JPH02306612A - 半導体焼付露光装置 - Google Patents
半導体焼付露光装置Info
- Publication number
- JPH02306612A JPH02306612A JP1126796A JP12679689A JPH02306612A JP H02306612 A JPH02306612 A JP H02306612A JP 1126796 A JP1126796 A JP 1126796A JP 12679689 A JP12679689 A JP 12679689A JP H02306612 A JPH02306612 A JP H02306612A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical axis
- light
- exposure
- laser
- deviation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はパルス光レーザのようにレーザビーム内の強度
分布が経時変化を起すような光源を使用する半導体焼付
露光装置に関するものである。
分布が経時変化を起すような光源を使用する半導体焼付
露光装置に関するものである。
［従来技術］
従来、半導体焼付露光装置では、露光光源に水銀ランプ
などのような、極めて安定に発光する連続光源を使用し
ていたため、光源のビーム内強度分布が経時変化を起し
て光源自体の光軸がずれることはほとんど無かった。そ
のため、光軸ずれを補正する対策は特に取られていなか
った。
などのような、極めて安定に発光する連続光源を使用し
ていたため、光源のビーム内強度分布が経時変化を起し
て光源自体の光軸がずれることはほとんど無かった。そ
のため、光軸ずれを補正する対策は特に取られていなか
った。
また、最近では、半導体素子が益々高集積化し、より微
細なパターンをウェハ上に焼き付けなければならないた
め、露光光として波長の短いエキシマ・レーザのような
パルス光源が使われるようになってきた。
細なパターンをウェハ上に焼き付けなければならないた
め、露光光として波長の短いエキシマ・レーザのような
パルス光源が使われるようになってきた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、エキシマ・レーザは、レーザ媒体霊囲気中の電
極間に高電圧を印加し、励起状態を作ることによって発
光現像を起こさせる気体レーザであるため、■電極が摩
耗し、また、■レーザ媒体雰囲気の状態によりその出射
光のビーム内強度分布が経時変化するという欠点がある
。そして、このビーム内強度分軸の変化は、実質上、光
源の光軸ずれとなってしまう恐れがある。
極間に高電圧を印加し、励起状態を作ることによって発
光現像を起こさせる気体レーザであるため、■電極が摩
耗し、また、■レーザ媒体雰囲気の状態によりその出射
光のビーム内強度分布が経時変化するという欠点がある
。そして、このビーム内強度分軸の変化は、実質上、光
源の光軸ずれとなってしまう恐れがある。
さらに、露光にあたっては予めレーザビームの光軸と半
導体焼付露光装置本体内の光学系の光軸とが一致するよ
うに調節するのであるが、上述のようにレーザビーム内
の強度分布が経時変化して光軸にずれが生じると、最終
的にレーザビームがクエへ面に到達した時、以下のよう
な問題を生ずる。
導体焼付露光装置本体内の光学系の光軸とが一致するよ
うに調節するのであるが、上述のようにレーザビーム内
の強度分布が経時変化して光軸にずれが生じると、最終
的にレーザビームがクエへ面に到達した時、以下のよう
な問題を生ずる。
■゛けられ”による露光光量の減少
■露光光が光学的に片寄った状態で入射することによる
照度むらの増大および結像性能の劣化本発明の目的は、
このような従来技術の問題点に鑑み、半導体焼付露光装
置において、露光光の光軸位置の経時変化を是正するこ
とにある。
照度むらの増大および結像性能の劣化本発明の目的は、
このような従来技術の問題点に鑑み、半導体焼付露光装
置において、露光光の光軸位置の経時変化を是正するこ
とにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため本発明では、光源が発する露光
光により半導体基板上にパターンを焼き付ける半導体焼
付露光装置において、露光光を受光して露光光の光軸位
置を検出する手段と、その検出結果に基いて露光光の光
軸位置を補正する手段とを具備するようにしている。
光により半導体基板上にパターンを焼き付ける半導体焼
付露光装置において、露光光を受光して露光光の光軸位
置を検出する手段と、その検出結果に基いて露光光の光
軸位置を補正する手段とを具備するようにしている。
光軸位置を検出する手段としては、例えば、露光光の強
度分布に基づいて光軸位置を検出するものが用いられる
。
度分布に基づいて光軸位置を検出するものが用いられる
。
［作用］
この構成において、レーザビームなどの露光光の強度分
布は光軸位置検出手段が有するイメージセンサなどによ
ってモニタされ、その強度分布から光軸中心が常時計算
して求められる。そして、光軸中心にずれが生じた場合
には、光軸位置補正手段によって光軸を自動的に平行移
動させ、適正位置に来る様に常に制御される。
布は光軸位置検出手段が有するイメージセンサなどによ
ってモニタされ、その強度分布から光軸中心が常時計算
して求められる。そして、光軸中心にずれが生じた場合
には、光軸位置補正手段によって光軸を自動的に平行移
動させ、適正位置に来る様に常に制御される。
これにより、レーザビームの光軸と露光装置の本体の光
軸とが常に一致するため、上記従来技術の問題が解決さ
れる。
軸とが常に一致するため、上記従来技術の問題が解決さ
れる。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の特徴を最も良く表わす一実施例の構
成図である。同図において、１はにｒＦなどのレーザ媒
体が封入された気体レーザであるエキシマ・レーザであ
り、パルス化されたレーザ光を発光する光源である。２
はエキシマ・レーザ１で発生したレーザ光を目的の大き
さのビームに整形するビームエクスパンダ、３はハーフ
ミラ−であり、ビームエクスパンダ２からのレーザ光は
ほとんどハーフミラ−３を透過して露光装置本体内の光
学系に入射する。４はイメージセンサであり、ハーフミ
ラ−３で反射された一部のレーザ光はイメージセンサ４
によってビーム内強度分布が常にモニターされる。
成図である。同図において、１はにｒＦなどのレーザ媒
体が封入された気体レーザであるエキシマ・レーザであ
り、パルス化されたレーザ光を発光する光源である。２
はエキシマ・レーザ１で発生したレーザ光を目的の大き
さのビームに整形するビームエクスパンダ、３はハーフ
ミラ−であり、ビームエクスパンダ２からのレーザ光は
ほとんどハーフミラ−３を透過して露光装置本体内の光
学系に入射する。４はイメージセンサであり、ハーフミ
ラ−３で反射された一部のレーザ光はイメージセンサ４
によってビーム内強度分布が常にモニターされる。
第２図はこの装置における光軸補正動作を示すフローチ
ャートである。同図を参照してこの先軸補正動作を説明
すれば、初期の調整ではビームエクスパンダ２の中心軸
をレーザの光軸が通る様にし、そして、レーザの光軸と
露光装置本体内光学系の光軸とが一致する様にエキシマ
・レーザ１を露光装置本体に対して固定する（ステップ
１０１）。
ャートである。同図を参照してこの先軸補正動作を説明
すれば、初期の調整ではビームエクスパンダ２の中心軸
をレーザの光軸が通る様にし、そして、レーザの光軸と
露光装置本体内光学系の光軸とが一致する様にエキシマ
・レーザ１を露光装置本体に対して固定する（ステップ
１０１）。
しかし、エキシマ・レーザ１のビーム内強度分布は、経
時変化を起こすため、実質的には、レーザ光の光軸が動
いてしまい、露光装置光学系の光軸とレーザ光の光軸と
の間に光軸ずれを生じる。
時変化を起こすため、実質的には、レーザ光の光軸が動
いてしまい、露光装置光学系の光軸とレーザ光の光軸と
の間に光軸ずれを生じる。
そこで、初期調整時におけるイメージセンサ４上の光軸
位置を予め記憶しておき（ステップ１０２）、その位置
からの光軸ずれ量を、レーザ光のビーム内強度分布を常
にモニタしているイメージセンサ４が出力する画像情報
に基づき画像処理装置に、おいて求め（ステップ１０３
）、そのずれ量に従ってビームエクスパンダ２をＸまた
はＹ方向に適正量移動することによって、レーザ光の光
束を平行移動し、光軸位置を補正する（ステップ１０４
〜１０６）。
位置を予め記憶しておき（ステップ１０２）、その位置
からの光軸ずれ量を、レーザ光のビーム内強度分布を常
にモニタしているイメージセンサ４が出力する画像情報
に基づき画像処理装置に、おいて求め（ステップ１０３
）、そのずれ量に従ってビームエクスパンダ２をＸまた
はＹ方向に適正量移動することによって、レーザ光の光
束を平行移動し、光軸位置を補正する（ステップ１０４
〜１０６）。
第３図は、このような補正動作を行なう光軸補正系の構
成を示すブロック図である。同図を参照してさらに詳細
に説明すれば、イメージセンサ４はＣＣＤを用いたエリ
アセンサであり、これに対するレーザ光１パルスの入射
光量が微弱な場合は、数パルスル数十パルス蓄積してか
らビーム内強度分布を濃淡画像信号として画像処理装置
５へ出力する。この場合、レーザの繰返し周波数は数百
ＰＰＳであるため、数十パルスの蓄積に要する時間はＣ
ＣＤの蓄積時間から考えて問題ない。イメージセンサ４
の感度が高い場合は蓄積は不要である。画像処理装置５
においては、この画像信号からビーム内強度分布の光軸
中心が算出される（ステップ１０３）。エキシマ・レー
ザのビーム内強度分布は一般的にほぼガウス分布である
ため、光軸中心は強度分布の重心から求められる。
成を示すブロック図である。同図を参照してさらに詳細
に説明すれば、イメージセンサ４はＣＣＤを用いたエリ
アセンサであり、これに対するレーザ光１パルスの入射
光量が微弱な場合は、数パルスル数十パルス蓄積してか
らビーム内強度分布を濃淡画像信号として画像処理装置
５へ出力する。この場合、レーザの繰返し周波数は数百
ＰＰＳであるため、数十パルスの蓄積に要する時間はＣ
ＣＤの蓄積時間から考えて問題ない。イメージセンサ４
の感度が高い場合は蓄積は不要である。画像処理装置５
においては、この画像信号からビーム内強度分布の光軸
中心が算出される（ステップ１０３）。エキシマ・レー
ザのビーム内強度分布は一般的にほぼガウス分布である
ため、光軸中心は強度分布の重心から求められる。
画像処理装置５において重心計算によって求められた光
軸中心の座標は、マイクロコンピュータ６によって読み
込まれ、光軸調整時にストアした光軸座標と比較されて
光軸のずれ量が算出され、このずれ量が許容範囲内にあ
るか否かが判断される（ステップ１０４）。許容範囲を
超えた場合は、算出されたずれ量に従ってマイクロコン
ピュータ６はビームエクスパンダドライバ７にビームエ
クスパンダ２の制御信号を出力する。そしてビームエク
スパンダドライバ７によってビームエクスパンダ２のＸ
軸周ステップモータ８およびＹ軸周ステップモータ９が
起動され、ビームエクスパンダ２の光軸位置を補正する
ように制御される。
軸中心の座標は、マイクロコンピュータ６によって読み
込まれ、光軸調整時にストアした光軸座標と比較されて
光軸のずれ量が算出され、このずれ量が許容範囲内にあ
るか否かが判断される（ステップ１０４）。許容範囲を
超えた場合は、算出されたずれ量に従ってマイクロコン
ピュータ６はビームエクスパンダドライバ７にビームエ
クスパンダ２の制御信号を出力する。そしてビームエク
スパンダドライバ７によってビームエクスパンダ２のＸ
軸周ステップモータ８およびＹ軸周ステップモータ９が
起動され、ビームエクスパンダ２の光軸位置を補正する
ように制御される。
次に、第４図および第５図を用いて光軸の補正方法を説
明する。
明する。
第４図は、イメージセンサ４から得られた画像を示す。
同図に示すように、現在のビーム内強度分布範囲が円Ｃ
で示され、その重心座標をＢ、光軸調整時にストアされ
た光軸座標をＡとすると、それらの差分から光軸のＸ軸
方向のずれ量ＸおよびＹ軸方向のずれ量ｙが求められる
。
で示され、その重心座標をＢ、光軸調整時にストアされ
た光軸座標をＡとすると、それらの差分から光軸のＸ軸
方向のずれ量ＸおよびＹ軸方向のずれ量ｙが求められる
。
第５図はビームエクスパンダ２による光束変化の様子を
示す詳細図である。ビームエクスパンダ２の倍率をα、
ビームエクスパンダ入射前のレーザビームの光軸とビー
ムエクスパンダの光軸とのずれを℃、出射後のレーザビ
ームの光軸とビームエクスパンダの光軸とのずれをｄと
するとｄ ＝ λ α が成り立つ。したがって、入射光線が℃だけずれると出
射光線はλαだけずれる。これを入射光線を基準に考え
ると、ビームエクスパンダが−２だけ偏心すると、出射
光線は入射光線に対して℃α−℃たけずれる。つまりビ
ームエクスパンダを２だけ平行的に偏心させると出射光
線はｆｌ（１−α）だけ偏心する。これは入射光線の光
軸とビームエクスパンダの光軸とが始めから一致してい
ない場合にも成り立つ。
示す詳細図である。ビームエクスパンダ２の倍率をα、
ビームエクスパンダ入射前のレーザビームの光軸とビー
ムエクスパンダの光軸とのずれを℃、出射後のレーザビ
ームの光軸とビームエクスパンダの光軸とのずれをｄと
するとｄ ＝ λ α が成り立つ。したがって、入射光線が℃だけずれると出
射光線はλαだけずれる。これを入射光線を基準に考え
ると、ビームエクスパンダが−２だけ偏心すると、出射
光線は入射光線に対して℃α−℃たけずれる。つまりビ
ームエクスパンダを２だけ平行的に偏心させると出射光
線はｆｌ（１−α）だけ偏心する。これは入射光線の光
軸とビームエクスパンダの光軸とが始めから一致してい
ない場合にも成り立つ。
したがって、出射後の光束をδだけ偏心させたい場合は
δ＝ｌ（１−α）
から、
たけビームエクスパンダを偏心させればよい。この場合
のビームエクスパンダのＸ軸方向およびＹ軸方向の移動
量ＭＸ、ＭＹは Ｍ Ｘ ＝ −−＝ − １−α α −１ Ｍ Ｙ ＝ −−＝ − １−α α −１ となる。第６図のような光束変化を示すビームエクスパ
ンダを使用した場合も同様である。
のビームエクスパンダのＸ軸方向およびＹ軸方向の移動
量ＭＸ、ＭＹは Ｍ Ｘ ＝ −−＝ − １−α α −１ Ｍ Ｙ ＝ −−＝ − １−α α −１ となる。第６図のような光束変化を示すビームエクスパ
ンダを使用した場合も同様である。
［他の実施例］
第７図は本発明の他の実施例を示す。
同図のように、ビームエクスパンダのかわりに石英の平
行平面板１０を使用することによっても光軸補正を行う
ことができる。この場合に、イメージセンサ４で得られ
たビーム内強度分布の画像が第８図に示すようなもので
あり、Ａ′を光軸調整時にストアした光軸座標、Ｂ′を
現在のビーム内強度分布の重心座標とすると、その差分
から光軸ずれの方向θと光軸ずれ量ｍｒが求められる。
行平面板１０を使用することによっても光軸補正を行う
ことができる。この場合に、イメージセンサ４で得られ
たビーム内強度分布の画像が第８図に示すようなもので
あり、Ａ′を光軸調整時にストアした光軸座標、Ｂ′を
現在のビーム内強度分布の重心座標とすると、その差分
から光軸ずれの方向θと光軸ずれ量ｍｒが求められる。
よって、光軸ずれを補正するには平行平面板１゜を求め
られた角度θだけ回転させ、さらに光軸がｍｒだけ平行
移動するように平行平面板１０を傾斜させればよい。
られた角度θだけ回転させ、さらに光軸がｍｒだけ平行
移動するように平行平面板１０を傾斜させればよい。
光軸ずれ量ｍｒを補正するための平行平面板の傾斜角度
は、計算からも求められるが、多少複雑であるため、こ
こでは第９図に示すような手順によりクローズトループ
で制御することにする。第１０図はこれによって平行平
面板１０による光軸補正の様子を示す詳細説明図である
。同図に示すように、平行平面板１０の厚さをｔとする
と、平行平面板を露光装置本体内光学系の光軸に対して
θ１だけ傾斜した時のレーザビームの光軸の平行移動量
りは ｈ＝ｔｓｉｎ（θ１−θ２）／ｃｏｓθ２（ただし、石
英の屈折率ｎ＝５ｉｎθ、／ｓｉｎθ２）となる。した
がって、θ１をＯ〜９０＠の範囲で増加させるとｈは単
調増加であるため、イメージセンサ４で光軸ずれをチェ
ックしながら平行平面板１０を徐々に傾斜させることに
より、光軸ずれを許容範囲内に追い込むことができる。
は、計算からも求められるが、多少複雑であるため、こ
こでは第９図に示すような手順によりクローズトループ
で制御することにする。第１０図はこれによって平行平
面板１０による光軸補正の様子を示す詳細説明図である
。同図に示すように、平行平面板１０の厚さをｔとする
と、平行平面板を露光装置本体内光学系の光軸に対して
θ１だけ傾斜した時のレーザビームの光軸の平行移動量
りは ｈ＝ｔｓｉｎ（θ１−θ２）／ｃｏｓθ２（ただし、石
英の屈折率ｎ＝５ｉｎθ、／ｓｉｎθ２）となる。した
がって、θ１をＯ〜９０＠の範囲で増加させるとｈは単
調増加であるため、イメージセンサ４で光軸ずれをチェ
ックしながら平行平面板１０を徐々に傾斜させることに
より、光軸ずれを許容範囲内に追い込むことができる。
第１１図はこのような補正動作を行なう補正系の構成を
示すブロック図である。イメージセンサ４、画像処理装
置５およびマイクロコンピュータ６における動作は、上
述実施例とまったく同様であり、第９図に示すように、
光軸調整、初期先軸位置のストア、現在の光軸位置の算
出、光軸ずれが許容範囲にあるか否かの判定（ステップ
２０１〜２０４）が行なわれる。
示すブロック図である。イメージセンサ４、画像処理装
置５およびマイクロコンピュータ６における動作は、上
述実施例とまったく同様であり、第９図に示すように、
光軸調整、初期先軸位置のストア、現在の光軸位置の算
出、光軸ずれが許容範囲にあるか否かの判定（ステップ
２０１〜２０４）が行なわれる。
ただし、ステップ２０５において補正を行なう場合はマ
イクロコンピュータ６からの補正信号は平行平面板ドラ
イバ１１に出力され、最初に平行平面板回転用ステップ
モータ１３で平行平面板１０がθ回転される。次に、平
行平面板傾斜用ステップモータ１２によって１ステップ
分傾斜される。そして、イメージセンサ４からの画像信
号に基づき光軸位置を計算し、ずれていれば再び１ステ
ップ分傾斜する。この時、平行平面板の回転が必要であ
れば、これも補正する。これらを繰り返すことによって
、光軸ずれを許容範囲内に追い込むことができる。
イクロコンピュータ６からの補正信号は平行平面板ドラ
イバ１１に出力され、最初に平行平面板回転用ステップ
モータ１３で平行平面板１０がθ回転される。次に、平
行平面板傾斜用ステップモータ１２によって１ステップ
分傾斜される。そして、イメージセンサ４からの画像信
号に基づき光軸位置を計算し、ずれていれば再び１ステ
ップ分傾斜する。この時、平行平面板の回転が必要であ
れば、これも補正する。これらを繰り返すことによって
、光軸ずれを許容範囲内に追い込むことができる。
光軸ずれは一般的に、きわめてゆっくりと生じるため、
１ステップ分ずつ補正をすることによっても充分にずれ
に追従して補正制御することが可能である。
１ステップ分ずつ補正をすることによっても充分にずれ
に追従して補正制御することが可能である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、ビーム内強度分布
の経時変化にかかわらず、焼付装置本体内光学系に対す
る入射レーザ光の光軸位置を常に安定して所定位置に保
つことができる。したがって、 ■光束の”けられ”による露光光量の減少が抑えられる
ため露光時間を短縮できるので、スルーブツトが向上し
、 ■光軸ずれによる照度むらが解消できるので露光むらが
抑制され、 ■露光光が安定しているため、露光むらの補正と露光量
の制御が容易に実現でき、モして■光軸ずれが解消され
るため、結像性能が向上する。
の経時変化にかかわらず、焼付装置本体内光学系に対す
る入射レーザ光の光軸位置を常に安定して所定位置に保
つことができる。したがって、 ■光束の”けられ”による露光光量の減少が抑えられる
ため露光時間を短縮できるので、スルーブツトが向上し
、 ■光軸ずれによる照度むらが解消できるので露光むらが
抑制され、 ■露光光が安定しているため、露光むらの補正と露光量
の制御が容易に実現でき、モして■光軸ずれが解消され
るため、結像性能が向上する。
第１図は、本発明の位置実施例に係る構成図、第２図は
、第１図の装置の光軸補正系による制御フローチャート
、 第３図は、第１図の装置の光軸補正系の構成を示すブロ
ック図、 第４図は、第１図の装置による光軸ずれ算出の説明図、 第５図は、第１図の装置のビームエクスパンダによる補
正の詳細説明図、 第６図は、第５図と異なるタイプのビームエキスパンダ
の説明図、 第７図は、本発明の他の実施例に係る構成図、第８図は
、第７図の装置における光軸ずれ算出の説明図、 第９図は、第７図の装置における制御フローチャート、 第１０図は、第７図の装置の平行平面板による補正の詳
細説明図、そして 第１１図は、第７図の装置の光軸補正系の構成を示すブ
ロック図である。 １、エキシマ・レーザ ２：ビームエクスパンダ ３、ハーフミラ− ４：イメージセンサ ５、画像処理装置 ６：マイクロコンピュータ ７・ビームエクスパンダドライバ ８：ビームエクスパンダＸ軸周ステップモータ９：ビー
ムエクスパンダＹ軸層ステップモータ１０・平行平面板 １１：平行平面板ドライバ
、第１図の装置の光軸補正系による制御フローチャート
、 第３図は、第１図の装置の光軸補正系の構成を示すブロ
ック図、 第４図は、第１図の装置による光軸ずれ算出の説明図、 第５図は、第１図の装置のビームエクスパンダによる補
正の詳細説明図、 第６図は、第５図と異なるタイプのビームエキスパンダ
の説明図、 第７図は、本発明の他の実施例に係る構成図、第８図は
、第７図の装置における光軸ずれ算出の説明図、 第９図は、第７図の装置における制御フローチャート、 第１０図は、第７図の装置の平行平面板による補正の詳
細説明図、そして 第１１図は、第７図の装置の光軸補正系の構成を示すブ
ロック図である。 １、エキシマ・レーザ ２：ビームエクスパンダ ３、ハーフミラ− ４：イメージセンサ ５、画像処理装置 ６：マイクロコンピュータ ７・ビームエクスパンダドライバ ８：ビームエクスパンダＸ軸周ステップモータ９：ビー
ムエクスパンダＹ軸層ステップモータ１０・平行平面板 １１：平行平面板ドライバ
Claims (2)
- （１）光源が発する露光光により半導体基板上にパター
ンを焼き付ける半導体焼付露光装置において、露光光を
受光して露光光の光軸位置を検出する手段と、その検出
結果に基いて露光光の光軸位置を補正する手段とを具備
することを特徴とする半導体焼付露光装置。 - （２）光軸位置を検出する手段は、露光光の強度分布に
基づいて光軸位置を検出するものである請求項１記載の
半導体焼付露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126796A JPH02306612A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体焼付露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126796A JPH02306612A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体焼付露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306612A true JPH02306612A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=14944163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1126796A Pending JPH02306612A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体焼付露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0592766A3 (en) * | 1992-06-19 | 1994-10-12 | Sony Corp | Optical scanner and method for adjusting the optical axis thereof. |
| WO2020246200A1 (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | インスペック株式会社 | キャリブレーションシステム及び描画装置 |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1126796A patent/JPH02306612A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0592766A3 (en) * | 1992-06-19 | 1994-10-12 | Sony Corp | Optical scanner and method for adjusting the optical axis thereof. |
| WO2020246200A1 (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | インスペック株式会社 | キャリブレーションシステム及び描画装置 |
| CN113906349A (zh) * | 2019-06-07 | 2022-01-07 | 英视股份有限公司 | 校准系统及描绘装置 |
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