、非線形光学素子6は例
えばLiNbO2などの異方性結晶で形成されるが、こ
の非線形光学索子6による和または差周波混合で生成さ
れる光は、和周波混合光(強度:■λ 、振動数: (
,73M2π・C/λ3)について例示すれば、入射光
の強度をIλ 、Iλ2とし、振動数をω −2π・C
/l
iλ ω −2π・C/λ2とすると(Cは光1’
2 速)、 I λ ■ ■ λ 拳 I λω3−ω1+ω
2 となる。また、これ以外に前述の戻り光とポンプ光の第
2高調波!λ 、■λ5も発生する。
、和または差周波混合によって波長がλ3の和または差
周波光が生成される。、ここで、非線形光学素子6は例
えばLiNbO2などの異方性結晶で形成されるが、こ
の非線形光学索子6による和または差周波混合で生成さ
れる光は、和周波混合光(強度:■λ 、振動数: (
,73M2π・C/λ3)について例示すれば、入射光
の強度をIλ 、Iλ2とし、振動数をω −2π・C
/l
iλ ω −2π・C/λ2とすると(Cは光1’
2 速)、 I λ ■ ■ λ 拳 I λω3−ω1+ω
2 となる。また、これ以外に前述の戻り光とポンプ光の第
2高調波!λ 、■λ5も発生する。
従って、非線形光学素子6から出射された光を分光手段
7に入射して波長λ3の和周波光のみを抽出すると、こ
の光の波長λ3は元の光の波長(λ 、λ2)よりも短
波長となり、光検出器8として暗71mの少ないS!−
フォトダイオードや、光が微弱なときに適した光電子増
倍管(PMT)を用いることができる。
7に入射して波長λ3の和周波光のみを抽出すると、こ
の光の波長λ3は元の光の波長(λ 、λ2)よりも短
波長となり、光検出器8として暗71mの少ないS!−
フォトダイオードや、光が微弱なときに適した光電子増
倍管(PMT)を用いることができる。
このように本実施例では、′W41の特徴としてポンプ
光と被測定光による波長変換光(例えば和周枝先)を検
出対象としているので、次のような特徴的作用がある。
光と被測定光による波長変換光(例えば和周枝先)を検
出対象としているので、次のような特徴的作用がある。
すなわち、PMTの前に波長変換手段としての非線形光
学素子を設けて、長波長帯の光を可曳域の光に変換し、
PMTで光検出を行うことができる。波長変換手段とし
てはLiNbO2などの非線形光学材料で導波路構造を
持つものが開発され、その変換効率は1%以上に達して
いる。この球な波長変換手段とPMTを組合せた時の量
子効率は0.3%程度であり、現在市販の0TDRに使
用されているAPDの量子効率(50〜80%)と比べ
ると1/170〜1/270程度である。しかしながら
、APDは増倍率がGc−APDで400程度以下、I
n GaAsで40程度以下と低く、また暗電流による
雑音やアバランシェ増幅時のショット雑音が大きい。
学素子を設けて、長波長帯の光を可曳域の光に変換し、
PMTで光検出を行うことができる。波長変換手段とし
てはLiNbO2などの非線形光学材料で導波路構造を
持つものが開発され、その変換効率は1%以上に達して
いる。この球な波長変換手段とPMTを組合せた時の量
子効率は0.3%程度であり、現在市販の0TDRに使
用されているAPDの量子効率(50〜80%)と比べ
ると1/170〜1/270程度である。しかしながら
、APDは増倍率がGc−APDで400程度以下、I
n GaAsで40程度以下と低く、また暗電流による
雑音やアバランシェ増幅時のショット雑音が大きい。
このため、最小受信レベルは100MH2の帯域で40
nW程度である。一方、波長変換手段としての非線形光
学素子とPMTの組合せによれば、全体の量子効率は低
いが、検出器であるPMTが低ノイズかつ高ゲインを持
つことにより、最小受信レベルは100MH2の帯域で
8nW程度であり、APDを使用した装置よりS/Nが
良く、大きなダイナミックレンジが得られる。
nW程度である。一方、波長変換手段としての非線形光
学素子とPMTの組合せによれば、全体の量子効率は低
いが、検出器であるPMTが低ノイズかつ高ゲインを持
つことにより、最小受信レベルは100MH2の帯域で
8nW程度であり、APDを使用した装置よりS/Nが
良く、大きなダイナミックレンジが得られる。
光検出器8の出力は増幅器9で増幅され、信号処理回路
10に送られる。ここで、信号処理回路の入力部分には
A/D変換器(図示せず)が設けられて信号のデジタル
化がされるが、後述の光子計数法を採用するときはA/
D変換器の代りにカウンタが設けられる。
10に送られる。ここで、信号処理回路の入力部分には
A/D変換器(図示せず)が設けられて信号のデジタル
化がされるが、後述の光子計数法を採用するときはA/
D変換器の代りにカウンタが設けられる。
信号処理回路10は所定タイミングでΔ−1定パルス光
PINが出力されるように測定パルス光源1を制御しな
がら、戻り光P のレベルの急な立ちUT 上りタイミングに同期してポンプ光が十分に低レベルと
なるようにポンプ光源5を制御する。第2図を参照して
これを説明すると、同図(a)のように測定パルス光P
INがn1定パルス光源1から出射されると、戻り光P
の時間的変化は同図UT (b)のようになる。ここで、光強度がピークを示す時
点t 、tz、tzは、光伝送路における障害点や光コ
ネクタ等に対応している。
PINが出力されるように測定パルス光源1を制御しな
がら、戻り光P のレベルの急な立ちUT 上りタイミングに同期してポンプ光が十分に低レベルと
なるようにポンプ光源5を制御する。第2図を参照して
これを説明すると、同図(a)のように測定パルス光P
INがn1定パルス光源1から出射されると、戻り光P
の時間的変化は同図UT (b)のようになる。ここで、光強度がピークを示す時
点t 、tz、tzは、光伝送路における障害点や光コ
ネクタ等に対応している。
これを従来の技術で観測すると、同図(c)のように時
点1,12.13で著しい「すそ引き」■ を生じる。そこで本実施例では、信号処理回路10から
の指令によってポンプ光源5を制御し、第2図中のΔt
、Δt 、Δt3の期間すなわち戻り光強度がピーク
となるときに、ポンプ光Iλ2が出力されない(又は十
分に低レベルの出力となる)ようにする。具体的には、
ポンプ光源5を構成する半導体レーザは10GH2程度
の高速変調が可能であり、かつこれは直流的にレーザ発
振しているので、この半導体レーザへの駆動電流を第2
図(f)のように制御する。すると、非線形光学素子6
に入射されるポンプ光Iλ2のレベルは、第2図(d)
のように期間Δ11゜105倍も高レベルのフレネル反
射光が戻ってきでも、和周波混合光はゼロ又は十分な低
レベルに保たれるので光検出器8は飽和しない。これに
より、同図(e)のような戻り光P の時間変化UT に対応した観δ−1波形が得られる。この処理結果は、
信号処理回路10から表示装置11に送られ、両面上で
kll 11?1波形が表示される。
点1,12.13で著しい「すそ引き」■ を生じる。そこで本実施例では、信号処理回路10から
の指令によってポンプ光源5を制御し、第2図中のΔt
、Δt 、Δt3の期間すなわち戻り光強度がピーク
となるときに、ポンプ光Iλ2が出力されない(又は十
分に低レベルの出力となる)ようにする。具体的には、
ポンプ光源5を構成する半導体レーザは10GH2程度
の高速変調が可能であり、かつこれは直流的にレーザ発
振しているので、この半導体レーザへの駆動電流を第2
図(f)のように制御する。すると、非線形光学素子6
に入射されるポンプ光Iλ2のレベルは、第2図(d)
のように期間Δ11゜105倍も高レベルのフレネル反
射光が戻ってきでも、和周波混合光はゼロ又は十分な低
レベルに保たれるので光検出器8は飽和しない。これに
より、同図(e)のような戻り光P の時間変化UT に対応した観δ−1波形が得られる。この処理結果は、
信号処理回路10から表示装置11に送られ、両面上で
kll 11?1波形が表示される。
第2図に示すタイミングt 、tz、taは、■
次のようにして求められる。まず、入射パルスP を光
ファイバ3に入射して戻り光P の波I N
OUT形を観i’1lll
すると、第2図(C)の波形が得られる。
ファイバ3に入射して戻り光P の波I N
OUT形を観i’1lll
すると、第2図(C)の波形が得られる。
ここで、観測波形の急な立ち上り時点は上記のタイミン
グt 、tz、tzに対応しているので、これを信号処
理回路10に記憶しておく、次にミ再び入射パルスPI
Nを光ファイバ3に入射し、和周波光の波形を観測する
。このとき、信号処理回路10に記憶しであるタイミン
グt 、tz。
グt 、tz、tzに対応しているので、これを信号処
理回路10に記憶しておく、次にミ再び入射パルスPI
Nを光ファイバ3に入射し、和周波光の波形を観測する
。このとき、信号処理回路10に記憶しであるタイミン
グt 、tz。
tzにもとづき、ポンプ光源5を構成する半導体レーザ
を第2図(f)の電流で高速変調する。なお、タイミン
グ1,12.13は別途に設けた光検出器により求めて
もよく、表示装置上の波形から手動で制御してもよい。
を第2図(f)の電流で高速変調する。なお、タイミン
グ1,12.13は別途に設けた光検出器により求めて
もよく、表示装置上の波形から手動で制御してもよい。
次に、上記の実施例を数値によって、より具体的に説明
する。
する。
まず、測定パルス光源1としては、通常の光通信に用い
られている波長(λl−1,3μm。
られている波長(λl−1,3μm。
1.55μm)の半導体レーザを用いることができる。
ΔIIJ定パルス光PINのパルス幅は通常は数10n
sec〜数μsec程度であるが、距離分解能を上げる
ためには、パルス幅が30psec程度の超短パルス光
とすることが望ましい。かかるtii短パルス先は、半
導体レーザをパルス幅100psec程度の駆動パルス
電流で発光させ、緩和振動の第1パルスを利用すること
により容易にiすられる。
sec〜数μsec程度であるが、距離分解能を上げる
ためには、パルス幅が30psec程度の超短パルス光
とすることが望ましい。かかるtii短パルス先は、半
導体レーザをパルス幅100psec程度の駆動パルス
電流で発光させ、緩和振動の第1パルスを利用すること
により容易にiすられる。
ポンプ光を出力するポンプ光源5についても半導体レー
ザを用いることができる。ここで、ポンプ光の波長λ
は測定パルス光PINの波長λ1と異なることが必要で
あり、例えばλ22−850nに設定される。従って、
n1定パルス光PINの波長λ1を1.55μmとする
と、和周波光の波長λ3は549nm程度(可視光)と
なる。第1の光結合器2および第2の光結合器4として
は光方向性結合器などを用いることができ、分光手段7
としては狭帯域の光学フィルタや分光器を用いることが
できる。
ザを用いることができる。ここで、ポンプ光の波長λ
は測定パルス光PINの波長λ1と異なることが必要で
あり、例えばλ22−850nに設定される。従って、
n1定パルス光PINの波長λ1を1.55μmとする
と、和周波光の波長λ3は549nm程度(可視光)と
なる。第1の光結合器2および第2の光結合器4として
は光方向性結合器などを用いることができ、分光手段7
としては狭帯域の光学フィルタや分光器を用いることが
できる。
次に、本発明の変形例を第3図および第4図により説明
する。
する。
この変形例はil?1定のダイナミックレンジを向上さ
せるために、いわゆる光子計数法を応用している。すな
わち、光電子増倍管(PMT)への入射光が極めて微弱
になると、PMTの出力は離散的なパルス状となるが、
そのパルスの時間間隔が入射光量に反比例する現象が知
られている。したがって、そのパルス間隔もしくは所定
時間内のパルス数を計数すれば、入射光の強度を知るこ
とができる。アンプを通したPMTの出力信号は第3図
(a)のようになる。この出力に所定のしきい値Vth
を設け、■th以下の信号をカットすれば、PMT及び
増幅部(AMP)のノイズを除去できる。
せるために、いわゆる光子計数法を応用している。すな
わち、光電子増倍管(PMT)への入射光が極めて微弱
になると、PMTの出力は離散的なパルス状となるが、
そのパルスの時間間隔が入射光量に反比例する現象が知
られている。したがって、そのパルス間隔もしくは所定
時間内のパルス数を計数すれば、入射光の強度を知るこ
とができる。アンプを通したPMTの出力信号は第3図
(a)のようになる。この出力に所定のしきい値Vth
を設け、■th以下の信号をカットすれば、PMT及び
増幅部(AMP)のノイズを除去できる。
そのため、所定時間内のパルス数を計数すれば、ノイズ
を除去した極めて高いS/Nの光測定が可能である。
を除去した極めて高いS/Nの光測定が可能である。
増幅後のPMTの出力信号をパルス波形分布として示す
と、第3図(b)のようになる。同図において、実線の
曲線は信号パルスと暗電流パルスの和を示し、ハツチン
グは暗電流成分を示す。図示の通り、しきい値vth以
下をカットすれば、信号成分以下のノイズ成分の多くを
除去し得ることがわかる。
と、第3図(b)のようになる。同図において、実線の
曲線は信号パルスと暗電流パルスの和を示し、ハツチン
グは暗電流成分を示す。図示の通り、しきい値vth以
下をカットすれば、信号成分以下のノイズ成分の多くを
除去し得ることがわかる。
第4図は光ファイバからの戻り光(被測定光)の強度と
、PMTの出力(信号パルス)の関係を。
、PMTの出力(信号パルス)の関係を。
模式的に示している。図示の通り、P FvI Tから
のパルス出力の頻度は戻り光の強度と対応している。
のパルス出力の頻度は戻り光の強度と対応している。
そこで、等間隔(Δt)のチャネルCHo〜CHごとに
出力パルス数をカウントし、カウンロ ト値を個々のメモリに格納すれば、戻り光強度をチャネ
ルCHo−CHoごとに求め得る。ここで、第4図のよ
うな光子計数を複数回繰り返し、カウント値をチャネル
CHo−C1nごとに加算していけば、高分解能で高い
ダイナミックレンジの光ファイバ障害点探索が可能にな
る。
出力パルス数をカウントし、カウンロ ト値を個々のメモリに格納すれば、戻り光強度をチャネ
ルCHo−CHoごとに求め得る。ここで、第4図のよ
うな光子計数を複数回繰り返し、カウント値をチャネル
CHo−C1nごとに加算していけば、高分解能で高い
ダイナミックレンジの光ファイバ障害点探索が可能にな
る。
本発明については、種々の変形が可能である。
例えば、非線形光学素子にはAj!Ga Asを用いた
ものや、MBANP (2メチル・ベンジン−アミノ・
5・ニトロピリジン)を用いたものが適用可能である。
ものや、MBANP (2メチル・ベンジン−アミノ・
5・ニトロピリジン)を用いたものが適用可能である。
また、導波路構造のチェレンコフ放射型のものを用いる
と、感度およびS/Nを向上できる。
と、感度およびS/Nを向上できる。
以上、詳細に説明した通り本発明の方法によれば、戻り
光が周波数の異なるポンプ光との間で和または差周波混
合されて、これが検出されることにより、検出光の波長
に適した分光感度特性の光検出器を用いることができる
。このため、高感度かつ低ノイズの波形を得ることがで
きる。
光が周波数の異なるポンプ光との間で和または差周波混
合されて、これが検出されることにより、検出光の波長
に適した分光感度特性の光検出器を用いることができる
。このため、高感度かつ低ノイズの波形を得ることがで
きる。
また、本発明の装置によれば、ポンプ光を出力するポン
プ光源や、非線形光学素子や、あるいは従来の0TDR
等で用いられている光検出手段などを組み合せるだけで
、上記の観測波形を得ることができる。また、フレネル
反射による戻り光強度のピーク部分でポンプ光を変調す
ることにより、いわゆる「すそ引き」をなくすことがで
きる。また、光電子増倍管を用いて光子計数法を採用す
ることにより、ダイナミックレンジを向上させることが
できる。更に、CRTなどの表示手段を設ければ、観測
波形を画像上で表示することもできる。
プ光源や、非線形光学素子や、あるいは従来の0TDR
等で用いられている光検出手段などを組み合せるだけで
、上記の観測波形を得ることができる。また、フレネル
反射による戻り光強度のピーク部分でポンプ光を変調す
ることにより、いわゆる「すそ引き」をなくすことがで
きる。また、光電子増倍管を用いて光子計数法を採用す
ることにより、ダイナミックレンジを向上させることが
できる。更に、CRTなどの表示手段を設ければ、観測
波形を画像上で表示することもできる。
このように、本発明は被測定光ファイバにおける距離分
解能を大幅に改善し、しかも障害点直後の観ΔF1不能
域を実質的に生じなくすることを可能にしているので、
精度の高い障害点探索を実現することができる。
解能を大幅に改善し、しかも障害点直後の観ΔF1不能
域を実質的に生じなくすることを可能にしているので、
精度の高い障害点探索を実現することができる。
第1図は本発明の実施例に係る光ファイバ障害点探索方
法を適用した装置の構成図、第2図は実施例の作用を示
すタイミング図、第3図および第4図は光子計数法を採
用した実施例の作用を示す図である。 1・・・測定パルス光源、2・・・第1の光結合器、3
・・・被aP1定光ファイバ、4・・・第2の光結合器
、5・・・ポンプ光源、6・・・非線形光学素子、7・
・・分光手段、8・・・光検出器、9・・・増幅器、1
0・・・信号処理回路、11・・・表示装置、PIN・
・・a?1定パルス光、P ・・・戻り光。 UT 代理人弁理士 長谷用 芳 樹実施例の作用 光子り十数法の言兜日月 第3図
法を適用した装置の構成図、第2図は実施例の作用を示
すタイミング図、第3図および第4図は光子計数法を採
用した実施例の作用を示す図である。 1・・・測定パルス光源、2・・・第1の光結合器、3
・・・被aP1定光ファイバ、4・・・第2の光結合器
、5・・・ポンプ光源、6・・・非線形光学素子、7・
・・分光手段、8・・・光検出器、9・・・増幅器、1
0・・・信号処理回路、11・・・表示装置、PIN・
・・a?1定パルス光、P ・・・戻り光。 UT 代理人弁理士 長谷用 芳 樹実施例の作用 光子り十数法の言兜日月 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被測定光ファイバに測定パルス光を入射したときの
戻り光の強度の時間的変化から、前記被測定光ファイバ
の障害点を探索する光ファイバ障害点探索方法において
、 前記戻り光と波長が異なるポンプ光を当該戻り光に結合
させて和または差周波混合による和または差周波光を生
成させ、この和または差周波光強度の時間的変化を観測
することにより、前記戻り光強度の時間的変化に相似の
観測波形を得ることを特徴とする光ファイバ障害点探索
方法。 2、被測定光ファイバに測定パルス光源からの測定パル
ス光を入射したときの戻り光の強度の時間的変化から、
前記被測定光ファイバの障害点を探索する光ファイバ障
害点探索装置において、前記戻り光と波長が異なるポン
プ光を出射するポンプ光源と、 前記戻り光と前記ポンプ光を入射して和または差周波混
合による和または差周波光を生成する非線形光学素子と
、 前記和または差周波光の強度の時間的変化を観測する観
測手段とを備えることを特徴とする光ファイバ障害点探
索装置。 3、前記戻り光の強度が急に高くなる時間間隔で前記ポ
ンプ光の強度が零または十分に低レベルとなるように前
記ポンプ光源を制御する光源制御手段を更に備える請求
項2記載の光ファイバ障害点探索装置。 4、前記非線形光学手段と前記観測手段の間に和または
差周波光を抽出する分光手段を更に備える請求項2また
は3記載の光ファイバ障害点探索装置。 5、前記観測手段が前記和または差周波光を検出する光
電子増倍管と、その出力を計数するカウンタと、 前記光電子増倍管の出力のうちの所定レベル以下のもの
をノイズとして除去するノイズ除去回路とを有する請求
項2、3または4記載の光ファイバ障害点探索装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1122914A JP2763586B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光ファイバ障害点探索方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1122914A JP2763586B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光ファイバ障害点探索方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304328A true JPH02304328A (ja) | 1990-12-18 |
| JP2763586B2 JP2763586B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=14847731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1122914A Expired - Fee Related JP2763586B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光ファイバ障害点探索方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2763586B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06109584A (ja) * | 1992-01-09 | 1994-04-19 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 光ファイバ測定装置 |
| JP2011075521A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Yokogawa Electric Corp | 光パルス試験器 |
| JP2011106991A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Yokogawa Electric Corp | 光パルス試験器 |
| US11972706B2 (en) | 2020-05-29 | 2024-04-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Image display system and image display method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100324A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Measuring device for light dispersion |
| JPS58113832A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ破断点検出装置 |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP1122914A patent/JP2763586B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100324A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Measuring device for light dispersion |
| JPS58113832A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-06 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ破断点検出装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06109584A (ja) * | 1992-01-09 | 1994-04-19 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 光ファイバ測定装置 |
| JP2011075521A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Yokogawa Electric Corp | 光パルス試験器 |
| JP2011106991A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Yokogawa Electric Corp | 光パルス試験器 |
| US11972706B2 (en) | 2020-05-29 | 2024-04-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Image display system and image display method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2763586B2 (ja) | 1998-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |