JPH02307221A - Ｃｖｄ膜の成長方法 - Google Patents
Ｃｖｄ膜の成長方法Info
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- JPH02307221A JPH02307221A JP12918189A JP12918189A JPH02307221A JP H02307221 A JPH02307221 A JP H02307221A JP 12918189 A JP12918189 A JP 12918189A JP 12918189 A JP12918189 A JP 12918189A JP H02307221 A JPH02307221 A JP H02307221A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化学気相成長（Ｃｂｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、 ＣＶ Ｄ ）法、特に各
種基板表面に選択的にＣＶＤ膜を成長させる方法に関す
る。
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、 ＣＶ Ｄ ）法、特に各
種基板表面に選択的にＣＶＤ膜を成長させる方法に関す
る。
従来の代表的なＣＶＤ膜の成長方法は、例えば第２図に
示すように、ハロゲンランプなどのヒーター３で基板１
を含む反応室２の全体を４５０℃に加熱して、化学反応
式 Ｓ ｉ Ｈ４＋０２−＋Ｓ ｉＯ２＋２Ｈ２↑ で
示される熱化学反応である。
示すように、ハロゲンランプなどのヒーター３で基板１
を含む反応室２の全体を４５０℃に加熱して、化学反応
式 Ｓ ｉ Ｈ４＋０２−＋Ｓ ｉＯ２＋２Ｈ２↑ で
示される熱化学反応である。
この熱化学反応は基板１０表面だけに止まらず、反応室
２の内部の壁面や空間でも生じている。
２の内部の壁面や空間でも生じている。
このあと通常のフォトレジスト法により、部分的にＣＶ
Ｄ膜４をエツチング除去して、パターン形成が行なわれ
ることが多い。
Ｄ膜４をエツチング除去して、パターン形成が行なわれ
ることが多い。
このような成長方法においては、つぎのような問題があ
る。
る。
（１）反応室内の基板表面以外で反応・生成したものが
、基板表面に降下して核となってマウンドを生じる。
、基板表面に降下して核となってマウンドを生じる。
（２）基板の耐熱温度が低い場合は、ＣＶＤ膜の成長温
度を制限しなければならない。
度を制限しなければならない。
（３）フォトレジス）・法で不要なＣＶＤ膜をエツチン
グ除去しなければならないので、工程数が多くなる。
グ除去しなければならないので、工程数が多くなる。
（４）さらにそのエツチング除去をドライプロセスて行
なう場合は、基板表面損傷か避けられない。
なう場合は、基板表面損傷か避けられない。
本発明は反応ガスにさらされた室温の基板表面にパルス
状の集束レーザー光を選択的に照射することにより局所
的に加熱して、選択的にＣＶＤ膜を成長させるものであ
る。
状の集束レーザー光を選択的に照射することにより局所
的に加熱して、選択的にＣＶＤ膜を成長させるものであ
る。
本発明の第１の実施例について、第１図を参照して説明
する。
する。
室温のガリウムひ素（ＧａＡｓ）の基板１の表面にシラ
ン（ＳｉＨ４）と酸素（０２〉とからなる反応ガスが接
している。
ン（ＳｉＨ４）と酸素（０２〉とからなる反応ガスが接
している。
波長３５０ｎｍ、出力Ｑ、５Ｗのクリプトン（Ｋｒ）ガ
スレーザーを２μｍ／’ｍｉｎの速度で、基板１の表面
を走査して選択的に照射する。
スレーザーを２μｍ／’ｍｉｎの速度で、基板１の表面
を走査して選択的に照射する。
基板１の４２０℃の局部加熱領域５の上面に、酸化シリ
コン＜５ｉＯ２）のＣＶ Ｄ ＩＩ ４が選択的に成長
する。
コン＜５ｉＯ２）のＣＶ Ｄ ＩＩ ４が選択的に成長
する。
形成されるＣＶＤ膜パターンの分解能は、レーザー光照
射により昇温した基板表面の温度分布に支配される。
射により昇温した基板表面の温度分布に支配される。
高分解能でｃ Ｖ Ｄ膜成長を選択的に行なうためには
、レーザー光の侵入深さが浅い、すなわち光吸収が大き
い短波長のレーザー光を集束して照射するのが良い。
、レーザー光の侵入深さが浅い、すなわち光吸収が大き
い短波長のレーザー光を集束して照射するのが良い。
反応室内の空間ての熱化学反応を抑制するために、通常
の光ＣＶＤで用いられている、波長が極端に短いぶつ化
クリブ１〜ン（ＫｒＦ）やぶつ化アルゴン（ＡｒＦ＞を
用いたエキシマレーザ−光は除外する必要がある。
の光ＣＶＤで用いられている、波長が極端に短いぶつ化
クリブ１〜ン（ＫｒＦ）やぶつ化アルゴン（ＡｒＦ＞を
用いたエキシマレーザ−光は除外する必要がある。
同一領域を長時間照射すると、熱化学反応が進行する温
度以上になる領域か拡大してしまうので、細い線幅で厚
い膜を局所的に成長させるためには、供給される熱量が
熱伝導て消失するパルス状のレーザー光を照射するのが
良い。レーザー光源の出力、走査速度、パルス周期を調
整することによって、ＣＶＤ膜のｊ膜厚を制御すること
ができる。
度以上になる領域か拡大してしまうので、細い線幅で厚
い膜を局所的に成長させるためには、供給される熱量が
熱伝導て消失するパルス状のレーザー光を照射するのが
良い。レーザー光源の出力、走査速度、パルス周期を調
整することによって、ＣＶＤ膜のｊ膜厚を制御すること
ができる。
つきに本発明の第２の実施例について説明する。
第１図に示すように、シリコン基板１の表面に六ふっ化
タングステン（ＷＦ６）と水素（Ｈ２）とからなる反応
ガスが接している。
タングステン（ＷＦ６）と水素（Ｈ２）とからなる反応
ガスが接している。
波長５１４ｙ５ｎｍ、出力ＩＷのアルゴン（Ａｒ）ガス
レーザーを１μｍ／ｍｉｎの速度で基板１の表面を選択
的に走査しながら照射する。
レーザーを１μｍ／ｍｉｎの速度で基板１の表面を選択
的に走査しながら照射する。
基板１の６３０℃の局所加熱領域５の上面にタングステ
ン（Ｗ）薄頒のＣＶＤ膜４が選択的に成長する。
ン（Ｗ）薄頒のＣＶＤ膜４が選択的に成長する。
以上の実施例において、ＣＶＤ膜としてＳｉＯ□やＷを
、基板としてガリウムひ素やシリコンを用いたが、この
ほかＣＶＤ膜としてはＰ Ｓ Ｇ膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、多
結晶シリコン、Ｇ ａ Ａ ｓを、基板としては金ゲル
マニウム（Ａ ｕ Ｇｅ ）などの低融点金属層を表面
に局部的に有するもの、についても本発明の適用が可能
である。
、基板としてガリウムひ素やシリコンを用いたが、この
ほかＣＶＤ膜としてはＰ Ｓ Ｇ膜、Ｓｉ３Ｎ４膜、多
結晶シリコン、Ｇ ａ Ａ ｓを、基板としては金ゲル
マニウム（Ａ ｕ Ｇｅ ）などの低融点金属層を表面
に局部的に有するもの、についても本発明の適用が可能
である。
本発明は基板表面にレーザー光を選択的に照射して局所
加熱することにより、選択的にＣＶ Ｄ膜を成長するも
ので、従来技術に比べてつぎのような長所を有している
。
加熱することにより、選択的にＣＶ Ｄ膜を成長するも
ので、従来技術に比べてつぎのような長所を有している
。
（１）基板表面のレーザー光が照射された領域のみで反
応が進むので、マウン）・を生ずることがなくなり、ガ
スの消費量を削減することができる。
応が進むので、マウン）・を生ずることがなくなり、ガ
スの消費量を削減することができる。
（２）基板表面がレーザー光によって局部的に加熱され
るだけなので、耐熱温度の低い基板にも適用することが
できる。
るだけなので、耐熱温度の低い基板にも適用することが
できる。
（３）選択エツチングが要らないので、工数が節減でき
る。
る。
（４）さらに、トライプロセスなとによる基板表面損傷
の心配がなくなる。
の心配がなくなる。
図面の簡単な説明
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は従来技
術を示す断面図である。
術を示す断面図である。
１・・・基板、２・・・反応室、３・・ヒーター、４・
・ＣＶＤ膜、５・・・局部加熱領域。
・ＣＶＤ膜、５・・・局部加熱領域。
Claims (1)
- 直接に反応ガスの光化学反応を誘起しない波長のレーザ
ー光を用いて、反応ガスにさらされた室温の基板表面に
、パルス状の集束レーザー光を選択的に照射することを
特徴とする選択的なＣＶＤ膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12918189A JPH02307221A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | Ｃｖｄ膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12918189A JPH02307221A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | Ｃｖｄ膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02307221A true JPH02307221A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=15003146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12918189A Pending JPH02307221A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | Ｃｖｄ膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02307221A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304510A (en) * | 1990-02-14 | 1994-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a multilayered metallization structure in which the conductive layer and insulating layer are selectively deposited |
| WO2001075953A1 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film manufacturing method and manufacturing apparatus, and thin-film transistor and manufacturing method |
| JP2002134426A (ja) * | 2000-04-04 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法とその製造装置、および薄膜トランジスタとその製造方法 |
| JP2011023731A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-02-03 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | 微細構造を製造するための方法及び装置 |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP12918189A patent/JPH02307221A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304510A (en) * | 1990-02-14 | 1994-04-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a multilayered metallization structure in which the conductive layer and insulating layer are selectively deposited |
| US5470791A (en) * | 1990-02-14 | 1995-11-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| US5654237A (en) * | 1990-02-14 | 1997-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| WO2001075953A1 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film manufacturing method and manufacturing apparatus, and thin-film transistor and manufacturing method |
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| US6913986B2 (en) | 2000-04-04 | 2005-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for fabricating a thin film and thin film transistor and method of fabricating same |
| JP2011023731A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-02-03 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | 微細構造を製造するための方法及び装置 |
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