JPH02312005A - 薄膜磁気ヘッドにおけるパルス状ノイズ防止方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドにおけるパルス状ノイズ防止方法Info
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- JPH02312005A JPH02312005A JP13335589A JP13335589A JPH02312005A JP H02312005 A JPH02312005 A JP H02312005A JP 13335589 A JP13335589 A JP 13335589A JP 13335589 A JP13335589 A JP 13335589A JP H02312005 A JPH02312005 A JP H02312005A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、面内記録再生用または垂直記録再生用の薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関し、薄膜磁気回路を形成した
後、保護膜形成前に、270〜400℃の温度条件で熱
処理を行なうことにより、ポツプコーンノイズまたはイ
クセスノイズを劇的に減少させ得る薄1Illiil気
ヘッドが得られるようにしたものである。
磁気ヘッドの製造方法に関し、薄膜磁気回路を形成した
後、保護膜形成前に、270〜400℃の温度条件で熱
処理を行なうことにより、ポツプコーンノイズまたはイ
クセスノイズを劇的に減少させ得る薄1Illiil気
ヘッドが得られるようにしたものである。
〈従来の技術〉
薄膜磁気ヘッドとしては、面内記録再生用と垂直記録再
生用の2種類の方式のものが知られている。第1図は特
開昭55−84019号公報等により知られた面内記録
再生用薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第2図は同じく
要部の断面図である。1は基体、2は下部の磁性膜、3
はアルミナ等でなるギャップ膜、4は上部の磁性膜、5
は導体コイル膜、61〜63はノボラック樹脂等の有機
絶縁樹脂で構成された絶縁膜、フ、8は引出リード部、
9は絶縁膜、10はアルミナ等の保護膜である。
生用の2種類の方式のものが知られている。第1図は特
開昭55−84019号公報等により知られた面内記録
再生用薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第2図は同じく
要部の断面図である。1は基体、2は下部の磁性膜、3
はアルミナ等でなるギャップ膜、4は上部の磁性膜、5
は導体コイル膜、61〜63はノボラック樹脂等の有機
絶縁樹脂で構成された絶縁膜、フ、8は引出リード部、
9は絶縁膜、10はアルミナ等の保護膜である。
基体1は、AI、O,・TIC等のセラミック構造体1
01の上に^1205等の絶縁ll!102を被着させ
た構造となっている。この種の薄膜磁気ヘッドは、ウェ
ハー上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を形成した後に、切
断して、各薄膜磁気ヘッド素子を取世オ製造工程を経る
から、基体1はウェハーとなるのが一般的である。
01の上に^1205等の絶縁ll!102を被着させ
た構造となっている。この種の薄膜磁気ヘッドは、ウェ
ハー上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を形成した後に、切
断して、各薄膜磁気ヘッド素子を取世オ製造工程を経る
から、基体1はウェハーとなるのが一般的である。
磁性膜2及び磁性膜4の先端部はアルミナ等でなるギャ
ップ膜3を隔てて対向するポール部21.41となって
おり、このポール部21.41において読み書きを行な
う。
ップ膜3を隔てて対向するポール部21.41となって
おり、このポール部21.41において読み書きを行な
う。
導体コイル膜5は、磁性lI!2.4及びギャップ膜3
と共に薄膜磁気回路を構成している。この導体コイル膜
5は、Cu/Tiのスパッタ膜でなる下地導体膜5Aの
上にCuメッキでなる導体1i5Bを積層して設けた構
造となっており、磁性膜2.4のヨーク部22.42の
結合部のまわりに渦巻状に形成されている。
と共に薄膜磁気回路を構成している。この導体コイル膜
5は、Cu/Tiのスパッタ膜でなる下地導体膜5Aの
上にCuメッキでなる導体1i5Bを積層して設けた構
造となっており、磁性膜2.4のヨーク部22.42の
結合部のまわりに渦巻状に形成されている。
保護1l1110は、磁性膜2.4、ギャップ膜3、導
体コイル膜5及び眉間絶縁膜61〜63によって構成さ
れる薄膜磁気ヘッド素子を保護するために設けられたも
ので、アルミナ等のスパッタ膜として形成される。第1
図の斜視図は、この保護膜10を設ける前の状態を示し
ている。
体コイル膜5及び眉間絶縁膜61〜63によって構成さ
れる薄膜磁気ヘッド素子を保護するために設けられたも
ので、アルミナ等のスパッタ膜として形成される。第1
図の斜視図は、この保護膜10を設ける前の状態を示し
ている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところが、従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、書込信号
を与えた後に、例えば10μs〜20μS程度の時間を
おいて、読出動作を行なった場合、読出信号に、通常の
ホワイトノイズよりも、著しく高いピーク値を持つポツ
プコーンノイズが発生する。第3図はホワイトノイズ中
のポツプコーンノイズを示すオシロスコープ波形図で、
横軸に単位目盛当り0.5μsで表される時間目盛を取
り、縦軸に単位目盛当り30μVで表される電圧目盛を
取っである。波形図の下には、書込動作と読出動作との
タイムチャートを、時間軸を合せて表示しである。書込
動作を停止した後、七〇時に読出動作を開始した場合、
七〇時を基準にして、1.5μs〜2.5μsを経過し
たときに、ホワイトノイズPwのレベルよりも著しくピ
ーク値の高いパルス状のノイズPPが生じている。この
ようなノイズPPは当業者間ではポツプコーンノイズと
呼ばれている。
を与えた後に、例えば10μs〜20μS程度の時間を
おいて、読出動作を行なった場合、読出信号に、通常の
ホワイトノイズよりも、著しく高いピーク値を持つポツ
プコーンノイズが発生する。第3図はホワイトノイズ中
のポツプコーンノイズを示すオシロスコープ波形図で、
横軸に単位目盛当り0.5μsで表される時間目盛を取
り、縦軸に単位目盛当り30μVで表される電圧目盛を
取っである。波形図の下には、書込動作と読出動作との
タイムチャートを、時間軸を合せて表示しである。書込
動作を停止した後、七〇時に読出動作を開始した場合、
七〇時を基準にして、1.5μs〜2.5μsを経過し
たときに、ホワイトノイズPwのレベルよりも著しくピ
ーク値の高いパルス状のノイズPPが生じている。この
ようなノイズPPは当業者間ではポツプコーンノイズと
呼ばれている。
ポツプコーンノイズPPの発生メカニズムは、必ずしも
明確ではないけれども、書込動作状態から静止状態にB
る際の磁性膜2.4における磁区形成の遅れがその主要
な原因ではないかと推測される。磁性l!!2.4は磁
気的異方性を有しており、書込動作時に、第4図に示す
ように、磁化困難軸方向H8を向いている磁区が、静止
状態では、第5図に示すように、磁化困難軸方向HHか
ら90度回転した磁化容易軸方向HEに向きを変える。
明確ではないけれども、書込動作状態から静止状態にB
る際の磁性膜2.4における磁区形成の遅れがその主要
な原因ではないかと推測される。磁性l!!2.4は磁
気的異方性を有しており、書込動作時に、第4図に示す
ように、磁化困難軸方向H8を向いている磁区が、静止
状態では、第5図に示すように、磁化困難軸方向HHか
ら90度回転した磁化容易軸方向HEに向きを変える。
ポツプコーンノイズPPは、磁性@2.4の磁区の方向
が磁化困難軸方向HHから容易軸方向H,に回転すると
きの時間的な遅れに起因して発生するというものである
。
が磁化困難軸方向HHから容易軸方向H,に回転すると
きの時間的な遅れに起因して発生するというものである
。
ポツプコーンノイズPPは、ピーク値v0−2が大きな
ものでは100μv0−2にも達し、正常な読出信号と
の区別ができず、磁気ディスクドライブでは読出しエラ
ーとなる。このことは、薄膜磁気ヘッドの実用性を否定
することにもなりかねない極めて重要な問題である。し
かしながら、現状では、その有効な解決手段がない0例
えば、書込動作後、読出動作を行なうまでの時間(ポス
ト。
ものでは100μv0−2にも達し、正常な読出信号と
の区別ができず、磁気ディスクドライブでは読出しエラ
ーとなる。このことは、薄膜磁気ヘッドの実用性を否定
することにもなりかねない極めて重要な問題である。し
かしながら、現状では、その有効な解決手段がない0例
えば、書込動作後、読出動作を行なうまでの時間(ポス
ト。
ライト、リカバリ、タイム)を長くとる等の手段が考え
られるが、その適用に当っては、磁気ディスクドライブ
装置のシステム変更が不可欠であり、実際には不可能に
近い。しかも、ポスト、ライト、リカバリ、タイムを長
くとることは、高密度記録の要請に反する。
られるが、その適用に当っては、磁気ディスクドライブ
装置のシステム変更が不可欠であり、実際には不可能に
近い。しかも、ポスト、ライト、リカバリ、タイムを長
くとることは、高密度記録の要請に反する。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、ポツプコーンノイズを劇的に減少させ得る薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供することである。
し、ポツプコーンノイズを劇的に減少させ得る薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供することである。
く課題を解決するための手段〉
上述する課題を解決するため、本発明は、第1図及び第
2図に示した如く、基体1上に磁性膜2.4及び導体コ
イル膜5を含む薄lNll1il気回路2〜6を形成し
た後、薄膜磁気回路2〜6を覆う保護膜10を形成する
前に、270℃〜400℃の温度条件で熱処理を行なう
ことを特徴とする。
2図に示した如く、基体1上に磁性膜2.4及び導体コ
イル膜5を含む薄lNll1il気回路2〜6を形成し
た後、薄膜磁気回路2〜6を覆う保護膜10を形成する
前に、270℃〜400℃の温度条件で熱処理を行なう
ことを特徴とする。
く作用〉
薄膜磁気回路2〜6を形成した後、薄膜磁気回路を覆う
保護膜lOを形成する前に、2フO℃〜400℃の温度
条件で熱処理を行なうと、その理由は明確ではないが、
ポツプコーンノイズが著しく減少することが分った。
保護膜lOを形成する前に、2フO℃〜400℃の温度
条件で熱処理を行なうと、その理由は明確ではないが、
ポツプコーンノイズが著しく減少することが分った。
270℃以下の温度では、ポツプコーンノイズ減少に顕
著な作用が得られない。400℃以上の温度では、パー
マロイ膜として形成される磁性膜2.4の特性が劣化す
る。従りて、270℃〜400℃の温度範囲が適してい
る。
著な作用が得られない。400℃以上の温度では、パー
マロイ膜として形成される磁性膜2.4の特性が劣化す
る。従りて、270℃〜400℃の温度範囲が適してい
る。
保護膜10を形成した後に熱処理すると、保護膜10と
磁性膜4との間の熱的ストレス、界面剥離等の問題を生
じる。この問題点を回避するため、上述の熱処理は保護
ll110を形成する前に行なう。
磁性膜4との間の熱的ストレス、界面剥離等の問題を生
じる。この問題点を回避するため、上述の熱処理は保護
ll110を形成する前に行なう。
熱処理時間は温度条件によって異なる。上述の温度27
0℃〜400℃の範囲では、10分〜120分の処理時
間が通している。熱処理時間が長過ぎると、絶縁膜61
〜63の膜減り等の問題を生じる。1例として、320
℃の温度では、60分程度の熱処理時間が適し、90分
を越えると膜減りが進み不適当である。
0℃〜400℃の範囲では、10分〜120分の処理時
間が通している。熱処理時間が長過ぎると、絶縁膜61
〜63の膜減り等の問題を生じる。1例として、320
℃の温度では、60分程度の熱処理時間が適し、90分
を越えると膜減りが進み不適当である。
上述の熱処理は真空度10−2〜10−’Torr程度
の真空中で行なうのが望ましい。真空中雰囲気処理は、
絶縁961〜63の炭化防止のためである。
の真空中で行なうのが望ましい。真空中雰囲気処理は、
絶縁961〜63の炭化防止のためである。
〈実施例〉
第1図に示した如く、ウェハーである基板1の上に薄膜
磁気回路2〜6を形成した後、保護膜10を設ける前の
状態で、320℃の温度で60分の熱処理を行なった。
磁気回路2〜6を形成した後、保護膜10を設ける前の
状態で、320℃の温度で60分の熱処理を行なった。
上述の熱処理は真空度10″′3〜10−’Torr程
度の真空中で行なった。この後、保護@10をスパッタ
成膜して、第2図に示すような構造を有する薄ll1l
ifl気ヘッドを得た。
度の真空中で行なった。この後、保護@10をスパッタ
成膜して、第2図に示すような構造を有する薄ll1l
ifl気ヘッドを得た。
得られた薄膜磁気ヘッドは、導体コイル膜5のターン数
が32ターンで、抵抗値は30Ωである。
が32ターンで、抵抗値は30Ωである。
第6図は上述の磁気ヘッドの熱処理の前後におけるポツ
プコーンノイズ数をグラフ化して示す図である0図示す
るように、熱処理前に1000個以上もあったポツプコ
ーンノイズが、熱処理後は殆ど零になっており、劇的に
減少している。第6図中、Q印はポツプコーンノイズ検
出のためのノイズしきい値電圧を40μVO−pに設定
した場合を示し、Δ印は50μvo−pに設定した場合
のポツプコーンノイズ数である。ポツプコーンノイズ減
少効果は、ウェハー上の薄膜磁気ヘッドでも、ウェハー
にピース加工を施した後の個々の薄膜磁気ヘッドでも同
様であった。
プコーンノイズ数をグラフ化して示す図である0図示す
るように、熱処理前に1000個以上もあったポツプコ
ーンノイズが、熱処理後は殆ど零になっており、劇的に
減少している。第6図中、Q印はポツプコーンノイズ検
出のためのノイズしきい値電圧を40μVO−pに設定
した場合を示し、Δ印は50μvo−pに設定した場合
のポツプコーンノイズ数である。ポツプコーンノイズ減
少効果は、ウェハー上の薄膜磁気ヘッドでも、ウェハー
にピース加工を施した後の個々の薄膜磁気ヘッドでも同
様であった。
次に、第6図のデータを得るために設定された条件につ
いて説明する。
いて説明する。
第7図は第6図のデータを得るための書込及び読出動作
のタイムチャートである。書込動作は、書込電流40m
A。−2、書込時間1mSとした。書込動作終了後、1
0μsのポスト、ライト、リカバリ、タイムを取り、読
出動作を行なった。読出時間は1611Sである。上述
を1サイクルとして2分間の試験を行なった。ホワイト
ノイズのレベルを30μV、、と仮定し、ポツプコーン
ノイズ検出のためのノイズしきい値電圧を40μv0−
2.50μVO+pにそれぞれ設定して試験を行なった
。
のタイムチャートである。書込動作は、書込電流40m
A。−2、書込時間1mSとした。書込動作終了後、1
0μsのポスト、ライト、リカバリ、タイムを取り、読
出動作を行なった。読出時間は1611Sである。上述
を1サイクルとして2分間の試験を行なった。ホワイト
ノイズのレベルを30μV、、と仮定し、ポツプコーン
ノイズ検出のためのノイズしきい値電圧を40μv0−
2.50μVO+pにそれぞれ設定して試験を行なった
。
第8図は第6図のデータを得るために供された測定回路
のブロック図である0図において、11は薄膜磁気ヘッ
ド、12.13は増幅器、14はフィルタ、15はオペ
アンプ、16は比較器、17は論理ゲート、18は゛読
出/書込の切替制御器、19はゲート制御器、20はゲ
ート、タイマー、21は論理ゲート、22はポツプコー
ンカウンタである。
のブロック図である0図において、11は薄膜磁気ヘッ
ド、12.13は増幅器、14はフィルタ、15はオペ
アンプ、16は比較器、17は論理ゲート、18は゛読
出/書込の切替制御器、19はゲート制御器、20はゲ
ート、タイマー、21は論理ゲート、22はポツプコー
ンカウンタである。
切替制御器18から増幅器12に与えられる切替信号に
より、第7図に示すタイムチャートに従って読出/書込
の切替えを行なう、読出動作において、薄膜磁気ヘッド
11から出力される信号を増幅器12.13で増幅し、
フィルタ14により必要な周波数成分を抽出し、オペア
ンプ15を通して比較器16に入力する。比較器16は
、オペアンプ15より供給される信号を、ツェナーダイ
オード23によって設定されたポツプコーンノイズ検出
のためのノイズしきい値と比較し、前者が後者よりも大
きいときに、論理1の出力を生じる。この論理1の比較
出力を、論理ゲート17を通してポツプコーンノイズ、
カウンタ22に与えて1数する。ポツプコーンノイズ、
カウンタ22における計数タイミングは、ゲート制御器
19及びゲートタイマ20から論理ゲート21を通して
与えられるタイミング信号によって定められる。
より、第7図に示すタイムチャートに従って読出/書込
の切替えを行なう、読出動作において、薄膜磁気ヘッド
11から出力される信号を増幅器12.13で増幅し、
フィルタ14により必要な周波数成分を抽出し、オペア
ンプ15を通して比較器16に入力する。比較器16は
、オペアンプ15より供給される信号を、ツェナーダイ
オード23によって設定されたポツプコーンノイズ検出
のためのノイズしきい値と比較し、前者が後者よりも大
きいときに、論理1の出力を生じる。この論理1の比較
出力を、論理ゲート17を通してポツプコーンノイズ、
カウンタ22に与えて1数する。ポツプコーンノイズ、
カウンタ22における計数タイミングは、ゲート制御器
19及びゲートタイマ20から論理ゲート21を通して
与えられるタイミング信号によって定められる。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、基体上に磁性膜及び導体コイル膜を含む薄膜磁
気回路を形成した後、前記薄膜磁気回路を覆う保護膜を
形成する前に、270℃〜400℃の温度条件で熱処理
を行なうようにしたから、ポツプコーンノイズを殆ど生
じることのない薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
方法は、基体上に磁性膜及び導体コイル膜を含む薄膜磁
気回路を形成した後、前記薄膜磁気回路を覆う保護膜を
形成する前に、270℃〜400℃の温度条件で熱処理
を行なうようにしたから、ポツプコーンノイズを殆ど生
じることのない薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
第1図は薄膜磁気ヘッドの要部の斜視図、第2図は薄膜
磁気ヘッドの要部の断面図、第3図はホワイトノイズ中
のポツプコーンノイズを示すオシロスコープ波形図、第
4図は書込動作時の磁区の構造を示す図、第5図は読出
動作時の磁区の構造を示す図、第6図は薄膜磁気ヘッド
の熱処理の前後におけるポツプコーンノイズ数をグラフ
化して示す図、第7図は第6図のデータを得るための書
込及び読出動作のタイムチャート、第8図は第6図のデ
ータを得るために供された測定回路のブロック図である
。 1・・・基体 2.4・・・磁性膜5・・・導体コ
イル膜 10・・・保護膜 特許出願人 ティーディーケイ株式会社第3図 第6図
磁気ヘッドの要部の断面図、第3図はホワイトノイズ中
のポツプコーンノイズを示すオシロスコープ波形図、第
4図は書込動作時の磁区の構造を示す図、第5図は読出
動作時の磁区の構造を示す図、第6図は薄膜磁気ヘッド
の熱処理の前後におけるポツプコーンノイズ数をグラフ
化して示す図、第7図は第6図のデータを得るための書
込及び読出動作のタイムチャート、第8図は第6図のデ
ータを得るために供された測定回路のブロック図である
。 1・・・基体 2.4・・・磁性膜5・・・導体コ
イル膜 10・・・保護膜 特許出願人 ティーディーケイ株式会社第3図 第6図
Claims (2)
- (1)基体上に磁性膜及び導体コイル膜を含む薄膜磁気
回路を形成した後、前記薄膜磁気回路を覆う保護膜を形
成する前に、270℃〜400℃の温度条件で熱処理を
行なうことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - (2)前記熱処理は、10分〜120分間行なうことを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133355A JPH063644B2 (ja) | 1989-05-27 | 1989-05-27 | 薄膜磁気ヘッドにおけるパルス状ノイズ防止方法 |
| US07/715,012 US5236735A (en) | 1989-05-27 | 1991-06-13 | Method of producing a thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133355A JPH063644B2 (ja) | 1989-05-27 | 1989-05-27 | 薄膜磁気ヘッドにおけるパルス状ノイズ防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02312005A true JPH02312005A (ja) | 1990-12-27 |
| JPH063644B2 JPH063644B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=15102782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1133355A Expired - Lifetime JPH063644B2 (ja) | 1989-05-27 | 1989-05-27 | 薄膜磁気ヘッドにおけるパルス状ノイズ防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063644B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05266423A (ja) * | 1990-10-12 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US6571729B2 (en) * | 1999-07-28 | 2003-06-03 | Anelva Corporation | Apparatus for depositing a thin film on a data recording disk |
Families Citing this family (2)
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| JP5693711B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-04-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電圧発生回路 |
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| JPS609098A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-18 | 三菱電機株式会社 | 多灯用放電ランプ点灯装置 |
| JPH0283809A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製法 |
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1989
- 1989-05-27 JP JP1133355A patent/JPH063644B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6571729B2 (en) * | 1999-07-28 | 2003-06-03 | Anelva Corporation | Apparatus for depositing a thin film on a data recording disk |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH063644B2 (ja) | 1994-01-12 |
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