JPH02305482A - 半導体光電変換装置 - Google Patents
半導体光電変換装置Info
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- JPH02305482A JPH02305482A JP1126882A JP12688289A JPH02305482A JP H02305482 A JPH02305482 A JP H02305482A JP 1126882 A JP1126882 A JP 1126882A JP 12688289 A JP12688289 A JP 12688289A JP H02305482 A JPH02305482 A JP H02305482A
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- semiconductor
- light emitting
- semiconductor substrate
- emitting region
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半
導体光電変換装置に関する。
導体光電変換装置に関する。
従来の技術
近年印字装置として電子写真技術を用いた、いわゆる光
プリンタノが開発されている。この光プリンタは電子写
真装置における感光体ドラム上に光の照射による静電潜
像を形成するにあたって、感光体ドラムの軸線方向に多
数のＬＥＤ （発光ダイオード）が配列された複数のＬ
ＥＤアレイを含むプリンタヘッドを用いている。
プリンタノが開発されている。この光プリンタは電子写
真装置における感光体ドラム上に光の照射による静電潜
像を形成するにあたって、感光体ドラムの軸線方向に多
数のＬＥＤ （発光ダイオード）が配列された複数のＬ
ＥＤアレイを含むプリンタヘッドを用いている。
第１１図に典型的な従来例のＬＥＤｌの構成の断面図を
示す、第１２図はＬＥＤＩの出力特性を示すグラフであ
る。ＬＥＤＩはたとえばｎ形半導体基板２の一方表面に
ｐ形半導体領域３を形成し、さらにｎ形半導体基板２の
両表面に電極４，５を形成し、これらの電極４．５間に
矢符Ａ１方向に通電することにより発光出力が得られる
。発光出力を行う発光領域６の幅Ｗ１は、前記しＥＤア
レイがたとえば３００ＤＰＩ （ドツト／インチ）のと
き、約５０μｍである。
示す、第１２図はＬＥＤＩの出力特性を示すグラフであ
る。ＬＥＤＩはたとえばｎ形半導体基板２の一方表面に
ｐ形半導体領域３を形成し、さらにｎ形半導体基板２の
両表面に電極４，５を形成し、これらの電極４．５間に
矢符Ａ１方向に通電することにより発光出力が得られる
。発光出力を行う発光領域６の幅Ｗ１は、前記しＥＤア
レイがたとえば３００ＤＰＩ （ドツト／インチ）のと
き、約５０μｍである。
しＥＤＩにおいて電極５，４間に流れる電流値を増大す
ると、光出力は第１２図に示されるラインＩ １，１２
．１３のように次第に増大する。
ると、光出力は第１２図に示されるラインＩ １，１２
．１３のように次第に増大する。
発明が解決しようとする課題
このようなＬＥＤＩにおいて、前記発光幅Ｗ１とＬＥＤ
アレイを用いる光プリンタの記録紙上での印画線幅との
関係は、本件発明者の実験によれば、第１３図のライン
１４．１５に示されるように約数倍に拡大してしまうこ
とが検出された。近年、コンピュータやワードプロセッ
サなどに用いられる印字装置または印画装置は出力の高
密度化が）ａ求されており、したがって前記印画線幅を
短縮することが希望される。
アレイを用いる光プリンタの記録紙上での印画線幅との
関係は、本件発明者の実験によれば、第１３図のライン
１４．１５に示されるように約数倍に拡大してしまうこ
とが検出された。近年、コンピュータやワードプロセッ
サなどに用いられる印字装置または印画装置は出力の高
密度化が）ａ求されており、したがって前記印画線幅を
短縮することが希望される。
しかしながら従来の光プリンタではとくにＬＥＤｌの構
造に関して、前記印画線幅を短縮する技術は採用されて
いない、すなわち、ＬＥＤＩにおける第１１図の幅Ｗ１
を小さくしようとすると、発光領域６を狭小化する必要
があるが、ｎ形半導体基板２にｐ形半導体領域３を拡散
技術にて形成するにあたり、拡散に用いられるマスクを
前記ｎ形半導体基板２上に遷択的に形成するにあたり、
極めて高精度の位置会せ技術が必要となり、実際には形
成が困難となっていた。
造に関して、前記印画線幅を短縮する技術は採用されて
いない、すなわち、ＬＥＤＩにおける第１１図の幅Ｗ１
を小さくしようとすると、発光領域６を狭小化する必要
があるが、ｎ形半導体基板２にｐ形半導体領域３を拡散
技術にて形成するにあたり、拡散に用いられるマスクを
前記ｎ形半導体基板２上に遷択的に形成するにあたり、
極めて高精度の位置会せ技術が必要となり、実際には形
成が困難となっていた。
本発明の目的は、上述の技術的課題を解消し、高密度で
高品位の光出力を得ることができる半導体光電変換装置
を提供することである。
高品位の光出力を得ることができる半導体光電変換装置
を提供することである。
課題を解決するための手段
請求項第１項の発明は、一方導電形式の半導体基板の予
め定める発光領域に他方導電形式の半導体部分を形成し
、該半導体基板の両表面に電極を形成し、電極間に通電
して発光出力を得る半導体光電変換装置において、 半導体基板の前記半導体部分が形成される表面に形成さ
れる電極は、前記半導体部分を被覆する大きさを有し、
かつ予め定める大きさの透孔を有する形状に運ばれるこ
とを特徴とする半導体充電変換装置である。
め定める発光領域に他方導電形式の半導体部分を形成し
、該半導体基板の両表面に電極を形成し、電極間に通電
して発光出力を得る半導体光電変換装置において、 半導体基板の前記半導体部分が形成される表面に形成さ
れる電極は、前記半導体部分を被覆する大きさを有し、
かつ予め定める大きさの透孔を有する形状に運ばれるこ
とを特徴とする半導体充電変換装置である。
請求項第２項の発明は、前記半導体基板における半導体
部分はそれらの接き面の半導体基板表面からの深さが複
数のレベルを有する形状に形成されていることを特徴と
する半導体光電変換装置である。
部分はそれらの接き面の半導体基板表面からの深さが複
数のレベルを有する形状に形成されていることを特徴と
する半導体光電変換装置である。
ｆｔ用
請求項第１項の発明に従えば、一方導電形式の半導体基
板の両表面に形成された電極間に通電し、半導体基板の
発光領域における半導体部分との接合面近傍で光が発生
される。このとき半導体基板の前記半導体部分が形成さ
れる表面に形成されている電極は半導体部分を被覆する
大きさを有し、かつ予め定める大きさの透孔を有する形
状に形成されている。これにより発生された光は前記透
孔からのみ出力され、発光領域を狭小に形成した場合と
同様な結果が得られる。
板の両表面に形成された電極間に通電し、半導体基板の
発光領域における半導体部分との接合面近傍で光が発生
される。このとき半導体基板の前記半導体部分が形成さ
れる表面に形成されている電極は半導体部分を被覆する
大きさを有し、かつ予め定める大きさの透孔を有する形
状に形成されている。これにより発生された光は前記透
孔からのみ出力され、発光領域を狭小に形成した場合と
同様な結果が得られる。
これにより半導体部分を拡散技術にて形成するにあたり
、拡散において用いられるマスクの加工精度をむやみに
向上することなく、高密度かつ高品位の発光領域を得る
ことができる 請求項第２項の発明に従えば、半導体基板における半導
体部分はそれらの接合面の半導体基板表面からの深さが
複数のレベルを有する形状に形成される。半導体光電変
換装置の光出力レベルは通電量が同一である場合、前記
接合面の深さが比較的小さいほど発光光量が増大するこ
とが発見されており、したがって上記構成により光電変
換効率を向上することができる。
、拡散において用いられるマスクの加工精度をむやみに
向上することなく、高密度かつ高品位の発光領域を得る
ことができる 請求項第２項の発明に従えば、半導体基板における半導
体部分はそれらの接合面の半導体基板表面からの深さが
複数のレベルを有する形状に形成される。半導体光電変
換装置の光出力レベルは通電量が同一である場合、前記
接合面の深さが比較的小さいほど発光光量が増大するこ
とが発見されており、したがって上記構成により光電変
換効率を向上することができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例の半導体光電変換装置である
ＬＥＤＩＩの平面図であり、第２図および第３図は、第
１図の切断面線ｎ−ｎ、ｍ−ｍから見た断面図であり、
第４図はＬＥＩ）１１が用いられる光プリンタヘッド１
２の平面図である。これらの図面を参照して本実施例に
ついて説明する。
ＬＥＤＩＩの平面図であり、第２図および第３図は、第
１図の切断面線ｎ−ｎ、ｍ−ｍから見た断面図であり、
第４図はＬＥＩ）１１が用いられる光プリンタヘッド１
２の平面図である。これらの図面を参照して本実施例に
ついて説明する。
本実施例に従う光プリンタヘッド１２は、電子写真技術
を用いるいわゆる光プリンタに用いられ、電子写真装置
における感光体ドラムに光照射により静電潜像を形成す
るにあたり、感光体ドラムの軸線方向に一直線上に配列
された多数のＬＥＤ １１を含む。
を用いるいわゆる光プリンタに用いられ、電子写真装置
における感光体ドラムに光照射により静電潜像を形成す
るにあたり、感光体ドラムの軸線方向に一直線上に配列
された多数のＬＥＤ １１を含む。
光プリンタヘッド１２の電気絶縁性材料から成る基板１
３の表面には共通リード線１４が形成される。共通リー
ド線１４の上にはＬＥＤ １１が形成されて、たとえば
そのカソードが接合され、ＬＥＤｌｌに電力を印加して
発光させるための一方の電極として作用する。
３の表面には共通リード線１４が形成される。共通リー
ド線１４の上にはＬＥＤ １１が形成されて、たとえば
そのカソードが接合され、ＬＥＤｌｌに電力を印加して
発光させるための一方の電極として作用する。
発光ダイオード１１の配列方向に平行に駆動用の集積回
路１５が前記基板１３上に設けられる。
路１５が前記基板１３上に設けられる。
接続リード線１６は基板１３上に形成され、発光ダイオ
ード１１の個別電極１７および前記ａ積回路１５の出力
端子１５εｔにそれぞれボンディングワイヤ１８を介し
て接続される。集積回路１５の入力端子１５ｂはボンデ
ィングワイヤ１つによって基板１３上の個別駆動リード
線２０に接続される。個別駆動リード線２０は可撓性回
路配線基板２１に設けられた多数の印刷配線２２に接続
される。
ード１１の個別電極１７および前記ａ積回路１５の出力
端子１５εｔにそれぞれボンディングワイヤ１８を介し
て接続される。集積回路１５の入力端子１５ｂはボンデ
ィングワイヤ１つによって基板１３上の個別駆動リード
線２０に接続される。個別駆動リード線２０は可撓性回
路配線基板２１に設けられた多数の印刷配線２２に接続
される。
再び第１１２１〜第３Ｉ２Ｉ’ｉ：９照して、ＬＥＤ
１１はＧａＡｓ （ガリウムーヒ素）から成るｎ形の第
１半導体層２５上に、ＡＳＨ３（アルシン）とＰＨ。
１１はＧａＡｓ （ガリウムーヒ素）から成るｎ形の第
１半導体層２５上に、ＡＳＨ３（アルシン）とＰＨ。
（ホスフィン）とＧａ（ガリウム）とを適量に含むガス
を接触させてその表面にＧａＡｓＰ （ガリウムーヒ素
−リン）から成るｎ形の第２半導体層２６を成長させ、
次にこの第２半導体層２６の表面に５ｉｚＮｉ（チツ化
シリコン）またはＳ ｉ Ｏ２（酸化シリコン）から成
る拡散用のマスク層２７を形成する。このマスク層２７
には拡散を行うための開口２８が、たとえばフォトエツ
チングの技術によって形成される。
を接触させてその表面にＧａＡｓＰ （ガリウムーヒ素
−リン）から成るｎ形の第２半導体層２６を成長させ、
次にこの第２半導体層２６の表面に５ｉｚＮｉ（チツ化
シリコン）またはＳ ｉ Ｏ２（酸化シリコン）から成
る拡散用のマスク層２７を形成する。このマスク層２７
には拡散を行うための開口２８が、たとえばフォトエツ
チングの技術によって形成される。
この後、前記開口２８にＺ［１（亜鉛）のガスを接触さ
せ、第２半導体１２６の予め定める領域にＺ ｒ＋を拡
散させて半導体部分であるｎ形の半導体層２９を形成す
る。このｐ形半導体層２９と第２半導体層２６とによっ
てｐｎｔｌ＆が構成され、」法ＬＩＸＬ２の発光領域３
０が形成される。
せ、第２半導体１２６の予め定める領域にＺ ｒ＋を拡
散させて半導体部分であるｎ形の半導体層２９を形成す
る。このｐ形半導体層２９と第２半導体層２６とによっ
てｐｎｔｌ＆が構成され、」法ＬＩＸＬ２の発光領域３
０が形成される。
発光領域３０を被覆して第１図に示されるような個別電
極１７が形成される。個別電８ｉｉ１７はボンディング
ワイヤ１８との接続に用いられる接続部１７ａと接続部
１７ａに一体に形成される略矩形状の枝部１７ｂ、１７
ｃとを含み、これらの間には透孔１７ｄが形成される。
極１７が形成される。個別電８ｉｉ１７はボンディング
ワイヤ１８との接続に用いられる接続部１７ａと接続部
１７ａに一体に形成される略矩形状の枝部１７ｂ、１７
ｃとを含み、これらの間には透孔１７ｄが形成される。
前記透孔１７ｄの第１図左右方向の幅Ｄ１は本実施例の
光プリンタへラド１２を用いて電子写真技術において記
録紙上に印字を行う場合の所望する印字線幅の１／４〜
１１５程度の値に選ばれる。
光プリンタへラド１２を用いて電子写真技術において記
録紙上に印字を行う場合の所望する印字線幅の１／４〜
１１５程度の値に選ばれる。
また前記発光領域３０上に個別電極１７を形成する際に
、個別電極１７をたとえばフォトエツチングなどの技術
で形成するにあたり、マスク合せ精度などに起因して、
第１図左右方向および上下方向にそれぞれ±δ（δ＝５
〜１０μｍ）の位置決め誤差が生じることが知られてい
る。したがって前記技部１７ｂ、１７ｃの第１図左右方
向の幅Ｄ２．Ｄ３は以下のようにして選ばれる０個別電
極１７が発光領域３０上に適正に配置された場合の発光
領域３０の技部１７ｂ、１７ｃに被覆される部分の第１
図左右方向の長さＬ３．Ｌ４に対して、前記位置ずれが
第５図（１）で示すように発生し、たとえば枝部１７ｃ
の透孔１７ｄに臨む縁部と発光ｆｊＲ域３０の縁部とが
ほぼ一致した場合に、たとえば枝部１７ｂの前記幅Ｄ２
が、 Ｄ２＝Ｌ３＋δ ・・・（１）のように
選ばれれば、発光領域３０が技部１７ｂからはみ出しし
てしまう事態を防ぐことができる。
、個別電極１７をたとえばフォトエツチングなどの技術
で形成するにあたり、マスク合せ精度などに起因して、
第１図左右方向および上下方向にそれぞれ±δ（δ＝５
〜１０μｍ）の位置決め誤差が生じることが知られてい
る。したがって前記技部１７ｂ、１７ｃの第１図左右方
向の幅Ｄ２．Ｄ３は以下のようにして選ばれる０個別電
極１７が発光領域３０上に適正に配置された場合の発光
領域３０の技部１７ｂ、１７ｃに被覆される部分の第１
図左右方向の長さＬ３．Ｌ４に対して、前記位置ずれが
第５図（１）で示すように発生し、たとえば枝部１７ｃ
の透孔１７ｄに臨む縁部と発光ｆｊＲ域３０の縁部とが
ほぼ一致した場合に、たとえば枝部１７ｂの前記幅Ｄ２
が、 Ｄ２＝Ｌ３＋δ ・・・（１）のように
選ばれれば、発光領域３０が技部１７ｂからはみ出しし
てしまう事態を防ぐことができる。
同様に枝部１７ｃの幅Ｄ３も、
Ｄ３＝Ｌ４＋δ ・・・（２）のように
選ばれるとよい。
選ばれるとよい。
一方、枝部１７ｂ、１７ｃの第１図上下方向の長さＬ５
を同様な理由により、 Ｌ５＝１２＋２ｘδ ・・（３）のように選
ぶ、すなわち個別電極１７が第５図（２）に示すように
第１図上下方向の偏差１δの位置ずれを発生した場合で
も、透孔１７ｄ中に幅Ｄ１で長さＬ２の発光領域を実現
できる。
を同様な理由により、 Ｌ５＝１２＋２ｘδ ・・（３）のように選
ぶ、すなわち個別電極１７が第５図（２）に示すように
第１図上下方向の偏差１δの位置ずれを発生した場合で
も、透孔１７ｄ中に幅Ｄ１で長さＬ２の発光領域を実現
できる。
このような構造と形状の個別電極１７を採用することに
より、半導体層２９を第２半導体層２６に拡散技術にて
形成するにあたって、むやみに高精度の位置決め技術を
採用する必要が解消され、かつ選べる発光領域幅は前記
期待する印字線幅の１７／４〜１１５の範囲に選ぶこと
ができる。これにより高密度の印字が可能となる。
より、半導体層２９を第２半導体層２６に拡散技術にて
形成するにあたって、むやみに高精度の位置決め技術を
採用する必要が解消され、かつ選べる発光領域幅は前記
期待する印字線幅の１７／４〜１１５の範囲に選ぶこと
ができる。これにより高密度の印字が可能となる。
第６図は、本発明の他の実施例のＬＥＤ３１の平面図で
あり、第７図は第６図の切断面線■−■から見た断面図
およびＬＥＤ３１の特性を示す図である。これらの図面
を併せて参照して、ＬＥＤ３１について説明する。本実
施例は前述の実施例に類似し、対応する部分には同一の
参照符を付す。
あり、第７図は第６図の切断面線■−■から見た断面図
およびＬＥＤ３１の特性を示す図である。これらの図面
を併せて参照して、ＬＥＤ３１について説明する。本実
施例は前述の実施例に類似し、対応する部分には同一の
参照符を付す。
本実施例の注目すべき点は、マスク層２７に複数の開口
２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを形成したことである
。すなわち第７図（１）に示されるようにマスク層２７
の帯状部２７ａで被覆された第２半導体層２６の部分は
接ぎ面が浅く、開口２８ａ〜２８ｄに対応する部分では
、接ぎ面が深く形成される。
２８ａ、２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを形成したことである
。すなわち第７図（１）に示されるようにマスク層２７
の帯状部２７ａで被覆された第２半導体層２６の部分は
接ぎ面が浅く、開口２８ａ〜２８ｄに対応する部分では
、接ぎ面が深く形成される。
このようなＬＥＤ３１における個別電極１７から注入さ
れる駆動電流は第７図（１）の矢符Ａ２で示され、第７
図（１）の左右方向に沿う電流密度は第７図（２）に示
される。このような電流密度分布によって得られる発光
強度分布は、第７図（３）に示される。すなわち前記マ
スク層２７の帯状部２７ａに対応する部分における発光
強度にはそれぞれピークＰＬ、Ｐ２．Ｐ３が表れ、マス
ク層１７の開口２８ａ、２８ｄに臨む部分でもビークＰ
４．Ｐ５が表れる。
れる駆動電流は第７図（１）の矢符Ａ２で示され、第７
図（１）の左右方向に沿う電流密度は第７図（２）に示
される。このような電流密度分布によって得られる発光
強度分布は、第７図（３）に示される。すなわち前記マ
スク層２７の帯状部２７ａに対応する部分における発光
強度にはそれぞれピークＰＬ、Ｐ２．Ｐ３が表れ、マス
ク層１７の開口２８ａ、２８ｄに臨む部分でもビークＰ
４．Ｐ５が表れる。
すなわちｐ形の半導体層２つとｎ形の第２半導体層２６
とのｐ ｒｌ接き面において発生した光は、半導体層２
つにおいて一部が吸収され残りの光が外部に放射される
。したがって光を吸収する半導体層２９の層厚が変化す
ると、この変化に相関して発光強度も変化することにな
る。
とのｐ ｒｌ接き面において発生した光は、半導体層２
つにおいて一部が吸収され残りの光が外部に放射される
。したがって光を吸収する半導体層２９の層厚が変化す
ると、この変化に相関して発光強度も変化することにな
る。
第８図は本実施例のＬＥＤ３１の構成例を模式的に示す
断面図であり、第９図および第１０１１１はこの特性を
説明する図である。個別電極１７の発光領域３２に臨む
遊端部を第８図の電極位置Ｐ１゜Ｐ２の２種類を設定し
て実験したところ、第９図および第１０図に示されるよ
うな結果が得られた。
断面図であり、第９図および第１０１１１はこの特性を
説明する図である。個別電極１７の発光領域３２に臨む
遊端部を第８図の電極位置Ｐ１゜Ｐ２の２種類を設定し
て実験したところ、第９図および第１０図に示されるよ
うな結果が得られた。
すなわち電極位置Ｐ１の場きの発光領域３２と個別電極
２７との関係は第９図（１）に示され、電極位置Ｐ２の
場合には第１０図（１）に示される。
２７との関係は第９図（１）に示され、電極位置Ｐ２の
場合には第１０図（１）に示される。
これらの場合の発光光量はそれぞれ第９図（２〉および
第１０図（２）に示される。すなわち個別 ゛電極１７
の遊端部が半導体層２つと第２半導体層２６との接ぎ面
の比較的第２半導体層２６の表面に近い個所に近接して
いるほど、より大きな発光光量が得られている。本実施
例ではこの現象に鑑み、前記開口２８ Ｅｈ〜２８ｄに
おいて露出している半導体層２９上に技部２７ｂ、２７
ｃを配置するようにしたので、前述の原理により発光光
量がさらに増大されている。
第１０図（２）に示される。すなわち個別 ゛電極１７
の遊端部が半導体層２つと第２半導体層２６との接ぎ面
の比較的第２半導体層２６の表面に近い個所に近接して
いるほど、より大きな発光光量が得られている。本実施
例ではこの現象に鑑み、前記開口２８ Ｅｈ〜２８ｄに
おいて露出している半導体層２９上に技部２７ｂ、２７
ｃを配置するようにしたので、前述の原理により発光光
量がさらに増大されている。
発明の効果
以上のように請求項第１項の発明に従えば、半導体基板
の前記半導体部分が形成される表面に形成されている電
極は半導体部分を被覆する大きさを有し、かつ予め定め
る大きさの透孔を有する形状に選れている。これにより
発生された光は前記透孔からのみ出力され、発光領域を
侠小化した渇きと同様な結果が得られる。これにより半
導体部分を拡散技術にて形成するにあたり、拡散におい
て用いられるマスクの加工精度をむやみに向上すること
なく、侠小化された発光領域を得ることができる 請求項第２項の発明に従えば、半導体基板における半導
体部分はそれらの接合面の半導体基板表面からの深さが
複数のレベルを有する形状に選ばれる。半導体光電変換
装置の光出力レベルは通電量が同一である場合、前記接
き面の深さが比較的小さいほど発光光量が増大すること
が発見されており、したがって上記構成により光電変換
効率を向上することができる。
の前記半導体部分が形成される表面に形成されている電
極は半導体部分を被覆する大きさを有し、かつ予め定め
る大きさの透孔を有する形状に選れている。これにより
発生された光は前記透孔からのみ出力され、発光領域を
侠小化した渇きと同様な結果が得られる。これにより半
導体部分を拡散技術にて形成するにあたり、拡散におい
て用いられるマスクの加工精度をむやみに向上すること
なく、侠小化された発光領域を得ることができる 請求項第２項の発明に従えば、半導体基板における半導
体部分はそれらの接合面の半導体基板表面からの深さが
複数のレベルを有する形状に選ばれる。半導体光電変換
装置の光出力レベルは通電量が同一である場合、前記接
き面の深さが比較的小さいほど発光光量が増大すること
が発見されており、したがって上記構成により光電変換
効率を向上することができる。
第１図は本発明の一実施例のＬＥＤ １１の平面図、第
２図は第１Ｉ２１の切断面線■−■から見た断面図、第
３図は第１図の切断面線■−■から見た断面図、第４図
は光プリンタへノド１２の平面図、第５図は本実施例の
動ｆヤを説明する平面図、第６図は本発明の他の実施例
のしＥＤ３１の平面図、第７（２１はＬＥＤ３１の特性
を説明する図、第８図は本実施例の原理を説明する断面
図、第９図および第１０図は本実施例の効果を説明する
図、第１１図は本実施例の対比例を説明する図、第１２
図は典型的な従来例のＬＥＤｌの断面図、第１３図はＬ
ＥＤＩの発光光量の特性を説明する図である。 １１・・・ＬＥＤ、１２・・・光プリンタヘッド、１３
・・・基板、１４・・・共通リード線、１７・・・個別
電極、１７ ａ ・−・接続部、１７１）、１７ｃ＝・
枝部、１７ｄ・・透孔、２５・・第１半導体層、２６・
・第２半導体層、２７・・・マスク層、２８・・・開口
、２つ・・・半導体層、３０・・・発光領域、３１・・
・ＬＩＥＤ代理人 弁理士 西教 圭一部 図面の浄：（内容に変更−り 第 １ 図 に □」 第 ２図 ＜１４ 第３図 第 ５ 図 第 ６ＦＡ 第７図 躇］瞳 距敏 第９図 第１０図 距離 ｒｅＭ＝；１１
図 、／ ？ 第１２図 第１３図 」 入カニ本ルヘし 手続補正書（方式） １、事件の表示 特願平１−１２６８８２ ２、発明の名称 半導体光電変換装置 ３、補正をする者 事件とのｒＦｌｊ係 出願人 住所 名称 （６６３）京セラ株式会社 代表者 ４、代理人 住 所 大阪市西区西本町１丁目１３番３８号 新興産
ビル国装置ＥＸＯ５２５−５９８５ｒＮＴＡＰＴ Ｊ
国際ＦＡＸ （０６）５３８−０２４７（代表）６、補
正の対象 図面 ７、補正の内容 図面の浄書 （内容に変更なし）。 以 上
２図は第１Ｉ２１の切断面線■−■から見た断面図、第
３図は第１図の切断面線■−■から見た断面図、第４図
は光プリンタへノド１２の平面図、第５図は本実施例の
動ｆヤを説明する平面図、第６図は本発明の他の実施例
のしＥＤ３１の平面図、第７（２１はＬＥＤ３１の特性
を説明する図、第８図は本実施例の原理を説明する断面
図、第９図および第１０図は本実施例の効果を説明する
図、第１１図は本実施例の対比例を説明する図、第１２
図は典型的な従来例のＬＥＤｌの断面図、第１３図はＬ
ＥＤＩの発光光量の特性を説明する図である。 １１・・・ＬＥＤ、１２・・・光プリンタヘッド、１３
・・・基板、１４・・・共通リード線、１７・・・個別
電極、１７ ａ ・−・接続部、１７１）、１７ｃ＝・
枝部、１７ｄ・・透孔、２５・・第１半導体層、２６・
・第２半導体層、２７・・・マスク層、２８・・・開口
、２つ・・・半導体層、３０・・・発光領域、３１・・
・ＬＩＥＤ代理人 弁理士 西教 圭一部 図面の浄：（内容に変更−り 第 １ 図 に □」 第 ２図 ＜１４ 第３図 第 ５ 図 第 ６ＦＡ 第７図 躇］瞳 距敏 第９図 第１０図 距離 ｒｅＭ＝；１１
図 、／ ？ 第１２図 第１３図 」 入カニ本ルヘし 手続補正書（方式） １、事件の表示 特願平１−１２６８８２ ２、発明の名称 半導体光電変換装置 ３、補正をする者 事件とのｒＦｌｊ係 出願人 住所 名称 （６６３）京セラ株式会社 代表者 ４、代理人 住 所 大阪市西区西本町１丁目１３番３８号 新興産
ビル国装置ＥＸＯ５２５−５９８５ｒＮＴＡＰＴ Ｊ
国際ＦＡＸ （０６）５３８−０２４７（代表）６、補
正の対象 図面 ７、補正の内容 図面の浄書 （内容に変更なし）。 以 上
Claims (2)
- （１）一方導電形式の半導体基板の予め定める発光領域
に他方導電形式の半導体部分を形成し、該半導体基板の
両表面に電極を形成し、電極間に通電して発光出力を得
る半導体光電変換装置において半導体基板の前記半導体
部分が形成される表面に形成される電極は、前記半導体
部分を被覆する大きさを有し、かつ予め定める大きさの
透孔を有する形状に選ばれることを特徴とする半導体光
電変換装置。 - （２）前記半導体基板における半導体部分はそれらの接
合面の半導体基板表面からの深さが複数のレベルを有す
る形状に形成されている特許請求の範囲第１項記載の半
導体光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126882A JPH02305482A (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 半導体光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126882A JPH02305482A (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 半導体光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305482A true JPH02305482A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14946180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1126882A Pending JPH02305482A (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 半導体光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02305482A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5250820A (en) * | 1991-01-30 | 1993-10-05 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode having uniform light distribution |
-
1989
- 1989-05-20 JP JP1126882A patent/JPH02305482A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5250820A (en) * | 1991-01-30 | 1993-10-05 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode having uniform light distribution |
| US5420444A (en) * | 1991-01-30 | 1995-05-30 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting diode array having uniform light distribution |
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