JPH0232352B2 - - Google Patents
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- JPH0232352B2 JPH0232352B2 JP59012578A JP1257884A JPH0232352B2 JP H0232352 B2 JPH0232352 B2 JP H0232352B2 JP 59012578 A JP59012578 A JP 59012578A JP 1257884 A JP1257884 A JP 1257884A JP H0232352 B2 JPH0232352 B2 JP H0232352B2
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、真空槽の真空雰囲気をガスの導入
流量および圧力のいずれを基準にしても制御する
ことのできる真空雰囲気制御装置に関する。
流量および圧力のいずれを基準にしても制御する
ことのできる真空雰囲気制御装置に関する。
真空槽内にAr，O2，N2，SiH4，SiCl4などの
ガスを導入して真空雰囲気を調整することは、ス
パツタリング装置、イオンプレーテイング装置、
反応性真空蒸着装置、プラズマ発生装置など広く
行なわれている。このような装置においては、真
空槽内の圧力を基準として、あるいはガス流量を
一定にして真空槽内にガスが導入されており、自
動圧力調整器（APC）や自動流量調整器（AFC）
が用いられてきた。
ガスを導入して真空雰囲気を調整することは、ス
パツタリング装置、イオンプレーテイング装置、
反応性真空蒸着装置、プラズマ発生装置など広く
行なわれている。このような装置においては、真
空槽内の圧力を基準として、あるいはガス流量を
一定にして真空槽内にガスが導入されており、自
動圧力調整器（APC）や自動流量調整器（AFC）
が用いられてきた。
しかしながら、形成すべき薄膜の種類、気相反
応の種類、放電条件などによつて、あるいは繰返
し使用による真空槽内の排出ガス量の変化を考慮
すると、所望の薄膜特性などを得るためには、圧
力を基準にしてガスを導入し真空雰囲気を制御す
るのが適当である場合と、流量を基準としてガス
を導入して真空雰囲気を制御するのが好ましい場
合とがあることが判つてきた。この要請を満足し
て双方の制御を可能にするには、自動圧力調整器
と自動流量調整器の２つの調整器を１つの真空槽
に設けることが必要となるが、それぞれの調整器
に関してガス導入口やガス流量制御バルブを要す
ることから、装置が複雑、高価となるばかりか、
リークが発生する原因となる個所も多くなり、保
守管理も煩雑となるという問題が生じる。
応の種類、放電条件などによつて、あるいは繰返
し使用による真空槽内の排出ガス量の変化を考慮
すると、所望の薄膜特性などを得るためには、圧
力を基準にしてガスを導入し真空雰囲気を制御す
るのが適当である場合と、流量を基準としてガス
を導入して真空雰囲気を制御するのが好ましい場
合とがあることが判つてきた。この要請を満足し
て双方の制御を可能にするには、自動圧力調整器
と自動流量調整器の２つの調整器を１つの真空槽
に設けることが必要となるが、それぞれの調整器
に関してガス導入口やガス流量制御バルブを要す
ることから、装置が複雑、高価となるばかりか、
リークが発生する原因となる個所も多くなり、保
守管理も煩雑となるという問題が生じる。
この発明はこのような観点からなされたもので
あり、使用目的によつて、圧力あるいはガス流量
のいずれを基準としても簡便に真空雰囲気を調整
することのできる真空雰囲気制御装置を提供する
ことを目的とする。
あり、使用目的によつて、圧力あるいはガス流量
のいずれを基準としても簡便に真空雰囲気を調整
することのできる真空雰囲気制御装置を提供する
ことを目的とする。
すなわち、この発明の真空雰囲気制御装置は、
流量センサからの出力信号と設定流量信号とを比
較し偏差を検知して第１の動作信号を出力し、真
空計からの出力信号と設定圧力信号とを比較し偏
差を検知して第２の動作信号を出力する比較回路
と、 真空槽へのガス流量を調整する流量調整バルブ
と、 前記第１または第２の動作信号を受けて偏差量
が許容量以下となるように前記流量制御バルブの
開度を制御する制御機構と、 前記第１または第２の動作信号を選択的に前記
制御機構に供給する信号切換機構とを有すること
を特徴とする。
流量センサからの出力信号と設定流量信号とを比
較し偏差を検知して第１の動作信号を出力し、真
空計からの出力信号と設定圧力信号とを比較し偏
差を検知して第２の動作信号を出力する比較回路
と、 真空槽へのガス流量を調整する流量調整バルブ
と、 前記第１または第２の動作信号を受けて偏差量
が許容量以下となるように前記流量制御バルブの
開度を制御する制御機構と、 前記第１または第２の動作信号を選択的に前記
制御機構に供給する信号切換機構とを有すること
を特徴とする。
以下、添付図面に沿つてこの発明をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はこの発明の実施例を示す説明図であ
り、真空ポンプにより排気される真空槽１１には
流量制御バルブ１３が設けられ、このバルブ１３
の開度を制御することによりライン１５からライ
ン１７を経て所望の流量で真空槽１１にガスを供
給するようになつている。
り、真空ポンプにより排気される真空槽１１には
流量制御バルブ１３が設けられ、このバルブ１３
の開度を制御することによりライン１５からライ
ン１７を経て所望の流量で真空槽１１にガスを供
給するようになつている。
流量センサ２１、第１の比較回路２３および流
量設定回路２５は流量制御システムを構成する。
切換スイツチ２７の接点２７ａ，２７ｂとが接続
されて流量モードとなると、流量設定回路２５で
ポテンシヨメータなどにより設定された電圧とし
て、流量設定回路２５から設定流量信号が第１の
比較回路２３に送られる。第１の比較回路２３で
は流量計２１からの流量出力信号と設定流量信号
とが比較されて偏差が検知され、第１の比較回路
２３から偏差に応じて第１の動作信号が出力さ
れ、この動作信号によりサーボモータなどのバル
ブ作動部材１９が作動して、設定流量信号と流量
出力信号との偏差量が零以下となるように制御バ
ルブ１３の開度が調節される。
量設定回路２５は流量制御システムを構成する。
切換スイツチ２７の接点２７ａ，２７ｂとが接続
されて流量モードとなると、流量設定回路２５で
ポテンシヨメータなどにより設定された電圧とし
て、流量設定回路２５から設定流量信号が第１の
比較回路２３に送られる。第１の比較回路２３で
は流量計２１からの流量出力信号と設定流量信号
とが比較されて偏差が検知され、第１の比較回路
２３から偏差に応じて第１の動作信号が出力さ
れ、この動作信号によりサーボモータなどのバル
ブ作動部材１９が作動して、設定流量信号と流量
出力信号との偏差量が零以下となるように制御バ
ルブ１３の開度が調節される。
一方、真空計２９、第２の比較回路３１および
圧力設定回路３３は圧力制御システムを構成す
る。切換えスイツチ２７の接点２７ａと２７ｃと
が接続されて圧力モードとなると、圧力設定回路
３３でポテンシヨメータなどにより設定され電圧
として、圧力設定回路３３から設定圧力信号が第
２の比較回路３１に送られる。第２の比較回路３
１では真空計２９からの圧力出力信号と設定圧力
信号とが比較されて、偏差が検知され第２の比較
回路３１から偏差に応じて第２の動作信号が出力
され、この動作信号によりバルブ作動部材１９が
作動して、設定圧力信号と圧力出力信号との偏差
量が零になるように流量制御バルブ１３の開度が
調整される。この圧力制御システムでは流量制御
バルブの開度をPID制御することが好ましい。
圧力設定回路３３は圧力制御システムを構成す
る。切換えスイツチ２７の接点２７ａと２７ｃと
が接続されて圧力モードとなると、圧力設定回路
３３でポテンシヨメータなどにより設定され電圧
として、圧力設定回路３３から設定圧力信号が第
２の比較回路３１に送られる。第２の比較回路３
１では真空計２９からの圧力出力信号と設定圧力
信号とが比較されて、偏差が検知され第２の比較
回路３１から偏差に応じて第２の動作信号が出力
され、この動作信号によりバルブ作動部材１９が
作動して、設定圧力信号と圧力出力信号との偏差
量が零になるように流量制御バルブ１３の開度が
調整される。この圧力制御システムでは流量制御
バルブの開度をPID制御することが好ましい。
また、上記実施例では第１および第２の２つの
比較回路を用いて、それぞれ流量制御システムお
よび圧力制御システムを作動せしめる場合につい
て説明したが１つの比較回路により流量出力信号
と設定流量信号との比較および圧力出力信号、設
定圧力信号との比較の双方を行なうようにしても
よい。第２図はその実施例を示すブロツク図であ
り、第１図の第１および第２の比較回路の代りに
比較回路２４を用いて切換えスイツチ２８，３０
の接続位置を変更した以外は第１図に示したもの
と同様である。切換えスイツチ２８，３０におい
てそれぞれ接点２８ａと接点２８ｂ、接点３０ａ
と接点３０ｂとが接続されると流量設定回路２５
からの設定流量信号が比較回路２４に送られ、こ
の信号と流量センサ２１からの出力信号が比較さ
れて偏差が検知され、比較回路２４から第１の動
作信号が出力されてバルブ作動部材１９により流
量制御バルブ１３の開度が制御される。一方、切
換えスイツチ２８，３０のそれぞれ接点２８ａと
接点２８ｃ、接点３０ａと接点３０ｃとが接続さ
れると、真空計２９の出力信号が比較回路２４に
入力され、この信号と圧力設定回路３３からの設
定圧力信号とが比較されて第２の動作信号が出力
され、流量調整バルブ１３の開度が制御される。
比較回路を用いて、それぞれ流量制御システムお
よび圧力制御システムを作動せしめる場合につい
て説明したが１つの比較回路により流量出力信号
と設定流量信号との比較および圧力出力信号、設
定圧力信号との比較の双方を行なうようにしても
よい。第２図はその実施例を示すブロツク図であ
り、第１図の第１および第２の比較回路の代りに
比較回路２４を用いて切換えスイツチ２８，３０
の接続位置を変更した以外は第１図に示したもの
と同様である。切換えスイツチ２８，３０におい
てそれぞれ接点２８ａと接点２８ｂ、接点３０ａ
と接点３０ｂとが接続されると流量設定回路２５
からの設定流量信号が比較回路２４に送られ、こ
の信号と流量センサ２１からの出力信号が比較さ
れて偏差が検知され、比較回路２４から第１の動
作信号が出力されてバルブ作動部材１９により流
量制御バルブ１３の開度が制御される。一方、切
換えスイツチ２８，３０のそれぞれ接点２８ａと
接点２８ｃ、接点３０ａと接点３０ｃとが接続さ
れると、真空計２９の出力信号が比較回路２４に
入力され、この信号と圧力設定回路３３からの設
定圧力信号とが比較されて第２の動作信号が出力
され、流量調整バルブ１３の開度が制御される。
第３図はマスフローコントローラ３５を用いた
この発明の他の実施例を示すブロツク図である。
マスフローコントローラ３５は、流量制御バルブ
１３、バルブ作動部材１９、流量センサ２１およ
び第１の比較回路２３を備えている。スイツチ３
２の接点３２ａと接点３２ｂとが接続されると、
流量設定回路２５からの設定流量信号が第１の比
較回路２３に入力し、流量センサ２１からの出力
信号との偏差を検知して第１の動作信号をバルブ
作動部材に出力し、偏差量が零になるように流量
制御バルブ１３の開度が調整される。一方、スイ
ツチ３２の接点３２ａと接点３２ｃとが接続され
ると、真空計２９からの出力信号と圧力設定回路
３３からの設定圧力信号が第２の比較回路３１で
比較されて偏差が検知され、マスフローコントロ
ーラ３５の第２比較回路２３を経て第２の動作信
号がバルブ作動部材１９に出力され、偏差量が零
になるように流量制御バルブ１３の開度が調整さ
れる。
この発明の他の実施例を示すブロツク図である。
マスフローコントローラ３５は、流量制御バルブ
１３、バルブ作動部材１９、流量センサ２１およ
び第１の比較回路２３を備えている。スイツチ３
２の接点３２ａと接点３２ｂとが接続されると、
流量設定回路２５からの設定流量信号が第１の比
較回路２３に入力し、流量センサ２１からの出力
信号との偏差を検知して第１の動作信号をバルブ
作動部材に出力し、偏差量が零になるように流量
制御バルブ１３の開度が調整される。一方、スイ
ツチ３２の接点３２ａと接点３２ｃとが接続され
ると、真空計２９からの出力信号と圧力設定回路
３３からの設定圧力信号が第２の比較回路３１で
比較されて偏差が検知され、マスフローコントロ
ーラ３５の第２比較回路２３を経て第２の動作信
号がバルブ作動部材１９に出力され、偏差量が零
になるように流量制御バルブ１３の開度が調整さ
れる。
以上のようにこの発明の真空雰囲気制御装置に
よれば、真空槽へのガスの流量を制御することの
できる流量制御バルブを設け、切換えスイツチな
どを用いて流量比較信号および圧力比較信号の双
方により択一的に上記流量バルブを制御すること
により１つの流量制御バルブで流量を基準とし
て、あるいは圧力を基準として真空雰囲気を制御
することができる。よつて、真空槽へのガス導入
に用いる流量制御バルブやガス導入口を１つ設け
るだけで、圧力あるいはガス流入量のいずれを基
準としても真空雰囲気を調整することができ、装
置の簡略化が可能である。また、リークを起こす
可能性のある箇所もそれだけ減少し、真空装置の
保守管理も容易となる。
よれば、真空槽へのガスの流量を制御することの
できる流量制御バルブを設け、切換えスイツチな
どを用いて流量比較信号および圧力比較信号の双
方により択一的に上記流量バルブを制御すること
により１つの流量制御バルブで流量を基準とし
て、あるいは圧力を基準として真空雰囲気を制御
することができる。よつて、真空槽へのガス導入
に用いる流量制御バルブやガス導入口を１つ設け
るだけで、圧力あるいはガス流入量のいずれを基
準としても真空雰囲気を調整することができ、装
置の簡略化が可能である。また、リークを起こす
可能性のある箇所もそれだけ減少し、真空装置の
保守管理も容易となる。
第１図、第２図および第３図はこの発明の真空
雰囲気制御装置の実施例の構成を示すブロツク図
である。 図中、１１は真空槽、１３は流量制御バルブ、
１９はバルブ作動部材、２１は流量センサ、２３
は第１の比較回路、２４は比較回路、２５は流量
設定回路、２７は切換スイツチ、２９は真空計、
３１は第２の比較回路、３３は圧力設定回路、３
５はマスフローコントローラである。
雰囲気制御装置の実施例の構成を示すブロツク図
である。 図中、１１は真空槽、１３は流量制御バルブ、
１９はバルブ作動部材、２１は流量センサ、２３
は第１の比較回路、２４は比較回路、２５は流量
設定回路、２７は切換スイツチ、２９は真空計、
３１は第２の比較回路、３３は圧力設定回路、３
５はマスフローコントローラである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 流量センサからの出力信号と設定流量信号と
を比較し偏差を検知して第１の動作信号を出力
し、真空計からの出力信号と設定圧力信号とを比
較し偏差を検知して第２の動作信号を出力する比
較回路と、 真空槽へのガス流量を調整する流量調整バルブ
と、 前記第１または第２の動作信号を受けて偏差量
が許容量以下となるように前記流量制御バルブの
開度を制御する制御機構と、 前記第１または第２の動作信号を選択的に前記
制御機構に供給する信号切換機構とを有すること
を特徴とする真空雰囲気制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012578A JPS60155669A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 真空雰囲気制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012578A JPS60155669A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 真空雰囲気制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60155669A JPS60155669A (ja) | 1985-08-15 |
| JPH0232352B2 true JPH0232352B2 (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11809235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59012578A Granted JPS60155669A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 真空雰囲気制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60155669A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126273U (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-19 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61259746A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空容器の開閉装置 |
| JPH0815540B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1996-02-21 | 株式会社日立製作所 | 処理装置 |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP59012578A patent/JPS60155669A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126273U (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60155669A (ja) | 1985-08-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |