JPH02306702A - フエリ磁性体薄膜フイルタ - Google Patents
フエリ磁性体薄膜フイルタInfo
- Publication number
- JPH02306702A JPH02306702A JP4247189A JP4247189A JPH02306702A JP H02306702 A JPH02306702 A JP H02306702A JP 4247189 A JP4247189 A JP 4247189A JP 4247189 A JP4247189 A JP 4247189A JP H02306702 A JPH02306702 A JP H02306702A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- thin film
- frequency
- resonator
- ferrimagnetic thin
- Prior art date
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波、ミリ波帯のフィルタに関する
ものである。
ものである。
第４図は、例えば１９８６１ＥＥｇ ＭＴＴ−８国際マ
イクロ波シンポジウムのダイジェスト（ＰＰ、 ４７３
−４７５）に示された従来のフェリ磁性体薄膜フィルタ
を示す構造図であり、（１）はフェリ磁性体薄膜共振器
、（２）は誘電体基板、（３）はストリップ導体、（４
）は地導体、（５） （６）はそれぞれ誘電体基板（２
）、ストリップ導体（３）、地導体（４）で構成される
人、出力用トランスジューサ、（７）は、人、出力用ト
ランスジューサ（５）（６）に接続される線路である。
イクロ波シンポジウムのダイジェスト（ＰＰ、 ４７３
−４７５）に示された従来のフェリ磁性体薄膜フィルタ
を示す構造図であり、（１）はフェリ磁性体薄膜共振器
、（２）は誘電体基板、（３）はストリップ導体、（４
）は地導体、（５） （６）はそれぞれ誘電体基板（２
）、ストリップ導体（３）、地導体（４）で構成される
人、出力用トランスジューサ、（７）は、人、出力用ト
ランスジューサ（５）（６）に接続される線路である。
なお、直流磁界を印加するための磁気回路はこの図では
省略する。
省略する。
次に動作について説明する。
フェリ磁性体薄膜共振器（１）の膜面に垂直に直流磁界
が印加さｎるものとする。
が印加さｎるものとする。
入力用トランスジューサ（５）に高周波数電流が流れる
と、この電流により誘起された高周波磁束がフェリ磁性
体薄膜共振器（１）の静磁前進体積波に結合する。高周
波電流の周波数、直流磁界の強さ、フェリ磁性体薄膜の
飽和磁化、磁性体薄膜の厚さ。
と、この電流により誘起された高周波磁束がフェリ磁性
体薄膜共振器（１）の静磁前進体積波に結合する。高周
波電流の周波数、直流磁界の強さ、フェリ磁性体薄膜の
飽和磁化、磁性体薄膜の厚さ。
および磁性体薄膜の幅Ｗで決定される静磁前進体積波の
波長が磁性体薄膜の長さｌの２倍にほぼ等しい場合にフ
ェリ磁性体薄膜共振器（１）が共振する。
波長が磁性体薄膜の長さｌの２倍にほぼ等しい場合にフ
ェリ磁性体薄膜共振器（１）が共振する。
この共振により生じた静磁前進体積波の高周波磁束は、
出力用トランスジューサ（６）に高周波電流を誘起する
。
出力用トランスジューサ（６）に高周波電流を誘起する
。
以上のように、共振時には、入力用トランスジューサに
入射した高周波が出力用トランスジューサに伝わる。ま
た非共振時には、静磁前進体積波の高周波磁束が強く励
振されず高周波電力は出力用トランスジューサにほとん
ど現われないことが理想的である。これにより帯域通過
フィルタとして動作させることができる。また、通帯帯
域は、印加する磁界により制御できる。
入射した高周波が出力用トランスジューサに伝わる。ま
た非共振時には、静磁前進体積波の高周波磁束が強く励
振されず高周波電力は出力用トランスジューサにほとん
ど現われないことが理想的である。これにより帯域通過
フィルタとして動作させることができる。また、通帯帯
域は、印加する磁界により制御できる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のフェリ磁性体薄膜フィルタの構成では、人、出力
用トランスジューサ（５） （６）の間隔が短い場合入
力用トランスジューサ（５）で誘起された高周波磁束が
、フェリ磁性体薄膜共振器（１）の静磁前進体積波の高
周波磁束を介せず、直接、出力用トランスデユーサ（６
）に高周波電流を誘起することがある。
用トランスジューサ（５） （６）の間隔が短い場合入
力用トランスジューサ（５）で誘起された高周波磁束が
、フェリ磁性体薄膜共振器（１）の静磁前進体積波の高
周波磁束を介せず、直接、出力用トランスデユーサ（６
）に高周波電流を誘起することがある。
この人、出力用トランスジューサ（５） （６）の直接
結合により、通過帯域外の減衰量が小さくなる問題点が
あった。
結合により、通過帯域外の減衰量が小さくなる問題点が
あった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、直接結合を低減し、通過帯域外の減衰量を大
きくできるフェリ磁性体薄膜フィルタを得ることを目的
とする。
たもので、直接結合を低減し、通過帯域外の減衰量を大
きくできるフェリ磁性体薄膜フィルタを得ることを目的
とする。
この発明に係るフェリ磁性体薄膜フィルタは、フェリ磁
性体薄膜共振器＋１）と人、出力用トランスジューサ（
５） （６）とを導波管内または導波管空胴共振器内に
配置し、それぞれの遮断周波数、共振周波数を使用周波
数帯域の上限周波数よりも高くなるように導波管または
導波管空調共振器の寸法を決定したものである。
性体薄膜共振器＋１）と人、出力用トランスジューサ（
５） （６）とを導波管内または導波管空胴共振器内に
配置し、それぞれの遮断周波数、共振周波数を使用周波
数帯域の上限周波数よりも高くなるように導波管または
導波管空調共振器の寸法を決定したものである。
この発明におけるフェリ磁性体薄膜フィルタは、遮断導
波管または、共振周波数の高い導波管空胴共振器内にフ
ェリ磁性体薄膜共振器（１）入、出力用トランスジュー
サ（５） （６） を配置した構成とすることにより、
入力用トランスジューサ（５）で発生し出力用トランス
ジューサ（６）に達する高周波磁束の量が低減され、帯
域外減衰量が大きくなる。
波管または、共振周波数の高い導波管空胴共振器内にフ
ェリ磁性体薄膜共振器（１）入、出力用トランスジュー
サ（５） （６） を配置した構成とすることにより、
入力用トランスジューサ（５）で発生し出力用トランス
ジューサ（６）に達する高周波磁束の量が低減され、帯
域外減衰量が大きくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）はフェリ磁性体薄膜共振器、（５）
（６）は入、出力用トランスデユーサ、（８）はフェ
リ磁性体薄膜共振器１１）と入、出力用トランスデユー
サ（５） （６） ｔ−内部に含む導波管である。この
導波管（８）の−辺の長さを島とする。
図において、（１）はフェリ磁性体薄膜共振器、（５）
（６）は入、出力用トランスデユーサ、（８）はフェ
リ磁性体薄膜共振器１１）と入、出力用トランスデユー
サ（５） （６） ｔ−内部に含む導波管である。この
導波管（８）の−辺の長さを島とする。
なおこの図では、直流磁界を印加するための磁気回路は
省略する。
省略する。
また（２）は誘電体基板、（３）はストリップ導体、（
４）は地導体、（７）は線路で、これらは第４図に示す
従来のものと同様なものである。
４）は地導体、（７）は線路で、これらは第４図に示す
従来のものと同様なものである。
フェリ磁性体薄膜共振器（１）が共振する周波数で、高
周波が入力用トランスジューサ（６）から出力用トラン
スジューサ（６）へ通過するという動作は、従来のフェ
リ磁性体薄膜フィルタと同様である。
周波が入力用トランスジューサ（６）から出力用トラン
スジューサ（６）へ通過するという動作は、従来のフェ
リ磁性体薄膜フィルタと同様である。
通過帯域外においては、入力用トランスジューサ（６）
により誘起さｎる高周波磁束が出力用トランスジューサ
（６）に達するまでに減衰する量は、導波管（８）の−
辺の長さの高周波の自由空間波長よりも十分長くし導波
管（８）内の電磁波の基本モードが遮断になっていると
すると、はぼ１／ａに比例する。
により誘起さｎる高周波磁束が出力用トランスジューサ
（６）に達するまでに減衰する量は、導波管（８）の−
辺の長さの高周波の自由空間波長よりも十分長くし導波
管（８）内の電磁波の基本モードが遮断になっていると
すると、はぼ１／ａに比例する。
静磁前進体積波の波長は短いためフェリ磁性体薄膜共振
器１０の１辺の長さを数層程度にできる。例えば３ＧＨ
２において、入、出力用トランスデユーサ間隔が約２目
の場合に、ａをＩＢとすると、５０ｄＢ以上の減衰量が
得られる。
器１０の１辺の長さを数層程度にできる。例えば３ＧＨ
２において、入、出力用トランスデユーサ間隔が約２目
の場合に、ａをＩＢとすると、５０ｄＢ以上の減衰量が
得られる。
第２図は、導波管（８）の代りに導波管空胴共振器（９
）を用いた場合である。導波管空調共振器（９）の電磁
波の基本モード共振周波数が使用周波数帯域の上限周波
数より十分高くなるように寸法を選ぶと、使用周波数帯
域内において線路（７）より導波管空調共振器（９）
′（−見た入力インピーダンスが短絡状態に近くなり、
線路（７）がら空胴（９）内に入射しようとする高周波
電力がほとんど反射される。このため、入、出力用トラ
ンスジューサ（５） （６）間の結合が小さくなり帯域
外減衰量が大きくなる。
）を用いた場合である。導波管空調共振器（９）の電磁
波の基本モード共振周波数が使用周波数帯域の上限周波
数より十分高くなるように寸法を選ぶと、使用周波数帯
域内において線路（７）より導波管空調共振器（９）
′（−見た入力インピーダンスが短絡状態に近くなり、
線路（７）がら空胴（９）内に入射しようとする高周波
電力がほとんど反射される。このため、入、出力用トラ
ンスジューサ（５） （６）間の結合が小さくなり帯域
外減衰量が大きくなる。
なお、上記実施例では人、出力用トランスジューサ（５
） （６）をフェリ磁性体薄膜共振器（【）から離した
ものを示したが、第３図に示すように、フェリ磁性体薄
膜共振器（１）の表面に配置しても良い。
） （６）をフェリ磁性体薄膜共振器（【）から離した
ものを示したが、第３図に示すように、フェリ磁性体薄
膜共振器（１）の表面に配置しても良い。
また、と記実施例ではフェリ磁性体薄膜共振器＋１）の
個数が１個の場合のものを示したが、所要通過特性を得
るため第３図に示すように２個あるいは３個以上のフェ
リ磁性体薄膜共振器（【）を用いてもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
個数が１個の場合のものを示したが、所要通過特性を得
るため第３図に示すように２個あるいは３個以上のフェ
リ磁性体薄膜共振器（【）を用いてもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
さらに、上記実施例ではフェリ磁性体薄膜共振器（１）
の膜面に垂直に磁界を印加し、静磁前進体積波で共振す
るものについて説明したが、磁界の印加方向を膜面内と
した静磁後進体積波、静磁表面波で共振するものであっ
てもよく、ト記実施例と同様の効果を奏する。
の膜面に垂直に磁界を印加し、静磁前進体積波で共振す
るものについて説明したが、磁界の印加方向を膜面内と
した静磁後進体積波、静磁表面波で共振するものであっ
てもよく、ト記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば遮断導波管または共振
周波数の高い導波管空胴共振器内にフェリ磁性体薄膜共
振器、人、出力用トランスジューサを配置し次構成とす
ることにより、大きな帯域外減衰量が得られる効果があ
る。
周波数の高い導波管空胴共振器内にフェリ磁性体薄膜共
振器、人、出力用トランスジューサを配置し次構成とす
ることにより、大きな帯域外減衰量が得られる効果があ
る。
第１図、第２図、第３図はこの発明の３つの実施例によ
るフェリ磁性体薄膜フィルタを示す構成図、第４図は従
来のフェリ磁性体薄膜フィルタを示す構造図である。 （１）はフェリ磁性体薄膜共振器、（２）はＢｑ体基板
、（３）はストリップ導体、（４）は地導体、（５）は
入力用トランスジューサ、（６）は出力用トランスジュ
ーサ、（７）は線路、（８）は導波管、（９）は導波管
空調共振器。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
るフェリ磁性体薄膜フィルタを示す構成図、第４図は従
来のフェリ磁性体薄膜フィルタを示す構造図である。 （１）はフェリ磁性体薄膜共振器、（２）はＢｑ体基板
、（３）はストリップ導体、（４）は地導体、（５）は
入力用トランスジューサ、（６）は出力用トランスジュ
ーサ、（７）は線路、（８）は導波管、（９）は導波管
空調共振器。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）フェリ磁性体薄膜共振器と入，出力用トランスデ
ューサを導波管内に配置し、該導波管内の電磁波の基本
モード遮断周波数が使用周波数帯域の上限周波数より高
くなるように該導波管寸法を決定したことを特徴とする
フェリ磁性体薄膜フィルタ。 - （２）フェリ磁性体薄膜共振器と入，出力用トランスデ
ューサとを導波管空胴共振器内に配置し、該導波管空胴
共振器内の電磁波の基本モード共振周波数が使用周波数
帯域の上限周波数より高くなるように該導波管空胴共振
器寸法を決定したことを特徴とするフェリ磁性体薄膜フ
ィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247189A JPH02306702A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | フエリ磁性体薄膜フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4247189A JPH02306702A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | フエリ磁性体薄膜フイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306702A true JPH02306702A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=12636981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4247189A Pending JPH02306702A (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | フエリ磁性体薄膜フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306702A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5629562A (en) * | 1993-04-08 | 1997-05-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Conductive contact structure for two conductors |
| US5698904A (en) * | 1993-09-03 | 1997-12-16 | Rohm Co., Ltd. | Packaging material for electronic components |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237802A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ストリツプラインフイルタ |
| JPS63164507A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Hitachi Metals Ltd | 静磁波共振素子 |
| JPH02186802A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波フィルタ |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP4247189A patent/JPH02306702A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237802A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ストリツプラインフイルタ |
| JPS63164507A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Hitachi Metals Ltd | 静磁波共振素子 |
| JPH02186802A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波フィルタ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5629562A (en) * | 1993-04-08 | 1997-05-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Conductive contact structure for two conductors |
| US5698904A (en) * | 1993-09-03 | 1997-12-16 | Rohm Co., Ltd. | Packaging material for electronic components |
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