JPH02305202A - Matching circuit - Google Patents

Matching circuit

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JPH02305202A
JPH02305202A JP12730789A JP12730789A JPH02305202A JP H02305202 A JPH02305202 A JP H02305202A JP 12730789 A JP12730789 A JP 12730789A JP 12730789 A JP12730789 A JP 12730789A JP H02305202 A JPH02305202 A JP H02305202A
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JP
Japan
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matching circuit
microwave
voltage
microstrip
open stub
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JP12730789A
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Japanese (ja)
Inventor
Masao Nishida
昌生 西田
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To facilitate the adjustment of a matching circuit in a short time by connecting a varactor diode to an open stab and varying the junction capacitance of the diode. CONSTITUTION:Microstrip open stabs 2, 3 are orthogonal to a microstrip line 1, a capacitor 13, varactor diodes 4a, 4b and voltage sources 5a, 5b are connected between the microstrip open stab 3 and ground. A voltage is applied from voltage sources 5a, 5b to the varactor diodes 4a, 4b so that the output impedance is matched with S11* and the voltage sources 5a, 5b are adjusted while applying microwave characteristic measurement to adjust the impedance. Thus, a troublesome adjustment such as cut-off of the stab or wire bonding is not required.

Description

【発明の詳細な説明】 くイ〉 産業上の利用分野 本発明はマイクロ波彫導体素了の!If合回路に関;7
、特にマイクロストリップ線路を用いたMICやMM 
I Cの整合回路に関する。
[Detailed description of the invention] Industrial application field The present invention is a microwave-carved conductor! Regarding the If combiner circuit; 7
, especially MIC and MM using microstrip lines
Regarding IC matching circuits.

(口〉 従来の技術 マイク1−1波集積回路(MIC)やモノリシック;・
イクロ波集積回路(MMIC>の一応用例であるマイク
ロ波低雑音増幅器には低雑叶マイク【j波トランレスタ
が用いられている。通常、前記トランジスタの入出力側
との整合が採られて該増幅機は低雑音かつ高利得となる
ように設計きれている。
(mouth) Conventional technology microphone 1-1 wave integrated circuit (MIC) and monolithic;・
A low-noise microphone (J-wave transformer) is used in a microwave low-noise amplifier, which is an application example of a microwave integrated circuit (MMIC).Normally, matching is achieved with the input and output sides of the transistor to reduce the amplification. The machine is designed to have low noise and high gain.

二の整合に用いられるのが整合回路である。A matching circuit is used for the second matching.

従来、マイクロ波トランジスタのマイクロ波特性値、例
えはSパラメータや雑音パラメータを測定し、これらの
パラメータに基ついてマイクロスト・リンプ線路七にマ
イクロストリップ開放スタブを設ζ)た整合回路が使用
きれている。前記開放スタブを設けるためにはマイクロ
波特性値の代表値を知る必要がある為、数多くのマイク
ロ波!・ランジスタを測定する必要があり、通常は前記
代表値としてマイクロ波特性値の7均値を用い、この平
均値から最適化を行い開放スタブの位置を決定している
。しかしながら、この整合回路においては、開放スタブ
の位置を固定しているので、マイクロ波特性値にばらつ
きがあった場合には、開放スタブを削ることによってし
か調整できない。
Conventionally, a matching circuit that measures the microwave characteristic values of a microwave transistor, such as the S parameter and noise parameter, and installs a microstrip open stub in the microstrip line 7 based on these parameters, has become obsolete. ing. In order to provide the open stub mentioned above, it is necessary to know the representative values of the microwave characteristic values, so many microwaves! - It is necessary to measure the transistor, and the average value of the 7 microwave characteristic values is usually used as the representative value, and optimization is performed from this average value to determine the position of the open stub. However, in this matching circuit, the position of the open stub is fixed, so if there are variations in the microwave characteristic values, adjustment can only be made by cutting the open stub.

従って、この整合回路では作業能率が悪く、その上、集
積回路の性能が最も良くなるように調整することは非常
に困難である。上述した整合回路の問題を解決す−・く
第4図に示す如くマイクロストリップ線路(16〉に接
続された開放スタブ(9)の回りに/J\さなランド(
8)を設け、必要に応してランIj(8>とランド(8
〉間、又はランド(8)と開放スタブ(9)間にワイヤ
をボンディングすることにより調整する整合回路が提案
されている(例えは特開昭62−269402号公報参
照)。この整合回路によtlば開放スタブく9〉を削る
必要がなく、ばらついたマイクロ波特性値をもったマイ
クロ波トランジスタの場合にも対応が簡単に行える。し
かしながら、第4図に示した整合回路であってもワイヤ
ポンディ〉グ作業が入るために、集積回路の性能を測定
しながら調整を行なうことは困難である。その上、ワイ
ヤのボンディングの打ら方は有限の数しかない為集積回
路の性能が最も良くなるように調整することは困難であ
る。更に、一度ワイヤをボンディングした箇所を取り除
くことは不可能である。
Therefore, this matching circuit has poor working efficiency, and furthermore, it is very difficult to adjust the integrated circuit so that its performance is maximized. To solve the problem of the matching circuit described above, as shown in Figure 4, a /J\ small land (
8), and run Ij (8>) and land (8) as necessary.
A matching circuit has been proposed in which adjustment is made by bonding a wire between the land (8) and the open stub (9). This matching circuit eliminates the need to cut open stubs 9, and can easily accommodate microwave transistors with varying microwave characteristic values. However, even with the matching circuit shown in FIG. 4, wire bonding work is involved, making it difficult to make adjustments while measuring the performance of the integrated circuit. Moreover, since there are only a finite number of wire bonding methods, it is difficult to adjust the wire bonding methods to maximize the performance of the integrated circuit. Furthermore, once the wires are bonded, it is impossible to remove them.

(ハ)発明が解決しようとする課題 上述したように従来の整合回路においてはく1)調整時
の作業能率(11)マイクロ波特性の最適化に問題があ
る。これは、マイクロ波トランジスタのマイク11波特
性が素子毎に異なるために生ずる問題である。
(c) Problems to be Solved by the Invention As mentioned above, the conventional matching circuit has problems in 1) working efficiency during adjustment, and (11) optimization of microwave characteristics. This problem arises because the microphone 11 wave characteristics of the microwave transistor differ from element to element.

即ら、い〉に関しては調整を行なうために開放スタ、ゾ
をやずりのようなもので削るか又はランドとシンドー若
しくはラン1:と開放スタブとをワイヤでボンディング
しなければならず、例えばMIC開発時において、1Y
iJ記MICの雑音特性を測定しながら調整を行うこと
ができず、極めて不便であり、また調整のために時間も
かかる。更に一度調整した箇所は一度と調整できない欠
点がある。
That is, in order to make adjustments, it is necessary to cut the open star and the open stub with something like a razor, or to bond the land and the sink or run 1: and the open stub with a wire. At the time of development, 1Y
It is not possible to make adjustments while measuring the noise characteristics of the iJ MIC, which is extremely inconvenient and also takes time. Furthermore, there is a drawback that once adjusted parts cannot be adjusted again.

(11)に関しては、従来技術では調整方法が試行錯誤
であり、シミュし・−ジョンが行えないため、集積回路
の性能を最大限に生かすこと、即ち最適化の操作が行え
ず全て人間の熟練とカンに頼ってしまうという欠点があ
る。
Regarding (11), in the conventional technology, the adjustment method is trial and error, and simulation cannot be performed, so it is impossible to make the best use of the performance of the integrated circuit, that is, to perform optimization operations, and all human skill is required. It has the disadvantage of relying on intuition.

(i)(i)で示した問題点の他に(iN)従来の整合
回路はM I C+MM I Cの整合回路としてのみ
用いられており、任意のマイクロ波特性を作り出=3− j′、いわばチューナの機能を持たすことができないと
いう欠点がある。
(i) In addition to the problems shown in (i), (iN) Conventional matching circuits are used only as matching circuits for M I C + M M I C, and cannot create arbitrary microwave characteristics = 3- j ′, it has the disadvantage that it cannot have the function of a tuner, so to speak.

(ニ)課題を解決するための手段 本発明は誘電体基板りにマイクロストリ・/ブ線路及び
前記マイクロスト1川;・ゾ線路と並列に接続されたマ
イク〔7ストリツプ開放スタノが設けられた整合回路に
よ〕いて、@313開放λクブに可変容置ゲイオードが
接続され、前記可変容量ダイオードに電化源より電圧が
印加されていることを特徴とする整合回路である。
(d) Means for Solving the Problems The present invention provides a dielectric substrate with a micro strip line and a microphone connected in parallel with the micro strip line. This matching circuit is characterized in that a variable capacitance gayode is connected to the @313 open lambda cube, and a voltage is applied to the variable capacitance diode from an electrification source.

(ホ)作用 バラクタダイオードに印加するt圧のみを変えるだけで
整合回路の調整がrむ、すなわちマイクロストリップ線
路と並列に接続された可変容量ダイオードの接合容量(
Cj)を変えることで、整合回路のインピーダンスを変
スることができるため集積回路の性能を測定しながら短
時間で調整が行え、作業能率にも優れ℃いる。
(E) The matching circuit can be adjusted by changing only the voltage applied to the working varactor diode. In other words, the junction capacitance of the variable capacitance diode connected in parallel with the microstrip line (
By changing Cj), the impedance of the matching circuit can be changed, so adjustments can be made in a short time while measuring the performance of the integrated circuit, and the work efficiency is excellent.

また、マイクロ波トランジスタのマイクロ波特性及びバ
ラクタダイオードの容量の電圧依存性がわかれば、集積
回路にお(づる整合回路の最適化がシミュレーションで
きる。
Furthermore, if the microwave characteristics of a microwave transistor and the voltage dependence of the capacitance of a varactor diode are known, it is possible to simulate the optimization of a matching circuit in an integrated circuit.

更に、本発明はMIC+MMICの整合回路とじ−C用
いるたけではなく、任意の出力インピーダンスを得るこ
とのできるチューナとして用いることも可能である。
Furthermore, the present invention can be used not only as a MIC+MMIC matching circuit, but also as a tuner that can obtain an arbitrary output impedance.

くべ〉 実施例 次に本発明の実施例を図面に基づいC説明する。Kube Example Next, embodiments of the present invention will be described based on the drawings.

まず、第1図に集積回路のマイクロ波トランジスタに接
続きれる整合回路傭示す。図において、(1)は°マイ
クロストリップ線路、<2 )(3)はマイクロス[・
リップ開放スタブ、 (4a)(4b)はバラクタダイ
オード、(5a) (Sb)はバラクタダイオード(4
a)(4b)に電圧を印加する電圧源である。マイクロ
ストリップ開放スタブ(2>(3)はマイクロストリッ
プ線路(1)と直交しでおり、マイクロストす・ンブ開
放スタブ(3〉とアースとの間に一コンデンサ(13)
、7<ランクダイオード(4a)(4b)及び電圧源<
5a)<5b)が接続されている。尚、マイクロストリ
ップ開放スタブ(2〉にも−1ンデンサ、バラクタダイ
オード及び電圧源を接続しでも構わない。また、本実施
例ではマイクロ波トランジスタ及び該トランジスタに電
圧を印加するためのバイアス回路は図示省略している。
First, FIG. 1 shows a matching circuit that can be connected to a microwave transistor of an integrated circuit. In the figure, (1) is a microstrip line, <2) and (3) is a microstrip line.
Lip open stub, (4a) (4b) are varactor diodes, (5a) (Sb) are varactor diodes (4
a) A voltage source that applies voltage to (4b). The microstrip open stub (2>(3) is perpendicular to the microstrip line (1), and one capacitor (13) is connected between the microstrip open stub (3>) and the ground.
, 7<rank diodes (4a) (4b) and voltage source<
5a)<5b) are connected. Note that a -1 capacitor, a varactor diode, and a voltage source may also be connected to the microstrip open stub (2).In addition, in this embodiment, the microwave transistor and the bias circuit for applying voltage to the transistor are not shown. It is omitted.

バラクタダイオ−1°(4a)(4b)の等価回路は第
2図に示1°如く、接合台:t(Cj)(6)と直列抵
抗(Rs)(7)の直列接続で表わされる。そして、バ
ラクタダイオード(4a)(4b)の接合容量く6)の
バイアスく電圧〉依存性は第3図に示す如く、逆バイア
スをかげることによりほぼ直線的に変化する。
The equivalent circuit of the varactor diode 1° (4a) (4b) is represented by a series connection of a junction table: t(Cj) (6) and a series resistor (Rs) (7), as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the dependence of the junction capacitance of the varactor diodes (4a) (4b) on the bias voltage changes almost linearly by lowering the reverse bias.

ト述したバラクタダイオード(4a)(ab)の特性を
利用した整合回路のマイクロ波特性を以下tこ示す。
The microwave characteristics of the matching circuit using the characteristics of the varactor diodes (4a) and (ab) described above are shown below.

第5図はスミス図表であり、図中の十印(10)はマイ
クロ?、* lランシスタの12GHzの周波数での反
射係数(So)である。従ってS uと整合をとるるこ
け×印(11)で示されるS nの共役値S I+ ”
に第1図の出力インピーダンスをも−。でくる必要があ
る。本実施例の場合バラクタダイオード(4g)(4b
)の接合容量(Cj)は0.8pFから0.2pFまで
変化することかわかっているので、第1図の整合回路を
シミ、レーシゴンすることにより、出カイ〉′ビーダン
ー(のとり得る範囲を求めることがで、き、この求めた
ものが第5図のA、、B、C,Dで囲まれた領域である
。従って出力インピーダンスが811*に合うようにバ
ラクタダイオード(4a)<4b)に電圧源(5a)(
5b)から電圧をかければよい。この方法だと、マイク
[7波特性測定を行いながら電圧!(5g>(5b)を
調整することC、インピーダンスの調整を行なうことが
でき、しかもスタブを削ったり、ワイヤをポンディング
したりするといった面倒な調整は不要となる。
Figure 5 is a Smith diagram, and the 10 mark (10) in the diagram is a micro? , * is the reflection coefficient (So) of the l-lansistor at a frequency of 12 GHz. Therefore, the conjugate value S I+ of S n shown by the moss x mark (11) that matches S u
Also the output impedance in Figure 1. It is necessary to come. In this example, varactor diode (4g) (4b
It is known that the junction capacitance (Cj) of This result can be found in the area surrounded by A, B, C, and D in Figure 5. Therefore, the varactor diode (4a) < 4b) is set so that the output impedance matches 811*. voltage source (5a) (
It is sufficient to apply a voltage from 5b). With this method, you can measure the microphone [voltage while measuring the 7-wave characteristics]. By adjusting (5g>(5b)C), impedance can be adjusted, and troublesome adjustments such as cutting a stub or pounding a wire are not necessary.

尚、バラクタダイオード(4a)(4b)と開放スタブ
く3)との間には100pF程度の印加電圧に依存しな
いコンデンサ<13)を挿入しである為、マイクロスト
リップ線路く1)に直流電流が流れ込む心配はないし、
コンデンサ(13〉と接合容量(Cj)との合成容量は
、コンデンサ(13)が無視できるくらいに大きいので
接合台1t(Cj)のみとなる。
In addition, since a capacitor <13) of about 100 pF that does not depend on the applied voltage is inserted between the varactor diodes (4a) (4b) and the open stub 3), no direct current flows into the microstrip line 1). There is no need to worry about it flowing into
The combined capacitance of the capacitor (13) and the junction capacitance (Cj) is only the junction stand 1t (Cj) because the capacitor (13) is so large that it can be ignored.

−七述したように本発明回路はマイクロ波トランジスタ
のマイクロ波特性がばらついている場合に特に有効であ
り、例えは第5図において、S11″′が(11)の位
置から太きくずれたとしても、ABCDで囲まれた範囲
内であれば、バラクタダイオード(4a)(4b)に印
加する電圧のみを変化させることにより集積回路の性能
の最適化を行なうことができる。1なわち、1つの整合
回路のパターンで、あらゆるマイクロ波トランジスタに
対応でき、その調整方法も極めて容易である。
- As mentioned above, the circuit of the present invention is particularly effective when the microwave characteristics of the microwave transistor vary; for example, in FIG. However, within the range surrounded by ABCD, the performance of the integrated circuit can be optimized by changing only the voltage applied to the varactor diodes (4a) (4b).1, that is, 1 The single matching circuit pattern can be used with any microwave transistor, and its adjustment method is extremely easy.

次に他の実施例を第6図を用いて説明する。Next, another embodiment will be explained using FIG. 6.

この整合回路は3つのバラクタダイオード(14a)(
14b)(14c)を用いたチューナの機能を備えたも
のであり、マイクロストリップ線路り11)にマイクロ
ストリップ開放スタブ(12)が接続されている。
This matching circuit consists of three varactor diodes (14a) (
14b) (14c), and a microstrip open stub (12) is connected to the microstrip line 11).

開放スタブ(12)には−7ンデンザ(13)、バラク
タダイオード(14a)<14b)(14c)及び電圧
源(15a)(15b)(15c)がそれぞれ接続され
ている。尚、開放スタブ(12)と接続される容量の値
を大きく丈るためにバラクタダイオードを複数個並列に
配置しても構わない。
A -7 densifier (13), a varactor diode (14a)<14b) (14c), and a voltage source (15a) (15b) (15c) are connected to the open stub (12), respectively. Note that a plurality of varactor diodes may be arranged in parallel in order to increase the value of the capacitance connected to the open stub (12).

以上の構成を用いることにより、出力インピーダンスは
反射係数が1に近い所を除き、はぼスミス図表全域にわ
たって得られる。従って、低雑音マイクロ波トランジス
タの雑音指数な最小とすることができるチューナの機能
を備えた整合回路を構成することができる。
By using the above configuration, the output impedance can be obtained over the entire Habo-Smith diagram except for areas where the reflection coefficient is close to 1. Therefore, it is possible to construct a matching circuit with a tuner function that can minimize the noise figure of a low-noise microwave transistor.

更にこの整合回路では電圧’IFA (15a)<15
b) (15c)より印加Cる電圧を固定することによ
り、任意のインピーダンスを再現よく与えることが可能
となり、低雑音マイクロ波トランジスタの推計パラメー
タを測定する際に必要となる複数個の再現性のよいイン
ピーダンスを作り出すことができる。
Furthermore, in this matching circuit, the voltage 'IFA (15a)<15
b) From (15c), by fixing the applied voltage, it is possible to give any impedance with good reproducibility, and it is possible to obtain multiple reproducibility values that are necessary when measuring estimated parameters of low-noise microwave transistors. Can create good impedance.

(ト)発明の効果 以上述べてきたように、本発明は開放スタブにバラクタ
ダイオードを接続し、このダイオードの接合容量を可変
きせることにより、該整合回路の調整を容易にしかも短
時間に行なうことができ、か−〕該整合回路のマイクロ
波特性の最適化が可能である。
(g) Effects of the Invention As described above, the present invention connects a varactor diode to an open stub and makes the junction capacitance of this diode variable, thereby making it easy to adjust the matching circuit in a short time. or -] It is possible to optimize the microwave characteristics of the matching circuit.

さらに、本発明は低雑に一フィクロ波トランジスタの雑
音指数を測定する際に用いるチューナとしても利用する
ことができる。
Furthermore, the present invention can also be used as a tuner used to measure the noise figure of a phychrowave transistor with low noise.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の整合回路を示す図、第2図
はバラクタダイオードの等価回路図、第3図はバラクタ
ダイオードの接合容量のバイアス依存性を示す1図、第
4図は従来の整合回路を示す図、第5V3!Jは本発明
の一実施例にお1する調整可能なインピーダンス領域を
示した図、第6図は本発明の他の実施例の整合回路を示
す図である。 (1)(11〉(16)・・・マイクDストリップ線路
、(2)(3)(9>(12)・・・“マイクロストリ
ップ開放スタブ、(4a)(4b)(14a)(14b
)(14c)−バラクタダイオード、C3a)(5b)
(15a)<15b)(15c)−N圧源、(6)−・
・接合容量、(7)・・・直列抵抗、く8〉・・・調整
用ランド、(10)・・・マイクロ波トランジスタのS
 u 、 (11)・・・S n’(10)の共役値S
11*、(13)・・・コンデンサ。
FIG. 1 is a diagram showing a matching circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a varactor diode, FIG. 3 is a diagram showing the bias dependence of the junction capacitance of a varactor diode, and FIG. Diagram showing a conventional matching circuit, No. 5V3! J is a diagram showing an adjustable impedance region according to one embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a diagram showing a matching circuit according to another embodiment of the present invention. (1)(11>(16)...Microphone D strip line, (2)(3)(9>(12)..."Microstrip open stub, (4a)(4b)(14a)(14b
) (14c) - Varactor diode, C3a) (5b)
(15a)<15b) (15c) - N pressure source, (6) -.
・Junction capacitance, (7)...Series resistance, 8〉...Adjustment land, (10)...S of microwave transistor
u, (11)... Conjugate value S of S n' (10)
11*, (13)... Capacitor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.誘電体基板上にマイクロストリップ線路及び前記マ
イクロストリップ線路と並列に接続されたマイクロスト
リップ開放スタブが設けられた整合回路において、 前記開放スタブに可変容量ダイオードが接続され、前記
可変容量ダイオードに電圧源より電圧が印加されている
ことを特徴とする整合回路。
1. In a matching circuit including a microstrip line and a microstrip open stub connected in parallel with the microstrip line on a dielectric substrate, a variable capacitance diode is connected to the open stub, and a voltage source is connected to the variable capacitance diode. A matching circuit characterized in that a voltage is applied.
JP12730789A 1989-05-19 1989-05-19 Matching circuit Pending JPH02305202A (en)

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