JPH02304941A

JPH02304941A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH02304941A
Application number: JP12582489A
Authority: JP
Inventors: Katsuo Takagi; 勝雄高木
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1989-05-19
Filing date: 1989-05-19
Publication date: 1990-12-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、特にト
ランスファーモールド後のレジン除去工程に関するもの
である。

［従来の技術］半導体装置は周知の通り集積回路が形成された半導体チ
ップをリードフレームにダイボンディングし、素子とリ
ードフレームを金線にて配線後、射出成形機にて樹脂封
止し、各リード（タイバー）を切りはなし必要に応じて
リードを折り曲げて半導体装置を製造している。

第２図において５はグイバット３の中央部に接着された
半導体チップでそのボンディングバットとこれに対応す
るリード４とはそれぞれワイヤー６によって接続されて
いる。

上記の様にしてリード４が接続された半導体チップ５は
エポキシ系プラスチックにより一体的に樹脂封止され半
導体装置１が構成される。

ところで上記の様な半導体装置ｌは高集積化、高機能化
に伴い半導体チップも大型化、多ビン化の流れと、微細
ピッチ化の傾向にある。この様な微細ピッチ形半導体装
置は、従来は一般にセラミックによりパッケージしてい
たが、最近では低コスト化のためエポキシ系プラスチッ
クによるパッケージ（以下樹脂パッケージという）の良
否が製品の性能、信頼性を決定する上で大きなウェイト
をしめている。

〔発明が解決しようとする課題１上記の様な半導体装置を製造するためには先ず第３図に
示すように、リードフレームに複数個直列にモールドし
て成る半導体装置をタイバー８をカットした後（この時
タイバーカット工程によりレジンがリードフレームの両
サイドに若干類る）水圧ホーニング工程を通すことによ
りこのレジンを落としていた。さらにその後、フォーミ
ング工程によりリードを切断し、必要に応じて適宜折り
曲げ単品化し、１つの半導体装置としていた。

この結果状の様な問題点が発生する。

（１）ホーニング時に水圧によりレジンを落としている
ため水圧によりリードの曲りが発生し、後工程であるフ
ォーミンク工程のロード時にリードフレームのひっかか
りが発生し、搬送不良が多発した。

（２）水圧ホーニングのみでは完全にレジンが除去でき
ず、フォーミング時に該レジンがリード折り曲げと同時
に金型上に落下しそのレジンが半導体装置のリード部に
付着、もしくは打コンとなって付着するため半導体装時
に半田付は工程で半田付は不良が多発した。

（３）半導体装置のリード部に残ったレジンは、最終工
程での検査工程においてテスティングに使用するソケッ
トに付着し、テスト不良（連続不良）がたびたび発生し
た。

本発明は上記の様な問題を解決すべくなされたもので、
半導体装置を安定的に供給することを目的としたもので
ある。

〔課題を解決するための手段１ホーニングを実施する前にＮａＯＨ系統の薬液を用い、
超音波洗浄を行なう工程を設け、タイバーカット後の半
導体装置のレジンを落ち易くしたことを特徴とする。

〔作　用１ホーニングの前段処理工程としてＮａＯＨ系統の液中で
の超音波洗浄工程をすることにより、先ずレジンをフレ
ームから膨潤、遊離させ次に水圧工程を通すことにより
レジンを完全に除去する。

〔実　施　例１半導体素子を載せたリードフレームをモールドして成る
樹脂パッケージを第３図の様に形成した。７は樹脂パッ
ケージ、８はタイバー、９はレジンである。この樹脂パ
ッケージをプレス工程においてタイバーカットするが、
レジン９を付着したままホーニング工程に流動した。尚
このホーニング工程に於いては本発明による２段階の工
程により流動させる。

先ずホーニング装置であるが、第１図の様に前段のＮａ
ＯＨ系の薬液を成分とする超音波洗浄と、後段の膨潤し
たレジンを落下させる水圧のみを主体とする後段工程を
持った所の２段構造で搬送できる装置を考案した。この
装置を詳細に説明するとローダ−１５より半導体装置を
３秒に１枚のベースで搬送した。先ず前段工程において
ＮａＯＨ系薬液層１０を約６０℃まで加温し、超音波発
生装置により振動を与＾、約１分間かけて前段工程を通
過させる０次に後段工程に於いて上部水圧ノズル１１と
下部水圧ノズルＩ２より圧力１５０ｋｇ／ｃｍ”で水圧
をかけ半導体装置の表裏にまんべんなく噴射させた０面
この段階でレジンを完全に除去した。この後乾燥室１４
に於いて約１０分間エアーブローを行ない１６のアンロ
ーダ−に半導体装置を収納させホーニング工程を終了し
た。ここでホーニング工程で流動させた半導体装置はリ
ードピッチ０．５ｍｍ、ビン数２０８ｐｉｎの品物を流
動させ、レジンの落下状況を調査した。落下状況の判定
にはレジンがリードにわずかでも付着しているものを１
．除去されているものをＯとしてカウントした。この結
果、従来リードフレームに複数個形成した内の１つの半
導体装置でカウントした場合、測定ポイント４１６ケ所
に対し前記の「ｌ」と判定したものが１６８箇所であっ
た。しかし今回は１６ケ所と大巾に減少した。また更に
量産前のパイロットランを試行して１０００（Ｆ）流動
した。この時抜き取りで１００（Ｆ）中１０（Ｆ）の割
合いで抜き取り検査をしたが、レジンの残りは一切検出
されなかった。

また、水圧ホーニングに於けるリード部の曲りを検査し
た。従来品に於いては水圧７５０ｋｇ／ｃｍ”で完全に
ホーニングできたが、曲りが発生するため、水圧とリー
ドの曲りとの相関関係を見つけ出し作業をしていたがそ
れでも平均的８ｍｍ程度の曲りは必至であった。

しかし、今回この方法で試験した結果は平均で約１ｍｍ
前後となり大幅な改善ができる様になった。

また、この半導体装置を後工程であるフォーミング工程
に入れたが、ロード部でのリードフレームのひっかかり
が殆んどなくなり、搬送不良で機械が停止するという様
なトラブルは解消された。

尚、本発明では前段にＮａＯＨ系統の薬液を用いレジン
を先ず膨潤させ更に超音波により半導体装置の全面を叩
き、ある程度レジンを除去した後、後段工程で水圧によ
り完全にレジンを除去できるようになった。

〔発明の効果１以上述べた様に、ホーニング装置を２段構造、つまり、
前段工程にはレジンを膨潤させるＮａＯＨ系を成分とす
る超音波洗浄と、後段工程には水圧をかける工程との２
工程を通すことによりレジンを完全に除去できる。後工
程における装置のトラブル、更には半導体装置の歩留り
を向上させる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の主要断面図。第２図は従来の半導体装置を示す図。第３図は本発明の実施例を示す図。１・・・半導体装置２・　・　・リードフレーム３・・・ダイパッド４・　・　・リード５・・・半導体チップ６・・・ワイヤ７・・・樹脂パッケージ８・・・タイバー９・・・レジン１０・・・超音波洗浄室１１・・・上部水圧ノズル１２・・・下部水圧ノズル１４・・・乾燥室１５・・・ローダー１６・・・アンローダ− 以上出願人　セイコーエプソン株式会社代理人　弁理士　鈴　木　喜三部（他１名）第１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体素子をリードフレームにダイボンディング
し、素子とリードフレームを金線にて配線した後、トラ
ンスファーモールド工程にて樹脂封止後、レジンの残り
汚れを除去するホーニング工程に於いて、該半導体装置
のホーニング時に、ＮａＯＨ系統又はそれに準ずる薬液
で超音波洗浄を行なう洗浄工程と水圧ホーニング工程の
２通りの工程を流動させることにより、レジンのバリを
完全に除去する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）前記半導体装置のバリを除去するための超音波洗
浄に用いる薬液は、レジンが膨潤遊離するような薬液を
用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法。